KR20040025090A - 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 슬러리 및 케미컬 공급장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 두 개의 혼합탱크가 설치되어 씨엠피장치로의 공급 직전에 혼합액이 생성되고, 각 혼합탱크에서 씨엠피장치로 공급되면서 감소되는 혼합액의 잔량이 감지되어 씨엠피장치로 혼합액이 공급되는 혼합탱크가 순차 교대되도록 제어함으로써, 제1혼합탱크에서 씨엠피장치에 혼합액이 제공되는 동안 제2혼합탱크에서는 혼합과정을 진행하고 제1혼합탱크의 혼합액이 소진된 것이 감지되면 즉시 제2혼합탱크에서 그 씨엠피장치로 혼합액이 제공되도록 하여 혼합액의 공급이 중단되지 않고 연속적으로 공급될 수 있는 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치에 관한 것이다.

Description

씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치{SLURRY AND CHEMICAL SUPPLY EQUIPMENT FOR CMP}

본 발명은 슬러리 및 케미컬 공급장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조공정에서 반도체 장비, 특히 씨엠피장치에 슬러리 및 케미컬을 각 공정에 적합한 정도로 희석하거나 혼합하여 공급하는 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치에 관한 것이다.

근래 들어 반도체 소자의 고집적화가 이루어지면서 웨이퍼의 하부막을 보다 정밀하게 평탄화하는 기술이 요구되고 있으며, 특히 화학적 성질을 이용하거나, 물리적 성질인 마찰력을 이용하여 웨이퍼 표면을 연마하는 CMP공정은 미세 입자를 포함한 화학 용액 즉, 슬러리(slurry)를 이용해 웨이퍼 표면을 화학적으로 반응시킴으로써 연마가 용이하게 행해지도록 하는 공정으로서 현재 많이 이용되고 있다.

이때, 상기 CMP공정은 웨이퍼 표면을 화학적으로 반응시키는 슬러리를 공급하기 위한 슬러리 공급장치를 포함하는데, 종래에는 상기 슬러리를 공급하는 장치로 펌프 방식의 슬러리 공급장치와, 질소가압방식의 슬러리 공급장치를 사용하였다.

또한, 반도체 제조공정중에는 상기 슬러리 공급에 의한 CMP공정에서의 웨이퍼 표면 연마뿐 아니라, 케미컬을 각 공정에서 필요로 하는 비율로 희석하여 공급하거나, 복수의 케미컬을 혼합한 후 그 혼합액을 이용하여 웨이퍼를 처리하는 다수의 공정이 존재한다.

즉, 도금액을 이용하여 웨이퍼 표면을 도금하거나, 식각액을 이용하여 웨이퍼 표면의 일정부위를 식각하는 등 다수의 공정에서 각 공정에 적합한 비율의 희석액 및 혼합액이 각 공정의 반도체 장비에 공급되어야 한다.

따라서, 종래에는 각 공정에 적합한 비율로 미리 케미컬을 희석하거나 혼합한 후 일정한 저장탱크에 저장하였다가 각 공정에서 배관을 통하여 그 희석액이나 혼합액을 각 장비에 공급하는 것이 일반적이었다.

그러나, 이러한 종래의 희석액 및 혼합액 공급의 경우에는 케미컬을 미리 혼합하여 둠으로써 각 반도체 장비에 공급되는 희석액이나 혼합액의 조성비율을 변경하고자 할 경우 미리 준비하였던 희석액이나 혼합액의 손실이 발생할 수 있는 문제점이 있었다.

또한 혼합 후 시간의 경과로 인한 침전물의 발생으로 슬러리나 케미컬의 입자가 커지게 되어 웨이퍼 표면이 거칠어져서 불량품이 발생할 가능성이 높아지게 되는 문제점이 있었다.

본 발명의 목적은 상기와 같은 제반 문제점을 해소하기 위해 발명된 것으로, 슬러리 및 케미컬을 각 반도체 장비에 공급하기 직전에 일정비율로 희석하거나 혼합할 수 있는 혼합부를 설치함으로써, 반도체 제조공정 중 희석액이나 혼합액의 조성을 변경할 경우에 그 손실을 최소화 할 수 있는 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은, 상기 혼합부에 희석액이나 혼합액을 저장할 수 있는 혼합탱크와 그 혼합탱크에 유입되는 슬러리, 케미컬이 일정비율로 균등하게 희석되거나 혼합될 수 있도록 순환시키는 순환배관을 설치하여, 순환배관을 통하여 상기 슬러리, 케미컬을 지속적으로 이동시킴으로써 침전물이 발생하는 것을 방지할 수 있는 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치를 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은, 상기 혼합부에 두 개의 혼합탱크가 설치되고 각 혼합탱크에 저장되어 있는 혼합액의 잔량이 감지되어 씨엠피장치로 혼합액이 공급되는 혼합탱크가 순차 교대되도록 제어하는 제어부를 설치함으로써, 제1혼합탱크에서 씨엠피장치에 혼합액이 제공되는 동안 제2혼합탱크에서는 혼합과정을 진행하고 제1혼합탱크의 혼합액이 소진된 것이 감지되면 즉시 제2혼합탱크에서 상기 씨엠피장치로 혼합액이 제공되도록 하여 혼합액의 공급이 중단되지 않고 연속적으로 공급될 수 있는 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치를 제공함에 있다.

도 1은 본 발명에 따른 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치의 구성을 나타내는 블럭도이다.

도 2는 본 발명에 따라 혼합부에서의 혼합을 나타내는 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치 배관도이다.

도 3은 본 발명에 따른 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치의 전체 배관도이다.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

10 - 공급부11 - 슬러리탱크

12 - 케미컬탱크13 - 케미컬버퍼탱크

14 - 슬러리버퍼탱크15, 16 - 로드셀

20 - 슬러리공급배관21 - 케미컬공급배관

22 - 슬러리순환배관23 - 슬러리전달배관

24 - 케미컬전달배관30 - 혼합부

31 - 제1혼합탱크32 - 제2혼합탱크

33, 34 - 로드셀40 - 세정부

41 - 질소가스공급부42 - 순수공급부

51 - 제1순환배관52 - 제2순환배관

53 - 제2혼합탱크연결배관60, 61 - 혼합액주배관

62, 63 - 케미컬주배관70 - 세정배관

71 - 순수전달배관80 - 씨엠피장치(CMP)

90 - 제어부91 - 제1컨트롤밸브

92 - 제2컨트롤밸브

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 슬러리 및 케미컬을 공급하는 장치에 있어서, 슬러리 및 케미컬이 저장되어 있는 슬러리탱크와 케미컬탱크로 구성되는 공급부와, 상기 공급부에 저장된 슬러리 및 케미컬이 전달배관에 의하여 이동되어 저장되는 제1, 제2혼합탱크와 상기 슬러리 및 케미컬이 순환되는 순환배관으로 구성되는 혼합부와, 상기 순환배관에서 분기되어 씨엠피장치에 상기 혼합액이 전달되는 혼합액주배관 및 상기 혼합탱크에 저장된 혼합액의 잔량이 감지되어 씨엠피장치로 혼합액이 전달되는 혼합탱크가 순차 교대되도록 제어하는 제어부가 포함되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 다른 특징은 상기 혼합부에 입도계가 설치되는 것이다.

본 발명의 또 다른 특징은 상기 혼합부와 혼합액주배관에 순수공급부와 질소가스공급부에서 분기하는 세정배관이 연결되는 것이다.

본 발명의 또 다른 특징은 상기 케미컬탱크에서 분기되어 씨엠피장치에 상기 케미컬이 전달되는 케미컬주배관이 포함되는 것이다.

본 발명의 또 다른 특징은 상기 제어부에 상기 케미컬주배관에서의 케미컬 유입을 조절하는 제1컨트롤밸브와 상기 혼합액주배관에서의 혼합액 유입을 조절하는 제2컨트롤밸브가 포함되는 것이다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치의 구성을 나타내는 블록도이고, 도 2는 혼합부에서의 혼합을 나타내는 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치 배관을 나타낸 것이며, 도 3은 본 발명에 따른 씨엠피장치의슬러리 및 케미컬 공급장치의 전체 배관을 나타낸 것이다.

먼저, 도 1을 참조하여 본 발명의 기본적인 구성을 설명한다.

본 발명은 반도체 장비에 공급되는 슬러리 및 케미컬을 공급하는 공급부(10), 상기 공급부(10)에서 전달되는 슬러리가 희석되거나 케미컬이 일정비율로 혼합되는 혼합부(30), 상기 혼합부(30)에서 희석된 슬러리나 혼합액이 반도체 장비에 공급되는 혼합액주배관(60), 상기 혼합부(30)에서의 혼합비율을 조절하고 상기 혼합부(30)에 설치된 특정 혼합탱크를 선택하여 상기 혼합액주배관(60)으로 연결시키는 제어부(90) 및 상기 공급부(10), 혼합부(30), 혼합액주배관(60)을 세정할 수 있는 순수(DIW:DeIonized Water, 탈이온수)공급부와 질소가스(N₂)공급부로 이루어진 세정부(40)가 포함되어 구성된다.

다음으로, 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 세부적인 구성을 설명한다.

도면상에서의 B11 내지 B34는 배관을 개폐할 수 있는 밸브를 의미한다.

상기 공급부(10)는 슬러리 및 케미컬이 저장되는 공급탱크와 상기 슬러리 및 케미컬이 버퍼탱크로 전달되는 공급배관(20,21) 및 상기 슬러리 및 케미컬이 상기 버퍼탱크에서 혼합부로 전달되는 전달배관(23,24)으로 구성된다.

상기 공급탱크는 슬러리 및 케미컬 공급장치에 상기 슬러리 및 케미컬을 공급하기 위한 슬러리탱크(11)와 케미컬탱크(12)로 구성되며, 또한 상기 슬러리 및 케미컬을 일정량으로 계측하여 저장하는 슬러리버퍼탱크(14)와 케미컬버퍼탱크(13)가 포함된다.

이때, 상기 슬러리버퍼탱크(14)와 상기 케미컬버퍼탱크(13)에 저장되는 슬러리 및 케미컬의 저장량이 정밀하게 조절되도록 상기 각 버퍼탱크에 로드셀(15,16)이 포함되어 구성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 슬러리버퍼탱크(14)에 저장된 슬러리가 침전되어 그 입자의 크기가 증가하는 것을 방지하기 위하여, 상기 슬러리버퍼탱크(14)의 일측면에서 분기되어 상기 슬러리버퍼탱크(14)의 다른 측면으로 유입되도록 펌프와 밸브(B11,B12,B13)에 의하여 구성되는 슬러리순환배관(22)이 포함되도록 구성되는 것이 바람직하다.

상기 공급배관은 상기 슬러리탱크(11)에서 슬러리가 상기 슬러리버퍼탱크(14)로 전달되는 슬러리공급배관(20)과 상기 케미컬탱크(12)에서 케미컬이 상기 케미컬버퍼탱크(13)로 전달되는 케미컬공급배관(21)으로 구성된다.

상기 전달배관은 상기 슬러리버퍼탱크(14)에 저장된 슬러리가 제1혼합탱크(31)나 제2혼합탱크(32)로 전달되는 슬러리전달배관(23)과, 상기 케미컬버퍼탱크(13)에 저장된 케미컬이 제1혼합탱크(31)나 제2혼합탱크(32)로 전달되는 케미컬전달배관(24) 및 슬러리나 케미컬을 희석시키기 위한 순수(DIW)가 전달되는 순수전달배관(71)으로 구성된다.

이때, 상기 제1혼합탱크(31)와 제2혼합탱크(32) 중 어느 곳으로 전달될 것인가를 조절하기 위하여 상기 슬러리전달배관(23)에는 밸브 B14와 B15가 설치되고, 상기 케미컬전달배관(24)에는 밸브 B27과 B28이 설치되고, 상기 순수전달배관(71)에는 밸브 B29가 설치된다.

상기 혼합부(30)는 혼합탱크와 순환배관으로 구성되며, 상기 혼합탱크는 상기 슬러리전달배관(23)을 통하여 전달되는 슬러리나 상기 케미컬전달배관(24)을 통하여 전달되는 케미컬, 또는 상기 순수전달배관(71)을 통하여 전달되는 순수가 저장되는 제1혼합탱크(31)와 제2혼합탱크(32)로 구성되고, 상기 순환배관은 상기 제1, 제2혼합탱크(31,32)에 저장된 슬러리나 케미컬 또는 순수가 일정한 비율로 혼합되도록 상기 제1혼합탱크(31)의 일측면에서 분기되어 상기 제1혼합탱크(31)의 다른 측면으로 유입되는 제1순환배관(51)과 상기 제2혼합탱크(32)에서 일측면 분기되어 상기 제2혼합탱크(32)의 다른 측면으로 유입되는 제2순환배관(52)으로 구성된다.

상기 제1, 제2혼합탱크(31,32)에 각 혼합탱크 내의 혼합액 잔량을 감지할 수 있는 잔량감지센서가 설치되거나, 각 혼합탱크에서 유출되는 유량을 감지할 수 있는 유량측정기가 제1순환배관(51)이나 제2순환배관(52)에 설치되도록 구성하는 것이 바람직하다.

상기 제1순환배관(51)에는 펌프와 밸브 B16, B17, B18, B19 및 B20이 설치되어 구성되며, 상기 제2순환배관(52)에는 펌프와 밸브 B21, B22, B23, B24 및 B25가 설치되어 구성된다.

상기 도 2에서는 혼합탱크가 두 개인 경우만을 도시하였으나 이보다 많은 수의 혼합탱크가 부가될 수 있음은 물론이다.

또한 도 2에는 도시되지 않았으나, 상기 제1혼합탱크(31)와 제2혼합탱크(32)에 있는 혼합액의 혼합정도를 측정하기 위하여, 슬러리 및 케미컬의 입자 크기를측정할 수 있는 입도계, 그 농도를 측정할 수 있는 농도계, 또는 그 PH를 측정할 수 있는 PH계 등의 측정기가 포함되어 구성되는 것이 바람직하다.

상기 혼합액은 슬러리나 다수의 케미컬이 혼합되는 혼합액 뿐만 아니라, 순수(DIW)가 첨가되어 그 농도가 희석되는 희석액을 함께 의미한다.

또한, 상기 제1혼합탱크(31)와 제2혼합탱크(32)에 로드셀(33,34)이 부가되어 구성됨으로써 혼합액의 조성이 보다 정밀하게 구현될 수 있다.

상기 혼합액주배관(60)은 상기 혼합액이 씨엠피장치(CMP) 등의 반도체 장비에 공급되는 배관으로서, 상기 제1혼합탱크(31)에 부가된 제1순환배관(51)의 일 측면에 있는 밸브 B18에서 분기되어 밸브 B26을 통하여 반도체 장비에 연결되도록 구성되며, 또한 상기 제2혼합탱크(32)에 부가된 제2순환배관(52)의 일 측면에 있는 밸브 B23에서 분기되어 밸브 B26을 통하여 반도체 장비에 연결되도록 구성된다.

상기 반도체 장비를 순회한 혼합액이 상기 제1혼합탱크(31)로 순환되거나, 드레인으로 배출되도록 다른 혼합액주배관(61)이 드레인에 연결되어야 함은 물론이다.

또한, 상기 공급부(10)에 있는 케미컬버퍼탱크(13)에서 상기 혼합부(30)를 경유하지 않고 직접 상기 반도체 장비에 케미컬을 공급할 수 있도록, 상기 케미컬버퍼탱크(13)에서 분기되어 반도체 장비에 연결되는 케미컬주배관(62)과 이렇게 공급된 케미컬이 순환되거나, 배출되기 위하여 드레인에 연결된 다른 케미컬주배관(63)이 포함되는 것이 바람직하다.

상기 혼합액주배관(60)에서 공급되는 혼합액이나 상기 케미컬주배관(63)에서공급되는 케미컬이 다수의 반도체 장비에 공급될 필요가 있는 경우, 각 반도체 장비 모두를 순회할 수 있도록 각 반도체 장비에의 분기로가 포함되어 구성된다.

상기 제어부(90)는 외부에서 조작자에 의하여 입력되는 혼합비율 설정치를 상기 제1, 제2혼합탱크(31,32)에 설치된 입도계, 농도계 및 PH계 등 측정기에서의 측정값과 비교하는 데이터비교부와, 그 비교결과를 이용하여 혼합비율을 조절하는 연산부와, 제1혼합탱크(31)에 설치된 잔량감지센서나 유량측정기에 의하여 잔량이 없음이 감지될 경우 밸브 B18을 닫아서 상기 제1혼합탱크(31)에서 혼합액주배관(60)으로의 공급을 단절시키고 제2혼합탱크(32)에 부가되어 있는 밸브 B23을 개방하여 상기 제2혼합탱크(32)를 상기 혼합액주배관(60)과 연결시키는 스위칭부로 구성된다.

또한, 상기 제어부(90)에는 상기 혼합액주배관(60)에서의 혼합액 유입과 상기 케미컬주배관(63)에서의 케미컬 유입을 제어할 수 있는 제1컨트롤밸브(91)와 제2컨트롤밸브(92)를 설치한다.

상기 제1컨트롤밸브(91)는 상기 케미컬주배관(63)에 연결된 밸브 B31, B32에 연결되어 반도체 장비로의 케미컬 유입을 조절하고, 상기 제2컨트롤밸브(92)는 상기 혼합액주배관(60)에 연결된 밸브 B33, B34에 연결되어 반도체 장비로의 혼합액 유입을 조절한다.

상기 제어부(90)는 도면에서는 도시되지 않았으나, 각 탱크와 배관, 측정기, 펌프 및 밸브 등 본원 발명을 구성하는 다수의 구성요소의 동작을 조절할 수 있도록 전기도선 등의 전자수단에 의하여 연결되어 구성된다.

상기 세정부(40)는 세정액인 순수공급부(42)와 건조를 위한 질소가스공급부(41)로 구성되며, 이러한 순수 및 질소가스(N₂)가 상기 각 공급부(10), 공급배관(20,21), 전달배관(23,24), 혼합부(30), 혼합액주배관(60) 및 반도체장비에 공급되도록 상기 각 부분에 연결되는 세정배관(70)과 각 배관을 개폐하는 다수의 밸브가 포함되어 구성되며, 세정 후 오염된 순수 및 질소가스가 배출되도록 드레인(Drain)에 연결되어 구성된다.

다음에는 도 2를 참조하여 본 발명의 구성에 의한 작용을 설명한다.

먼저, 슬러리가 혼합부(30)에서 혼합된 후 씨엠피장치(80)에 공급되는 것을 설명한다.

공급부의 슬러리탱크(11)와 케미컬탱크(12)에 저장된 슬러리와 케미컬이 슬러리공급배관(20)과 케미컬공급배관(21)을 통하여 슬러리버퍼탱크(14)와 케미컬버퍼탱크(13)에 일정량 저장된다.

이때, 로드셀(15,16)에 의하여 상기 케미컬버퍼탱크(13)와 슬러리버퍼탱크(14)에 저장되는 양이 일정하게 조절된다.

이 후 상기 슬러리버퍼탱크(14)내의 슬러리가 슬러리순환배관(22)에 의하여 상기 슬러리버퍼탱크(14)내에서 순환되어 침전물 등 불순물의 생성이 방지된다.

상기 슬러리버퍼탱크(14)내의 슬러리가 슬러리전달배관(23)을 통하여 제1혼합탱크(31)로 전달되고, 상기 케미컬버퍼탱크(13)내의 케미컬이 케미컬전달배관(24)을 통하여 상기 제1혼합탱크(31)로 전달되며, 순수공급부(42)에서 순수(DIW)가 순수전달배관(71)을 통하여 상기 제1혼합탱크(31)로 전달된다.

이 후, 상기 슬러리, 케미컬 및 순수가 펌프의 동작과 밸브의 개방에 의하여 제1순환배관(51)을 순환하여 혼합이 이루어진다.

상기 제1혼합탱크(31)에 설치된 측정기에서의 혼합액 측정값이 제어부(90)에서 설정값과 비교된 후 일치할 경우 상기 제1순환배관(51)의 밸브 B18이 개방되어 혼합액주배관(60)으로 혼합액이 공급되므로, 그 혼합액이 씨엠피장치(80)로 공급된다.

상기 씨엠피장치(80)로 공급된 혼합액은 다른 혼합액주배관(61)을 통하여 제1혼합탱크(31)로 순환된다.

이와 동시에 상기 슬러리버퍼탱크(14), 케미컬버퍼탱크(13) 및 순수공급부(42)에서 슬러리, 케미컬 및 순수가 제2혼합탱크(32)로 전달된다.

상기 제2혼합탱크(32)에 저장된 슬러리, 케미컬 및 순수는 제2순환배관(52)을 통하여 순환하여 혼합된다.

상기 제1혼합탱크(31)에서의 혼합액이 모두 공급되어 잔량이 없음이 잔량감지센서나 유량측정기에 의하여 감지되면, 상기 제어부(90)에서 밸브 B18을 닫고 상기 제2순환배관(52)의 밸브 B23이 개방되어 상기 제2혼합탱크(32)에 저장된 혼합액이 제2혼합탱크연결배관(53)을 통하여 상기 밸브 B26을 거쳐서 상기 혼합액주배관(60)으로 전달된다.

이때, 상기 순수공급부(42)에서 세정배관(70)을 통하여 순수가 공급되어 제1혼합탱크(31)를 세정하고, 질소가스공급부(41)에서 질소가스가 상기 세정배관(70)을 통하여 공급되어 상기 제1혼합탱크(31)를 건조시킨다.

그리고 상기 제1혼합탱크(31)에서 혼합액이 먼저와 동일한 과정으로 생성된다.

이 후 상기 제2혼합탱크(32)내의 혼합액이 모두 공급되어 잔량이 없음이 잔량감지센서나 유량측정기에 의하여 감지되면, 상기 제어부(90)에서 밸브 B23을 닫고 상기 제1순환배관(51)의 밸브 B18이 개방되어 상기 제1혼합탱크(31)에 저장된 혼합액이 상기 밸브 B26을 거쳐서 상기 혼합액주배관(60)으로 전달된다.

그리고, 상기 제2혼합탱크(32)는 세정과정을 거친 후, 혼합액을 생성한다.

이러한 과정을 반복함에 의하여 상기 씨엠피장치(80)로의 혼합액 공급이 중단되지 않고 지속된다.

다음으로, 케미컬버퍼탱크(13)에서 직접 씨엠피장치(CMP)로 케미컬이 공급되는 경우에는, 상기 케미컬버퍼탱크(13)에서 케미컬주배관(63)을 통하여 공급된 케미컬이 제1컨트롤밸브(91)의 개방에 의해 상기 씨엠피장치(80)로 직접 공급되고, 다른 케미컬주배관(63)을 통하여 케미컬버퍼탱크(13)로 순환된다.

다음으로, 씨엠피장치(80)의 웨이퍼가 놓이는 플레이트 상에서 슬러리나 케미컬이 혼합되어 공급되는 경우에는, 상기 케미컬버퍼탱크(13)에서 공급된 케미컬이 케미컬주배관(63)을 통하여 상기 씨엠피장치(80)로 공급되고, 제1혼합탱크(31)나 제2혼합탱크(32)에 저장된 슬러리나 혼합액이 혼합액주배관(60)을 통하여 상기 씨엠피장치(80)로 공급된다.

상기 케미컬은 제1컨트롤밸브(91)의 개폐에 의하여, 그리고 상기 슬러리나혼합액은 제2컨트롤밸브(92)의 개폐에 의하여 상기 씨엠피장치(80)로 공급된다.

따라서, 상기 씨엠피장치(80)에서 웨이퍼가 놓이는 플레이트 상에서 상기 케미컬과 슬러리가 혼합되어 웨이퍼에 공급된다.

이와 같이, 본 발명에 의할 경우 미리 혼합액을 만든 후 반도체 장비에 공급하지 않고 다수의 케미컬을 사용직전에 해당 반도체 공정에 적합한 비율로 희석 및 혼합하여 반도체 장비에 공급할 수 있게 된다.

또한, 케미컬을 직접 반도체 장비에 공급할 수 있을 뿐만 아니라, 반도체 장비의 플레이트 상에서도 직접 혼합하여 공급할 수 있게 되며, 반도체 장비의 성질이나 혼합률 등에 따라 다양한 혼합액 제공방법을 선택할 수 있게 된다.

본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 반도체 공정 각각에서 요구되는 슬러리와 혼합제의 종류에 따라서 공급부인 혼합제 버퍼탱크에서의 직접공급 뿐만아니라, 반도체 장비에서의 사용 직전에 그 장비에 필요한 비율로 슬러리와 혼합제를 희석 및 혼합하여 공급할 수 있으므로, 해당 공정에 적합한 혼합방법을 사용자가 선택할 수 있는 효과가 있다.

또한, 혼합부가 두 개의 혼합탱크로 구성됨으로써, 반도체 장비로의 혼합액공급과 혼합탱크에서의 혼합이 동시에 진행되고 그 과정이 제어부에 의하여 측정, 연산되어 스위칭됨으로써 반도체 장비로의 슬러리 공급이 중단되지 않고 연속공급이 가능하게 되는 효과가 있다.

Claims (5)

1. 슬러리 및 케미컬을 공급하는 장치에 있어서,

   슬러리 및 케미컬이 저장되어 있는 슬러리탱크와 케미컬탱크로 구성되는 공급부;

   상기 공급부에 저장된 슬러리 및 케미컬이 전달배관에 의하여 이동되어 저장되는 제1, 제2혼합탱크와 상기 슬러리 및 케미컬이 순환되는 순환배관으로 구성되는 혼합부;

   상기 순환배관에서 분기되어 씨엠피장치에 상기 혼합액이 전달되는 혼합액주배관; 및

   상기 혼합탱크에 저장된 혼합액의 잔량이 감지되어 씨엠피장치로 혼합액이 전달되는 혼합탱크가 순차 교대되도록 제어하는 제어부가 포함되는 것을 특징으로 하는 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 혼합부에 입도계가 설치되는 것을 특징으로 하는 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 혼합부와 혼합액주배관에 순수공급부와 질소가스공급부에서 분기하는세정배관이 연결되는 것을 특징으로 하는 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치.
4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 케미컬탱크에서 분기되어 씨엠피장치에 상기 케미컬이 전달되는 케미컬주배관이 포함되는 것을 특징으로 하는 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치.
5. 제 4항에 있어서,

   상기 제어부에 상기 케미컬주배관에서의 케미컬 유입을 조절하는 제1컨트롤밸브와 상기 혼합액주배관에서의 혼합액 유입을 조절하는 제2컨트롤밸브가 포함되는 것을 특징으로 하는 씨엠피장치의 슬러리 및 케미컬 공급장치.