KR20040014878A - 질화물 발광 다이오드 및 그의 제조방법 - Google Patents
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- n-GaN기판(10)의 상부에 n-클래드층(11), 활성층(12), p-클래드층(13)과 p-GaN층(14)이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 p-GaN층(14)의 상부에 p-메탈층(15)이 형성되고, 상기 n-GaN기판(10)의 하부에 n-메탈층(16)이 형성된 질화물 발광 다이오드에 있어서,상기 n-메탈층(16)의 단면적이 활성층(12)의 단면적보다 작게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 다이오드.
- 제 1 항에 있어서,상기 n-GaN기판(10)의 하부가 식각공정으로 제거하여 n-GaN기판(10) 상부의 단면적보다 하부의 단면적이 작게 형성하고,n-메탈층(16)의 단면적을 상기 n-GaN기판(10) 하부 단면적과 동일하게 형성하여, 상기 n-메탈층(16)의 단면적을 활성층(12)의 단면적보다 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 다이오드.
- n-GaN기판의 상부에 n-클래드층, 활성층, p-클래드층과 p-GaN층을 순차적으로 적층하고, 상기 p-GaN층의 상부에 p-메탈층을 형성하고, 상기 n-GaN기판의 하부에 n-메탈층을 형성하는 제 1 단계와;상기 n-메탈층이 상부로 향하고, p-메탈층이 하부로 향하도록 위치시키고,상기 n-메탈층을 등 간격으로 식각한 후, 상기 식각된 n-메탈층을 감싸서, 노출된 n-GaN기판에 의해 각각 분리된 포토레지스트층을 형성하는 제 2 단계와;상기 포토레지스트층을 마스크로 노출된 n-GaN기판과, 상기 포토레지스트층의 하부를 식각하여 상기 n-메탈층과 n-메탈층 사이에 각각 홈을 형성하는 제 3 단계와;상기 포토레지스트층을 제거하고, n-메탈층들이 사이의 홈들을 스크라이빙(Scribing)하여 질화물 발광 다이오드들을 분리시키는 제 4 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 다이오드의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 노출된 n-GaN기판과, 상기 포토레지스트층의 하부 식각은 RIE(Reactive Ion Etching)법을 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 다이오드의 제조방법.
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2002
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