KR20040008167A - 수직 기록형의 자기 기록 매체 및 이것을 사용한 자기기억 장치 - Google Patents

수직 기록형의 자기 기록 매체 및 이것을 사용한 자기기억 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 적어도 수직 자기 기록층과 그 수직 자기 기록층을 지지하는 면내 방향으로 자화를 갖는 지지층을 포함하는 수직 기록형의 자기 기록 매체에 관한 것로서, 상기 지지층은 상기 수직 자기 기록층에 기록된 자기 정보의 재생이 행해지는 기록 재생 온도의 부근에 보상 온도를 갖는 페리자성 재료로 형성되어 있다.

Description

수직 기록형의 자기 기록 매체 및 이것을 사용한 자기 기억 장치{VERTICAL RECORDING TYPE MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE MEDIUM}
상기와 같이 하드 디스크 장치의 대용량화가 요구되고 있는 중, 차세대의 고밀도 자기 기록 기술에 위치하고 있는 것이 수직 자기 기록형의 자기 기록 매체이고, 그 연구 개발이 근년, 적극적으로 행해지고 있다.
상기 수직 자기 기록형의 자기 기록 매체로는, 크게 나누어 2종류가 있다. 그 하나는 자성(磁性)층이 자기 기록층만인 단층형의 자기 기록 매체이며, 다른 하나는 자기 기록층에 부가하여, 기록 시에 어시스트층으로서 기능하는 지지층 (backing layer)을 구비한 2층형의 자기 기록 매체이다.
이 2번째의 지지층을 갖는 2층형의 자기 기록 매체는, 지지층이 자기 기록층을 밑에서 지지하도록 배설되고, 소정의 자화(磁化)를 가지고 있으므로 기록 시에 수직 방향의 기록 자계를 크게 할 수 있다. 따라서, 이상적인 수직 기록이 가능해져 고밀도 기록에 적합한 자기 기록 매체로서 특히 주목받고 있다.
고밀도 자기 기록을 달성하기 위해서는, 노이즈를 확실히 저감시키는 것이 필수이다. 그런데, 상기 2층형의 자기 기록 매체의 지지층은, 일반적으로 FeTaC나 NiFe 등의 강자성 재료로 형성되어 있다. 이러한 강자성의 지지층을 사용하면, 자기 기록층에 기인하는 노이즈와는 별개로 지지층에 기인한 보다 큰 노이즈가 발생하여 문제가 된다.
그런데, 이 지지층에 기인한 노이즈를 저감시키기 위해서, 종래에 있어서 재료 등의 개량이 행해지고 있다. 그러나, 지지층이 그 역할을 하기 위해서는, 소정의 자화를 갖는 것이 필요하다. 그리고, 이와 같이 자화를 갖는 이상 이것에 기인한 노이즈를 본질적으로 제거하는 것은 곤란하다. 또한, 그 노이즈를 확실히 저감시키는 기술에 대해서도 아직 만족할 수 있는 제안이 되어 있지 않은 것이 현상이다.
상기와 같이, 2층형에서 자기 기록층의 아래에 마련한 지지층의 본래의 역할은 자기 정보를 기록(기입)할 때에 어시스트하는 것이며, 그 때문에 지지층이 소정의 자화를 갖는 것이 필요하다. 그런데, 자기 기록층에 기록된 자기 정보를 재생(판독)할 때에는, 지지층에 기인한 노이즈(스파이크(spike) 노이즈 등)가 발생하여 문제가 된다.
즉, 자기 기록층을 어시스트하기 위해서 마련되는 지지층에 관해서는, 기록 시와 재생 시에 상반되는 자기 특성이 요구되게 되므로, 종래에는 이러한 요구를 만족할 수 있는 지지층을 구비한 2층형의 자기 기록 매체는 존재하지 않았다.
따라서, 본 발명의 주된 목적은 자기 기록층과 그 기록을 어시스트하는 지지층을 포함하는 2층형 자기 기록 매체로서, 재생 시에는 지지층에 기인하는 노이즈를 확실히 억제할 수 있는 자기 기록 매체를 제공하는 것이다. 더욱이, 이러한 자기 기록 매체를 기능시켜 대용량의 자기 정보를 기억할 수 있게 한 자기 기억 장치를 제공하는 것도 본 발명의 목적의 하나에 포함된다.
본 발명은 하드 디스크 등의 자기 기록 매체 및 이것을 사용한 자기 정보의 기록·재생을 행하는 자기 기억 장치에 관한 것이다. 현재, 실용화되어 있는 자기 기록 매체로는, 자기 정보를 기록하는 자기 기록층의 자화를 면내 방향으로 향하게 한 면내 기록형이 일반적이며, 매년 2배 가까운 스피드로 고밀도화되고 있다.
그러나, 더 대용량화한 기억 장치에 대한 요구가 있어, 이것에 대응한 기술에 대해서 많은 검토가 되고 있다.
[발명의 개시]
상기 목적은 적어도 수직 자기 기록층과 그 수직 자기 기록층을 지지하는 면내 방향으로 자화를 갖는 지지층을 포함하는 수직 기록형의 자기 기록 매체로서,
상기 지지층은 상기 수직 자기 기록층에 기록된 자기 정보의 재생이 행해지는 기록 재생 온도 부근에 보상 온도를 갖는 페리자성(ferrimagnetic) 재료로 형성되어 있는 수직 기록형의 자기 기록 매체에 의해 달성할 수 있다.
상기 자기 기록 매체는 수직 자기 기록층에 자기 정보가 기록될 때에는 지지층이 자화를 갖고, 수직 자기 기록층에 기록된 자기 정보를 재생할 때에는 자화를 갖지 않는 상태로 할 수 있다. 따라서, 지지층에 기인한 노이즈를 확실히 억제할 수 있으므로, 고밀도 기록 자기 기록 매체로 할 수 있다.
상기 기록 재생 온도는 자기 기록 매체가 사용되는 환경을 고려하여, 예를들면 -20℃∼100℃의 범위에서 적당히 선정하면 좋다. 또한, 상기 보상 온도는 여기서 특정된 기록 재생 온도의 부근에 설정하면 좋다.
상기 페리자성 재료는 GdFe계 합금, DyFe계 합금 또는 가네트(garnet)계 페라이트를 사용할 수 있으며, 그 조성을 변경함으로써 상기 보상 온도를 조정할 수 있다.
또한, 상기 수직 자기 기록층으로서 단층 수직 자화막 또는 다층 수직 자화막을 사용할 수 있다.
본 발명에는, 상기의 수직 기록형의 자기 기록 매체를 확실히 기능시키는 자기 기억 장치도 포함된다. 즉, 적어도 수직 자기 기록층과 그 수직 자기 기록층을 지지하는 면내 방향으로 자화를 갖는 지지층을 포함하는 수직 기록형의 자기 기록 매체를 구비하고, 자기 정보의 기록 재생을 하는 자기 기억 장치로서, 상기 지지층은 기록 재생 온도 부근에 보상 온도를 갖는 페리자성 재료로 형성되고, 상기 수직 자기 기록층에 자기 정보를 기록할 때에, 상기 지지층의 온도를 상기 보상 온도로부터 먼 방향으로 가열 또는 냉각시키는 지지층 온도 변경 수단이 마련되어 있는 자기 기억 장치에 의해서도 상술한 목적은 달성된다.
또한, 상기 지지층 온도 변경 수단은, 상기 수직 자기 기록층에 자기 정보를 기록할 때에, 상기 지지층을 광 빔으로 가열하는 광가열 기구로 구성할 수 있다.
또한, 상기 수직 자기 기록층에 자기 정보를 기록하는 기록측 헤드로서, 단(單)자극 헤드를 사용할 수 있다. 또한, 상기 기록측 헤드로부터의 기록 자계를 상기 지지층으로부터 받는 리턴 요크(return yoke)를 구비한 구조로 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 기록측 헤드에, 상기 수직 자기 기록층에 기록된 자기 정보를 재생하기 위해서 GMR, TMR, MR 등의 자기 저항 센서를 사용한 재생 헤드가 병설되어 있는 구조로 하는 것이 보다 바람직하다.
[도면의 간단한 설명]
도 1은 본 발명에 의한 수직 기록형의 자기 기록 매체의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 2는 N 타입의 페리자성체의 온도 특성에 대해서 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 자기 기록 매체를 자기 기억 장치내에 배치하여, 자기 헤드에 의해 자기 정보를 기록(A), 재생(B)할 때의 모양을 설명한 도면이다.
도 4는 발생하는 노이즈에 관해서, 종래의 2층형의 자기 기록 매체와 본 발명의 자기 기록 매체를 비교하여 나타낸 도면이다.
도 5는 종래의 2층형의 자기 기록 매체에 의한 DC 소자(消磁) 후의 재생 출력파형(波形)과, 본 발명의 자기 기록 매체에 의한 DC 소자 후의 재생 출력파형을 비교하여 나타낸 도면이다.
도 6은 자기 기억 장치의 일실시예를 나타내고, 도 6a는 자기 기억 장치의 요부를 나타내는 단면도이며, 도 6b는 동 장치의 요부를 나타내는 평면도이다.
[발명의 실시를 하기 위한 최량의 형태]
이하, 도면에 의하여 본 발명의 수직 기록형의 자기 기록 매체(이하, 단지 자기 기록 매체라 함)를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 의한 자기 기록 매체의 구성예를 나타낸 도면이다. 여기서, 도 1a는 비자성층을 마련하지 않은 자기 기록 매체(10), 도 1b는 비자성층을 마련한 경우의 자기 기록 매체(20)를 예시하고 있다.
도 1a에서, 자기 기록 매체(10)는 예를 들면 유리 기판(11)상에, 밑에서부터 지지층(12), 자기 기록층(13), 보호층(14) 및 윤활층(15)이 차례로 적층된 구조를 가지고 있다. 이 자기 기록 매체(10)는 반도체 제조 공정에 사용되고 있는 박막 형성 기술, 예를 들면 스퍼터링법, 증착법, 도금법 등의 막형성 기술을 사용하여 각 층을 소정의 막두께로 순차 적층함에 의해 형성할 수 있다.
상기 자기 기록층(13)은 기판(11)의 면에 대해서 수직인 방향으로 자화를 갖는 수직 자화 기록막이다. 이 자기 기록층(13)이 막형성할 때에는, 기판(11)면에 수직인 자계를 공급하면서 지지층(12)상에 형성한다.
이 자기 기록층(13)은 도 1a에 나타내는 바와 같이 단층의 수직 자화막으로 형성해도 좋고, 다층의 수직 자화막으로 형성해도 좋다. 단층막으로 하는 경우는, 예를 들면 CoCr계의 합금 재료, 비정질의 TbFeCo 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 다층막으로 하는 경우는, 예를 들면 Co/Pd, Co/Pt, Fe/Pt 등의 적층한 수직 자화막을 사용할 수 있다.
상기 자기 기록층(13)에 자기 정보가 기록될 때에, 이것을 어시스트 하도록 배설되어 있는 것이 상기 지지층(12)이다. 이 지지층(12)도 자성 재료로 형성되지만, 그 자화 방향은 그 위에 형성되는 자기 기록층(13)과는 다르고, 기판(11)면에 대해서 평행한 면내 방향이다. 이러한 구성을 채용함으로써, 기록 헤드로부터의기록 자계가 자기 기록층(13)에 수직으로 인가되어, 정확한 기록이 되도록 하고 있다. 즉, 자기 기록층(13) 아래에 소정의 자화를 갖는 지지층(12)를 마련함으로써, 지지층(12)이 기록 자계를 수용하는 구성으로 되어 자기 기록층(13)에의 자기 정보의 기록을 확실히 행하는 구조로 된다. 또한, 이 자기 기록층(13)에의 자기 정보가 기록되는 모양에 대해서는 뒤에, 도 3을 참조하여 설명한다.
여기서, 상기 지지층(12)에 사용하는 자성 재료에 대해서 설명한다. 지지층(12)은 자기 기록층(13)에 자기 정보의 기록이 행해질 때에는 소정의 자화를 가진 상태로 되지만, 자기 기록층(13)에 기록된 자기 정보가 재생될 때에는 그 자화가 제로 또는 노이즈의 원인으로 되지 않을 정도까지 감쇠한 상태로 된다. 이와 같이 그 자기 특성을 변화시키는 지지층(12)은 페리자성 재료에 의해 형성할 수 있다.
도 2는 N타입이라 칭하는 페리자성체의 온도 특성에 대해서 나타낸 도면이다. 도 2에서는 가로축에 온도 T, 세로축에 자화 M을 취하고 있다. 도 2에서의 N타입의 페리자성체는 온도 의존성이 있어, 온도 변화에 따라 그 자화 M(자기 특성)를 변화시키는 특질이 있다. 즉, N타입의 페리자성체는 저온측으로부터 보면, 온도 T가 상승함에 따라서 외관상의 자화 M이 거의 소멸하는 온도가 존재한다. 이와 같이 자화 M이 제로로 되는 온도를 보상 온도 Tcomp라 한다. 이 보상 온도 Tcomp보다도 온도가 더 상승하면 다시 자화 M이 나타나게 된다. 따라서, N타입의 페리자성 재료를 사용하여 지지층(12)을 형성하면, 그 자화 상태를 온도에 의해 제어할 수있다.
즉, 상기 자기 기록층(13)의 자기 정보를 재생시킬 때의 온도, 즉 기록 재생 온도의 부근에 상기 보상 온도 Tcomp를 갖는 페리자성 재료를 설계하여, 이것을 지지층(12)에 채용함으로써, 재생 시에 지지층(12)이 자화를 가짐에 기인한 노이즈의 발생을 억제할 수 있다.
상기와 같은 지지층(12)을 형성하기 위해서는, 페리자성 재료로서 NdFe계 합금, GdFe계 합금, DyFe계 합금, 가네트계 페라이트 등을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 재료는 그 조성 비율을 변경함으로써 상기 보상 온도 Tcomp를 조정할 수 있다.
따라서, 자기 기록층(13)의 자기 정보를 재생시킬 때의 자기 기록 매체의 온도를 기록 재생 온도로 하고, 이 기록 재생 온도의 부근에 상기 보상 온도 Tcomp가 존재하도록 페리자성 재료를 설계하고, 이것을 사용하여 지지층(12)을 형성하면 이것에 기인한 노이즈를 억제한 자기 기록 매체로 된다. 상기 기록 재생 온도는, 자기 기억 장치가 설치되는 방의 실온(室溫)과, 자기 기억 장치내의 온도 상승을 고려하여, 예를 들면 -20℃∼100℃ 정도의 범위에서 적당히 선정한다.
그 한편으로, 자기 기록층(13)에 자기 정보를 기록할 때에는, 상술한 바와 같이 지지층(12)이 소정의 자화를 가지고 있음이 필요하다. 따라서, 자기 정보를 기록할 때에 지지층(12)의 온도를 상기 보상 온도 Tcomp로부터 먼 방향으로 가열 또는 냉각하여 지지층의 온도를 변화시킨다. 따라서 지지층을 가열 또는 냉각하는수단을 자기 기억 장치내에 배치하면 좋다. 도 2에서 명백한 바와 같이, 지지층(12)의 온도가 상기 보상 온도 Tcomp로부터 멀어지면 자화 M을 갖게 되므로, 냉각해도, 가열해도 좋다.
예를 들면, 광 빔 등에 의한 가열 기구를 자기 기록 매체의 근방에 배설하면 비교적 간이하게 지지층(12)을 가열할 수 있다. 이 경우에는, 자기 기록층(13)에 자기 정보를 기록할 때에 광 어시스트로서의 광 빔에 의해 자기 기록 매체를 가열하여 지지층(12)에 자화를 발현시켜, 보자력을 더 저감함으로써, 본래의 지지층(12)으로서 기능하게 할 수 있다.
또한, 도 1a에서는, 페리자성의 지지층(12)을 단층으로 형성한 예를 나타내고 있지만, 이것에 한정되지 않고 페리 결합시킨 다층막으로 형성해도 좋다. 이 경우에는, 상기 기록 재생 온도의 부근에서 다층막 전체로서 자화가 발현하지 않도록 조정하면 좋다.
마지막으로, 상기 자기 기록층(13)상에 카본계의 재료를 형성하여 보호막 (14)으로 하고, 그 위에 퍼플루오로에테르 등을 도포하고, 자연 건조시켜 윤활층(15)을 형성하면 도 1a에 나타내는 자기 기록 매체(10)로 된다.
도 1a에 나타낸 자기 기록 매체(10)의 구체적 구성예로는, 유리 기판(11)상에, GdFeCo를 400nm 막형성하여 지지층(12)으로 하고, 이 지지층(12)상에 CoCrPt를 40nm 막형성하여 자기 기록층(13)으로 하고, 이 위에 DLC (Diamond Like Carbon)를 5nm 형성하여 보호막(14)으로 한다.
또한, 도 1b에 나타낸 자기 기록 매체(20)는 지지층(12)과 자기 기록층(13)의 사이에 비자성층(18)을 마련한 점이 상위하지만, 다른 구성은 도 1a에 나타낸 자기 기록 매체(10)와 동일하다. 이와 같이 비자성층(18)을 마련하면, 그 위에 형성되는 자기 기록층(13)의 결정 배향성이나 결정입자의 상태를 향상시킬 수 있다. 이 비자성층(18)은 Ti, Cr 또는 TiCr계의 비자성 재료를 사용하여 형성할 수 있고, 단층에 한하지 않고 다층으로 형성해도 좋다. 도 1b에 나타낸 자기 기록 매체(20)의 구체적 구성예도, 도 1a에 나타낸 자기 기록 매체(10)와 동일하며, 지지층(12)과 자기 기록층(13)의 사이에 비자성층으로서 TiCr를 20nm 더 형성하는 점에서 상위하다.
도 3은 상기 자기 기록 매체(10)를 자기 기억 장치내에 배치하고, 자기 헤드에 의해 자기 정보를 기록, 재생하는 상태에 대해서 나타낸 도면이다. 도 3a는 기록에 헤드(30)에 의해 자기 정보를 자기 기록층(13)에 기록할 때의 상태를 나타내고, 도 3b는 재생 헤드(40)에 의해 자기 기록층(13)에 기록된 자기 정보를 재생할 때의 상태를 나타내고 있다. 또한, 도 3a 및 도 3b에서는 기본 구성을 이해하기 쉽게 주요 부분만을 나타내고 있다. 따라서, 자기 기록 매체(10)는 지지층(12)과 자기 기록층(13)만이 나타나 있다.
도 3a에서는, 화살표 HMD 방향으로 상대 이동하는 단자극 헤드(30)와 리턴 요크(32)를 사용하여, 소정의 자기 정보가 자기 기록층(13)에 기록되는 모양을 나타내고 있다. 지지층(12)은 광 빔(35)에 의해 가열되어, 보상 온도 Tcomp보다도 높은 온도로 된다. 지지층(12)은 면내 방향으로 소정의 자화(33)를 갖고, 본래의 지지층으로서 기능하여 단자극 헤드(30)로부터의 기록 자계(31)를 수용한다. 따라서, 자기 기록층(13)에 정확한 자기 정보(34)를 기록할 수 있게 된다.
또한, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 지지층(12)에 들어간 자속은, HMD 방향으로 단자극 헤드(30)보다 전방에 마련한 리턴 요크(32)에 의해 환류시키도록 한 구조로 하는 것이 바람직하다. 그 때, 리턴 요크(32)에 들어가는 자속은 자기 기록층(13)을 횡단하는 것으로 되지만, 자기 기록층(13)은 이 후에 단자극 헤드(30)로부터의 기록 자계(31)를 받아 자기 정보가 기록되므로, 자기 정보에 오류를 일으키지 않는다.
상기와 같이, 본 발명의 자기 기록 매체의 지지층은 자기 기록층에 자기 정보를 기록할 때에만 소정 자화가 발현하도록 가열(또는 냉각)된다.
한편, 도 3b는 자기 기록층(13)에 기록된, 자기 정보를 재생하는 경우에 대해서 나타내고 있다. 이 경우에는, 지지층(12)은 가열되어 있지 않고 보상 온도 Tcomp가까운 온도로 되어 있다. 따라서, 지지층(12)의 자화는 거의 제로의 상태이므로 재생 시에서의 노이즈 발생의 원인으로 되지 않는다.
즉, 도 4에 노이즈에 관해서, 종래의 지지층을 구비한 2층형의 자기 기록 매체와, 본 발명의 자기 기록 매체를 비교하여 나타내는 바와 같이, 본 발명의 자기 기록 매체는 지지층에 기인한 노이즈를 억제할 수 있는 매우 뛰어난 특질을 가지고 있다.
또한, 도 5는 종래의 2층형의 자기 기록 매체에 의한 DC 소자 후의 재생 출력파형(A)과, 본 발명의 자기 기록 매체에 의한 DC 소자 후의 재생 출력파형(B)을 비교하여 나타낸 도면이다. 상단(A)에 나타내는 종래의 지지층 (NiFe)의 경우는, 재생 시에 지지층이 자화를 가지고 있음에 기인한 스파이크 노이즈(SPN)가 나타나 있다. 그러나, 하단(B)에 나타내는 본 발명의 페리자성 재료를 사용한 지지층(GdFeCo)을 포함하는 자기 기록 매체에서는 스파이크 노이즈 (SPN)의 발생이 억제됨을 확인할 수 있다.
또한, 본 발명으로 되는 자기 기억 장치의 하나의 실시예를, 도 6a 및 도 6b와 함께 설명한다. 도 6a는 자기 기억 장치(100)의 일실시예의 요부를 나타내는 단면도이고, 도 6b는 동 장치(100)의 요부를 나타내는 평면도이다. 또한, 도 3a 및 3b에 의해, 자기 기억 장치에 배치했을 때의 자기 기록 매체에 관해서는 설명하고 있으므로, 여기서는 자기 기억 장치측의 개요를 간단히 설명한다.
도 6a 및 6b에 나타내는 바와 같이, 자기 기억 장치(100)는 대략 하우징(113)으로 된다. 하우징(113)내에는, 모터(114), 허브(115), 복수의 자기 기록 매체(116), 복수의 기록·재생 헤드(117), 복수의 서스펜션(118), 복수의 암(119) 및 액츄에이터 유니트(112)가 마련되어 있다. 자기 기록 매체(116)는 모터(114)에 의해 회전되는 허브(115)에 부착되어 있다.
상기 기록·재생 헤드(117)는 GMR, TMR, MR 등의 자기 저항 효과를 이용하는 고감도인 저항 센서로 구성한 재생 헤드와, 상기 단자극 헤드 등으로 구성한 기록 헤드로 되는 복합형의 기록 및 재생이 가능한 자기 헤드이다. 각 기록·재생헤드(117)는 대응하는 암(119)의 첨단에 서스펜션(118)을 거쳐서 부착되어 있다. 암(119)는 액츄에이터 유니트(112)에 의해 구동된다.
여기의 도 6에서는 나타내지 않지만, 상기 자기 기억 장치(100)의 내부에는, 광 빔에 의해 자기 기록 매체를 가열하는 도 3a에 나타낸 것과 동일한 가열 수단을 구비하고 있다.
상기 자기 기록 매체(116)는 도 1에서 설명한 구성을 갖는 수직 기록형의 자기 기록 매체(10 또는 20)를 채용함으로써, 지지층에 기인한 노이즈가 없고 고밀도 기록이 가능한 자기 기억 장치로 된다. 물론, 자기 기록 매체(116)의 수는 3매에 한정되지 않고, 1매로도, 2매 또는 4매 이상이어도 좋다.
본 자기 기억 장치(100)의 기본 구성은 도 6a 및 6b에 나타내는 것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 사용하는 자기 기억 매체는 자기 디스크에 한정되는 것이 아니다.
또한, 상기 자기 기억 장치(100)의 내부에 냉각 수단을 마련하여, 기록할 때만 자기 기록 매체를 냉각하여 지지층에 자화를 발현시키도록 구성해도 좋다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상술했지만, 본 발명에 의한 특정의 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 청구의 범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위내에서, 각종 변형·변경이 가능하다.

Claims (9)

  1. 적어도 수직 자기 기록층과 그 수직 자기 기록층을 지지하는 면내 방향으로 자화를 갖는 지지층을 포함하는 수직 기록형의 자기 기록 매체로서,
    상기 지지층은 상기 수직 자기 기록층에 기록된 자기 정보의 재생이 행해지는 기록 재생 온도의 부근에 보상 온도를 갖는 페리자성 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수직 기록형의 자기 기록 매체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기록 재생 온도는 -20℃∼100℃인 것을 특징으로 하는 수직 기록형의 자기 기록 매체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 페리자성 재료는 GdFe계 합금, DyFe계 합금 또는 가네트계 페라이트인 것을 특징으로 하는 수직 기록형의 자기 기록 매체.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 수직 자기 기록층으로서 단층 수직 자화막 또는 다층 수직 자화막을 사용한 것을 특징으로 하는 수직 기록형의 자기 기록 매체.
  5. 적어도 수직 자기 기록층과 그 수직 자기 기록층을 지지하는 면내 방향으로 자화를 갖는 지지층을 포함하는 수직 기록형의 자기 기록 매체를 구비하고, 자기 정보의 기록 재생을 하는 자기 기억 장치로서,
    상기 지지층은 기록 재생 온도 부근에 보상 온도를 갖는 페리자성 재료로 형성되고,
    상기 수직 자기 기록층에 자기 정보를 기록할 때에, 상기 지지층의 온도를 상기 보상 온도로부터 먼 방향으로 가열 또는 냉각시키는 지지층 온도 변경 수단이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 지지층 온도 변경 수단은 상기 수직 자기 기록층에 자기 정보를 기록할 때에, 상기 지지층을 광 빔으로 가열하는 광가열 기구인 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 수직 자기 기록층에 자기 정보를 기록하는 기록측 헤드로서, 단자극 헤드를 사용한 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기록측 헤드로부터의 기록 자계를 상기 지지층으로부터 받는 리턴 요크를 구비한 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치.
  9. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 기록측 헤드에, 상기 수직 자기 기록층에 기록된 자기 정보를 재생하기 위해서 GMR, TMR, MR 등의 자기 저항 센서를 사용한 재생 헤드가 병설되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치.
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