KR20040007970A - 크로스토크를 방지할 수 있는 이미지센서 - Google Patents

Abstract

본 발명은 이미지센서에 관한 것으로, 특히 사광에 의해 발생된 광전자의 흐름을 원천적으로 차단하여 포토다이오드간의 크로스토크를 방지할 수 있는 이미지센서를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 반도체층; 상기 반도체층에 배치된 필드절연막; 상기 필드절연막에 의해 격리되어 상기 반도체층 내에 배치된 다수의 포토다이오드; 상기 필드절연막과 오버랩되는 상부에 배치된 광차단금속막; 및 상기 광차단금속막과 상기 필드절연막 사이에 배치되어 상기 필드절연막 하부로 입사되는 사광을 차단하기 위한 사광차단막을 포함하는 이미지센서를 제공한다.

Description

크로스토크를 방지할 수 있는 이미지센서{Image sensor with improved protection of crosstalk}

본 발명은 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지센서에 관한 것으로, 특히 사광에 의한 크로스토크(Crosstalk)를 방지할 수 있는 이미지센서에 관한 것이다.

일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(Optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 이중 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS 이미지센서는 제어회로(Control circuit) 및 신호처리회로(Signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.

이러한 다양한 이미지센서를 제조함에 있어서, 이미지센서의 감광도(Photo sensitivity)를 증가시키기 위한 노력들이 진행되고 있는 바, 그 중 하나가 집광기술이다. 예컨대, CMOS 이미지센서는 빛을 감지하는 포토다이오드와 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 CMOS 로직회로부분으로 구성되어 있는 바, 광감도를 높이기 위해서는 전체 이미지센서 면적에서 포토다이오드의 면적이 차지하는 비율(이를 통상 Fill Factor"라 한다)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있다.

도 1은 종래기술에 따른 CMOS 이미지센서를 도시한 단면도이다.

도 1을 참조하면, 반도체층(10) 내부에 P0영역과 n-영역으로 이루어진 포토다이오드(Photo Diode; 이하 PD라 함)가 이온주입 등의 공정을 통해 형성되어 있으며, 이러한 이웃하는 PD간의 데이타 간섭에 따른 크로스토크를 방지하기 위한 P형의 채널 스탑 영역(Channel STop; 이하 CST라 함)이 형성되어 있는 바, CST는 통상적으로 P형 불순물 이온주입을 통하여 필드절연막(도시하지 않음) 하부에 형성된다. 또한, PD와 오버랩되지 않는 상부에 트랜스퍼 게이트(도시하지 않음)로의 광 입사 및 사광(α)에 의한 PD간의 트로스토크를 방지하기 위해 Al 등을 사용한 광차단금속막(Shielding Metal; 이하 SM이라 함)이 형성되어 있다.

여기서, 게이트전극 즉, 트랜스퍼 게이트와 센싱확산노드(Floating Diffusion; 이하 FD라 함)는 도면의 간략화를 위해 생략하였으며, SM 하부의 평탄화막 등도 생략하였다. 또한, 반도체층(10)은 고농도의 P++층 P-Epi층이 적층된 구조 또는 P-웰(Well) 등을 포함한다.

상기한 바와 같이 이루어지는 종래의 이미지센서에서, 외부의 강한 입사광이 조사될 경우 굴절율이 다른 층들간의 다층반사 또는 불균일한 막의 표면에 의해 발생되는 굴절 등에 기인한 사광(α)이 발생하게 되는 바, 도시된 바와 같이 반도체층(10) 표면에서 부터 SM 까지의 거리가 도시된 'd'와 같이 멀어, 즉 그 사이의 막 등이 두꺼워 α와같은 사광에 의한 크로스토크를 방지하지 못하는 실정이다.

여기서, X는 새들 포인트(Saddle point)를 나타내는 것으로, 이는 포토다이오드의 n-영역에 의해 P형의 반도체층(10)이 공핍화되는 곳과 중성 영역(Neutral region)으로 남는 경계점으로 P형의 반도체층(10)의 준위가 0V로 되는 최초점이라고 할 수 있다.

도 2는 도 1을 A-A'으로 절단하였을 경우의 전위 분포를 개략적으로 도시하고 있는 바, α사광에 의해 P형의 반도체층(10) 내부에서 생성된 광전자 α' 또한, 드리프트(Drift) 및 전위차에 의해 화살표 방향의 공핍영역으로 확산됨으로써 크로스토크를 유발하게 된다.

한편, 이러한 사광에 의한 PD간의 크로스토크를 방지하기 위해 SM과 반도체층(10) 표면과의 거리(d)를 짧게 즉, 중간의 막을 생략 또는 얇게할 수도 있으나, 이는 평탄화 및 스트레스 증가로 인한 물리적 파괴 등 오히려 소자의 특성에 악영향을 끼치게 된다. 따라서, 이러한 사광에 의한 크로스토크를 방지하기 위한 근본적인 해결책이 필요하다.

상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 사광에 의해 발생된 광전자의 흐름을 원천적으로 차단하여 포토다이오드간의 크로스토크를 방지할 수 있는 이미지센서를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래기술에 따른 CMOS 이미지센서를 도시한 단면도.

도 2는 도 1을 A-A'으로 절단하였을 경우의 전위 분포를 개략적으로 도시한 도면.

도 3는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서를 도시한 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

P+ : 고농도 P형 기판P-Epi : P형 에피층

SL : 사광차단막PD : 포토다이오드

CST : 채널스탑영역FOX : 필드절연막

SM : 광차단금속막

n- : 포토다이오드용 N형 불순물영역

P0 : 포토다이오드용 P형 불순물영역

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체층; 상기 반도체층에 배치된 필드절연막; 상기 필드절연막에 의해 격리되어 상기 반도체층 내에 배치된 다수의 포토다이오드; 상기 필드절연막과 오버랩되는 상부에 배치된 광차단금속막; 및 상기 광차단금속막과 상기 필드절연막 사이에 배치되어 상기 필드절연막 하부로 입사되는 사광을 차단하기 위한 사광차단막을 포함하는 이미지센서를 제공한다.

본 발명은 필드절연막과 광차단금속막 사이에 필드절연막의 프로파일을 따르도록 사광차단막을 배치함으로써 필드절연막 하부로 입사되는 사광을 차단함으로써, 필드절연막 하부에 입사된 사광에 의해 생성된 광전자가 포토다이오드로 유입되어 발생시키는 크로스토크를 원천적으로 방지하고자 한다.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 3는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서를 도시한 단면도이다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 이미지센서는 제1도전형(이하 P형이라 함)의 고농도 기판(P+)과 P형 에피층(P-Epi)이 적층된 반도체층(이하 반도체층이라 함)과, 반도체층에 국부적으로 배치된 필드절연막(FOX)과, 필드절연막(FOX)에 의해 격리되어 반도체층 내에 배치된 다수의 포토다이오드(PD)와, 필드절연막(FOX)과 오버랩되는 상부에 배치된 광차단금속막(SM)과, 광차단금속막(SM)과 필드절연막(FOX) 사이에 배치되어 필드절연막(FOX) 하부로 입사하는 사광을 차단하기 위한 사광차단막(SL; Shielding Layer)을 구비하여 구성된다.

포토다이오드(PD)는 제2도전형(이하 N형이라 함)의 불순물영역(n-)과 N형의불순물영역(n-)과 반도체층 표면에 접하는 P형의 불순물영역(P0)을 포함하며, 필드절연막 하부에는 크로스토크 방지를 위한 P형의 채널스탑영역(CST)이 이온주입 등에 의해 형성되어 있다.

사광차단막(SL)은 전술한 필드절연막(FOX)의 프로파일을 따라 포토다이오드(PD)의 일측 상부까지 확장되어 배치되는 바, 도시된 'S'와 같이 입사되는 사광이 광차단금속막(SM)에 의해서는 차단이 되지 않아 도시된 'S''과 같이 광전자를 생성시켜 포토다이오드로 유입되어 크로스토크를 발생시키던 것을 'S"'과 같이 차단하여 'S'와 같은 사광에 의한 크로스토크 발생을 원천적으로 방지할 수 있다.

이는 종래의 경우 전술한 도 1에서의 광차단금속막(SM)과 포토다이오드(PD)까지의 거리가 'd'로 비교적 멀었던 것을 본 발명에서는 그 사이에 사광차단막(SL)을 배치하여 사광차단막(SL)과 포토다이오드(PD) 사이의 거리를 'd''으로 줄였으며, 필드절연막(FOX)의 프로파일을 따라서 형성함으로써 가능해졌다.

여기서, 사광차단막(SL)은 폴리실리콘 또는 Pt, Ti, W 등의 내열금속(Refractory metal) 또는 이들의 금속 실리사이드 등을 사용하며, 그 두께는 1000Å ∼ 4000Å 정도로 비교적 얇게 형성하는 것이 바람직하며, 광차단금속막(SM)은 통상적인 Al 또는 W 등을 사용한다.

상기한 바와 같이 이루어지는 본 발명은, 필드절연막과 광차단금속막 사이에 비교적 얇으며 필드절연막의 프로파일을 따르는 사광차단막을 배치하여 포토다이오드와의 거리를 좁혀 필드절연막 하부로 입사되는 사광을 차단함으로써, 사광에 의한 크로스토크를 근본적으로 방지할 수 있음을 실시예를 통해 알아 보았다.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

상술한 본 발명은, 사광에 의한 크로스토크를 방지함으로써, 궁극적으로 이미지센서의 성능을 크게 향상시킬 수 있는 탁월한 효과를 기대할 수 있다.

Claims (5)

1. 반도체층;

   상기 반도체층에 배치된 필드절연막;

   상기 필드절연막에 의해 격리되어 상기 반도체층 내에 배치된 다수의 포토다이오드;

   상기 필드절연막과 오버랩되는 상부에 배치된 광차단금속막; 및

   상기 광차단금속막과 상기 필드절연막 사이에 배치되어 상기 필드절연막 하부로 입사되는 사광을 차단하기 위한 사광차단막

   을 포함하는 이미지센서.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 사광차단막은,

   상기 필드절연막의 프로파일을 따라 상기 포토다이오드의 일측 상부까지 확장되어 배치된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 사광차단막은 1000Å 내지 4000Å의 두께인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 사광차단막은 폴리실리콘, 금속 또는 금속 실리사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 포토다이오드는,

   반도체층 내부에 배치된 제2도전형의 제1불순물영역과, 상기 제1불순물영역과 상기 반도체층 표면에 접하는 제1도전형의 제2불순물영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.