KR20030001795A - 이미지센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로, 특히 샬로우 트렌치 소자분리를 이용하여, 필드 절연막으로 BSG(Boro Silicate)를 이용함으로써, 추가의 이온주입없이 채널 스탑 영역을 확보하여 소자간 분리에 따른 크로스토크를 방지할 수 있을 뿐만아니라 공정 단순화를 기할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 제1도전형의 반도체층에 제1도전형 불순물이 매립되어 국부적으로 형성된 트렌치 형상의 필드 절연막; 상기 필드 절연막 하부로 상기 제1도전형 불순물이 확산되어 형성된 채널 스탑 영역; 상기 필드 절연막과 떨어져 상기 반도체층 상에 형성된 게이트전극; 상기 채널 스탑 영역 및 상기 게이트전극에 접하는 제2도전형의 제1불순물 영역; 및 상기 제1불순물 영역 내의 상기 반도체층과 접하는 계면에 형성된 제1도전형의 제2불순물 영역을 포함하여 이루어지는 이미지센서를 제공한다.
또한, 본 발명은 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 이미지센서 제조 방법에 관한것으로, 더욱 상세하게는 샬로우 트렌치 소자분리를 이용한 이미지센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(Optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 이중 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS(Complementary MOS; 이하 CMOS) 이미지센서는 제어회로(Control circuit) 및 신호처리회로(Signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
이러한 다양한 이미지센서를 제조함에 있어서, 이미지센서의 감광도(Photo sensitivity)를 증가시키기 위한 노력들이 진행되고 있는 바, 그 중 하나가 집광기술이다. 예컨대, CMOS 이미지센서는 빛을 감지하는 포토다이오드와 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 CMOS 로직회로부분으로 구성되어 있는 바, 광감도를 높이기 위해서는 전체 이미지센서 면적에서 포토다이오드의 면적이 차지하는 비율(이를 통상 Fill Factor"라 한다)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있다.
도 1은 통상적인 트렌치(Trench)형 필드 절연막을 갖는 이미지센서의 개략도를 도시한다.
도 1을 참조하면, 통상적인 이미지센서에서 고농도인 P++ 층(10) 및 P-Epi층(11)이 적층된 반도체층을 이용하는 바, 이하 P++ 층(10) 및 P-Epi층(11)을반도체층으로 칭한다.
반도체층에 국부적으로 트렌치형 필드 절연막(12)이 형성되어 있으며, 필드 절연막(12)과 떨어진 영역에 게이트전극(13, 14, 15) 예컨대, 트랜스퍼 게이트(Transfer gate)가 배치되어 있으며, 게이트전극(13, 14, 15)과 필드 절연막(12)에 접하면서 반도체층 내부에 소정의 깊이로 형성된 포토다이오드용 불순물 영역(n-)과 포토다이오드용 불순물 영역(n-) 상부의 반도체층과 접하는 계면에 얕은 포토다이오드용 불순물 영역(P0)이 배치되어 있으며, 센싱 노드와 연결되는 불순물 영역(n+)가 배치되어 있다.
한편, 상기와 같은 종래의 이미지센서는 필드 절연막(12)이 단순 트렌치 형으로 되어 있어 LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon) 방법에서의 버즈비크(Bird's beak) 부분만 확장하는 포토다이오드 형태를 취하고 있다.
따라서, 추가적으로 행해져야 할 포토다이오드 용량(Capacity) 향상 측면에서의 개선이 필요하며, 보다 확실한 단위 화소(Pixel)간의 분리(Isolation)를 통해 이미지 데이타가 단위 화소간의 상호 혼합(Intermix)되는 크로스 토크(Crosstalk)를 줄일 수 있는 방법이 요구되어 진다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 샬로우 트렌치 소자분리를 이용하여, 필드 절연막으로 BSG(Boro Silicate)를 이용함으로써, 추가의 이온주입없이 채널 스탑 영역을 확보하여 소자간 분리에 따른 크로스토크를 방지할 수 있을 뿐만아니라 공정 단순화를 기할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 통상적인 트렌치형 필드 절연막을 갖는 이미지센서의 개략도,
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
20 : 반도체층
23 : 필드 절연막
24, 25, 26 : 게이트전극
P+ : 채널 스탑 영역
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 제1도전형의 반도체층을 선택적으로 식각하여 트렌치를 형성하는 제1단계; 상기 트렌치에 매립된 제1도전형 불순물이 도핑된 필드 절연막을 형성하는 제2단계; 열처리를 실시하여 상기 필드 절연막에 도핑된 상기 제1도전형 불순물을 상기 필드 절연막 하부로 확산시켜 채널 스탑 영역을 형성하는 제3단계; 상기 반도체층 상에 게이트전극을 형성하는 제4단계; 이온주입을 통해 상기 채널 스탑 영역 및 상기 게이트전극에 접하는 제2도전형의 제1불순물 영역을 형성하는 제5단계; 및 상기 제1불순물 영역 내의 상기 반도체층과 접하는 계면에 제1도전형의 제2불순물 영역을 형성하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 제1도전형의 반도체층에 제1도전형 불순물이 매립되어 국부적으로 형성된 트렌치 형상의 필드 절연막; 상기 필드 절연막 하부로 상기 제1도전형 불순물이 확산되어 형성된 채널 스탑 영역; 상기 필드 절연막과 떨어져 상기 반도체층 상에 형성된 게이트전극; 상기 채널 스탑 영역 및 상기 게이트전극에 접하는 제2도전형의 제1불순물 영역; 및 상기 제1불순물 영역 내의 상기 반도체층과 접하는 계면에 형성된 제1도전형의 제2불순물 영역을 포함하여 이루어지는 이미지센서를 제공한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 설명하기로 한다.
도 2c는 본 발명의 일실시예에 따라 형성된 이미지센서의 단면도이다.
도 2c를 참조하면, 본 발명의 이미지센서는 P형의 반도체층(20)에 P형 불순물이 매립되어 국부적으로 형성된 트렌치 형상의 필드 절연막(23)과, 필드 절연막(23) 하부로 P형 불순물이 확산되어 형성된 채널 스탑 영역(P+)과, 필드 절연막(23)과 떨어져 반도체층(20) 상에 형성된 게이트전극(24, 25)과, 채널 스탑 영역(P+) 및 게이트전극(24, 25)에 접하는 N형의 불순물 영역(n-)과, 불순물 영역(n-) 내의 반도체층(20)과 접하는 계면에 형성된 P형의 불순물 영역(P0)을 구비하여 구성된다.
바람직하게 상기 P형 불순물은, BSG(Boro Silicate Glass)이다.
이하, 상기한 구성을 갖는 본 발명의 이미지센서 제조 공정을 성세히 후술한다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도이다.
먼저 도 2a에 도시된 바와 같이, 이후 필드 절연막 영역과 활성영역을 구분하기 위하여 패드산화막(21)/버퍼 폴리실리콘막(도시하지 않음) 등을 연속적으로 도포한 후 트렌치 형성을 위한 감광막 패턴(22)을 형성하는 바, 통상적인 이미지센서에서 고농도인 P++ 층 및 P-Epi층이 적층된 반도체층을 이용하는 바, 도면부호'20'은 이러한 P++ 층 및 P-Epi층이 적층된 반도체층을 나타낸다.
다음으로 도 2b에 도시된 바와 같이, 감광막 패턴(22)을 마스크로 하여 패드산화막(21) 및 반도체층(20)을 식각하여 트렌치(도시하지 않음)를 형성한 다음, 피알 스트립(PR strip)을 실시하여 감광막 패턴(22)을 제거한 후, 트렌치 프로파일(Profile) 형상을 위해 어닐(Anneal)을 실시한다.
이어서, P형 불순물이 도핑된 물질 예컨대, BSG(Boro Silicate Glass) 등을 증착하여 트렌치를 매립한 다음, 화학 기계적 연막(Chemical Mechanical Polishing; 이하 CMP라 함)를 실시하여 STI 구조의 필드 절연막(23)을 형성한다.
이어서, 간단한 열공정을 실시하여 필드 절연막(23) 내에 도핑된 P형 불순물을 확산시킴으로써, 채널 스탑 영역(P+)을 형성할 수 있으며, 후속 공정 진행시 자연스럽게 확산될 수도 있는 바, 이온주입 등의 추가 공정을 생략할 수 있으며, 화소간 분리를 확실히 함으로써, 크로스 토크 등의 문제를 해결할 수 있게 된다.
다음으로 도 2c에 도시된 바와 같이, 단위 화소 내 4개의 NMOS 트랜지스터의 게이트전극을 형성하기 위해 폴리실리콘막과 텅스텐 실리사이드막을 연속적으로 도포하고 감광막(도시하지 않음)을 도포한 후 게이트전극 형성 용 마스크를 사용하여 노광 및 현상을 실시한다. 이때, 이후 형성되는 게이트전극의 한쪽면에서의 저전압 베리드 포토다이오드의 도핑 프로파일(Doping profile)이 전하 운송 효율(Charge Transfer Efficience)을 결정하게 되므로 게이트전극의 두께를 충분히 두껍게 하여 저전압 베리드 포토 다이오드를 형성하기 위한 고에너지 N-type 이온주입과 저에너지 P-type 이온주입을 게이트전극의 한쪽면에서 자기 정렬(Self Alignment)할 수있도록 한다.(Thick Polycide 공정)
만일 게이트전극의 두께를 충분히 두껍게 하지 않으면 고에너지 N-type 이온주입시 도판트인 인(P31)이 게이트전극을 뚫고 들어가 고에너지 P-type 이온주입과 저에너지 P-type 이온주입을 게이트전극의 한쪽면에서 자기 정렬(self Alignment)할 수 없게 되어 전하 운송 효율(Charge Transfer Efficience)이 저하된다.
이어서, 건식식각을 통해 게이트전극(24, 25, 26) 이외의 부분의 폴리사이드층을 제거하여 게이트전극(24, 25, 26)을 형성한 다음, 저전압 베리드 포토다이오드를 형성하기 위하여 감광막(도시하지 않음)을 도포한 후 고에너지 N-type 이온주입을 실시하는 바, 이때 고에너지 N-type 이온주입용 마스크의 한쪽 면은 게이트전극의 중앙에 정렬(Align)되고 다른 한쪽 면은 필드 산화막과 활성영역의 경계면에 정렬(Align)되는데 그 일부는 반드시 활성영역 안으로 들어오게 된다. 즉, 저전압 베리드 포토 다이오드는 이후 진행될 저에너지 P-type 이온주입은 실시되고 고에너지 N-type 이온주입은 실시되지 않는 영역을 반드시 포함하여야만 한다.(Connection Window 구조)
그 이유는 저에너지 P-type 이온주입에 의해 형성된 영역이 고에너지 N-type 이온주입에 의해 형성된 영역에 의해 P-Epi층과 전기적으로 분리되어서는 안되고 반드시 연결되어야 하기 때문이다. 만일 저에너지 P-type 영역이 P-epi층과 전기적으로 연결되지 않으며 전압 베리드 포토 다이오드는 정상적으로 동작하지 않고 단순한 PN 접합과 같이 동작할 것이다. 이와같은 공정을 통해 저농도의 P-epi층에 첫 번째 딥(Deep) 베리드 PN 접합을 형성시킨후 감광막을 제거한다.
이어서, 저전압 베리드 포토 다이오드를 형성하기 위하여 감광막(도시하지 않음)을 도포한 후 저에너지 P-type 이온주입용 마스크를 사용하여 저에너지 P-type 이온주입을 실시하는 바, 이때 저에너지 P-type 이온주입용 마스크의 한쪽 면은 게이트전극의 중앙에 정렬(Align)되고 다른 한쪽면은 필드 산화막과 활성영역의 경계면에 정렬(Align)되며 활성영역 안으로 들어오는 부분은 없다. 따라서, 저에너지 P-type 이온주입 영역은 고에너지 N-type 이온주입이 되지 않은 필드 절연막(13)과 활성영역의 경계면에서 저농도의 P-epi 층과 전기적으로 반드시 연결되어 저전압 베리드 포토 다이오드 동작시 항상 등가전위(Equpotential)를 갖는다. 이와같은 공정을 통해 고에너지 N-type 이온주입층과 두 번째 앝은(Shallow) PN 접합을 형성시킨후 감광막(도시하지 않음)을 제거한다.
상기한 바와 같이 이루어지는 본 발명은, STI 구조의 필드 절연막을 형성한 후, BSG 등의 불순물이 도핑된 절연막을 이용함으로써, 화소간 분리를 효과적으로 하여 크로스 토크 등의 문제를 해결할 수 있으며, 채널 스탑 영역 형성을 위한 이온주입 공정을 생략할 수 있음을 실시예를 통해 알아 보았다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은, 화소간 데이타의 크로스 토크 및 암전류를 최소화할 수있으며 이온주입 공정을 생략할 수 있도록 하여, 궁극적으로 이미지센서의 성능을 크게 향상시킬 수 있으며, 공정 단순화를 기할 수 있는 탁월한 효과를 기대할 수 있다.
Claims (6)
- 이미지센서 제조 방법에 있어서,제1도전형의 반도체층을 선택적으로 식각하여 트렌치를 형성하는 제1단계;상기 트렌치에 매립된 제1도전형 불순물이 도핑된 필드 절연막을 형성하는 제2단계;열처리를 실시하여 상기 필드 절연막에 도핑된 상기 제1도전형 불순물을 상기 필드 절연막 하부로 확산시켜 채널 스탑 영역을 형성하는 제3단계;상기 반도체층 상에 게이트전극을 형성하는 제4단계;이온주입을 통해 상기 채널 스탑 영역 및 상기 게이트전극에 접하는 제2도전형의 제1불순물 영역을 형성하는 제5단계; 및상기 제1불순물 영역 내의 상기 반도체층과 접하는 계면에 제1도전형의 제2불순물 영역을 형성하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1도전형 불순물은, BSG(Boro Silicate Glass)인 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1도전형은 P형이며, 상기 제2도전형은 N형인 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 이미지센서에 있어서,제1도전형의 반도체층에 제1도전형 불순물이 매립되어 국부적으로 형성된 트렌치 형상의 필드 절연막;상기 필드 절연막 하부로 상기 제1도전형 불순물이 확산되어 형성된 채널 스탑 영역;상기 필드 절연막과 떨어져 상기 반도체층 상에 형성된 게이트전극;상기 채널 스탑 영역 및 상기 게이트전극에 접하는 제2도전형의 제1불순물 영역; 및상기 제1불순물 영역 내의 상기 반도체층과 접하는 계면에 형성된 제1도전형의 제2불순물 영역을 포함하여 이루어지는 이미지센서.
- 제 4 항에 있어서,상기 제1도전형 불순물은, BSG(Boro Silicate Glass)인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 4 항에 있어서,상기 제1도전형은 P형이며, 상기 제2도전형은 N형인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7060960B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
| KR100741875B1 (ko) * | 2004-09-06 | 2007-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
| KR100761829B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2007-09-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자, 시모스 이미지 센서, 반도체 소자의 제조방법및 시모스 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100778856B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2007-11-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| US7544560B2 (en) | 2005-08-12 | 2009-06-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and fabrication method thereof |
| KR100909855B1 (ko) * | 2002-07-15 | 2009-07-28 | 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 | 크로스토크를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877521A (en) * | 1998-01-08 | 1999-03-02 | International Business Machines Corporation | SOI active pixel cell design with grounded body contact |
| JP3322341B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2002-09-09 | 日本電気株式会社 | 光電変換素子、それを用いた固体撮像素子およびその製造方法 |
| KR100296142B1 (ko) * | 1998-12-22 | 2001-08-07 | 박종섭 | 깊은 필드스탑층을 갖는 씨모스이미지센서 |
-
2001
- 2001-06-28 KR KR1020010037521A patent/KR100748324B1/ko active IP Right Grant
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100909855B1 (ko) * | 2002-07-15 | 2009-07-28 | 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 | 크로스토크를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| US7060960B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
| KR100741875B1 (ko) * | 2004-09-06 | 2007-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
| US7544560B2 (en) | 2005-08-12 | 2009-06-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and fabrication method thereof |
| KR100778856B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2007-11-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100761829B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2007-09-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자, 시모스 이미지 센서, 반도체 소자의 제조방법및 시모스 이미지 센서의 제조방법 |
| US7595213B2 (en) | 2005-12-15 | 2009-09-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices, CMOS image sensors, and methods of manufacturing same |
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