KR200335335Y1 - 기판 지지 조립체 - Google Patents

기판 지지 조립체 Download PDF

Info

Publication number
KR200335335Y1
KR200335335Y1 KR20-2003-0027785U KR20030027785U KR200335335Y1 KR 200335335 Y1 KR200335335 Y1 KR 200335335Y1 KR 20030027785 U KR20030027785 U KR 20030027785U KR 200335335 Y1 KR200335335 Y1 KR 200335335Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
arm
support assembly
ceramic insulator
support
Prior art date
Application number
KR20-2003-0027785U
Other languages
English (en)
Inventor
크리스토퍼리챠드 마혼
아브히지트 데사이
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Application granted granted Critical
Publication of KR200335335Y1 publication Critical patent/KR200335335Y1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 기판 지지 조립체는 프로세스 챔버 내에 기판을 지지한다. 이 기판 지지 조립체는 전극을 갖춘 지지 블록과, 이 지지 블록을 유지하기 위한 아암을 구비한다. 이 아암에는 채널이 관통되어 있다. 아암은 지지 블록에 부착시키기 위한 제 1 클램프와 프로세스 챔버에 부착시키기 위한 제 2 클램프를 구비한다. 이 아암의 채널을 복수의 전기 도전체가 통과하며, 도전체 사이에는 세라믹 절연체가 있다.

Description

기판 지지 조립체{SUBSTRATE SUPPORT ASSEMBLY}
본 발명의 실시예는 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체에 관한 것이다.
예컨대 집적 회로 및 디스플레이와 같은 전자 회로의 제조시에, 프로세스 챔버내에 기판이 위치하고, 이 기판을 처리하도록 챔버 안으로 프로세스 가스가 도입된다. 프로세스 챔버는 대개 기판 프로세싱 죤(zone)을 둘러싸는 외장 벽(enclosure wall)을 포함한다. 가스 에너자이져는 예컨대, 챔버 둘레로 배열된 인덕터 코일 또는 전극, RF 마이크로웨이브 어플리케이터를 적용함으로써 챔버 안으로 도입된 프로세스 가스를 활성화시킨다. 프로세스 가스가 활성화되어, 기판내의 피쳐들을 에칭시키는 에칭 프로세스, 또는 기판 상에 재료의 층을 증착시키는 증착 프로세스와 같은 프로세스들을 실행시킨다.
프로세스 챔버 내의 기판의 프로세싱 동안, 기판은 기판 지지 조립체 상에 유지된다. 이 기판 지지 조립체는 기판 수용면을 갖춘 지지부를 포함한다. 기판 지지 조립체는 또한 전극을 포함하는데, 이 전극은 프로세스 가스를 활성화시키도록 가스 에너자이져의 일부분으로서 작용한다. 지지 전극은 또한 전기적으로 바이어스될 수 있어서, 기판 조립체 상에 기판을 정전기적으로 유지시킨다. 기판 지지 조립체는 와이어 또는 리드와 같은 전도 구조물 및 전기 커넥터를 가질 수 있다. 전기 커넥터는 기판 지지 조립체의 일부분들을 다른 챔버 부품 또는 외부 회로에 연결시킨다. 예컨대, 기판 전극은 전기적으로 접지시키거나(접지 커넥터), 또는 기판 전극에 전력을 제공하는(파워 커넥터) 전기 커넥터를 구비할 수 있다. 이 접지 커넥터는 지지 전극을 전기적으로 접지된 전위로 유지시키는 한편, 기판을 프로세스하기 위해 챔버내의 가스를 활성화시키도록 챔버내의 벽 전극이 전기적으로 바이어스된다. 이 접지 커넥터는 또한 지지 조립체로부터 불필요한 전하를 흩뜨려서, 지지부로부터 기판이 용이하게 제거되도록 한다. 전기적 전도 와이어의 다른 실예는 열전쌍인데, 이 열전쌍은 기판을 프로세싱하는 동안 온도를 모니터링하는데 사용된다. 다른 커넥터는 프로세스 모니터에 연결된 전기 와이어를 포함할 수 있다.
종래의 기판 지지 조립체는, 챔버 내의 플라즈마와 지지부 내의 와이어 및 커넥터 사이에 전기 아크(electrical arcing) 및 글로우 방전(glow discharge)이 발생될 때 문제점이 야기된다. 예컨대, 전기 아크는 활성화된 프로세스 가스가 커넥터 또는 열전쌍 상의 절연체 코팅물을 부식시킬 때 발생된다. 챔버 내의 가스를 활성화시키도록 인가된 전기력(electrical potential)은 글로우 방전 또는 마이크로-아크(micro-arcing)를 야기시킬 수 있다. 또한, 전기 전도성 와이어가 전하 보유 와이어에 근접하여 통과할 때, 와이어 내에 유도된 역 기전력(back e.m.f.)은 아크 및 신호 크로스-토킹(signal cross talking)을 발생시킬 수 있다. 이러한 전기 아크 및 글로우 방전은 커넥터 또는 와이어와 기판 지지체의 인접 부분들을 손상시키거나 "태워버리기" 때문에 바람직하지 않다. 어떤 플라즈마 환경에서는, 기판 지지 조립체와 그 부품들의 성능이 저하됨으로써, 비교적 적은 수의 기판만을 프로세싱한 후에 이들 기판 지지 조립체와 그 부품들을 개정(refurbishment) 또는 교체할 필요가 있으며, 이는 기판당 제조 비용을 증가시킨다.
챔버 내의 에너지화된 프로세스 가스는 기판 지지 조립체의 부분들을 또한 부식시킬 수 있으며, 종국에는 처리되는 기판을 오염시키고 지지 조립체를 고장나게 한다. 예컨대, 할로겐 가스와 같은 에너지화된 프로세스 가스는 기판 지지 조립체의 알루미늄 부분과 같은 금속 부분들을 부식시킬 수 있어서, 이들 부품의 빈번한 클리닝 또는 교체를 필요로 한다.
따라서, 플라즈마 환경에서 감소된 전기 아크 또는 글로우 방전을 나타내는 기판 지지 조립체를 구비하는 것이 바람직하다. 또한, 빈번한 교체 또는 보수없이 방대한 수의 기판을 프로세싱할 수 있는 기판 지지 조립체를 구비하는 것이 바람직하다. 또한, 기판 지지 조립체 부품을 용이하게 개장 또는 클리닝할 수 있는 것이 바람직하다.
프로세스 챔버 내에서 기판을 지지하기 위한 지지 조립체는 전극을 가지는 지지 블록을 구비한다. 이 지지 블록은 아암에 의해 프로세스 챔버 내에 유지된다. 이 아암은 자신을 통과하는 채널을 구비하며, 지지 블록에 부착하기 위해 제 1 클램프를 구비하고, 프로세스 챔버에 부착하기 위해 제 2 클램프를 구비한다.이 아암의 채널을 통해 복수의 전기 도전체가 통과하며, 이 전기 도전체 사이에 세라믹 절연체가 있다.
다른 실시예에서, 기판 지지 조립체는 내부에 전극이 매설된 유전체 블록을 구비한다. 이 유전체 블록은 아암에 의해 프로세스 챔버 내에 유지된다. 아암은 관통하는 채널을 구비하며, 유전체 블록에 부착되기 위한 제 1 클램프와 챔버의 일부분에 부착되기 위한 제 2 클램프를 구비한다. 아암의 채널에는 전기 접지 커넥터가 통과되는데, 이 전기 접지 커넥터는 전극에 전기적으로 접속하기 위한 제 1 터미널과 전극을 전기적으로 접지시키게 하는 제 2 터미널을 구비한다. 아암의 채널에는 전기 접지 커넥터 부근에서 열전쌍이 통과한다. 아암의 채널 내의 열전쌍과 전기 접지 커넥터 사이에는 세라믹 절연체가 있다.
다른 실시예에서, 기판 지지 조립체는 양극처리된 금속판이 위에 존재하는 금속 블록을 구비한다. 이 금속 블록은 아암에 의해 프로세스 챔버 내에 유지되는데, 이 아암은 유전체 블록에 부착되기 위한 제 1 클램프와 챔버의 일부분에 부착되기 위한 제 2 클램프를 구비하며, 그리고 아암을 관통하는 채널을 구비한다. 아암의 채널에는 전기 접지 커넥터가 통과되는데, 이 전기 접지 커넥터는 금속 블록에 전기적으로 접속하기 위한 제 1 터미널과 금속 블록을 전기적으로 접지시키기 위한 제 2 터미널을 구비한다. 아암의 채널에는 전기 접지 커넥터 부근에서 열전쌍이 통과된다. 아암의 채널 내의 열전쌍과 전기 접지 커넥터 사이에는 세라믹 절연체가 있다.
본 발명의 이들 특징, 양상, 및 장점은 다음의 상세한 설명, 첨부된 청구범위, 및 본 발명의 실시예를 도시하는 첨부 도면과 관련하여 보다 명확히 이해될 것이다. 그러나, 각각의 특징은 특별한 도면의 정황만이 아니라 본 발명에 일반적으로 사용될 수 있으며, 본 발명은 이들 특징의 임의의 조합을 포함한다.
도 1a는 지지 아암 내의 열전쌍과 접지 커넥터 사이에 세라믹 절연체를 포함하는 기판 지지 조립체의 실시예의 부분 측면도이다.
도 1b는 지지 아암 내의 열전쌍과 접지 커넥터 사이에 세라믹 절연체를 포함하는 기판 지지 조립체의 다른 실시예의 부분 측면도이다.
도 2는 세라믹 절연체를 갖춘 지지 아암의 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 조립체를 갖춘 챔버의 한 버젼의 부분적으로 단면인 개략적인 측면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명 *
90 : 지지 아암 100 : 지지 부재
101 : 기판 이송부 102 : 기판 프로세싱 장치
103 : 챔버의 외장벽 104 : 기판
105 : 전극 106 : 프로세스 챔버
107 : 챔버의 벽 108 : 프로세스 죤
114 : 챔버의 측벽 115 : 지지 블록
115a : 유전체 블록 115b : 금속 블록
116 : 챔버의 바닥벽 118 : 챔버의 천장
130 : 가스 공급부 134 : 가스 유동 밸브
135 : 스로틀 밸브 136 : 도관
137 : 가스 분배기 138 : 프로세스 가스원
140 : 기판 수용면 141 : 전극
142 : 가스 출구 143 : 배출구
144 : 배출부 152 : 배출 펌프
154 : 가스 에너자이져 159 : 전원 장치
174 : 금속판 175 : 안테나
177 : 내식 재료의 층 178 : 인덕터 코일
179 : 금속 블록의 상부면 200 : 기판 지지 조립체
201 : 지지 아암의 제 1 단부 202 : 하부면의 중앙
203 : 지지 아암의 제 2 단부 204 : 지지 블록의 바닥면
205 : 지지 비임 섹션 206 : 제 1 클램프
207 : 채널 208 : 제 2 클램프
209 : 전기 도전체 210 : 밀폐식 하우징
211 : 전기 접지 커넥터 212 : 제 1 터미널
213 : 제 2 터미널 214 : 열전쌍의 제 2 팁
215 : 열전쌍 216 : 열전쌍의 제 1 팁
217 : 상부 그루브 219 : 하부 그루브
220 : 하부 그루브의 개방부 222 : 세라믹 절연체
222a,b,c : 세라믹 물질의 스트립 223 : 세라믹 절연체의 지지면
225 : 상부 그루브의 바닥면 227 : 세라믹 절연체의 바닥면
275 : 온도 모니터링 시스템 300 : 벨로우즈 구조물
도 1a, 도 1b 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판 지지 조립체(200)는 프로세스 챔버(106) 내에 기판(104)을 지지하기 위해 기판 수용면(140)을 갖춘 지지 부재(100)를 포함한다. 이러한 지지 부재(100)는 기판 수용면(140) 아래로 지지 블록(115)을 포함한다. 일 버젼(one version)에서, 도 1a에 도시된 바와 같이, 지지 블록(115)은 예컨대 질화알루미늄, 산화알루미늄 및 산화규소 중 하나 이상과 같은, 유전체 물질로 형성된 유전체 블록(115a)을 포함한다. 이러한 유전체 블록(115a)은, 예컨대, 하나의 단일 구조물인 모노리식(monolith) 유전체 물질일 수 있거나, 또는 유전체 물질의 코팅 또는 적층된 플레이트로 형성될 수 있다. 다른 버젼에서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 지지 블록(115)은 예컨대 알루미늄, 티타늄, 니켈 및 이들의 합금 중 하나 이상과 같은, 적합한 금속 재료로 형성된 금속 블록(115b)을 포함한다. 금속 블록(115b)의 부식을 방지하기 위해, 기판 수용면(140)에는 양극처리된 알루미늄 재료와 같은 내식 재료의 층(177)이 제공된다. 예컨대, 위에 양극처리된 재료의 층(177)을 갖춘 양극처리된 금속판(174)이 접합될 수 있거나, 또는 그렇지 않으면, 밑에 있는 금속 블록(115b)에 부착될 수 있다.
지지 부재(100)는 기판(104)을 프로세싱하도록 챔버(106) 내에 제공된 프로세스 가스를 활성화시키기 위해 가스 에너자이져(154)의 일부분으로서 작용하게 되는 전극(105)을 포함한다. 이 전극(105)은 또한 지지 조립체(200) 상에 기판(104)을 정전으로(electrostatically) 유지하기 위해 선택적으로 충전될 수 있다. 일 버젼에서, 도 1a 및 도 3에 도시된 바와 같이, 지지 부재(100)는 유전체 블록(115a)에 의해 적어도 부분적으로 덮여 있는, 또는 유전체 블록(115a) 내에 매설되어 있는 전극(105)을 포함한다. 이러한 매설된 전극(105)은 지지 부재(100)를 가로질러 원하는 전자기적 특성들을 제공하기에 적합한 형상을 포함한다. 예컨대, 매설된 전극(105)은 유전체 블록(115a) 내에 매설되는 전극판 또는 메시 전극(mesh electrode)을 포함할 수 있다. 이러한 매설된 전극(105)은 예컨대 몰리브덴과 같은 적합한 전도성 물질로 형성된다. 다른 버젼에서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 금속 블록(115b)의 일부분은 프로세스 가스를 활성화시키기 위해 전극(105)으로 작용한다.
지지 부재(100)는 또한 기판(104)의 온도를 제어하게 될 수 있다. 예컨대, 지지 블록(115)은 위에서 지지를 받게 되는 기판(104)의 온도 제어를 제공하기 위해 내부에 형성된 열전달 유체관(도시 안됨)을 가질 수 있다. 기판 지지면(140)은 또한 다수의 볼록한 원표면(mesas)도시 안됨)를 구비할 수 있는데, 이러한 볼록한 원표면은 기판 지지면(140)을 가로질러 보다 일정한 분포의 열을 제공하여, 기판(104)의 온도를 제어한다.
기판 지지 조립체(200)는 프로세스 챔버(106) 내에 지지 부재(100)를 유지하는 지지 아암(90)을 더 포함한다. 이 지지 아암(90)은 지지 블록(115)에 연결된제 1 클램프(206)와, 챔버 벽의 일부분 또는 기판 지지체의 다른 부분과 같은 프로세스 챔버(106)의 일부분에 연결된 제 2 클램프(208)를 제공함으로써 지지 부재(100)를 고정시킨다. 도 1에 도시된 버젼에서, 지지 아암(90)의 제 1 단부(201)는 지지 블록(115)의 하부면(204)의 중앙(202)에서 지지 부재(100)에 부착되는 제 1 클램프(206)를 포함한다. 지지 아암(90)의 제 2 단부(203)는 챔버 벽(107) 또는 다른 지지 부품과 같이, 챔버(106)의 일부분에 부착됨으로써 챔버(106)에 지지 부재(100)를 고정시키는 제 2 클램프(208)를 포함한다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 지지 아암(90)의 제 2 단부(203)는 벨로우즈 구조물(bellows structure; 300)에 고정될 수 있는데, 이 벨로우즈 구조물은 챔버 내에서 기판 지지 조립체(200)를 상승 및 하강시켜서, 원하는 플라즈마 프로세싱 특성들을 제공하도록 되어 있다. 도면에 도시된 지지 아암(90)은 또한 기판 지지 조립체(200) 밑에 챔버(106)의 바닥벽(116)내에 위치된 배출구(143) 위에서 기판(104)과 지지 부재(100)를 지지한다. 지지 아암(90)의 지지 비임 섹션(205)은 제 1 단부(201)와 제 2 단부(203) 사이로 연장되어, 이들 사이에서 지지 부재(100)의 일부분들을 지지한다. 지지 아암(90)의 제 1 단부(201) 및 제 2 단부(203) 상의 제 1 클램프(206) 및 제 2 클램프(208)는 못, 스크류, 접착제, 납땜, 또는 다른 적합한 클램핑 방법에 의해 프로세스 챔버(106)의 일부분 및 지지 부재(100)에 연결된다. 지지 아암(90)은 바람직하게, 활성화된 가스에 의해 내식성을 가지는 재료를 포함하여, 정전 부재(electrostatic member; 100)를 유지하기 위한 고정 및 내식 구조물을 제공한다. 예컨대, 지지 아암(90)은 질화알루미늄, 산화알루미늄및 산화실리콘 중 하나 이상와 같은 세라믹 물질을 포함할 수 있다.
지지 아암(90)은 채널(207)이 관통되는 중공의 지지 아암부를 포함하는데, 이러한 채널(207)은 전기 전도성 와이어 및 리드, 전기 커넥터와 같은 다수의 전기 도전체를 수용하기 위한 크기와 형상을 가진다. 이 채널(207)은 지지 아암(90)의 적어도 일부분을 따라 연장되어, 도전체(209)를 위한 밀폐식 하우징(210)을 제공한다. 예컨대, 채널(207)은 커넥팅 지지 아암 단부(202, 203) 사이에서 지지 비임 섹션(205)의 거의 전체 길이를 따라 연장될 수 있다. 전기 커넥터와 같은 전기 도전체(209)는 중공의 지지 아암내에서 채널(207)을 통과하거나 루트가 정해져서, 지지 부재(100)로부터 예컨대 전원 장치, 프로세스 모니터, 및 기판 지지 조립체(200) 외부의 챔버 부품들로 도전체(209)를 안내한다. 중공의 지지 아암(90)의 하우징(210)은 부식성의 활성화된 플라즈마 종(corrosive energized plasma species)으로부터 전기 도전체를 차폐시키고 보호하여, 부식과 전기 아크를 감소시킨다.
일 버젼에서, 기판 지지 조립체(200)는 전기 도전체(209)를 포함하는데, 이 도전체(209)는 중공의 지지 아암(90)의 채널(207)을 통과하는 전기 접지 커넥터(211)를 포함한다. 이 전기 접지 커넥터(211)는 전극과 같은 지지 부재(100)의 일부분들을 전기적으로 접지시키는 한편, 챔버(106)내의 다른 전극(141)은 전기적으로 바이어스(bias)되어, 챔버(106) 내에 제공된 프로세스 가스가 기판(104)을 프로세스하도록 활성화될 수 있다. 전기 접지 커넥터(211)는 또한 지지 부재(100)의 일부분들로부터의 과도한 전기 충전을 제거하여, 프로세싱 후에 기판 수용면(140)으로부터 기판(104)을 용이하게 제거할 수 있다. 전기 접지 커넥터(211)는 제 1 터미널(212) 및 제 2 터미널(213)을 포함하는데, 이 제 1 터미널(212)은 전극(105) 또는 지지 블록(115)과 같이 지지 부재(100)의 일부분에 전기적으로 접속되며, 제 2 터미널(213)은 프로세스 챔버(106)에 전기적으로 접속되어, 정전 부재(100)를 접지시키거나, 또는 프로세스 챔버(106)와 대략 동일한 전위에서 정전 부재(100)를 유지시킨다. 도 1a 및 도 3은 이러한 제 1 터미널(212) 및 제 2 터미널(213)을 포함하는 전기 접지 커넥터(211)를 도시하는데, 이 제 1 터미널(212)은 유전체 블록(115)에 매설되고, 예컨대, 전기 전지 커넥터(211)가 전극(105)에 납땜됨으로써 전극(105)에 전기적으로 접속되며, 제 2 터미널(213)은 챔버(106)에 부착되고 전기적으로 접속된다. 도 1b에서, 전기 접지 커넥터(211)의 제 1 터미널(212)은 예컨대, 금속 블록(115b)에 접지 커넥터(211)가 납땜됨으로써 전극(105)을 포함하게 되는 금속 블록(115b)에 전기적으로 접속된다. 제 2 터미널(213)은 예컨대 도 3에 도시된 바와 같이, 배플(baffle; 300)의 바닥에서 챔버(106)의 바닥벽(116)에 연결될 수 있다. 전기 접지 커넥터(211)는 바람직하게, 예컨대 스테인레스 강, 니켈, 몰리브덴, 알루미늄, 하스텔로이(hastelloy) 중 하나 이상과 같은 전기 전도성 물질을 포함한다.
기판 지지 조립체(200)는 전기 도전체(209)를 포함할 수도 있는데, 이 도전체(209)는 접지 커넥터(211) 부근에서 중공의 지지 아암(90)의 채널(207)을 통과하는 열전쌍(215)을 포함한다. 도 1a, 도 1b 및 도 2는 열전쌍(215)의 적어도 일부분이 채널(207)을 통과하는 기판 지지 조립체(200)를 도시한다. 열전쌍(215)은 지지 부재(100)의 부분들과 기판(104) 중 하나 이상의 온도와 같이, 기판 지지 조립체에 대한 온도를 검출하도록 되어 있다. 열전쌍(215)은 대개, 서로의 단부에서 함께 용접되거나 그렇지 않으면 결합되는, 금속 와이어 또는 반도체 로드와 같은, 2 이상의 상이한 와이어를 포함한다. 적합한 와이어의 실예는 플래티늄 및 로듐, 또는 크롬 합금 및 알루미늄 합금을 포함한다. 2개의 단부 또는 접합부 사이의 온도차는 접합부 사이의 온도차와 연관된 크기를 가지는 기전력(e.m.f.)을 발생시킨다. 이러한 발생된 기전력은 와이어에 의해 형성된 회로에 연결되는 적합한 밀리볼트미터(millivoltmeter) 또는 전위차계(potentiometer)를 포함하는 온도 모니터링 시스템(275)에 의해 측정될 수 있다. 도 1에 도시된 버젼에서, 열전쌍(215)은 제 1 팁(first tip; 216) 및 제 2 팁(214)을 포함하는데, 제 1 팁(216)은 예컨대, 지지 블록(115)의 바닥면(204)에 열전쌍 터미널(216)을 납땜함으로써 지지 블록(115)의 부분들의 온도를 검출하도록 지지 블록(115)에 인접하여 위치되거나 또는 연결되며, 제 2 팁(214)은 온도 모니터링 시스템(275)에 전기적으로 접속된다.
도 2는 지지 아암의 채널(207)내의 열전쌍(215)과 전기 접지 커넥터(211)의 배열체의 실시예를 도시하는 중공의 지지 아암(90)의 개략적인 측면도이다. 이러한 실시예에서, 전기 접지 커넥터(211) 및 열전쌍(215)은 중공의 지지 아암 비임 섹션(205)의 종축선을 따라 서로 거의 평행하게 정렬되어 있다. 전기 접지 커넥터(211) 및 열전쌍(215)은 서로에 대해 비교적 근접해 있어서, 챔버(106)내에 지지 아암(90)을 끼워맞추는데 필요한 공간의 양을 최소화하고, 지지 아암(90)을조립하는 비용을 줄일 수 있다. 예컨대, 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이의 거리는 예컨대 약 0.0005인치(약 0.013mm) 내지 약 2인치(약 51mm), 그리고 더 나아가 0.001인치(약 0.025mm) 미만과 같이, 약 2인치(약 51mm) 미만일 수 있다.
도 1a, 도 1b 및 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지 조립체(200)는 지지 아암(90) 내에서 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이에 위치된 세라믹 절연체(222)를 더 포함한다. 근접하게 이격된 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이에 세라믹 절연체(222)를 삽입하며, 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이에서 전기 아크의 발생이 감소될 수 있어서, 기판 지지 조립체(200)의 부품 수명을 증가시킨다는 것을 알았다. 세라믹 절연체(222)는 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이에 충분한 전기 절연을 제공하는 세라믹 물질을 포함한다. 예컨대, 세라믹 절연체(222)는 질화알루미늄, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화규소, 탄화규소, 뮬라이트 및 질화실리콘 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 세라믹 절연체(222)는 또한 바람직하게 열전쌍(215) 및 전기 접지 커넥터(211)를 전기적으로 차폐시키기에 적합한 두께를 포함하는데, 그 두께는 최소 약 0.0005인치(약 0.013mm), 더 나아가, 약 0.001인치(약 0.025mm) 내지 약 2인치(약 51mm)와 같이, 최소 약 0.001인치(약 0.025mm)일 수 있다.
세라믹 절연체(222)는 지지 아암(90)의 채널(207) 내에 배열되어, 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이에 양호한 전기 차폐를 제공한다. 세라믹 절연체(222)는 예컨대, 지지 아암(90)의 지지 비임 섹션(205)의 길이를 가로질르는것과 같이, 지지 아암(90) 내에서 원하는 거리를 따라 연장된다. 예컨대, 세라믹 절연체(222)는 지지 비임 섹션(205)의 적어도 약 50%를 따라 연장될 수 있고, 심지어 거의 전체 지지 비임 섹션(205)을 가로질러 연장될 수 있다. 세라믹 절연체(222)는 전기 접지 커넥터(211) 및 열전쌍(215) 중 하나 이상과 접촉하고 심지어 이를 지지하면서 채널(207) 내에 위치될 수 있다. 도 1a, 도 1b 및 도 2에 도시된 바와 같이, 세라믹 절연체(222)는 전기 접지 커넥터(211)의 밑에 위치되고, 상부 지지면(223)을 구비한다. 이 상부 지지면(223)은 채널(207)에서 전기 접지 커넥터(211)를 지지한다.
전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215)을 용이하게 서로 근접하여 배치시키고, 제조 비용을 절감하기 위해, 채널(207)은 상이한 크기의 상부 및 하부 그루브(217, 219)를 구비하여 형성될 수 있다. 전기 접지 커넥터(211)는 채널(207)의 상부 부분을 형성하는 상부 그루브(217) 내에서 열전쌍(215) 위에 위치되며, 열전쌍(215)은 채널(207)의 하부 부분을 형성하는 하부 그루브(219)내에서 전기 접지 커넥터(211) 아래에 위치된다. 상부 그루브(217)는 하부 그룹(219)보다 큰 폭을 가져서, 전기 접지 커넥터(211)의 보다 큰 폭을 수용한다. 예컨대, 상부 그루브(217)는 약 0.005인치(약 0.13mm) 내지 약 0.5인치(약 13mm)의 폭을 포함할 수도 있다. 하부 그루브(219)는 보다 작은 폭을 가져서, 약 0.001인치(약 0.025mm) 내지 약 0.1인치(약 2.5mm)의 폭과 같이, 보다 작은 열전쌍(215)을 수용한다. 용이하게 제조하기 위해, 보다 작은 하부 그루브(219)의 개방부(220)는, 기판 지지 조립체(200)를 조립하는 동안 개방부(220)를 통해 하부 그루브(219) 안으로 열전쌍(215)이 끼워맞춤되기에 충분히 큰 크기를 가진다. 따라서, 상이한 폭들을 가지는 상부 및 하부 그루브(217, 219)를 갖춘 채널(207)은 전기 접지 커넥터(211) 및 열전쌍(215)을 위해 개별의 채널을 천공하는 어쩌면 어려울 수 있는 단계와 시간 소모를 필요로 하지 않고 지지 아암(90) 내에서 열전쌍(215) 부근에 전기 접지 커넥터(211)를 위치시킬 수 있게 한다.
세라믹 절연체(222)는 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이의 홈형상의 채널(207) 내에 끼워맞추어 질 수 있는 크기와 형성을 가진다. 도 2에 도시된 버젼에서, 세라믹 절연체(222)는 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이에서 상부 그루브(217)의 바닥면(225) 상에 지지될 수 있는 크기와 형상을 가지며, 그리고 밑에 놓이는 열전쌍(15)의 상부면에 의해 부분적으로 지지될 수도 있다. 세라믹 절연체(222)는 위에 놓이는 전기 접지 커넥터(211)의 형상과 적어도 부분적으로 합치하는 형상을 가질 수도 있다. 도 2에 도시된 버젼에서, 세라믹 절연체(222)는 세라믹 절연체(222)상에 지지되는 전기 접지 커넥터(211)의 원통 형상과 합치하는 오목한 지지면(223)을 가지는 반원통 형상을 포함한다. 반원통 형상 세라믹 절연체(222)의 바닥면(227)은 상부 그루브(217)의 형상에 끼워맞춤되도록 곡선형이거나 그렇지 않으면 몰딩될 수 있다. 다른 배열체와 같이, 세라믹 절연체(222)는 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 중 하나 이상과 떨어져 이격될 수 있다(도시 안됨). 세라믹 절연체(222)는 예컨대, 하부 그루브(219)의 개방부(220)에서, 또는 전기 차폐를 제공하도록 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이에 세라믹 절연체(222)를 적절하게 위치시키는 다른 배열체에서, 하부 그루부(219) 안으로 끼워맞춤될 수도 있다.
일 버젼에서, 예컨대 도 3에 도시된 바와 같이, 세라믹 절연체(222)는 채널(207)의 길이를 따라 연속적으로 연장되는 하나의 피스의 세라믹 물질을 포함한다. 하나의 피스의 세라믹 물질은 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이에서 세라믹 절연체(222)의 길이를 따라 연속적인 전기 차폐를 제공한다. 다른 버젼에서, 예컨대 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 세라믹 절연체(222)는 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이에서 채널(207)의 길이를 따라 이격된 세라믹 물질의 여러 개의 스트립(222a, 222b, 222c)을 포함한다. 보다 작은 절연체 스트립(222a, 222b, 222c)의 형태로 세라믹 절연체(222)가 제공된다면, 하나의 긴 세라믹 절연체 피스의 조립에 대해 세라믹 절연체(222)의 용이한 제조를 개선시키고 비용을 감소시킬 수 있다. 세라믹 절연체 스트립(222a, 222b, 222c)의 각각의 사이의 공간은 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이에 원하는 전기 차폐를 유지하기에 충분하게 작게 선택된다. 예컨대, 각각의 스트립 사이의 공간은, 약 0.001인치(약 0.025mm) 내지 약 4.5인치(약 114mm)와 같이, 4.5인치(약 114mm) 미만일 수도 있고, 심지어 약 0.005인치(약 0.13mm)미만일 수도 있다.
전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이에 세라믹 절연체(222)를 갖춘 기판 지지 조립체(200)의 상술한 구성은, 프로세스 챔버(106)내에서의 기판(1054)의 프로세싱 동안, 전기 접지 커넥터(211)와 열전쌍(215) 사이에서 전기 아크의 발생을 감소시킴으로써, 프로세스 챔버(106) 내에 양호한 내식성을 제공함을 알았다. 세라믹 절연체(222)의 사용은, 전기 접지 커넥터 및 열전쌍이 이들 각각을 위한 분리된 채널의 천공을 필요로 하지 않고 동일한 채널(207)을 통해 쉽게 루트가 정해질 수도 있으므로, 기판 지지 조립체(200)의 용이한 조립을 또한 유지시킨다. 따라서, 세라믹 절연체를 갖춘 기판 지지 조립체(200)는 프로세스 챔버(106) 내에서의 기판(104)의 프로세싱을 위한 향상된 내식 지지 부품을 제공한디.
기판 지지 조립체(200)는 보다 장기간의 프로세싱 수명을 제공하도록 조립체를 개장하는 것을 허용한다. 개방 프로세스는 프로세스 잔류물을 제거하도록 지지 블록(115)과 지지 아암(90)과 같은 부품의 클리닝을 허용할 뿐만 아니라, 금속판(174)과 같은 임의의 부식성 조립체 부품들의 교체를 허용한다. 세라믹 절연체(222)가 전기 아크를 방지시키고 전기 접지 커넥터(211)의 부식을 감소시킴에 따라, 개방 프로세스도 전기 접지 커넥터(211)의 교체를 필요로 하지 않고 실행될 수 있다. 기판 지지 조립체(200)를 개장하기 위해, 열전쌍(215) 금속판 중 하나 이상이 지지 블록(115)로부터 제거된다. 이후, 클리닝 프로세스가 실행되어, 지지 블록(115) 및 지지 아암(90) 중 하나 이상으로부터 프로세스 잔류물을 제거한다. 예컨대, He 등에게 허여되고, 2001년 12월 21일자로 제출되었으며, 어플라이드 머티어리얼스(Applied Materials)에 양도된 USP 10/032,387과, Wang 등에게 허여되고, 2002년 11월 25일자로 제출되었으며, Applied Materials에 양도된 USP 10/304,535에 개시된 바와 같이, 클리닝 프로세스는 예컨대, HF 또는 KOH와 같이, 산성 또는 기본 종을 포함하는 클리닝액 내에 지지 블록(115) 및 지지 아암(90)을 침수시키는 단계를 포함한다. 상술한 미국특허는 여기에 참조로서 전체가 병합되어 있다. 이 클리닝액은 임의의 프로세스 잔류물을 제거하며, 제거되지 않는다면유전체 블록(115) 및 지지 아암(90)으로부터 프로세싱 동안 기판을 오염시킬 수 있는 임의의 유리된 알갱이들(loose grains)을 제거할 수도 있다. 석질 블래스팅(grit blasting) 프로세스가 또한 실행될 수 있어서, 상기 인용된 출원에 개시된 바와 같이, 지지 블록(115) 및 지지 아암(90)을 클리닝하고 개장한다. 클리닝 프로세스가 실행된 후에, 예컨대, 지지 블록(115)의 하부면(204)에 열전쌍의 팁을 납땜함으로써, 지지 블록(115)에 인접하게 동일한 또는 새로운 열전쌍(215)을 배열시킨다. 금속판(174)을 포함하는 기판 지지 조립체에서, 새로운 금속판(174)은 금속 블록(115)의 상부면(179)에 적용될 수 있다. 열전쌍(215) 및 전기 접지 커넥터(211)는 지지 아암(90)의 채널을 통해 다시 루트가 정해지고, 세라믹 절연체(222)가 이들 사이에 위치된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 세라믹 절연체를 갖춘 중공의 지지 아암(90)을 포함하는 기판 지지 조립체(200)에 의해 기판(104)을 프로세싱하기에 적합한 기판 프로세싱 장치(102)는 프로세스 챔버(106)를 포함한다. 여기에 도시된 이 기판 프로세싱 장치(102)의 특별한 실시예는 반도체 웨이퍼와 같은 기판(104)을 프로세싱하기에 적합하고, 평판 디스플레이, 폴리머 패널, 또는 다른 전기 회로 수용 구조물과 같은 다른 기판(104)을 프로세싱할 수 있음을 당업자는 이해할 것이다. 이 기판 프로세싱 장치(102)는 기판 상의 내식성, 실리콘-함유, 금속-함유, 유전체 및/또는 도전체 층과 같은 프로세싱 층에 특히 유용하다.
기판 프로세싱 장치(102)는 메인프레임 유닛(도시 안됨)에 부착될 수도 있고 멀티챔버 시스템(도시 안됨)의 일부분일 수도 있는데, 이 메인프레임 유닛은 기판프로세싱 장치(102)를 위한 전기적 기능, 플러밍 기능 및 다른 지지 기능을 포함하고 제공한다. 멀티챔버 시스템은 진공 상태를 파괴하지 않고 또한 기판(104)을 멀티챔버 외부의 습기 또는 다른 오염물질에 노출시키지 않고 그 챔버들 사이에 기판(104)을 이송시킬 수 있는 성능을 가지고 있다. 멀티챔버 시스템의 장점은 멀티챔버 시스템 내의 상이한 챔버들이 전체 프로세스의 상이한 목적을 위해 사용될 수 있다는 점이다. 예컨대, 하나의 챔버는 기판(104)을 에칭하기 위해 사용될 수 있고, 다른 챔버는 금속막의 증착을 위해 사용될 수 있으며, 또 다른 챔버는 신속 열처리 공정을 위해 사용될 수 있고, 또 다른 챔버는 안티-반사층(anti-reflective layer)의 증착을 위해 사용될 수 있다. 이러한 프로세스는 멀티챔버 시스템 내에서 중단없이 진행될 수 있어서, 프로세스의 상이한 부분들을 위해 여러 분리된 개별의 챔버들 사이에서 기판(104)을 이송할 때 중단된다면 발생될 수 있는 기판(104)의 오염을 방지한다.
대개, 프로세스 챔버(106)는 프로세스 죤(108)을 둘러싸는 천장(118), 측벽(114) 및 바닥벽(116)을 포함할 수 있는 외장 벽(103)과 같은 벽(107)을 포함한다. 작동에 있어서, 프로세스 가스원(138) 및 가스 분배기(137)를 포함하는 가스 공급부(130)를 통해 챔버 안으로 프로세스 가스가 도입된다. 가스 분배기(137)는 기판(104)의 주변 둘레에 하나 이상의 가스 출구(142)와 하나 이상의 가스 유동 밸브(134)를 갖춘 하나 이상의 도관(136)을 포함하는데, 이 가스 출구(142)는 기판 수용면(140)을 구비한 기판 지지 조립체(200) 상의 프로세스 죤(108) 내에 유지되어 있다. 대안으로, 가스 분배기(130)는 샤우어헤드(showerhead) 가스 분배기(도시 안됨)를 포함할 수 있다. 사용된 프로세스 가스와 에칭 부산물은 챔버(106)로부터 배출부(144)를 통해 배출되는데, 이 배출부(144)는 프로세스 죤으로부터 배출구(143)를 경유하여 사용된 프로세스 가스를 수용하는 펌핑 채널과, 챔버(106)내의 프로세스 가스의 압력을 조절하기 위한 스로틀 밸브(135), 및 하나 이상의 배출 펌프(152)를 포함할 수 있다.
프로세스 가스는 챔버(106)의 프로세스 죤(108)내의 프로세스 가스에 에너지를 결부시키는 가스 에너자이져(104)에 의해 기판(104)을 프로세싱하도록 활성화된다. 도 3에 도시된 버젼에서, 가스 에너자이져(154)는 프로세스 전극(105, 141)과 전원 장치(159)를 포함하는데, 이 전원 장치(159)는 프로세스 가스를 활성화시키도록 하나 이상의 프로세스 전극(105, 141)에 전력을 공급한다. 프로세스 전극(105, 141)은 기판(104) 아래에 기판 지지 조립체(200) 내의 전극(105)과 같이, 다른 전극(105)에 전기 용량식으로 결합되는 챔버(106)의 천장(118) 또는 측벽(114)과 같은 벽 내에 또는 벽인 전극(141)을 포함할 수 있다. 일 버젼에서, 가스 에너자이져(154)는 천장(118)내의 샤우어헤드 가스 분배기의 일부분인 가스 분배판을 포함하는 전극(141)에 동력을 공급한다. 대안으로 또는 추가적으로, 가스 에너자이져(154)는 하나 이상의 인덕터 코일(178)을 포함하는 안테나(175)를 포함할 수 있는데, 이 인덕터 코일(178)은 챔버(106)의 중앙 근처에 원형 대칭부를 구비할 수 있다. 또 다른 버젼에서, 가스 에너자이져(154)는 마이크로웨이브 공급원과 웨이브가이드를 포함할 수 있어서, 챔버(106)로부터 상류에 원격의 죤에 마이크로웨이브 에너지에 의해 프로세스 가스의 활성을 촉진시킬 수 있다.
기판(104)을 프로세싱 하기 위해, 프로세스 챔버(106)는 소개되고 대기압보다 낮은 소정의 압력에서 유지된다. 기판(104)은 이후, 로봇팔과 리프트 핀 시스템과 같은 기판 이송부(101)에 의해 기판 지지 조립체의 기판 수용면(140) 상에 제공된다. 이후, 가스 에너자이져(154)는 가스를 활성화시켜서, RF 또는 마이크로웨이브 에너지를 가스에 결부시킴으로써 기판(104)을 프로세스하도록 프로세스 죤(108)내에 활성화된 가스를 제공한다. 벨로우즈 구조물(300)은 기판(104)을 상승 및 하강시킬 수 있어서, 원하는 플라즈마 프로세싱 특성들을 제공한다.
본 발명의 예시적인 실시예를 도시하고 설명하였지만, 당업자는 본 발명을 병합시키고 또한 본 발명의 범위내에 있는 다른 실시예를 고안할 수 있도 있다. 예컨대, 구체적으로 개시된 것들 이외에 다른 지지 아암 구조물이 사용될 수도 있다. 또한, 당업자에게 명확하듯이, 지지 아암(90) 내의 열전쌍(215)과 전기 접지 커넥터(211)의 위치는 변경될 수도 있거나, 또는 나란히 위치될 수 있다. 또한, 용어 "아래에(below)", "위에(above)", "바닥(bottom)", "상부(top)", "위(up)", "아래(down)", "제 1 및 제 2", 및 다른 비교적인 또는 위치상의 용어는 도면의 예시적인 실시예에 대해 나타내는 것이며, 서로 교환가능하다. 따라서, 첨부된 청구범위는 본 발명을 도해하기 위해 여기에 설명된 바람직한 버젼, 물질(재료) 또는 공간적인 배열체의 상세한 설명에 한정되어선 안된다.
본 발명에 따른 기판 지지 조립체는 플라즈마 환경에서 감소된 전기 아크 또는 글로우 방전을 나타낸다. 또한, 빈번한 교체 또는 보수없이 방대한 수의 기판을 프로세싱할 수 있으며, 기판 지지 조립체 부품을 용이하게 개장 또는 클리닝할 수 있다.

Claims (13)

  1. 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 지지 조립체로서,
    (a) 전극을 포함하는 지지 블록과,
    (b) 상기 지지 블록에 부착되는 제 1 클램프, 및 상기 프로세스 챔버에 부착되는 제 2 클램프를 포함하며, 채널이 관통되어 있고, 상기 프로세스 챔버 내에 상기 지지 블록을 유지시키는 아암과,
    (c) 상기 아암의 상기 채널을 통과하는 다수의 전기 도전체와,
    (d) 상기 도전체 사이에 위치된 세라믹 절연체를 포함하는, 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 지지 조립체.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 전기 도전체는 (ⅰ)열전쌍, 및 (ⅱ)전기 접지 커넥터를 포함하는, 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 지지 조립체.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 세라믹 절연체는 하나 이상의 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화규소, 탄화규소, 뮬라이트 및 질화규소 중 하나 이상을 포함하는, 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 지지 조립체.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 세라믹 절연체는 상기 다수의 전기 도전체 사이에서 길이를 따라 이격되어 있는 스트립을 포함하는, 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 지지 조립체.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 세라믹 절연체는 반원통 형상을 포함하는, 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 지지 조립체.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 세라믹 절연체는 상기 전기 접지 커넥터들 중 하나 이상을 지지하도록 오목한 지지면을 포함하는, 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 지지 조립체.
  7. 제 1 항에 기재된 지지 조립체를 포함하는 프로세스 챔버.
  8. 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체로서,
    내부에 전극이 매입된 유전체 블록과,
    상기 유전체 블록에 부착되는 제 1 클램프, 및 상기 프로세스 챔버의 일부분에 부착되는 제 2 클램프를 구비하며, 채널이 관통되어 있고, 상기 프로세스 챔버 내에 상기 유전체 블록을 유지시키기 위한 아암과,
    상기 전극에 전기 접속되는 제 1 터미널, 및 상기 전극을 접지시키도록 되어 있는 제 2 터미널을 포함하며, 상기 아암의 상기 채널을 통과하는 전기 접지 커넥터와,
    상기 전기 접지 커넥터 근처에서 상기 아암의 상기 채널을 통과하는 열전쌍과, 그리고
    상기 아암의 상기 채널 내의 상기 열전쌍과 상기 전기 접지 커넥터 사이에 위치된 세라믹 절연체를 포함하는, 프로세스 챔버 내에 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 세라믹 절연체는 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화규소, 탄화규소, 뮬라이트 및 질화규소 중 하나 이상을 포함하는, 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 세라믹 절연체는 반원통 형상을 포함하는, 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
  11. 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체로서,
    양극처리된 금속판을 위에 구비하는 금속 블록과,
    상기 금속 블록에 부착되는 제 1 클램프, 및 상기 프로세스 챔버의 일부분에 부착되는 제 2 클램프를 구비하며, 채널이 관통되어 있고, 상기 프로세스 챔버 내에 상기 금속 블록을 유지시키기 위한 아암과,
    상기 금속 블록에 전기 접속되는 제 1 터미널, 및 상기 금속 블록을 접지시키도록 되어 있는 제 2 터미널을 포함하며, 상기 아암의 상기 채널을 통과하는 전기 접지 커넥터와,
    상기 전기 접지 커넥터 근처에서 상기 아암의 상기 채널을 통과하는 열전쌍과, 그리고
    상기 아암의 상기 채널 내의 상기 열전쌍과 상기 전기 접지 커넥터 사이에 위치된 세라믹 절연체를 포함하는, 프로세스 챔버 내에 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 세라믹 절연체는 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화규소, 탄화규소, 뮬라이트 및 질화규소 중 하나 이상을 포함하는, 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 세라믹 절연체는 반원통 형상을 포함하는, 프로세스 챔버내에 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
KR20-2003-0027785U 2003-04-24 2003-08-29 기판 지지 조립체 KR200335335Y1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/423,717 2003-04-24
US10/423,717 US7045014B2 (en) 2003-04-24 2003-04-24 Substrate support assembly

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR200335335Y1 true KR200335335Y1 (ko) 2003-12-06

Family

ID=33415885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20-2003-0027785U KR200335335Y1 (ko) 2003-04-24 2003-08-29 기판 지지 조립체

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7045014B2 (ko)
JP (1) JP3098286U (ko)
KR (1) KR200335335Y1 (ko)
CN (1) CN2768200Y (ko)
TW (1) TWM250506U (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101264786B1 (ko) * 2009-01-26 2013-05-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 고유전체막을 형성하기 위한 종형 열처리 장치와 그 구성 부품 및, 보온통

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070251938A1 (en) 2006-04-26 2007-11-01 Watlow Electric Manufacturing Company Ceramic heater and method of securing a thermocouple thereto
DE202006017024U1 (de) * 2006-11-07 2007-01-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
US20080190364A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-14 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly
US7989353B2 (en) * 2008-01-02 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Method for in-situ refurbishing a ceramic substrate holder
US9520314B2 (en) * 2008-12-19 2016-12-13 Applied Materials, Inc. High temperature electrostatic chuck bonding adhesive
WO2010091205A2 (en) * 2009-02-04 2010-08-12 Applied Materials, Inc. Ground return for plasma processes
US9123762B2 (en) * 2010-10-22 2015-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate support with symmetrical feed structure
JP6054314B2 (ja) 2011-03-01 2016-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板搬送及びラジカル閉じ込めのための方法及び装置
US11171008B2 (en) 2011-03-01 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration
WO2012118897A2 (en) * 2011-03-01 2012-09-07 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration
US20130334199A1 (en) * 2011-03-01 2013-12-19 Applied Materials, Inc. Thin heated substrate support
CN104137248B (zh) 2012-02-29 2017-03-22 应用材料公司 配置中的除污及剥除处理腔室
JP6219227B2 (ja) * 2014-05-12 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 ヒータ給電機構及びステージの温度制御方法
US10570257B2 (en) 2015-11-16 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Copolymerized high temperature bonding component
CN109148251B (zh) * 2017-06-19 2022-09-16 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室的下电极机构及反应腔室
SG11202007857XA (en) * 2018-02-09 2020-09-29 Applied Materials Inc Semiconductor processing apparatus having improved temperature control
US11258325B2 (en) * 2018-10-23 2022-02-22 General Electric Company Articles including insulated conductors and systems thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US45262A (en) * 1864-11-29 Improvement in breech-loadsng fire-arms
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
ATE115464T1 (de) * 1990-06-29 1994-12-15 Flexline Services Ltd Verfahren zur herstellung von verstärktem verbundmaterial und ein fasermaterial zur benutzung während dieses verfahrens.
US5522937A (en) * 1994-05-03 1996-06-04 Applied Materials, Inc. Welded susceptor assembly
TW283250B (en) * 1995-07-10 1996-08-11 Watkins Johnson Co Plasma enhanced chemical processing reactor and method
US5633073A (en) * 1995-07-14 1997-05-27 Applied Materials, Inc. Ceramic susceptor with embedded metal electrode and eutectic connection
US6066836A (en) * 1996-09-23 2000-05-23 Applied Materials, Inc. High temperature resistive heater for a process chamber
US5983906A (en) * 1997-01-24 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for a cleaning process in a high temperature, corrosive, plasma environment
US20010045262A1 (en) 2000-02-28 2001-11-29 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
US6455781B1 (en) * 2001-08-23 2002-09-24 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Thermocouple ceramic bead insulator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101264786B1 (ko) * 2009-01-26 2013-05-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 고유전체막을 형성하기 위한 종형 열처리 장치와 그 구성 부품 및, 보온통

Also Published As

Publication number Publication date
TWM250506U (en) 2004-11-11
US7045014B2 (en) 2006-05-16
US20040226514A1 (en) 2004-11-18
JP3098286U (ja) 2004-02-26
CN2768200Y (zh) 2006-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR200335335Y1 (ko) 기판 지지 조립체
JP5662341B2 (ja) プラズマ処理システムにおけるプラズマ閉じ込め構造、プラズマ処理システムとその製造方法
KR101441892B1 (ko) 프로세스 챔버 내에서 캐소드의 ｒｆ 접지
US9490135B2 (en) Movable chamber liner plasma confinement screen combination for plasma processing apparatuses
US5748434A (en) Shield for an electrostatic chuck
KR20080075808A (ko) 기판 지지 어셈블리
US20230019718A1 (en) Substrate support pedestal
US5858100A (en) Substrate holder and reaction apparatus
US6273958B2 (en) Substrate support for plasma processing
US6219219B1 (en) Cathode assembly containing an electrostatic chuck for retaining a wafer in a semiconductor wafer processing system
KR100284571B1 (ko) 세라믹 라이닝을 이용하여 cvd챔버 내의 잔류물 축적을 감소시키는 장치 및 방법
KR20010043180A (ko) 피가공재 처리 시스템 내부에 있는 피가공재에 대한바이어싱 및 보유 능력을 개선하기 위한 장치
US10741368B2 (en) Plasma processing apparatus
KR101480738B1 (ko) 환형 배플
JP2008511175A (ja) プラズマチャンバ内部で使用するためのイットリア絶縁体リング
KR19980032909A (ko) 원뿔형 돔과 유도성으로 연결된 평행판 플라즈마 반응기
JP4540797B2 (ja) 基板処理チャンバ及び基板処理チャンバ用のアンテナコイルアセンブリ
JP3647064B2 (ja) 真空処理装置およびそれに用いる載置台
JPH0878346A (ja) プラズマ成膜装置
KR20110039667A (ko) 플라즈마 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120927

Year of fee payment: 10

EXPY Expiration of term