KR20030095305A - 네마틱 액정 장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

기판상에 폴리(염화비닐-공동(co)-비닐 알킬 에테르)타입의 것 또는 폴리(염화비닐-공동(co)-비닐 아릴 에테르)타입의 것으로부터 유도되는 중합체 또는 공중합체로부터 선택되는 중합체 또는 공중합체 또는 3원공중합체(terpolymer)의 침적(depositing);
상기 중합체 코팅의 안정화; 및
액정의 조절 방위각 앵커링(controlled azimuthal anchoring)도입을 위한 상기 코팅의 방위각 배향(azimuthal orientation)의 규정(defining);
으로 구성되는 단계에 의하여 가둠판(confinement plate)의 적어도 하나의 판상에 액정의 저 천정 앵커링 에너지(low zenithal anchoring energy)가 얻어지는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.

Description

네마틱 액정 장치의 제조방법{Method of producing nematic liquid-crystal devices}
본 발명은 액정 표시장치 분야에 관한 것이다. 더욱 정확하게는, 본 발명의 주요 목적은 표시 셀(display cell)내에서 액정 분자를 앵커링(anchoring)하는 신규한 수단을 제공하는 것이다.
액정 표시장치는 일반적으로 이들의 내부 표면상에 전극이 구비된 두개의 가둠판(confinement plate) 또는 기판 및 상기 두개의 판 사이에 위치한 액정 물질을 포함한다. 또한, 이들 판상의 액정 분자의 앵커링을 보장하고 조절하기 위한 수단이 상기 가둠판 상에 구비된다. 이러한 앵커링은 셀내의 분자의 배향(orientation)을 결정하고 이것이 적절하게 작동되도록 하기 때문에 매우 중요하다.
당업자에게 중합체의 침적(deposits)과 같은 표면처리를 사용하여 네마틱 액정을 기판표면에 대하여 수직이 되도록 배향(이러한 배향은 호메오트로픽(homeotropic)이라고 함)시키거나, 기판 표면에 대하여 평행이 되도록 배향(이러한 배향은 플래너(planar)라고 함)시키는 방법이 공지되어 있다.
더욱 정확하게는, "트위스트 네마틱(twisted nematic)" 액정 표시는 강한 플래너 앵커링 또는 약간 기울어진(oblique)앵커링이 요구된다. 종래기술에 의하면, 이러한 강한 플래너 앵커링은 보통 배향된 중합체를 침적시키거나 주어진 각도에서 SiO2를 증착(evaporation)시킴으로서 얻어진다.
표면 절단(surface breaking)에 의한 네마틱 표시 패밀리인 또 다른 네마틱 액정 표시 패밀리가 최근 나타났다(예를 들어, WO 97/17632). 이들은 쌍안정성(bistability)을 가능하게 하여, 에너지 소비없이 무제한적으로 유지되는 표시이고, 두가지 상태간의 스위칭만이 에너지를 요구한다. 쌍안정성의 또 하나의 장점은 선의 수가 선을 기록하는 시간에 대한 정보가 변화될 필요가 있는 시간의 비율에만 의존하기 때문에 고해상도가 가능하다는 점이다. 또한, 10000을 초과하는 선의 수도 달성될 수 있다. 이러한 타입의 표시를 제조하는 데 있어서 주요 난점은 표면상의 앵커링을 절단할 필요에 기인한다: 이는 재생 가능한 저-에너지 앵커링을 가질 필요가 있다. 본 발명의 주요 용도는 이러한 타입의 표시를 제조하는 것에 있다.
약한 앵커링을 사용한 이러한 쌍안정 네마틱 표시의 전형적인 예는 다음과 같은 방식으로 제조된다. 액정은 인듐 주석 산화물의 전도층으로 코팅된 두개의 판 사이에 위치한다. 전극 중 하나는 경사지거나 강한 플래너 앵커링을 제공하는 코팅을 가지고, 또 다른 전극은 저 천정(low zenithal)의 플래너 단안정(monostable)앵커링 및 중간 또는 강한 방위각 앵커링 에너지(strongazimuthal anchoring energy)를 제공하는 코팅을 가진다. 또한, 두개의 편광판(polarizer)은 적합한 배향으로 셀의 어느 한 쪽면에 위치한다.
이러한 "쌍안정" 기술의 원리는 전기장의 인가 없이 안정한, 균일한 상태 및 180°트위스트된 상태의 두가지 상태가 존재한다는 것에 있다. 이러한 두가지 상태는 최소 에너지 수준에 대응한다. 양성 유전체 이방성(positive dielectric anisotropy)를 가지는 네마틱 액정, 예를 들어 카이럴 첨가제(chiral additive)가 첨가된 펜틸시아노바이페닐(pentylcyanobiphenyl)(5CB라는 이름으로 알려짐)를 사용하여 이들은 평형상태에 있다. 이러한 타입의 장치는 일반적으로 비냄(Binem)장치라고 부른다.
이러한 표시 기술은 특정 모양 및 강도의 전기장을 인가함으로써 하나의 상태에서 또 다른 상태로 통과하기 위하여 강한 플래너 앵커링은 변화하지 않고 유지되는 반면 약한 플래너 앵커링을 절단하는 가능성을 사용한다. 셀에 수직인 이러한 전기장은 저-앵커링-에너지 표면에 근접한 분자가 셀에 수직인 TN 기술의 "흑색"상태에 유사한 호메오트로픽 텍스쳐(homeotropic texture)를 유도한다. 이러한 비평형 텍스쳐는 두개의 안정한 상태중 어느 하나로의 스위칭을 허용하는 전이상태이다. 전기장이 정지할 때, 탄성적 커플링(elastic coupling)효과가 선호되는지 또는 유체역학적 커플링(hydrodynamic coupling)효과가 선호되는 지에 따라 이는 안정 상태의 하나 또는 다른 하나로 변환될 것이다.
트위스트 상태 및 균일한 상태 사이의 셀 스위칭을 촉진시키기 위하여, 약한 플래너 앵커링은 작은 틸트(tilt)(< 1°)를 가질 수 있다. 회합된 강한 앵커링은본 출원인의 특허 FR 95/13201, FR 96/04447 및 US 6 327 017에서 지적된 바와 같이 구별없이 플래너 또는 기울어질 수 있다. 셀내에서, 강한 앵커링이 한 쪽 방향으로 틸트되고, 약한 앵커링이 동일한 방향으로 틸트된다면, 제1차 절단이라고 불리는 일시적 장-유도 앵커링 절단에 의하여 트위스트 상태에서 균일한 상태로의 스위칭이 가능하다. 이러한 스위칭은 탄성적 커플링에 의하여 얻어졌을 때 플래너 경우에서 보다 더욱 신속하다. 반대 방향에서의 스위칭은 이상에서와 같은 유체역학적 커플링에 의하여 달성되고, 경사각이 충분히 작다면 효과적이고 조절이 용이하게 유지된다.
액정 물질의 앵커링을 위한 다양한 수단들이 이미 제안되어 왔다. 이러한 앵커링 수단은 많은 제한이 있다.
당업자는, 특히 앵커링 중합체는
1) 수용판 또는 기판이 적절하게 습윤되거나 덮여지도록 수용판 또는 기판에 적합하게 적용되기 위하여 매질에 가용성이어야 하고;
2) 상기 판이나 기판을 이방성(anisotropic)으로 만들 수 있어야 하고;
3) 액정 물질에 가용성이어야 하고;
4) 요구 배향 및 요구 에너지를 제공하는 앵커링을 규정할 수 있어야 한다는 것을 알고 있다.
현재 만족할만한 강한 앵커링을 규정할 수 있는 수단은 있지만, 약한 앵커링을 보장할 수 있는 수단은 매우 적다.
따라서, 본 발명의 목적은 저 에너지를 갖고, 0°< ψ< 1°, 바람직하게는 0.1°< ψ< 0.5°의 저 예비틸트(pretilt)의, 시간에 걸쳐 안정한 균일한 앵커링을 규정할 수 있는 신규한 수단을 제공하는 것이다.
이러한 본 발명의 목적은,
기판상에 폴리(염화비닐-공동(co)-비닐 알킬 에테르)타입의 것 또는 폴리(염화비닐-공동(co)-비닐 아릴 에테르)타입의 것으로부터 유도되는 중합체 또는 공중합체로부터 선택되는 중합체 또는 공중합체 또는 3원공중합체(terpolymer)의 침적(depositing);
상기 중합체 코팅의 안정화; 및
액정의 조절 방위각 앵커링(controlled azimuthal anchoring)도입을 위한 상기 코팅의 방위각 배향(azimuthal orientation)의 규정(defining);
으로 구성되는 단계를 포함하는 액정 셀의 제조방법에 의하여 본 발명의 문맥내에서 달성된다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는 상기 코팅은 열 및/또는 자외선에의 노출에 의하여 안정화된다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는 네마틱 액정의 예비틸트는 0°< ψ< 1°, 바람직하게는 0.1°< ψ< 0.5°으로 작다.
본 발명에 의해 액정 표시 셀, 특히 쌍안정 네마틱 액정 셀내에서 저-에너지 앵커링(정렬)층을 제조하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명은 이에 따라 얻어진 장치에 관한 것이다.
"강한" 앵커링 및 "약한" 앵커링의 개념은 이제 설명될 것이다.
용어 "강한 앵커링" 및 "약한 앵커링"은 다음의 전개에 따라 정의될 수 있다. 액정의 분자 앵커링의 원천은 배향층과의 이의 상호작용의 이방성이다. 분자 앵커링은 이의 유효성 및 다른 외부 영향의 부존재시에 액정 분자에 부과되는 방향(direction)에 의하여 특징지워진다. 간이 축(easy axis)이라고 불리우는 상기 방향은 단위 벡터또는 기판의 표면에 대하여 수직인 Z축을 가지는 데카르트 좌표(Cartesian coordinate system)에서 천정 각 θ。및 방위각 φ。에 의하여 기술된다.
상기 액정 분자의 간이 축이 기판에 대하여 수직이라면 정렬은 호메오트로픽이다. 이것이 기판에 대하여 평행이라면 정렬은 플래너이다. 이러한 두가지 경우 사이에 존재하는 것은 기울어진 정렬(oblique alignment)이라고 하고, 기판 표면에 대하여 법선인 것에 대하여 규정된 천정 앵커링 각에 의하여 기술되거나, 예비틸트각이라고 하는 이의 여각(complement)에 의하여 기술된다.
표면 에너지 밀도는 액정 및 기판사이의 상호작용력의 특성을 기술하기 위하여 도입된다. 이는 표면상의 액정 분자의 배향(이는 또한, 천정 각 θs및 방위각 φs에 의하여 기술된다)에 의존한다:
g는 앵커링 에너지를 나타낸다.
이는 상호작용의 이방성 부분의 특성을 나타내고, (관례적으로)액정의 분자 배향이 간이 축의 방향과 일치할 때 O이 된다.
대부분의 실험에서, 두개의 각(천정각 또는 방위각)중 하나에서의 변화가 지배적이다. 이것이 앵커링 에너지의 두개의 성분이 종종 분리되어 연구되는 이유이다. 앵커링 에너지의 최고로 공지된 형태는 라피니(Rapini) 및 파포울라(Papoular)에 의해 제안된 것이다(J. Phy. Coll.(1969)30, C-4-54):
또는 일반적인 경우에서(H. Dreyfus-Lambezet al., Mol. Cryst. and Liq. Cryst.(2000),352, 19-26):
양 계수(positive coefficient) Wz및 Wa는 일반적으로 각각 천정 및 방위각앵커링 에너지라고 불리운다. 이들은 표면 에너지 밀도의 차원(dimension)을 가진다. 앵커링 에너지는 또한 외삽 길이(extrapolation length)에 의하여 주어질 수 있다. 이는 연구되는 표면 및 실제 표면 위치 사이의 거리이다. 매우 강한 앵커링을 부과함으로써(이러한 실제 표면 선회축(pivot)상에 상기 분자를 위치시키는 것은 불가능하다), 상기 표면은 액정의 실제 텍스쳐를 유도한다. 천정 외삽길이 Lz는 문제가 되는 액정의 비스듬한(splay) 변형 탄성 계수가 k11인 방정식 Lz= k11/Wz에 따라 앵커링 에너지 Wz의 역에 비례한다. 유사하게, 방위각 외삽길이는 La= k22/Wa으로 정의되고, k22는 문제가 되는 액정의 비틀림(torsional) 변형 탄성계수이다. 보통, 앵커링은 셀의 작동 동안 표면상의 분자가 간이 축에 사실상 평행하게 유지되는 때에 강하다고 한다. 반면, 작동 동안 감지 가능한 정도의 편차가 나타나면 앵커링은 약하다. 천정 앵커링 에너지는 다음에 기술되는 간단한 방법 즉, 앵커링 절단을 위한 임계 장의 측정에 의하여 결정될 수 있다.
액정 셀내에서 정확한 플래너(ψ= 0)앵커링은 판에 법선이고, 양성 유전체 이방성 εa= ε//- ε⊥> 0 을 가지는 네마틱 액정에 인가되는 전기장 E > Ec을 사용하여 "절단"될 수 있다. E가 증가되고 Ec에 근접하면, 표면 분자의 각 θs는 90°에서 0°로 신속하게 통과한다; 이는 셀의 복굴절에서의 검출 가능한 변이에 대응된다. Ec보다 높은 값에서는 각 θs는 0으로 유지되고, 표면은 "절단"되었다고 한다.
천정 앵커링의 절단을 위한 임계장 Ec는 다음식에 의하여 정의된다(I. Dozov et al.,Phys. Rev.E 58 (1998),6, 7442-7446):
K는 탄성 곡률 상수(~ 10 pN)이고, Lz는 천정 앵커링 에너지를 규정하는 외삽길이이고, 이는 다음과 같이 기재된다:
Wz= (1/2) (K/Lz)COS2θs(θs는 표면분자의 각이다)
천정 앵커링에 있어서, Lz< 20 nm (Ec> 20 V/㎛) 이면 앵커링이 강하다고 간주되고, Lz> 50 nm (Ec< 10 V/㎛) 이면 약하다고 간주된다. 방위각 앵커링은 더욱 작다. 방위각 앵커링은 La< 100 nm 이면 강하다고 간주된다.
본 발명의 문맥내에서 저-에너지 천정 앵커링은 폴리(염화비닐-공동-비닐 알킬 에테르) 또는 폴리(염화비닐-공동-비닐 아릴 에테르)에 기초한 특별히 선택된 공중합체 및 3원공중합체를 침적하고, 특별한 처리의 연속에 의하여 얻어진다(이러한 공중합체 및 3원공중합체 및 이들의 특별한 처리는 하기에서 구체화된다.)
폴리(염화비닐-공동-비닐 알킬 에테르) 또는 폴리(염화비닐-공동-비닐 아릴 에테르)에 기초한 공중합체 및 3원공중합체에 기초한 앵커링층은 중합체 용액으로부터 스핀-코팅(spin-coating)방법 또는 플렉스 인쇄(flex printing)와 같은 다른 방법에 의하여 침적된다. 용매가 증발된 후, 전형적으로(그러나 비제한적으로) 1nm 내지 100nm 의 두께를 가지는 중합체층이 얻어진다.
다음, 중합체층상에 액정의 방위각 앵커링을 유도하는 방위각 배향을 부과하기 위하여 중합체층에 공지된 기술의 직물 롤러에 의한 마찰 조작이 바람직하게 가해진다; 추가하여, 작은 예비틸트가 브러싱(brushing)에 의하여 유도된다.
앵커링-절단 쌍안정 셀을 제조하기 위하여, (소위-약한)앵커링 표면은 비교적 저-천정 앵커링 에너지(예를 들어 Lz≥40 nm) 및 비교적 강한 방위각 앵커링(La<< d, 셀의 두께)을 가지는 플래너 앵커링 또는 작은 예비틸트를 가지는 기울어진 앵커링을 가져야 한다. 네마틱 정렬의 예비틸트는 0°내지 1°, 최적값은 0.1°내지 0.5°이어야 한다.
본 발명의 주제를 이루는 중합체 및 공중합체는 화학식 1의 염화비닐 및 비닐 에테르로부터 유도된 공중합체 또는 3원공중합체이다:
R은 치환 또는 비치환 알킬 또는 아릴기를 나타낸다;
n 및 m은 0에서 1까지 변하고, 바람직하게는 n은 0.5 < n < 0.8 의 값을 갖고, m은 0.2 < m < 0.5의 값을 갖는다.
본원에 의하면, 공중합체는 화학식 2의 염화비닐 및 비닐 이소부틸 에테르로 구성된다:
PVC 및 다른 두개의 공중합 단량체로부터 유도된 3원공중합체는 또한 저-에너지 앵커링층을 얻는 데에 사용되어 본 발명의 또 다른 변형을 구성한다. 예로서, 공중합 단량체는 비닐알코올의 다른 에테르 또는 에스테르 유도체일 수 있다.
본 발명의 변형에서, 중합체는 폴리(염화비닐)/폴리(비닐 이소부틸 에테르) 및 비닐 알코올로부터 유도되는 또 다른 공중합단량체에 기초한 3원공중합체이다.
중합체 및 공중합체는 용액을 스핀-코팅하여 기판상에 침적된다. 플렉스 인쇄와 같은 또 다른 침적 수단이 또한 사용될 수 있다. 적합한 용매는 예를들어 메틸에틸케톤과 같은 케톤, 또는 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 또는 부톡시에탄올 또는 이들 용매의 혼합물이다.
융점(melting point) Tm보다 낮은 온도, 바람직하게는 130℃ 내지 180℃ 에서, 수분 내지 수시간 동안 어닐링(annealing)한 후에, 중합체층은 180 내지 380nm의 파장을 가지는 UV 방사에 노출되고, 선택적으로 130℃ 내지 180℃의 온도에서어닐링된다. 그 후, 중합체층은 방위각 배향을 유도하기 위하여 롤러로 마찰된다.
상기 층은 전통적인 ITO(인듐 주석 산화물 혼합물)기판상에 제조되지만, 다른 전극도 계획될 수 있다.
본 발명의 변형에서, 앵커링 층의 방위각 배향은 롤러와의 마찰이 아닌 다른 방법, 예를 들어
ㆍ SiO2의 경사진 증착;
ㆍ 롤러에 의하여 브러싱 되거나 또는 연장된(stretched)중합체; 및
ㆍ 기판에서 인쇄되거나 광유도 에칭된 그레이팅(photoinduced etched grating)
에 의하여 미리 처리된 기판을 사용하는 방법에 의하여 얻어질 수 있다.
본 발명의 방법에 의하면 약한 천정 앵커링, 강한 방위각 앵커링 및 0°내지 1°의 조절 예비틸트의 정렬층을 얻는 것이 가능하다. 천정 및 방위각 앵커링 에너지 및 예비틸트는 열, UV 또는 상기의 브러싱 처리에 의한 조절된 방식으로 변형될 수 있다.
본 발명에 따른 두가지의 실시예가 다음에 기술된다.
제1 실시예는 두개의 ITO-도포된 유리판 사이에 장착되는 1.5미크론 두께의 액정 셀을 가능하게 한다. 판중의 하나는 틸트된 강한 앵커링을 제공하기 위하여 SiO2증착(두께: 107nm)을 시켰다. 다른 전극은 20nm 미만 두께로 본 발명에 따른 중합체로 도포하였고, 본 발명의 방법에 따라 처리하였다:
단계 1 : 50/50 N-메틸-피롤리돈/부톡시에탄올 혼합물에서의 0.75중량% 용액으로부터의 스핀-코팅에 의한 중합체의 침작;
단계 2 : 150℃에서 1시간 30분간 어닐링;
단계 3 : 100-와트 수은 증기 램프에 2시간 동안 노출(λ= 254nm);
단계 4 : 150℃에서 30분간 어닐링; 및
단계 5 : 방위각 앵커링을 유도하기 위하여 직물 벨벳으로 덮여진 롤러로 브러싱.
비냄 타입 셀을 제조하기 위하여 상기 기술한 두개의 판을 조립하였다. 상기 셀을 비냄-타입 기술(카이럴 피치: 5.6 미크론)에 적응된 혼합물인 불순물이 첨가된 액정으로 채웠다. 상기 셀은 상온에서 10-볼트 펄스로 작동하고 50의 콘트라스트(contrast)를 가진다.
제2의 실시예에서 사용되는 액정은 0℃ 내지 50℃이상의 동작 범위와, 35 내지 2 볼트의 구동 펄스를 각각 가지는 비냄-타입 기술에 적응된 또 다른 혼합물이다.
본 발명에 따라 제조되는 약한 플래너 앵커링은 다음의 특징을 가진다:
- 정렬층은 사용된 액정 혼합물과 접촉하여 장시간에 걸쳐 화학적 및 기계적으로 안정하다;
- 앵커링은 전형적으로 0.3°근처의 작은 예비틸트를 가진다; 및
- 22℃의 온도에서, 5CB에 대하여 고도의-장 기술(high-field technique)에의해 측정된 천정 앵커링의 외삽 길이는 Lz= 80 nm에 근접한다.
시판되는 여러가지 네마틱 혼합물을 테스트하였고, 외삽길이는 네마틱에 따라 상온에서 40 내지 80nm의 범위에서 변화하였다. 이러한 수치는 트위스트 네마틱 표시에서 사용되는 통상의 중합체로 얻어지는 것보다 훨씬 낮은 천정 앵커링 에너지에 대응한다.
얻어진 방위각 앵커링의 강도는 층상에 대해 수행된 처리에 의존한다. 예를 들어, 50 내지 200nm에서 변화할 수 있는 방위각 외삽 길이는 브러싱에 의하여 얻어진다. 이러한 수치는 비냄-타입 셀의 작동과 양립가능하다.
본 발명에 따른 방법은 특히 다음과 같은 이점을 가진다.
- 이는 진공하에서 실리콘 산화물층 SiO2로 저-에너지 앵커링을 제조하는 것을 회피할 수 있다. 진공침적 공정은 장시간 공정 및 고비용 공정이고, 또한 조절하기 어렵다;
- 본 발명에 따른 중합체층의 사용은 단순화 및 값싼 제조비용의 상당한 이점을 제공한다; 및
- 작은 예비틸트, 온도 및 시간적으로 안정, 스위칭의 최적화 및 짧은 구동 펄스로 비냄-타입의 조작이 가능하다.
물론, 본 발명은 상기에서 기술한 특별한 실시예에 제한되지 않고, 이의 범위에 해당하는 모든 변형에 확장된다.

Claims (19)

  1. 기판상에 폴리(염화비닐-공동(co)-비닐 알킬 에테르)타입의 것 또는 폴리(염화비닐-공동(co)-비닐 아릴(aryl) 에테르)타입의 것으로부터 유도되는 중합체 또는 공중합체로부터 선택되는 중합체 또는 공중합체 또는 3원공중합체(terpolymer)의 침적(depositing);
    상기 중합체 코팅의 안정화; 및
    액정의 조절 방위각 앵커링(controlled azimuthal anchoring)도입을 위한 상기 코팅의 방위각 배향(azimuthal orientation)의 규정(defining);
    으로 구성되는 단계에 의하여 가둠판(confinement plate)의 적어도 하나의 판상에 액정의 저 천정 앵커링 에너지(low zenithal anchoring energy)가 얻어지는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 중합체 또는 공중합체들은 하기 화학식 1의 염화비닐 및 비닐에테르 유도체이고,
    (화학식 1)
    R은 치환 또는 비치환 알킬 또는 아릴기를 나타내고;
    n 및 m은 0 에서 1 까지 변할 수 있고, 바람직하게는 n은 0.5 < n < 0.8의 값을 갖고, m은 0.2 < m < 0.5 의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 공중합체는 하기 화학식 2의 염화비닐 및 비닐 이소부틸 에테르로 구성되는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
    (화학식 2)
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중합체는 폴리(염화비닐-공동-비닐 이소부틸 에테르)공중합체인 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 중합체는 폴리(염화비닐)/폴리(비닐 이소부틸 에테르) 및 비닐 알코올로부터 유도된 또 하나의 공중합단량체(comonomer)에 기초한 3원공중합체인 것을특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안정화는 자외선 광(ultraviolet light)에의 노출을 포함하는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나 이상의 어닐링 조작(annealing operation)이 상기 안정화를 유도하는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안정화는 상기 노출 전 및/또는 후에 수행되는 하나 이상의 어닐링 조작을 사용하는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 어닐링 단계 또는 단계들은 상기 중합체의 융점(melting point(Tm))보다 낮은 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노출단계는 180 내지 380 nm 파장을 가지는 자외선 광을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액정의 조절 방위각 앵커링을 규정하는 단계는 중합체(PVC/비닐 알콜 에테르 또는 에스테르 공중합체 및 3원공중합체)를 직물로 덮여진 롤러로 마찰시키는 것에 의하여 보장되는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액정의 조절 방위각 앵커링을 규정하는 단계는 또 다른 중합체, 브러싱(brushed) 또는 연장(stretched); SiO2또는 또 다른 증착 산화물(evaporated oxide); 그레이팅(grating)(에칭(etched), 인쇄(printed) 또는 광유도(photoinduced))과 같은 특별한 처리에 의하여 이미 이방성(anisotropic)이 된 기판상에 중합체를 침적하는 것에 의하여 보장되는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 방위각 앵커링은 강한(strong) 것임을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    모든 처리 단계는, 0°내지 1°, 바람직하게는 0.1°내지 0.5°의 값을 가지는 네마틱 배향의 조절되고 안정한 예비틸트(pretilt)를 규정하기 위하여 선택되는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중합체는 스핀 코팅(spin coating)에 의하여 기판상에 침적되는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  16. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중합체는 플렉스 인쇄(flex printing)에 의하여 기판상에 침적되는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중합체는 메틸 에틸 케톤과 같은 케톤, 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 또는 부톡시에탄올 또는 이들의 혼합물에 기초한 용매중의 용액으로 침적되는 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 장치의 제조방법.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항 기재 방법에 의하여 제조된 적어도 하나의 저-천정-에너지 앵커링 층을 사용하는 쌍안정 네마틱 액정 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 저-천정-에너지 앵커링 층은 투명 또는 반사 전극상에 침적되는 것을 특징으로 하는 쌍안정 네마틱 액정 장치.
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