KR20030091528A - Semiconductor manufacturing apparatus for performing single type process and furnace process in situ - Google Patents

Semiconductor manufacturing apparatus for performing single type process and furnace process in situ Download PDF

Info

Publication number
KR20030091528A
KR20030091528A KR1020020029609A KR20020029609A KR20030091528A KR 20030091528 A KR20030091528 A KR 20030091528A KR 1020020029609 A KR1020020029609 A KR 1020020029609A KR 20020029609 A KR20020029609 A KR 20020029609A KR 20030091528 A KR20030091528 A KR 20030091528A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
furnace
semiconductor manufacturing
manufacturing apparatus
situ
chamber
Prior art date
Application number
KR1020020029609A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
임현석
이주범
김형수
박동균
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020020029609A priority Critical patent/KR20030091528A/en
Publication of KR20030091528A publication Critical patent/KR20030091528A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement

Abstract

PURPOSE: A semiconductor manufacturing equipment capable of carrying out a single type process and a furnace process by in-situ, is provided to be capable of reducing total fabrication time and the size of the equipment, and improving productivity. CONSTITUTION: A semiconductor manufacturing equipment capable of carrying out a single type process and a furnace process by in-situ, is provided with a vertical furnace(100) loaded at one side of a body part, a plurality of single type chamber parts(200,300) loaded at the other side of the body part, and a plurality of transfer modules(210,310) located between the single type chamber parts and the vertical furnace for transferring a wafer. At this time, the chamber parts are stacked with each other. Preferably, the transfer module includes a single type wafer processing arm and a batch type wafer processing arm.

Description

매엽식 공정과 퍼니스 공정을 인시츄로 진행할 수 있는 반도체 제조 장치{Semiconductor manufacturing apparatus for performing single type process and furnace process in situ}Semiconductor manufacturing apparatus for performing single type process and furnace process in situ}

본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 매엽식 공정과 퍼니스 공정을 인시츄(in situ)로 진행할 수 있는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus capable of carrying out a sheet-fed process and a furnace process in situ.

일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 다양한 제조 공정을 수행하여 제조한다. 반도체 제조 공정은 크게 나누어 하나의 웨이퍼를 처리하는 매엽식 공정과복수개의 웨이퍼들을 한번에 처리하는 배치식 공정, 예컨대 퍼니스 공정을 들 수 있다.In general, semiconductor devices are fabricated by performing various fabrication processes on a wafer. The semiconductor manufacturing process is divided into a single-leaf process for treating one wafer and a batch process for treating a plurality of wafers at once, such as a furnace process.

그런데, 일반적인 반도체 제조 장치는 매엽식 공정과 퍼니스 공정을 따로 따로 진행하게끔 구성되어 있다. 이렇게 매엽식 공정과 퍼니스(furnace) 공정이 따로 따로 구성되어 있을 경우는 다음과 같은 단점이 있다.By the way, the general semiconductor manufacturing apparatus is comprised so that a separate sheet process and a furnace process may be performed separately. When the sheet-fed process and the furnace (furnace) process is configured separately has the following disadvantages.

첫째로, 매엽식 공정과 퍼니스(furnace) 공정이 따로 따로 진행하면 매엽식 공정과 퍼니스 공정의 사이에는 웨이퍼를 세정하는 세정 공정이 필요하게 되어 전체 제조 공정 시간이 길어지는 단점이 있다.First, if the sheet-fed process and the furnace process are separately performed, a cleaning process for cleaning the wafer is required between the single-fed process and the furnace process, resulting in a long manufacturing process time.

둘째로, 매엽식 공정과 퍼니스(furnace) 공정이 따로 수행할 수 있는 반도체 제조 장치를 이용할 경우, 웨이퍼(wafer) 크기가 커지게 되면 생산 라인(fabrication line, 반도체 제조 공장)의 한정된 공간에서 장비 크기가 커진다. 따라서, 반도체 제조 공장의 동일 공간에서 설치할 수 있는 장비수가 작아지고 생산 능력이 낮아지게 된다.Secondly, in the case of using a semiconductor manufacturing apparatus that can be carried out separately by a sheet-fed process and a furnace process, as the wafer size increases, the equipment size is limited in a limited space of a fabrication line. Becomes large. Therefore, the number of equipment that can be installed in the same space of the semiconductor manufacturing plant is reduced and the production capacity is lowered.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제점을 해결하게끔 매엽식 공정과 퍼니스(furnace) 공정을 따로 따로 진행하지 않고 인시츄(in-situ)로 진행할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of proceeding in-situ without separately performing a sheet-fed process and a furnace process to solve the above problems. .

도 1은 본 발명에 따라 매엽식 공정과 퍼니스 공정을 인시츄로 진행할 수 있는 반도체 제조 장치의 전면 단면도이다.1 is a front cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus capable of carrying out a sheet-fed process and a furnace process in situ according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따라 매엽식 공정과 퍼니스 공정을 인시츄로 진행할 수 있는 반도체 제조 장치의 제1단 매엽식 챔버부 및 수직 퍼니스의 평면도이다.Figure 2 is a plan view of the first stage single wafer chamber portion and the vertical furnace of the semiconductor manufacturing apparatus capable of proceeding the single sheet process and furnace process in situ in accordance with the present invention.

도 3은 본 발명에 따라 매엽식 공정과 퍼니스 공정을 인시츄로 진행할 수 있는 반도체 제조 장치의 제2단 매엽식 챔버부 및 수직 퍼니스의 평면도이다.3 is a plan view of a second stage single wafer chamber portion and a vertical furnace of a semiconductor manufacturing apparatus capable of carrying out a single wafer process and a furnace process in situ according to the present invention.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 반도체 제조 장치는 바디(몸체)의 일측면에 수직방향으로 장착된 수직 퍼니스와, 상기 몸체의 타측면에 장착되고 상기 수직 퍼니스의 높이에 맞추어 2단으로 구성된 매엽식 챔버부와, 상기 매엽식 챔버부와 수직 퍼니스 사이에 위치하여 웨이퍼를 이동할 수 있게 하는 트랜스퍼 모듈을 구비하여 퍼니스 공정과 매엽식 공정을 인시츄로 수행할 수 있는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is a vertical furnace mounted on one side of the body (body) in a vertical direction, and mounted on the other side of the body in two stages in accordance with the height of the vertical furnace It is characterized in that it is possible to perform the furnace process and the single-leaf process in situ by having a configured single-leaf chamber portion, and a transfer module positioned between the single-leaf chamber portion and the vertical furnace to move the wafer.

상기 트랜스퍼 모듈은 상기 매엽식 챔버부를 위한 매엽식 웨이퍼 처리용 암과 상기 수직 퍼니스를 위한 배치식 웨이퍼 처리용 암을 구비하는 것이 바람직하다. 상기 매엽식 웨이퍼 처리용 암은 2단으로 구성된 상기 매엽식 챔버부를 위해 수직 방향으로 구동할 수 있는 구동장치를 구비하는 것이 바람직하다. 상기 매엽식 챔버부와 상기 수직 퍼니스 사이에 인시츄(in-situ)로 진행할 수 있게끔 버퍼챔버를 더 구비할 수 있다. 상기 매엽식 챔버부는 금속 형성용 챔버 또는 비금속형성용 챔버로 이루어질 수 있다. 상기 수직 퍼니스는 막형성용 퍼니스 또는 열처리공정용 퍼니스로 이루어질 수 있다.The transfer module preferably includes a single wafer processing arm for the single wafer chamber portion and a batch wafer processing arm for the vertical furnace. The sheet wafer processing arm is preferably provided with a driving device capable of driving in the vertical direction for the sheet-type chamber part composed of two stages. A buffer chamber may be further provided between the sheet type chamber part and the vertical furnace so as to proceed in-situ. The sheet type chamber part may be formed of a metal forming chamber or a nonmetal forming chamber. The vertical furnace may be made of a film forming furnace or a heat treatment furnace.

이상과 같이 본 발명의 반도체 제조 장치는 매엽식 공정과 퍼니스(furnace) 공정을 인시츄(in-situ)로 진행할 수 있어 불필요한 세정 공정을 생략할 수 있다. 또한, 본 발명의 반도체 제조 장치는 매엽식 공정과 퍼니스 공정을 모두 진행할 수 있게 구성되었기 때문에 양산 공장의 공간 활용도를 높일 수 있다.As described above, in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the sheet-fed process and the furnace process can be performed in-situ, thereby eliminating an unnecessary cleaning process. In addition, since the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is configured to perform both a sheet-fed process and a furnace process, the space utilization of the mass production plant can be increased.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

도 1은 본 발명에 따라 매엽식 공정과 퍼니스 공정을 인시츄로 진행할 수 있는 반도체 제조 장치의 전면 단면도이다.1 is a front cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus capable of carrying out a sheet-fed process and a furnace process in situ according to the present invention.

구체적으로, 본 발명의 반도체 제조 장치는 설비의 바디(몸체, 도시 안 함)의 일측면에 수직방향으로 수직 퍼니스(vertical furnace, 100)를 장착하고, 타측면에 상기 수직 퍼니스(100)의 높이에 맞추어 복수개의 매엽식 챔버부(chamber, 200 및 300)가 구성되어 있다. 상기 매엽식 챔버는 하부에 제1단 매엽식 챔버부(200) 및 제2단 매엽식 챔버부(300)로 구성된다. 상기 제1단 매엽식 챔버부(200) 및 제2단 매엽식 챔버부(200)는 각각 복수개의 매엽식 챔버들을 포함한다.Specifically, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is equipped with a vertical furnace (100) in a vertical direction on one side of the body (body, not shown) of the installation, the height of the vertical furnace 100 on the other side In accordance with the configuration, a plurality of single wafer chambers 200 and 300 are formed. The sheet type chamber is composed of a first stage sheet type chamber part 200 and a second stage sheet type chamber part 300 at a lower portion thereof. The first stage single sheet type chamber part 200 and the second stage single sheet type chamber part 200 each include a plurality of single sheet type chambers.

상기 매엽식 챔버부(200 및 300)는 Al, Ti, TiN, W, Co 등과 같은 금속을 형성하는 금속 형성용 챔버로 이루어질 수 있고, SiO2, SiON, Si 등과 같은 비금속(non-metal)을 형성하는 비금속 형성용 챔버로 이루어질 수 있다. 상기 수직 퍼니스(100)는 Si, SiN 등과 같은 막을 증착하는 막증착용 퍼니스로 구성될 수도 있고, 리플로우 공정(reflow process) 등과 같은 열처리 공정에 사용되는 열처리 공정용 퍼니스로 구성될 수 있다. 더하여, 상기 매엽식 챔버부(200 및 300)와 수직 퍼니스(100) 사이에는 이들 사이에서 웨이퍼를 이동할 수 있게 하는 트랜스퍼 모듈(210 및 310)이 위치한다.The sheet type chambers 200 and 300 may be formed of a metal forming chamber forming a metal such as Al, Ti, TiN, W, Co, and the like, and form a non-metal such as SiO 2, SiON, Si, or the like. It may be made of a non-metal forming chamber. The vertical furnace 100 may be composed of a film deposition furnace for depositing a film such as Si, SiN or the like, or may be composed of a furnace for a heat treatment process used in a heat treatment process such as a reflow process. In addition, transfer modules 210 and 310 are positioned between the single chamber chamber 200 and 300 and the vertical furnace 100 to move the wafer therebetween.

결과적으로, 본 발명의 반도체 제조 장치는 매엽식 챔버부(200 및 300)의 매엽식 챔버와 수직 퍼니스(100)를 구비하여 매엽식 공정과 퍼니스 공정을 인시츄로 진행할 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 반도체 제조 장치는 매엽식 공정 진행 후 퍼니스 공정을 in-situ로 진행할 수 도 있고, 퍼니스 공정후 매엽식 공정을인시츄(in-situ)로 진행할 수 도 있다. 더하여, 본 발명의 반도체 제조 장치는 매엽식 챔버부(200 및 300)의 매엽식 챔버와 수직 퍼니스(100)를 모두 구비하고 있기 때문에 각각 따로 매엽식 챔버와 수직 퍼니스를 구비하는 것 보다 양산 공장의 공간 활용도를 최대로 높일 수 있다.As a result, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a sheet type chamber and vertical furnace 100 of the sheet type chamber parts 200 and 300 so that the sheet type process and the furnace process can be carried out in situ. In other words, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention may proceed with the furnace process in-situ after the single-leaf process, or may proceed with the single-leaf process in-situ after the furnace process. In addition, since the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes both the sheet type chamber and the vertical furnace 100 of the sheet type chamber parts 200 and 300, each of the mass production plant is equipped with a sheet type chamber and the vertical furnace. The space utilization can be maximized.

도 2는 본 발명에 따라 매엽식 공정과 퍼니스 공정을 인시츄로 진행할 수 있는 반도체 제조 장치의 제1단 매엽식 챔버부 및 수직 퍼니스의 평면도이고, 도 3은 본 발명에 따라 매엽식 공정과 퍼니스 공정을 인시츄로 진행할 수 있는 반도체 제조 장치의 제2단 매엽식 챔버부 및 수직 퍼니스의 평면도이다.FIG. 2 is a plan view of a first stage sheet type chamber part and a vertical furnace of a semiconductor manufacturing apparatus capable of proceeding in-situ of a sheet type process and a furnace process according to the present invention, and FIG. 3 is a sheet type process and a furnace according to the present invention. It is a top view of the 2nd stage single wafer type chamber part and the vertical furnace of the semiconductor manufacturing apparatus which can advance a process in situ.

구체적으로, 도 2 및 도 3에 각각 도시한 본 발명의 반도체 제조 장치의 제1단 및 제2단 매엽식 챔버부 및 수직 퍼니스의 평면도는 트랜스퍼 모듈(Transfer module, 210 및 310)을 기준으로 몸체의 일측면에 수직 퍼니스(100)가 위치하고, 나머지 몸체의 타측면에는 매엽식의 챔버A(212), 챔버B(214), 챔버C(312), 챔버 D(314), 얼라이너(aligner, 216), 쿨러(cooler, 316), 로드락 챔버(loadlock chamber, 218, 220, 318 및 320) 및 버퍼 챔버(buffer chamber, 222 및 322)가 설치되어 있다.Specifically, a plan view of the first stage and the second stage single chamber chamber and the vertical furnace of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention shown in Figs. 2 and 3, respectively, based on the transfer module (210 and 310) Vertical furnace 100 is located on one side of, the other side of the remaining body of the chamber A (212), chamber B 214, chamber C (312), chamber D (314), aligner, 216, a cooler 316, loadlock chambers 218, 220, 318 and 320 and buffer chambers 222 and 322 are provided.

상기 얼라이너(216), 쿨러(316), 및 버퍼 챔버(222, 322)가 도 2 및 도 3과 다르게 배치될 수도 있다. 상기 버퍼 챔버(222, 322)은 매엽식 챔버부(200 및 300)와 수직 퍼니스(100)을 인시츄(in-situ)로 진행할 수 있게 매엽식 챔버부(200 및 300)와 수직 퍼니스(100)의 사이에 위치한다.The aligner 216, the cooler 316, and the buffer chambers 222 and 322 may be arranged differently from FIGS. 2 and 3. The buffer chambers 222 and 322 are configured to advance the single wafer chambers 200 and 300 and the vertical furnace 100 in-situ, and the single chamber chambers 200 and 300 and the vertical furnace 100. Located between).

더하여, 상기 매엽식 챔버부(200 및 300)와 수직 퍼니스(100) 사이에는 이들사이에서 웨이퍼를 이동할 수 있게 하는 트랜스퍼 모듈(210 및 310)이 위치한다. 상기 트랜스퍼 모듈(210 및 310))은 매엽식 챔버를 위해 매엽식 웨이퍼(single wafer)처리용 암(arm, 224 및 324)과 수직 퍼니스(furnace)를 위해 배치식 웨이퍼(batch wafer) 처리용 암(226 및 326)을 구비한다. 상기 매엽식 웨이퍼 처리용 암(224 및 324)은 2단으로 구성된 매엽식 챔버부(200 및 300)를 위해 수직 방향으로 구동할 수 있는 구동장치(도시 안 함)가 포함되어 있다.In addition, transfer modules 210 and 310 are positioned between the single chamber chamber 200 and 300 and the vertical furnace 100 to move the wafer therebetween. The transfer modules 210 and 310 have a single wafer processing arm 224 and 324 for a single wafer and a batch wafer processing arm for a vertical furnace. 226 and 326. The sheet wafer processing arms 224 and 324 include a driving device (not shown) capable of driving in the vertical direction for the sheet chamber chambers 200 and 300 having two stages.

이하에서는, 본 발명의 반도체 제조 장치를 반도체 소자의 제조 공정에 적용할 경우 본 발명에 의한 공정상의 잇점을 설명한다.Hereinafter, the process advantage by this invention is demonstrated when applying the semiconductor manufacturing apparatus of this invention to the manufacturing process of a semiconductor element.

첫째로, 반도체 소자 제조시 퍼니스 공정과 매엽식 공정을 인시튜(in-situ)로 진행하는 경우이다.Firstly, the furnace process and the sheet-fed process are performed in-situ when manufacturing a semiconductor device.

예컨대, 반도체 소자의 커패시터의 스토리지 노드(capacitor node) 형성을 위해 이중 산화막을 형성하는 경우 이중 산화막으로 BPSG막과 PE-TEOS막을 사용한다. 이때, BPSG막 증착후 평탄화를 위해 리플로우(reflow)를 실시하고 PE-TEOS막을 증착한다. BPSG 리플로우 후에는 대기에 노출되면 복합 산화물(complex oxides)이 석출된다. 이것은 스토리지 노드간의 브릿지 결함(bridge defect)으로 작용하고, 이것을 제거하기 위해서 세정 공정을 필수적으로 진행한다.For example, when a double oxide film is formed to form a storage node of a capacitor of a semiconductor device, a BPSG film and a PE-TEOS film are used as the double oxide film. At this time, the BPSG film is deposited and then reflowed for planarization to deposit a PE-TEOS film. After BPSG reflow, complex oxides precipitate when exposed to air. This acts as a bridge defect between storage nodes, and the cleaning process is essential to eliminate this.

따라서, 본 발명의 반도체 제조 장치를 이용하여 인시츄로 BPSG막 리플로우 공정(reflow process) 및 PE-TEOS막 형성공정을 진행하면 브릿지 결함을 방지할 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 반도체 제조 장치는 리플로우 공정은 퍼니스에서 진행하고, PE-TEOS막은 매엽식 챔버에서 진행할 수 있기 때문에 브릿지 결함을 방지할수 있다. 더하여, 본 발명의 반도체 제조 장치는 앞선 공정에서 세정 공정을 생략할 수 있기 때문에 전체적인 공정 시간도 줄일 수 있는 장점을 가지고 있다.Therefore, when the BPSG film reflow process and the PE-TEOS film formation process are performed in situ using the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, bridge defects can be prevented. In other words, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention can prevent the bridge defect because the reflow process proceeds in the furnace and the PE-TEOS film proceeds in the single wafer. In addition, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention has an advantage of reducing the overall process time since the cleaning process can be omitted in the foregoing process.

둘째로, 반도체 소자 제조시 매엽식 공정을 먼저 진행하고 퍼니스 공정을 인시튜(in-situ)로 진행하는 경우이다.Secondly, when the semiconductor device is manufactured, the sheet process is first performed, and the furnace process is performed in-situ.

예를 들면, 커패시터의 플레이트 전극을 MALD(Modified Atomic layer Deposition) TiN막과 폴리실리콘으로 형성하는 경우, TiN막 증착후 응축 결함(condensation defect)이 발생하는 경우가 있다. 이를 개선하기 위해서 세정 공정을 필히 수행해야 한다.For example, when the plate electrode of the capacitor is formed of a Modified Atomic Layer Deposition (MALD) TiN film and polysilicon, a condensation defect may occur after deposition of the TiN film. In order to improve this, the cleaning process must be performed.

따라서, 본 발명의 반도체 제조 장치를 이용하여 인시츄로 TiN막 형성 공정 및 폴리실리콘막 형성 공정을 진행하면 응축 결함을 방지할 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 반도체 제조 장치는 TiN막 형성 공정은 매엽식 챔버에서 진행하고, 폴리실리콘막은 퍼니스에서 진행할 수 있기 때문에 응축결함을 방지할 수 있다. 더하여, 본 발명의 반도체 제조 장치는 앞선 공정에서 세정 공정을 생략할 수 있기 때문에 전체적인 공정 시간도 줄일 수 있는 장점을 가지고 있다.Therefore, when the TiN film forming process and the polysilicon film forming process are performed in situ using the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, condensation defects can be prevented. In other words, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention can prevent the condensation defect because the TiN film forming process can proceed in a single chamber, and the polysilicon film can proceed in a furnace. In addition, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention has an advantage of reducing the overall process time since the cleaning process can be omitted in the foregoing process.

상술한 바와 같이 본 발명의 반도체 제조 장치는 매엽식 공정과 퍼니스(furnace) 공정을 인시츄(in-situ)로 진행할 수 있어 공정 진행 시간을 최소화할 수 있고, 불필요한 세정 공정을 생략할 수 있다.As described above, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention can proceed the sheet-fed process and the furnace process in-situ, thereby minimizing the process progress time and eliminating unnecessary cleaning processes.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치는 매엽식 챔버부를 수직 방향으로 2단으로 배치하여 장비의 공간 활용도를 최대로 높일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 반도체 제조 장치를 이용할 경우 양산 공장의 공간을 최대한 효율적으로 이용할 수 있어 생산 능력을 증가시킬 수 있다.In addition, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention can maximize the space utilization of the equipment by arranging the sheet-type chamber in two stages in the vertical direction. Accordingly, when the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is used, the space of the mass production plant can be used as efficiently as possible, thereby increasing production capacity.

Claims (6)

바디(몸체)의 일측면에 수직방향으로 장착된 수직 퍼니스;A vertical furnace mounted vertically on one side of the body (body); 상기 몸체의 타측면에 장착되고 상기 수직 퍼니스의 높이에 맞추어 2단으로 구성된 매엽식 챔버부; 및A single-leaf type chamber part mounted on the other side of the body and configured in two stages in accordance with the height of the vertical furnace; And 상기 매엽식 챔버부와 상기 수직 퍼니스 사이에 위치하여 웨이퍼를 이동할 수 있게 하는 트랜스퍼 모듈을 구비하여 퍼니스 공정과 매엽식 공정을 인시츄로 수행할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a transfer module positioned between the single wafer chamber portion and the vertical furnace to move the wafer so that the furnace process and the single wafer process can be performed in situ. 제1항에 있어서, 상기 트랜스퍼 모듈은 상기 매엽식 챔버부를 위한 매엽식 웨이퍼 처리용 암과 상기 수직 퍼니스를 위한 배치식 웨이퍼 처리용 암을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the transfer module includes a wafer wafer processing arm for the sheetfed chamber portion and a batch wafer processing arm for the vertical furnace. 제2항에 있어서, 상기 매엽식 웨이퍼 처리용 암은 2단으로 구성된 상기 매엽식 챔버부를 위해 수직 방향으로 구동할 수 있는 구동장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the sheet wafer processing arm includes a driving device capable of driving in the vertical direction for the sheet chamber portion configured in two stages. 제1항에 있어서, 상기 매엽식 챔버부와 상기 수직 퍼니스 사이에 인시츄(in-situ)로 진행할 수 있게끔 버퍼챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a buffer chamber so as to proceed in-situ between the single wafer chamber portion and the vertical furnace. 제1항에 있어서, 상기 매엽식 챔버부는 금속 형성용 챔버 또는 비금속형성용 챔버로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the sheet type chamber part comprises a metal forming chamber or a nonmetal forming chamber. 제1항에 있어서, 상기 수직 퍼니스는 막형성용 퍼니스 또는 열처리공정용 퍼니스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the vertical furnace comprises a furnace for forming a film or a furnace for a heat treatment process.
KR1020020029609A 2002-05-28 2002-05-28 Semiconductor manufacturing apparatus for performing single type process and furnace process in situ KR20030091528A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020029609A KR20030091528A (en) 2002-05-28 2002-05-28 Semiconductor manufacturing apparatus for performing single type process and furnace process in situ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020029609A KR20030091528A (en) 2002-05-28 2002-05-28 Semiconductor manufacturing apparatus for performing single type process and furnace process in situ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030091528A true KR20030091528A (en) 2003-12-03

Family

ID=32384702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020029609A KR20030091528A (en) 2002-05-28 2002-05-28 Semiconductor manufacturing apparatus for performing single type process and furnace process in situ

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030091528A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6391114B1 (en) Vacuum processing apparatus
US7432184B2 (en) Integrated PVD system using designated PVD chambers
US7432201B2 (en) Hybrid PVD-CVD system
JP2875945B2 (en) Method of depositing silicon nitride thin film on large area glass substrate at high deposition rate by CVD
US20070017445A1 (en) Hybrid PVD-CVD system
JPH03274746A (en) Multi-chamber device
TWI671771B (en) Capacitor, capacitor manufacturing method and semiconductor device
JP3629371B2 (en) Film forming apparatus and film forming method
US6609869B2 (en) Transfer chamber with integral loadlock and staging station
CN102177577A (en) Vacuum processing apparatus
KR100524197B1 (en) Single wafer type manufacturing device of semiconductor device and method of forming gate electrode and contact plug using the same
US20090162170A1 (en) Tandem type semiconductor-processing apparatus
JPH05152215A (en) Film formation device
JPH04240721A (en) Multi chamber process device
JP3824835B2 (en) Method of operating dummy substrate in semiconductor manufacturing equipment
KR20030091528A (en) Semiconductor manufacturing apparatus for performing single type process and furnace process in situ
KR20110016644A (en) Substrate processing apparatus
JP2001239144A (en) Load lock type vacuum apparatus
KR100749755B1 (en) Apparatus for processing semiconductor wafer
CN215451402U (en) Capacitor and semiconductor equipment
JP3025811B2 (en) Substrate processing equipment
JPH09181060A (en) Thin-film formation device
WO2023216801A1 (en) Deposition apparatus
KR20110016642A (en) Substrate processing apparatus
KR102526455B1 (en) A chamber

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination