KR20030084057A - Process table of process chamber for manufactruring semiconductro device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A process table of a process chamber for fabricating a semiconductor device is provided to prevent a wafer on a fork from being separated from the fork by sliding the wafer in a rotation process of a heating block of the process table. CONSTITUTION: A fork assembly receiving groove(44) is formed on the upper surface of the heating block(42) capable of rotating at a predetermined angle. A body part(46) can vertically transfer over the heating block. A wafer receiving groove(52) is formed on the upper surface of the fork(50) that is composed of a pair of two protruding bars(48a,48b) formed in the periphery of the body part. A fork assembly includes the body part and the fork.

Description

반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블{Process table of process chamber for manufactruring semiconductro device}Process table of process chamber for manufactruring semiconductro device

본 발명은 반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 웨이퍼의 이송과정에 웨이퍼가 이탈하는 것을 방지할 수 있는 포크 어셈블리를 구비하는 반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블에 관한 것이다.The present invention relates to a process table of a process chamber for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a process table of a process chamber for manufacturing a semiconductor device having a fork assembly which can prevent the wafer from being separated during a wafer transfer process. .

통상, 반도체소자는 미세한 파티클(Particle)에 의해서도 공정불량이 발생함으로써 반도체 제조장치는 고도로 청정한 클린룸(Clean room) 내부에 설치되고, 반도체 제조장치의 공정챔버는 고진공펌프의 가동에 의해서 고진공상태를 유지함으로써 파티클에 의한 공정 영향성을 배제시키고 있다.In general, a semiconductor device generates a process defect even by fine particles, and thus a semiconductor manufacturing apparatus is installed in a clean room, which is highly clean. By maintaining it, process influence by a particle is excluded.

그리고, 상기 공정챔버 상부에는 복수의 웨이퍼를 안착시켜 반도체 제조공정이 진행되는 히터블락(Hear block) 즉, 공정테이블이 구비되고, 상기 공정테이블에는 외부로부터 공급된 웨이퍼를 받아 공정테이블 상부에 이송시키는 웨이퍼 이송용 로봇, 즉 웨이퍼 이송용 포크가 구비된다.In addition, a heater block (i.e., a process table) in which a semiconductor manufacturing process is performed by mounting a plurality of wafers on the process chamber is provided on the process chamber, and the process table receives wafers supplied from the outside and transfers them to the process table. A wafer transfer robot, that is, a wafer transfer fork, is provided.

도1은 웨이퍼 이송용 로봇 즉, 웨이퍼 이송용 포크가 공정챔버 내부에 설치된 일반적인 화학기상증착설비의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a general chemical vapor deposition apparatus in which a wafer transfer robot, that is, a wafer transfer fork, is installed inside a process chamber.

도1을 참조하면, 웨이퍼 로딩(Loading) 및 언로딩용 카세트(14)가 위치하는 제 1 로드락 챔버(Loadlock chamber : 10) 및 제 2 로드락 챔버(12)를 구비하고, 상기 제 1 로드락 챔버(10) 및 제 2 로드락 챔버(12)와 인접하여 트랜스퍼 챔버(Transfer chamber : 16)가 설치되어 있다.Referring to FIG. 1, a first load lock chamber 10 and a second load lock chamber 12 in which a cassette 14 for wafer loading and unloading are located are provided. A transfer chamber 16 is provided adjacent to the lock chamber 10 and the second load lock chamber 12.

이때, 상기 트랜스퍼 챔버(16) 내부에는 웨이퍼 이송용 트랜스퍼 아암(Transfer arm : 18)이 설치되어 있다.At this time, a transfer arm 18 for transferring wafers is provided in the transfer chamber 16.

또한, 상기 트랜스퍼 챔버(16)와 인접하여 화학기상증착공정이 공정이 진행되는 공정챔버(20)가 설치되어 있다.In addition, a process chamber 20 is provided adjacent to the transfer chamber 16 in which a chemical vapor deposition process is performed.

이때, 상기 공정챔버(20) 내부에는 약 60。정도로 회전하는 공정테이블(22)이 구비되고, 상기 공정테이블(22) 상에는 화학기상증착공정이 진행될 6장의 웨이퍼(24)가 안착될 수 있도록 되어 있다.At this time, the process chamber 20 is provided with a process table 22 rotating about 60 degrees, and the six wafers 24 to be subjected to the chemical vapor deposition process are mounted on the process table 22. have.

여기서, 도2를 참조하여 공정테이블(22)의 구조에 대해서 보다 상세히 살펴보면, 상기 공정테이블(22)은 상부에 안착된 웨이퍼를 소정온도로 가열할 수 있고, 구동원(도시되지 않음)의 구동에 의해서 소정각도로 회전할 수 있고, 상면에 포크 어셈불리 수용홈(32)이 형성된 히팅블록(Heating block : 30)을 구비한다.Here, referring to FIG. 2, the structure of the process table 22 will be described in more detail. The process table 22 can heat the wafer seated on the upper portion to a predetermined temperature, and is used to drive a driving source (not shown). It can be rotated by a predetermined angle, and has a heating block (Heating block: 30) having a fork assembly receiving groove 32 on the upper surface.

그리고, 상기 히팅블록(30) 상에는 구동원(도시되지 않음)의 구동에 의해서 상하로 이동할 수 있는 몸체부(34)와 상기 몸체부(34) 주변부에 웨이퍼를 지지하는 2개의 바(Bar : 36a, 36b)가 쌍을 이루는 6개의 포크(38)가 돌출 형성된 포크 어셈블리(넘버링되지 않음)가 구비되어 있다.In addition, on the heating block 30, two bars (Bar: 36a, which support the wafer in the periphery of the body portion 34 and the body portion 34 which can move up and down by driving of a driving source (not shown)). It is provided with a fork assembly (not numbered) with six forks 38 protruding in pairs 36b).

따라서, 제 1 로드락 챔버(10) 또는 제 2 로드락 챔버(12) 내부로 복수의 웨이퍼를 적재하는 로딩 카세트(14)가 로봇아암에 의해서 공급되면, 상기 트랜스퍼 챔버(16) 내부에 설치된 트랜스퍼 아암(18)은 로딩 카세트(14)에 적재된 한 장의 웨이퍼를 잡아 공정챔버(20)의 포크 어셈블리의 특정 포크(38) 상부로 웨이퍼를 이송시킨다.Therefore, when the loading cassette 14 for loading a plurality of wafers into the first load lock chamber 10 or the second load lock chamber 12 is supplied by the robot arm, a transfer provided in the transfer chamber 16 is provided. Arm 18 picks up one wafer loaded in loading cassette 14 and transports the wafer over a particular fork 38 of the fork assembly of process chamber 20.

이때, 상기 포크 어셈블리의 포크(38)는 공정테이블(22)의 히팅블록(30) 상부로 돌출된 상태로 대기하며 이 상태에서 트랜스퍼 아암(18)으로부터 웨이퍼를 건네 받게 된다.At this time, the fork 38 of the fork assembly stands by protruding above the heating block 30 of the process table 22, and in this state, the fork 38 receives the wafer from the transfer arm 18.

다음으로, 상기 트랜스퍼 아암(18)으로부터 웨이퍼를 건네 받은 포크 어셈블리의 몸체부(34)는 하강함으로써 포크 어셈블의 포크(38) 상의 웨이퍼는 공정테이블(22)의 히팅블록(30) 상에 위치하게 된다.Next, the body 34 of the fork assembly passed the wafer from the transfer arm 18 is lowered so that the wafer on the fork 38 of the fork assembly is positioned on the heating block 30 of the process table 22. do.

이후, 상기 공정챔버(20) 내부에서는 공정챔버(20) 내부로 공급된 반응가스를 분해하여 웨이퍼 상에 소정두께의 박막을 형성하는 화학기상증착공정이 진행된다.Thereafter, in the process chamber 20, a chemical vapor deposition process is performed in which a reaction gas supplied into the process chamber 20 is decomposed to form a thin film having a predetermined thickness on the wafer.

그리고, 상기 포크 어셈블리의 몸체부(34)가 구동원의 구동에 의해서 상부로 돌출된 후, 상기 공정테이블(22)의 히팅블록(30)이 약 60。정도 회전함으로써 웨이퍼가 위치하지 않은 다른 포크(38)가 트랜스퍼 아암(18)으로부터 웨이퍼를 건네 받을 수 있는 위치로 이동한 후, 다시 포크 어셈블리의 몸체부(34)가 구동원의 구동에 의해서 하강하게 된다.Then, after the body 34 of the fork assembly protrudes upward by the driving source, the heating block 30 of the process table 22 is rotated about 60 ° so that the wafer is not positioned with another fork ( After the 38 moves to the position where the wafer can be passed from the transfer arm 18, the body portion 34 of the fork assembly is lowered again by the drive source.

또한, 상기 트랜스퍼 아암(18)은 공정테이블(22)의 히팅블록(30)의 회전에 의해서 웨이퍼를 건네 받을 수 있는 위치로 이동한 포크(38) 상에 다시 후속 웨이퍼를 이송하게 된다.In addition, the transfer arm 18 transfers the subsequent wafer again on the fork 38 moved to a position where the wafer can be handed over by the rotation of the heating block 30 of the process table 22.

그런데, 종래의 반도체소자 제조용 공정챔버의 웨이퍼 이송용 포크 어셈블의 포크는 웨이퍼를 고정할 수 있는 웨이퍼 고정수단이 구비되지 않아 공정테이블의 히팅블록이 소정각도로 회전하는 과정에 포크 상에서 슬라이딩(Sliding)되어 이탈하는 문제점이 발생하고 있다.However, the fork of the wafer transfer fork assembly of the process chamber for manufacturing a semiconductor device is not provided with a wafer fixing means for fixing a wafer, and thus the sliding block of the process table is rotated at a predetermined angle. There is a problem of leaving.

즉, 상기 공정테이블의 히팅블록이 소정각도로 회전하는 과정에 포크 상의 웨이퍼가 포크에서 이탈하여 포크 하부로 떨어져 깨지는 등의 문제점이 발생하고있다.That is, while the heating block of the process table is rotated at a predetermined angle, a problem occurs such that the wafer on the fork is separated from the fork and falls off the fork.

본 발명의 목적은, 포크 상의 웨이퍼가 공정테이블의 히팅블록의 회전 과정에 슬라이딩(Sliding)되어 포크를 이탈하는 것을 방지할 수 있는 반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a process table of a process chamber for manufacturing a semiconductor device which can prevent the wafer on the fork from sliding off during the rotation of the heating block of the process table.

도1은 일반적인 화학기상증착설비의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a general chemical vapor deposition apparatus.

도2는 종래의 반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블의 사시도이다.2 is a perspective view of a process table of a process chamber for manufacturing a conventional semiconductor device.

도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블의 사시도이다.3 is a perspective view of a process table of a process chamber for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

※ 도면의 주요 부호에 대한 설명※ Description of the main symbols in the drawings

10 : 제 1 로드락 챔버 12 : 제 2 로드락 챔버10: first load lock chamber 12: second load lock chamber

14 : 카세트 16 : 트랜스퍼 챔버14 cassette 16 transfer chamber

18 : 트랜스퍼 아암 20 : 공정챔버18: transfer arm 20: process chamber

22, 40 : 공정테이블 24 : 웨이퍼22, 40 Process Table 24 Wafer

30, 42 : 히팅블록 32, 44 : 포크 어셈블리 수용홈30, 42: heating block 32, 44: fork assembly receiving groove

34, 46 : 몸체부 36, 48 : 바34, 46: body 36, 48: bar

38, 50 : 포크38, 50: fork

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블은, 상부 표면에 포크 어셈블리 수용홈이 형성되어 있고, 소정각도 회전할 수 있는 히팅블록; 및 상기 히팅블록 상에서 상하로 이동할 수 있는 몸체부와 상기 몸체부 주변부에 2개의 바(Bar)가 쌍을 이루어 돌출 형성되고 상면에 웨이퍼 수용홈이 형성된 포크를 구비하는 포크 어셈블리;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The process table of the process chamber for manufacturing a semiconductor device according to the present invention for achieving the above object, the fork assembly receiving groove is formed on the upper surface, the heating block which can rotate a predetermined angle; And a fork assembly including a fork assembly having two bars formed at the periphery of the body and a fork having a wafer receiving groove formed thereon. It features.

여기서, 상기 웨이퍼 수용홈의 내측벽은 내측 중앙을 향하여 소정각도 경사커팅될 수 있고, 상기 웨이퍼 수용홈은 상기 포크 상에 위치하는 웨이퍼보다 다소 크게 형성됨이 바람직하다.Here, the inner wall of the wafer accommodating groove may be inclined at an angle toward the inner center, and the wafer accommodating groove may be formed somewhat larger than the wafer located on the fork.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블을 설명하기 위한 사시도이다.2 is a perspective view illustrating a process table of a process chamber for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블(40)은, 도3에 도시된 바와 같이 상부에 안착된 웨이퍼를 소정온도로 가열할 수 있고, 구동원(도시되지 않음)의 구동에 의해서 소정각도로 회전할 수 있고, 상면에 포크 어셈불리 수용홈(44)이 형성된 히팅블록(42)을 구비한다.As shown in FIG. 3, the process table 40 of the process chamber for manufacturing a semiconductor device according to the present invention can heat a wafer seated thereon to a predetermined temperature, and the predetermined angle is driven by driving a driving source (not shown). It can be rotated to, and has a heating block 42, the fork assembly receiving groove 44 is formed on the upper surface.

그리고, 상기 히팅블록(42) 상에는 구동원(도시되지 않음)의 구동에 의해서 상하로 이동할 수 있는 몸체부(46)와 상기 몸체부(46) 주변부에 웨이퍼를 지지하는 2개의 바(Bar : 48a, 48b)가 쌍을 이루는 세라믹(Ceramic) 재질의 6개의 포크(50)가 돌출 형성된 포크 어셈블리(넘버링되지 않음)가 구비되어 있다.In addition, on the heating block 42, two bars (Bar: 48a, which support the wafer in the periphery of the body portion 46 and the body portion 46 which can be moved up and down by driving of a driving source (not shown)). A fork assembly (not numbered) provided with six forks 50 protruding from a ceramic material paired with 48b) is provided.

특히, 본 발명에 따라 2개의 바(Bar : 48a, 48b)가 쌍을 이루는 포크(50)의 상면에는 웨이퍼의 크기보다 그 크기가 다소 큰 웨이퍼 수용홈(52)이 형성되어 있다.In particular, according to the present invention, a wafer receiving groove 52 having a size slightly larger than that of the wafer is formed on the upper surface of the fork 50 in which the two bars 48a and 48b are paired.

이때, 상기 웨이퍼 수용홈(52)의 내측벽은 포크(50) 상에 위치하는 웨이퍼가 용이하게 슬라이딩되어 웨이퍼 수용홈(52) 내부에 수용될 수 있도록 내측 중앙을 향하여 소정각도 경사커팅되어 있다.In this case, the inner wall of the wafer accommodating groove 52 is inclined at an angle toward the inner center so that the wafer positioned on the fork 50 can be easily slid to be accommodated in the wafer accommodating groove 52.

따라서, 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블(40)은 웨이퍼가 안착하는 부위의 포크(50) 상에 웨이퍼 수용홈(52)이 형성됨으로써 히팅블록(42)의 회전 과정에 포크(50) 상의 웨이퍼가 포크(50) 외부로 이탈되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the process table 40 of the process chamber for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is formed in the wafer receiving groove 52 on the fork 50 in which the wafer is seated so that the fork ( The wafer on 50 may be prevented from escaping out of the fork 50.

즉, 트랜스퍼 챔버의 트랜스퍼 아암 등에 의해서 공정테이블(40)로 이송되는 웨이퍼는 포크 어셈블리의 포크(50) 상의 웨이퍼 수용홈(52) 내부에 수용되어 위치하게 됨으로써 히팅블록(40)의 회전 과정에 웨이퍼 수용홈(52) 외부로 이탈되어 하부로 떨어져 깨지는 등의 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있는 것이다.That is, the wafer transferred to the process table 40 by the transfer arm of the transfer chamber or the like is accommodated in the wafer receiving groove 52 on the fork 50 of the fork assembly, thereby being positioned in the wafer. It is possible to prevent a problem such as being broken out of the receiving groove 52 to fall to the lower portion.

특히, 본 발명에 따라 포크 어셈블리의 포크(50) 상에 형성된 웨이퍼 수용홈(52)은 수용되는 웨이퍼의 크기보다 다소 크게 형성됨으로써 웨이퍼가 용이하게 웨이퍼 수용홈(52)에 수용될 수 있도록 되어 있다.In particular, the wafer receiving groove 52 formed on the fork 50 of the fork assembly according to the present invention is formed to be somewhat larger than the size of the wafer to be accommodated so that the wafer can be easily accommodated in the wafer receiving groove 52. .

또한, 포크 어셈블리의 포크(50) 상에 형성된 웨이퍼 수용홈(52)은 내측 중앙으로 소정각도 경사커팅되어 있으므로 용이하게 슬라이딩되어 웨이퍼 수용홈 내부에 수용될 수 있다.In addition, since the wafer receiving groove 52 formed on the fork 50 of the fork assembly is inclined at an angle to the inner center thereof, the wafer receiving groove 52 may be easily slid to be accommodated in the wafer receiving groove.

본 발명에 의하면, 포크 어셈블리의 포크 상부에 웨이퍼 수용홈을 형성하여 웨이퍼를 안정적으로 수용함으로써 히팅블록의 회전과정에 포크 상의 웨이퍼가 외부로 이탈되어 깨지는 등의 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, by forming a wafer receiving groove on the fork of the fork assembly to stably receive the wafer, it is possible to prevent a problem such that the wafer on the fork is separated and broken during the rotation of the heating block.

이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.

Claims (3)

상부 표면에 포크 어셈블리 수용홈이 형성되어 있고, 소정각도 회전할 수 있는 히팅블록; 및The fork assembly receiving groove is formed on the upper surface, the heating block which can rotate a predetermined angle; And 상기 히팅블록 상에서 상하로 이동할 수 있는 몸체부와 상기 몸체부 주변부에 2개의 바(Bar)가 쌍을 이루어 돌출 형성되고 상면에 웨이퍼 수용홈이 형성된 포크를 구비하는 포크 어셈블리;A fork assembly including a fork assembly having two bar bars protruding from the heating block and a pair of bar portions formed around the body portion, and having a wafer receiving groove formed on an upper surface thereof; 를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블.Process table of a process chamber for manufacturing a semiconductor device, characterized in that it comprises a. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 수용홈의 내측벽은 내측 중앙을 향하여 소정각도 경사커팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블.The process table of claim 1, wherein an inner wall of the wafer accommodating groove is inclined at a predetermined angle toward an inner center thereof. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 수용홈은 상기 포크 상에 위치하는 웨이퍼보다 다소 크게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 공정챔버의 공정테이블.The process table of claim 1, wherein the wafer receiving groove is formed to be somewhat larger than a wafer placed on the fork.
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