KR20030073872A - 스테퍼 레티클 및 웨이퍼의 더미 키 배치 구조 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스테퍼 레티클의 더미 키 배치 구조 및 그 스테퍼 레티클을 사용하여 노광한 웨이퍼의 더미 키 배치 구조에 관한 것으로서, 더미 키 배치로 인한 웨이퍼 상의 순수 다이 손실을 최소화하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 스테퍼 레티클의 더미 키 배치 구조는, 가로 세로 각각 여러개의 다이로 이루어진 필드가 형성되는 스테퍼 레티클에 있어서, 필드의 위 또는 아래에 더미 키가 형성되며, 더미 키에 1쌍의 PM 키가 좌우로 배치되고 PM 키 주변에 CMP 보상 패턴이 배치되는 것을 특징으로 한다. 더미 키의 가로 크기는 필드의 가로 크기와 동일하며, 더미 키의 세로 크기는 다이의 세로 크기와 동일하거나 더미 키 세로 크기의 정수배가 다이의 세로 크기와 동일한 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 웨이퍼의 더미 키 배치 구조는, 상기 스테퍼 레티클을 사용하여 노광한 웨이퍼로서, 웨이퍼 좌우 최외곽 부분의 다이 1개씩만을 더미 키로 대체하고 더미 키의 상하로 필드가 근접하도록 웨이퍼의 양쪽 가장자리 부분에 가로 방향으로 더미 키가 배치되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 반도체 제조 공정에 이용되는 레티클 및 레티클을 사용하여 노광한 웨이퍼에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 스테퍼 레티클의 더미 키 배치 구조 및 스테퍼 레티클을 사용하여 노광한 웨이퍼의 더미 키 배치 구조에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 스테퍼(stepper)는 반도체 제조 공정에 이용되는 노광 장치의 일종이다. 스테퍼를 이용한 노광 공정의 웨이퍼 정렬 순서 중에는 광학식 예비정렬(optical prealignment)이 있으며, 이 때 필요한 정렬 키(key)는 피엠 키(PM key)라 불리운다. 통상적으로 웨이퍼 정렬 키는 웨이퍼의 스크라이브 레인(scribe lane) 내에 배치되나, PM 키는 그 크기가 740㎛ X 740㎛로서 스크라이브 레인의 폭 100㎛보다 훨씬 크기 때문에 스크라이브 레인 내에 배치될 수 없다. 따라서, PM 키는 웨이퍼 가장자리 부분의 빈 공간에 배치하는 것이 일반적이다.
한편, 웨이퍼 가장자리에는 PM 키 뿐만 아니라 화학적 기계적 연마(CMP) 공정에 이용하기 위한 CMP 보상 패턴을 삽입하여 사용하고 있다. 일반적으로 CMP 공정은 CMP 균일도(uniformity) 불량과 PM 키 불량을 야기할 수 있기 때문에, 이를 방지하기 위하여 PM 키 주변에 CMP 보상 패턴을 형성하는 것이다. 이렇게 형성된 PM 키와 CMP 보상 패턴을 더미 키(dummy key)라 정의한다.
종래기술의 경우 더미 키의 배치 오류로 인하여 웨이퍼 상에서 순수다이(net die)의 손실을 증가시키는 문제점이 있다.
도 1은 종래기술에 따른 스테퍼 레티클의 더미 키 배치 구조를 나타내는 개략도이다. 도 1을 참조하면, 스테퍼에 사용되는 레티클(10)에는 1개의 필드(11)에 가로 세로 각각 2개 및 5개씩 모두 10개의 다이(12)가 형성된다. 더미 키(13)는 필드(11)의 좌우에 각각 1개씩 형성된다. 각각의 더미 키(13)에는 1쌍의 PM 키(14)가 배치되고 PM 키(14) 주변에 CMP 보상 패턴(15)이 배치된다.
이와 같은 배치 구조를 가지는 레티클(10)을 사용하여 노광한 웨이퍼의 더미 키 배치 구조가 도 2 및 도 3에 도시되어 있다. 도 2는 웨이퍼의 더미 키 배치 구조를 나타내는 개략도이고, 도 3은 도 2의 "A" 부분을 확대하여 도시한 상세도이다. 도 2와 도 3을 참조하면, 웨이퍼(20)의 양쪽 가장자리 부분에 세로 방향으로 더미 키(13)가 배치된다. 따라서, 더미 키(13)의 배치로 인하여 좌우 5개씩 모두 10개의 순수 다이 손실이 발생한다.
본 발명은 종래기술에서의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 더미 키 배치로 인한 웨이퍼 상의 순수 다이 손실을 최소화할 수 있는 스테퍼 레티클 및 웨이퍼의 더미 키 배치 구조를 제공하고자 하는 것이다.
도 1은 종래기술에 따른 스테퍼 레티클의 더미 키 배치 구조를 나타내는 개략도이다.
도 2는 도 1에 도시된 스테퍼 레티클을 사용하여 노광한 웨이퍼의 더미 키 배치 구조를 나타내는 개략도이다.
도 3은 도 2의 "A" 부분을 확대하여 도시한 상세도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 스테퍼 레티클의 더미 키 배치 구조를 나타내는 개략도이다.
도 5는 도 4에 도시된 스테퍼 레티클을 사용하여 노광한 웨이퍼의 더미 키 배치 구조를 나타내는 개략도이다.
도 6은 도 5의 "B" 부분을 확대하여 도시한 상세도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 30: 레티클11, 31: 필드
12, 32: 다이13, 33: 더미 키
14, 34: PM 키15, 35: CMP 보상 패턴
20, 40: 웨이퍼
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 필드의 위 또는 아래에 더미 키가 배치되는 스테퍼 레티클의 더미 키 배치 구조 및 이를 이용하여 웨이퍼의 양쪽 가장자리에 가로 방향으로 더미 키가 배치되는 웨이퍼의 더미 키 배치 구조를 제공한다.
본 발명에 따른 스테퍼 레티클의 더미 키 배치 구조는, 가로 세로 각각 여러개의 다이로 이루어진 필드가 형성되는 스테퍼 레티클에 있어서, 필드의 위 또는 아래에 더미 키가 형성되며, 더미 키에 1쌍의 PM 키가 좌우로 배치되고 PM 키 주변에 CMP 보상 패턴이 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 스테퍼 레티클의 더미 키 배치 구조에 있어서, 더미 키의 가로 크기는 필드의 가로 크기와 동일하며, 더미 키의 세로 크기는 다이의 세로 크기와 동일하거나 더미 키 세로 크기의 정수배가 다이의 세로 크기와 동일한 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼의 더미 키 배치 구조는, 상기 스테퍼 레티클을 사용하여 노광한 웨이퍼로서, 웨이퍼 좌우 최외곽 부분의 다이 1개씩만을 더미 키로 대체하고 더미 키의 상하로 필드가 근접하도록 웨이퍼의 양쪽 가장자리 부분에 가로 방향으로 더미 키가 배치되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다. 첨부 도면은 도면의 명확한 이해를 돕기 위해 다소 과장되거나 개략적으로 도시되었음을 밝혀둔다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 스테퍼 레티클의 더미 키 배치 구조를 나타내는 개략도이다. 도 4를 참조하면, 스테퍼에 사용되는 레티클(30)에는 1개의 필드(31)에 가로 세로 각각 2개 및 5개씩 모두 10개의 다이(32)가 형성된다. 더미 키(33)는 필드(31)의 위 또는 아래에 형성된다. 더미 키(33)에는 1쌍의 PM 키(34)가 좌우로 배치되고 PM 키(34) 주변에 CMP 보상 패턴(35)이 배치된다.
더미 키(33)의 가로 크기는 필드(31)의 가로 크기와 동일하게 하며, 더미 키(33)의 세로 크기는 다이(32)의 세로 크기와 동일하거나 더미 키(33) 세로 크기의 정수배가 다이(32)의 세로 크기와 동일하게 한다.
이와 같은 배치 구조를 가지는 레티클(30)을 사용하여 노광한 웨이퍼의 더미 키 배치 구조가 도 5 및 도 6에 도시되어 있다. 도 5는 웨이퍼의 더미 키 배치 구조를 나타내는 개략도이고, 도 6은 도 5의 "B" 부분을 확대하여 도시한 상세도이다. 도 5와 도 6을 참조하면, 웨이퍼(40)의 양쪽 가장자리 부분에 가로 방향으로 더미 키(33)가 배치된다. 즉, 도 4에 도시된 레티클(30)을 사용하여 웨이퍼(40) 노광시, 웨이퍼(40) 좌우 최외곽 부분의 다이(32) 1개씩만을 더미 키(33)로 대체하고 더미 키(33) 상하로 필드가 근접하도록 한다. 따라서, 더미 키(33)의 배치로 인하여 손실되는 순수 다이의 수는 좌우 1개씩 모두 2개에 불과하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 스테퍼 레티클 및 웨이퍼의 더미 키 배치 구조는 더미 키 배치로 인한 웨이퍼 상의 순수 다이 손실을 최소화할 수 있으며 반도체 제품의 제조 단가를 낮출 수 있다.
본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
Claims (3)
- 가로 세로 각각 여러개의 다이로 이루어진 필드가 형성되는 스테퍼 레티클에 있어서, 상기 필드의 위 또는 아래에 더미 키가 형성되며, 상기 더미 키에 1쌍의 PM 키가 좌우로 배치되고 상기 PM 키 주변에 CMP 보상 패턴이 배치되는 것을 특징으로 하는 스테퍼 레티클의 더미 키 배치 구조.
- 제 1 항에 있어서, 상기 더미 키의 가로 크기는 상기 필드의 가로 크기와 동일하며, 상기 더미 키의 세로 크기는 상기 다이의 세로 크기와 동일하거나 상기 더미 키 세로 크기의 정수배가 상기 다이의 세로 크기와 동일한 것을 특징으로 하는 스테퍼 레티클의 더미 키 배치 구조.
- 제 1 항의 스테퍼 레티클을 사용하여 노광한 웨이퍼로서, 상기 웨이퍼 좌우 최외곽 부분의 다이 1개씩만을 더미 키로 대체하고 상기 더미 키의 상하로 필드가 근접하도록 상기 웨이퍼의 양쪽 가장자리 부분에 가로 방향으로 상기 더미 키가 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 더미 키 배치 구조.
Priority Applications (1)
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| KR1020020013626A KR20030073872A (ko) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 스테퍼 레티클 및 웨이퍼의 더미 키 배치 구조 |
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Publications (1)
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| KR20030073872A true KR20030073872A (ko) | 2003-09-19 |
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| KR1020020013626A KR20030073872A (ko) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 스테퍼 레티클 및 웨이퍼의 더미 키 배치 구조 |
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| KR (1) | KR20030073872A (ko) |
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2002
- 2002-03-13 KR KR1020020013626A patent/KR20030073872A/ko not_active Application Discontinuation
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