KR20030070476A - Method and apparatus of surface treatment for PBN crucible in fabrication of GaAs single crystal - Google Patents

Method and apparatus of surface treatment for PBN crucible in fabrication of GaAs single crystal Download PDF

Info

Publication number
KR20030070476A
KR20030070476A KR1020020010028A KR20020010028A KR20030070476A KR 20030070476 A KR20030070476 A KR 20030070476A KR 1020020010028 A KR1020020010028 A KR 1020020010028A KR 20020010028 A KR20020010028 A KR 20020010028A KR 20030070476 A KR20030070476 A KR 20030070476A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reaction vessel
surface treatment
single crystal
gas
gaas single
Prior art date
Application number
KR1020020010028A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
오명환
이호성
김광호
Original Assignee
네오세미테크 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 네오세미테크 주식회사 filed Critical 네오세미테크 주식회사
Priority to KR1020020010028A priority Critical patent/KR20030070476A/en
Publication of KR20030070476A publication Critical patent/KR20030070476A/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/002—Crucibles or containers

Abstract

PURPOSE: A surface treatment apparatus in fabricating a gallium-arsenide single crystal is provided to form a uniform boron oxide layer on the inner wall of a crucible of a pyrolitic boron nitride(PBN) material by respectively performing a heat treatment process on the inner wall and the outer wall of the crucible in different gas atmosphere. CONSTITUTION: A GaAs single crystal is formed in the crucible installed in a chamber(201). The crucible is detachably attached to an adapter(203). An inner gas supply unit(202a) and an outer gas supply unit(202b) supply gas, connected to the inside and the outside of the crucible, respectively. A bubbler(207) functions to improve the gas atmosphere inside the crucible.

Description

갈륨-비소 단결정 제조에 있어서의 표면처리장치 및 방법{Method and apparatus of surface treatment for PBN crucible in fabrication of GaAs single crystal}Surface treatment apparatus and method for producing gallium-arsenic single crystals {Method and apparatus of surface treatment for PBN crucible in fabrication of GaAs single crystal}

본 발명은 GaAs 단결정 제조에 있어서의 표면처리방법 및 표면처리 장치에 관한 것으로서, 특히 GaAs 단결정 제조 장치 중 반응 용기 내벽에 표면처리를 하여 결함을 방지할 수 있는 GaAs 단결정 제조에 있어서의 표면처리방법 및 표면처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment method and a surface treatment apparatus for producing a GaAs single crystal, and in particular, a surface treatment method for producing a GaAs single crystal capable of preventing defects by surface-treating the inner wall of a reaction vessel in a GaAs single crystal manufacturing apparatus. It relates to a surface treatment apparatus.

일반적으로, GaAs 단결정 반도체는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 중에서 가장 대표적인 것으로 실리콘(Si)에 비해 전자의 이동도가 빨라서 반절연성의 GaAs 단결정은 이온 주입(Ion Implantation)을 이용해서 FET(Field Emission Transistor)나 집적회로를 만들고 있으며, 또한 발광 및 수광 기능이 있어 반도체 형태의 GaAs 단결정은 LED(Light Emitting Diode)나 LD 등의 광전 소자로서 사용되고 있다.In general, GaAs single crystal semiconductor is the most representative group III-V compound semiconductor, and electron mobility is faster than silicon (Si), so semi-insulating GaAs single crystal uses ion implantation (Field Immission Transistor). The semiconductor GaAs single crystal is used as a photoelectric device such as an LED (Light Emitting Diode) or LD because of its light emitting and receiving function.

GaAs와 같은 화합물 단결정의 제조방법에는 LEC(Liquid Encapsulated Czochralski)법, 수평 브리지만법, 수직 온도구배 응고법(Vertical Gradient Freeze, 이하 VGF)법 등의 많은 방법이 사용되고 있는데, 이 중에서 VGF법은 노체 내에 설치한 링(ring) 모양의 가스 차단부를 제어하여, 노내에 상향에서 하향에 걸쳐 고온에서 화합물의 융점이 속한 저온으로 추이(推移)하는 온도분포를 형성함과 동시에, 온도분포의 융점 온도 구역을 하향에서 상향으로 이동시켜, 이에 따라 반응 용기 내의 원료 융액을, 그 하단부의 시드(seed) 단결정에 접하는 부분에서 순차 고화 성장시켜서 단결정을 얻는 방법이다.Many methods, such as the liquid encapsulated Czochralski (LEC) method, the horizontal bridging method, the vertical temperature gradient coagulation method (VGF) method are used for the preparation of compound single crystals such as GaAs. The ring-shaped gas blocker is installed to form a temperature distribution that transitions from the top to the bottom of the furnace to a low temperature belonging to the melting point of the compound. It moves from downward to upward, thereby solidifying and growing a raw material melt in a reaction container at the part which contacts the seed single crystal of the lower end part in order to obtain a single crystal.

도 1은 GaAs 단결정 성장시의 반응 용기 내부를 개략적으로 나타낸 것으로서, 상기 반응 용기는 일반적으로 PBN(Pyrolitic Boron Nitride) 재질로 이루어져있다.Figure 1 schematically shows the inside of the reaction vessel during GaAs single crystal growth, the reaction vessel is generally made of PBN (Pyrolitic Boron Nitride) material.

도 1에 도시된 바와 같이, 상기 PBN 재질의 반응 용기(104)의 내벽은 GaAs 용융액(102)과 항상 접촉되어 있기 때문에 원자단위의 사소한 결함에 의해서도 고-액 계면의 상평형이 깨어짐에 의한 거시결함이 일어날 가능성이 높다. 특히, VGF법의 경우 시간당 성장속도가 3mm 이하이기 때문에 약 10cm 가량의 단결정을 성장시키기 위해서 약 7일 정도가 소요되기 때문에 사전에 거시결함요인을 제거시키는 것이 중요하다.As shown in FIG. 1, since the inner wall of the reaction vessel 104 made of PBN is always in contact with the GaAs melt 102, the macro-equilibrium of the phase-equilibrium of the solid-liquid interface is broken even by minor defects in atomic units. It is very likely that a fault will occur. In particular, in the case of the VGF method, since the growth rate per hour is less than 3mm, it takes about 7 days to grow about 10cm of single crystals, so it is important to remove macroscopic defects in advance.

종래 기술에 따른 반응 용기 표면처리 방법은 GaAs 단결정(103)과 용기(102)의 벽이 접촉하면서 성장하는 방식으로 용융점 이상으로 가열이 되었을 때 산화붕소(B2O3)(101)는 PBN 재질의 반응 용기(102)와 결정(103) 사이 또는 반응 용기(102)와 융융된 결정(102) 사이에 균일하게 도포되도록 하였으나, 용기 자체가 균일하게 회전을 하는 장치라 하더라도 용융점 이상 가열되었을 때 산화붕소가 액상으로 존재하지만 점성(viscosity)이 있기 때문에 반응 용기 내에 균일하게 도포되지 않는 단점이 있다.Reaction vessel surface treatment method according to the prior art is boron oxide (B 2 O 3 ) 101 is a PBN material when heated above the melting point in a manner that the GaAs single crystal 103 and the wall of the container 102 is grown in contact with Evenly applied between the reaction vessel 102 and the crystal 103 of the reaction vessel 102 or between the reaction vessel 102 and the molten crystal 102, even if the vessel itself rotates evenly even if the device is heated above the melting point Boron is in the liquid phase but has a disadvantage that it is not uniformly applied in the reaction vessel because of viscosity.

이러한 문제점을 해결하기 위해서 PBN 재질의 반응 용기를 대기 중에서 900℃ 정도의 고온에서 2시간 정도 열처리를 하여 반응 용기 내벽에 산화막(B2O3)을 임의적으로 생성시키기도 한다.In order to solve such a problem, an oxide film (B 2 O 3 ) may be arbitrarily formed on the inner wall of the reaction vessel by heat-treating the reaction vessel made of PBN at a high temperature of about 900 ° C. for 2 hours.

그러나, 상기의 해결방법은 모든 반응이 대기중에서 일어난 것이기 때문에 산소에 의한 반응 용기의 산화 외에, 대기의 주성분인 질소에 의한 질화도 동시에진행된다. 따라서, 용기 내벽에 균일한 산화막이 형성되지 않으며, 다결정이 생성되기도 한다. 또한, 용기를 대기 중에서 열처리함에 따라 용기의 내벽 뿐만 아니라 외벽 또한 열처리가 되어 용기의 사용 수명 저항 등의 문제점이 발생한다.However, in the above solution, since all the reactions take place in the air, in addition to oxidation of the reaction vessel with oxygen, nitriding with nitrogen, which is the main component of the air, is also simultaneously performed. Therefore, a uniform oxide film is not formed on the inner wall of the container, and polycrystals are sometimes produced. In addition, as the container is heat-treated in the air, not only the inner wall of the container but also the outer wall is heat-treated, which causes problems such as the service life resistance of the container.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 반응 용기 내벽만에 대한 균일한 산화처리를 포함한 용기의 표면처리를 가능하게 하는 반응 용기 표면처리 기술 및 그 장치를 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a reaction vessel surface treatment technology and apparatus for enabling surface treatment of a vessel including a uniform oxidation treatment on only the inner wall of the reaction vessel.

도 1은 GaAs 단결정 성장시의 반응 용기 내부를 개략적으로 나타낸 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 schematically shows the inside of a reaction vessel during GaAs single crystal growth.

도 2는 본 발명의 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 장치의 단면도.2 is a cross-sectional view of a surface treatment apparatus of a reaction vessel in producing a GaAs single crystal of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

101 : 산화붕소 102 : GaAs 용융액101: boron oxide 102: GaAs melt

103 : GaAs단결정 104 : 반응 용기103: GaAs single crystal 104: reaction vessel

105 : 시드 단결정105: seed single crystal

201 : 챔버 202a : 내측 가스 공급부201: chamber 202a: inner gas supply part

202b : 외측 가스 공급부 203 : 어댑터202b: outer gas supply part 203: adapter

204 : 외벽용 가스관 205 : 가스 차단부204: gas pipe for the outer wall 205: gas blocking unit

206 : 내벽용 가스관 207 : 버블러206: gas pipe for the inner wall 207: bubbler

208 : 가스 배출관208: gas discharge pipe

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 구비되는 반응 용기와, 상기 반응 용기를 착탈하는 역할을 수행하는 어댑터와, 상기 반응 용기의 내측 및 외측에 각각 연결되어 가스를 공급하는 내측 가스 공급부 및 외측 가스 공급부와, 상기 반응 용기 내부의 가스분위기를 향상시키는 역할을 수행하는 버블러를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the apparatus for treating a surface of a reaction vessel in producing GaAs single crystal of the present invention includes a chamber, a reaction vessel provided in the chamber, and an adapter for attaching and detaching the reaction vessel, And an inner gas supply part and an outer gas supply part connected to the inner side and the outer side of the reaction vessel to supply gas, and a bubbler which serves to improve the gas atmosphere inside the reaction vessel.

상기 내측 가스 공급부에는 산소가스가 주입되며, 외측 가스 공급부에는 질소 또는 아르곤 가스가 주입되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 표면처리 장치는 어댑터를 제외한 모든 부분이 석영(quartz)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.Oxygen gas is injected into the inner gas supply unit, and nitrogen or argon gas is injected into the outer gas supply unit. In addition, the surface treatment apparatus is characterized in that all parts except the adapter is made of quartz (quartz).

본 발명의 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 방법은 GaAs 단결정 제조를 위해 챔버 내에 반응 용기를 구비하는 표면처리 장치를 이용하는 표면처리 방법에 있어서, 일정 조건의 열처리 조건하에서 상기 반응 용기 내측에 산소 가스를 주입하고 동시에 상기 반응 용기 외측에 질소를 주입하여 상기 반응 용기의 내벽에는 산화붕소막을 형성시키고 상기 반응 용기의 외벽에는 질화붕소막을 형성시키는 것을 특징으로 한다.The surface treatment method of the reaction vessel in the production of GaAs single crystal of the present invention is a surface treatment method using a surface treatment apparatus having a reaction vessel in a chamber for the production of GaAs single crystal, the inside of the reaction vessel under a heat treatment condition of a certain condition Injecting oxygen gas and at the same time nitrogen to the outside of the reaction vessel to form a boron oxide film on the inner wall of the reaction vessel and a boron nitride film on the outer wall of the reaction vessel.

본 발명의 표면처리 장치 및 방법은 반응 용기 내측 및 외측에 각각 산소 가스 및 질소가스를 주입함으로써 반응 용기의 내외벽에 균일한 산화막과 질화막을 형성시킬 수 있게 된다.In the surface treatment apparatus and method of the present invention, by injecting oxygen gas and nitrogen gas into the reaction vessel inside and outside, respectively, it is possible to form a uniform oxide film and a nitride film on the inner and outer walls of the reaction vessel.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 방법 및 장치를 상세히 설명하기로 한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the surface treatment method and apparatus of the reaction container in manufacture of the GaAs single crystal of this invention are demonstrated in detail with reference to drawings.

도 2는 본 발명의 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a surface treatment apparatus of a reaction vessel in producing a GaAs single crystal of the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 장치는 챔버(201) 내에 반응 용기(104)가 구비되어 있으며, 상기 반응 용기(104) 내외측에는 각각 서로 다른 가스를 주입할 수 있는 내측 및 외측 가스 공급부(202a, 202b)가 배치되어 있다.As shown in FIG. 2, in the GaAs single crystal preparation of the present invention, the surface treatment apparatus of a reaction vessel is provided with a reaction vessel 104 in a chamber 201, and different from each other inside and outside the reaction vessel 104. Inner and outer gas supply parts 202a and 202b through which gas can be injected are arranged.

또한, 상기 내측 및 외측 가스 공급부(202a, 202b)는 각각 내벽용 가스관(206)과 외벽용 가스관(204)과 연결되어 있어, 상기 내벽용 가스관(206)을 통해 유입된 산소 가스는 내측 가스 공급부(202a)를 통해 상기 반응 용기(104)의 내부로 공급되고, 상기 외벽용 가스관(204)을 통해 유입된 질소 가스 또는 아르곤 가스는 외측 가스 공급부(202b)를 통해 상기 반응 용기(104)의 외부로 공급된다.In addition, the inner and outer gas supply parts 202a and 202b are connected to the inner wall gas pipe 206 and the outer wall gas pipe 204, respectively, so that the oxygen gas introduced through the inner wall gas pipe 206 is the inner gas supply part. Nitrogen gas or argon gas supplied into the reaction vessel 104 through 202a and introduced through the outer wall gas pipe 204 is external to the reaction vessel 104 through an outer gas supply portion 202b. Is supplied.

상기 챔버(201) 내의 반응 용기(104)는 챔버 중간에 설치되어 있는어댑터(203)에 의해 탈착이 가능하도록 설계되어 있다.The reaction vessel 104 in the chamber 201 is designed to be detachable by an adapter 203 provided in the middle of the chamber.

또한, 상기 챔버(201) 하단의 좌우측에는 링(ring) 형태의 가스 차단부(205)가 형성되어 있고, 상기 챔버(201)의 상단에는 상기 반응 용기 내부의 산화분위기를 향상시키고 유출된 가스의 흐름을 둔화시키기 위한 버블러(207)가 가스배출관(208)과 연결되어 구비되어 있다.In addition, a ring-shaped gas blocking unit 205 is formed at the left and right sides of the lower end of the chamber 201, and the upper end of the chamber 201 improves the oxidation atmosphere inside the reaction vessel and A bubbler 207 for slowing the flow is provided in connection with the gas discharge pipe 208.

상기 반응 용기의 내외벽에 각각 다른 가스를 주입시키고 반응 용기 내벽과 외벽에 독립적인 열처리 공정을 진행시키는데 본 발명의 특징이 있다.It is a feature of the present invention to inject different gases into the inner and outer walls of the reaction vessel and to perform an independent heat treatment process on the inner and outer walls of the reaction vessel.

즉, 반응 용기 내벽에는 산소가스를 주입시켜 반응 용기 내벽에 산화붕소막을 형성시켜 GaAs 용융액과 PBN 재질의 반응 용기사이에 발생 가능한 거시결함생성을 미연에 방지할 수 있으며, 반응 용기 외벽에는 질소 가스 또는 아르곤 가스를 주입시켜 반응 용기 외벽에 질화붕소막을 생성시키거나 아무런 막을 형성시키지 않게 된다.That is, oxygen gas is injected into the reaction vessel inner wall to form a boron oxide film on the reaction vessel inner wall to prevent the formation of macroscopic defects that may occur between the GaAs melt and the reaction vessel made of PBN. Argon gas is injected to form a boron nitride film or no film on the outer wall of the reaction vessel.

한편, 상기와 같은 표면처리공정의 조건은 900∼1100℃ 정도의 온도에서 2∼3 시간 정도 반응 온도를 유지시킨다.On the other hand, the conditions of the surface treatment process as described above maintain the reaction temperature for about 2 to 3 hours at a temperature of about 900 to 1100 ℃.

상술한 바와 같은 본 발명의 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 장치 및 방법은 다음과 같은 효과가 있다.The surface treatment apparatus and method of the reaction vessel in GaAs single crystal manufacture of the present invention as described above have the following effects.

PBN 재질의 반응 용기의 내벽과 외벽을 서로 다른 가스 분위기 하에서 열처리하여 내벽에 균일한 산화붕소막을 형성시킬 수 있어 GaAs 단결정 성장시 거시결함요인을 미연에 방지할 수 있는 장점이 있다.Since the inner wall and outer wall of the PBN material reaction vessel are heat treated under different gas atmospheres to form a uniform boron oxide film on the inner wall, there is an advantage of preventing macroscopic defects during GaAs single crystal growth.

Claims (6)

GaAs 단결정을 합성하는 반응 용기 및 상기 반응 용기를 내장하고 있는 챔버를 포함하여 이루어지는 GaAs 단결정 제조 장치에 있어서,In a GaAs single crystal manufacturing apparatus comprising a reaction vessel for synthesizing a GaAs single crystal and a chamber containing the reaction vessel, 상기 반응 용기를 착탈하는 역할을 수행하는 어댑터;An adapter serving to detach the reaction vessel; 상기 반응 용기의 내측 및 외측에 각각 연결되어 가스를 공급하는 내측 가스 공급부 및 외측 가스 공급부;An inner gas supply unit and an outer gas supply unit connected to an inner side and an outer side of the reaction vessel to supply a gas; 상기 반응 용기 내부의 가스분위기를 향상시키는 역할을 수행하는 버블러를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 장치.A surface treatment apparatus for a reaction vessel in producing a GaAs single crystal, characterized in that it comprises a bubbler which serves to improve the gas atmosphere inside the reaction vessel. 제 1 항에 있어서, 상기 반응 용기는 PBN(Pyrolitic Boron Nitride) 재질인 것을 특징으로 하는 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 장치.2. The surface treatment apparatus of a reaction vessel according to claim 1, wherein the reaction vessel is made of PBN (Pyrolitic Boron Nitride). 제 1 항에 있어서, 상기 어댑터를 제외한 챔버는 석영(quartz) 재질인 것을 특징으로 하는 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 장치.2. The surface treatment apparatus of a reaction vessel according to claim 1, wherein the chamber except for the adapter is made of quartz. 제 1 항에 있어서, 상기 내측 가스 공급부에는 산소가스가 주입되며, 외측 가스 공급부에는 질소 또는 아르곤 가스가 주입되는 것을 특징으로 하는 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 장치.2. The surface treatment apparatus of a reaction vessel according to claim 1, wherein oxygen gas is injected into said inner gas supply part, and nitrogen or argon gas is injected into said outer gas supply part. GaAs 단결정 제조를 위해 챔버 내에 반응 용기를 구비하는 표면처리 장치를 이용하는 표면처리 방법에 있어서,A surface treatment method using a surface treatment apparatus having a reaction vessel in a chamber for producing GaAs single crystal, 일정 조건의 열처리 조건하에서 상기 반응 용기 내측에 산소 가스를 주입하고 동시에 상기 반응 용기 외측에 질소를 주입하여 상기 반응 용기의 내벽에는 산화붕소막을 형성시키고 상기 반응 용기의 외벽에는 질화붕소막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 방법Oxygen gas is injected into the reaction vessel under a heat treatment condition of a predetermined condition and nitrogen is injected into the reaction vessel outside to form a boron oxide film on the inner wall of the reaction vessel and a boron nitride film on the outer wall of the reaction vessel. Surface treatment method of reaction container in GaAs single crystal manufacture 제 5 항에 있어서, 상기 열처리 조건은 900∼1,100℃ 온도하에서 2∼3시간의 반응 시간을 유지시키는 것을 특징으로 하는 GaAs 단결정 제조에 있어서의 반응 용기의 표면처리 방법.6. The surface treatment method of a reaction vessel according to claim 5, wherein the heat treatment condition is maintained at a reaction time of 2 to 3 hours at a temperature of 900 to 1,100 캜.
KR1020020010028A 2002-02-25 2002-02-25 Method and apparatus of surface treatment for PBN crucible in fabrication of GaAs single crystal KR20030070476A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020010028A KR20030070476A (en) 2002-02-25 2002-02-25 Method and apparatus of surface treatment for PBN crucible in fabrication of GaAs single crystal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020010028A KR20030070476A (en) 2002-02-25 2002-02-25 Method and apparatus of surface treatment for PBN crucible in fabrication of GaAs single crystal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030070476A true KR20030070476A (en) 2003-08-30

Family

ID=32222540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020010028A KR20030070476A (en) 2002-02-25 2002-02-25 Method and apparatus of surface treatment for PBN crucible in fabrication of GaAs single crystal

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030070476A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101899703A (en) * 2010-08-06 2010-12-01 浙江碧晶科技有限公司 Crucible for growing crystalline silicon ingot and extracting silicon raw material of crystalline silicon ingot and preparation method and application thereof
CN111893555A (en) * 2020-07-22 2020-11-06 威科赛乐微电子股份有限公司 Single crystal PBN crucible treatment process

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08133882A (en) * 1994-10-31 1996-05-28 Kobe Steel Ltd Crucible for producing compound semiconductor
JPH10203893A (en) * 1997-01-20 1998-08-04 Mitsubishi Materials Shilicon Corp Highly strong quartz glass crucible and its production
KR0149994B1 (en) * 1990-08-30 1998-10-15 한형수 Method and apparatus of gaas single crystal growth
KR20010028024A (en) * 1999-09-17 2001-04-06 윤종용 Tube for chemical vapor deposition
KR20030052467A (en) * 2001-12-21 2003-06-27 주식회사 실트론 Graphite Crucible

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0149994B1 (en) * 1990-08-30 1998-10-15 한형수 Method and apparatus of gaas single crystal growth
JPH08133882A (en) * 1994-10-31 1996-05-28 Kobe Steel Ltd Crucible for producing compound semiconductor
JPH10203893A (en) * 1997-01-20 1998-08-04 Mitsubishi Materials Shilicon Corp Highly strong quartz glass crucible and its production
KR20010028024A (en) * 1999-09-17 2001-04-06 윤종용 Tube for chemical vapor deposition
KR20030052467A (en) * 2001-12-21 2003-06-27 주식회사 실트론 Graphite Crucible

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101899703A (en) * 2010-08-06 2010-12-01 浙江碧晶科技有限公司 Crucible for growing crystalline silicon ingot and extracting silicon raw material of crystalline silicon ingot and preparation method and application thereof
CN111893555A (en) * 2020-07-22 2020-11-06 威科赛乐微电子股份有限公司 Single crystal PBN crucible treatment process
CN111893555B (en) * 2020-07-22 2021-09-14 威科赛乐微电子股份有限公司 Single crystal PBN crucible treatment process

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10533265B2 (en) Growth container
CA2519885A1 (en) Indium phosphide substrate, indium phosphide single crystal and process for producing them
CN107313110B (en) Preparation formula and preparation method of P-type indium phosphide single crystal
KR20040089737A (en) Apparatus for growing monocrystalline group II-VI and III-V compounds
US6989059B2 (en) Process for producing single crystal of compound semiconductor and crystal growing apparatus
KR20030070476A (en) Method and apparatus of surface treatment for PBN crucible in fabrication of GaAs single crystal
JP2010260747A (en) Method for producing semiconductor crystal
CN211620660U (en) Quartz sealing cap for crystal growth based on VGF method and crystal growth device
JPH10218699A (en) Growth of compound semiconductor single crystal
CN110952133A (en) Quartz sealing cap for crystal growth based on VGF method, crystal growth device and crystal growth process
JP3567662B2 (en) Single crystal growth method and apparatus
KR20100137098A (en) The oxidation device of ceramic crucible furnace for crystal growth
JP2004099390A (en) Method of manufacturing compound semiconductor single crystal and compound semiconductor single crystal
KR20110042433A (en) The graphite ring for yield improvement of sapphire single crystal.hwp
JP2003146791A (en) Method of manufacturing compound semiconductor single crystal
JPH11189499A (en) Production of compound semiconductor single crystal
JP2004345888A (en) Production method for compound semiconductor single crystal
JP3158661B2 (en) Method and apparatus for producing high dissociation pressure single crystal
JPS6090897A (en) Method and apparatus for manufacturing compound semiconductor single crystal
JP2830307B2 (en) Method for producing high dissociation pressure single crystal
JP2003146794A (en) Method of refining gallium for liquid phase epitaxial growth
JPS60115271A (en) Preparation of red light emitting element of gallium phosphide
CN116324047A (en) Indium phosphide substrate, semiconductor epitaxial wafer, method for producing indium phosphide single-crystal ingot, and method for producing indium phosphide substrate
JP2013193942A (en) Single crystal manufacturing apparatus and method for manufacturing single crystal using the same
JP2006160586A (en) Method for manufacturing compound semiconductor single crystal

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application