KR20030067141A - Vacuum Chuck of Semiconductor Manufacturing Equipment - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조공정에서 진공 척 상면에 형성된 진공 홀로부터 가해지는 진공의 압력을 이용하여 진공 척의 안착 면(웨이퍼와 접촉하는 진공 척의 상면)에 웨이퍼를 안정적으로 흡착시키는 진공 척에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 배면과 접촉되는 안착 면의 접촉 면적을 최소화하여 파티클 발생을 줄이면서도 웨이퍼의 평탄도를 높일 수 있는 반도체 제조설비의 진공 척에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum chuck for stably adsorbing a wafer to a seating surface of a vacuum chuck (upper surface of a vacuum chuck in contact with a wafer) by using a pressure of a vacuum applied from a vacuum hole formed in an upper surface of a vacuum chuck in a semiconductor manufacturing process. In detail, the present invention relates to a vacuum chuck of a semiconductor manufacturing facility capable of increasing the flatness of a wafer while reducing particle generation by minimizing a contact area of a seating surface in contact with the back surface of the wafer.
일반적으로 반도체 집적회로는 손톱만큼이나 작고 얇은 실리콘 칩에 지나지 않지만 그 안에는 수 천 만개 이상의 전자부품들(트랜지스터, 다이오드, 저항)이 가득 들은 장치로서, 이 반도체 집적회로는 최종 완성에 이르기까지에는 사진 공정, 식각 공정, 증착 공정, 열처리 공정을 비롯한 수많은 제조 공정이 수반된다.In general, semiconductor integrated circuits are as small and thin silicon chips as nails, but they are packed with tens of millions of electronic components (transistors, diodes, and resistors). Numerous manufacturing processes are involved, including etching, deposition, heat treatment, and the like.
실리콘 단결정인 규소봉(잉곳:Ingot)은 수백 ㎛의 두께로 절단되어 그 한쪽 면이 거울같이 연마되어 실리콘 웨이퍼(Wafer)로 형성되는 데, 반도체의 집적회로는 실리콘 웨이퍼에 형성된다.A silicon single crystal silicon rod (Ingot) is cut to a thickness of several hundred micrometers, and one side thereof is mirror-polished to form a silicon wafer. An integrated circuit of a semiconductor is formed on a silicon wafer.
반도체 제조 공정 중에 웨이퍼를 고정시키거나 이송시키기 위하여 사용되는 척에는 기계식 척과 정전기 척과 진공 척이 사용된다.Mechanical chucks, electrostatic chucks and vacuum chucks are used for chucks used to hold or transport wafers during semiconductor manufacturing processes.
기계식 척은 그 지지표면에 대해 웨이퍼를 누르기 위해서 아암 또는 클램프를 갖고 있으며, 정전기 척은 웨이퍼와 금속 전극 또는 전극 쌍 간에 전압 차를 발생시키고 웨이퍼와 전극이 유전 층에 의해 분리되도록 구성되며, 그리고 진공 척은진공의 압력을 이용하여 웨이퍼를 안정적으로 흡착시키도록 구성된다.The mechanical chuck has an arm or clamp to press the wafer against its support surface, the electrostatic chuck is configured to generate a voltage difference between the wafer and the metal electrode or pair of electrodes and to separate the wafer and electrode by a dielectric layer, and vacuum The chuck is configured to stably suck the wafer using the vacuum pressure.
반도체 칩 제조공정 중에 발생되는 먼지, 이물질 혹은 부산물(이하, 파티클(particle)이라 약칭 함)은 웨이퍼가 안착되는 척의 안착 면을 오염시킨다. 척의 안착 면이 오염된 상태로, 척의 안착 면에 웨이퍼가 안착될 경우, 디 포커스(De-focus)의 원인이 되어 반도체 생산에 막대한 손실을 초래한다.Dust, foreign matter or by-products (hereinafter referred to as particles) generated during the semiconductor chip manufacturing process contaminate the seating surface of the chuck on which the wafer is placed. If the wafer is seated on the seating surface of the chuck while the seating surface of the chuck is contaminated, it causes de-focusing and causes a huge loss in semiconductor production.
한편, 포토 공정에서는 웨이퍼에 정밀한 포커스를 수행하기 위해서 진공 척을 사용하여 웨이퍼를 고정하는 데, 근래에는 진공 척의 안착 면에 소정높이를 갖는 팁(핀 혹은 돌기)을 일체로 형성하고, 이 팁에 웨이퍼를 접촉시키도록 구성하고 있다.On the other hand, in the photo process, a wafer is fixed by using a vacuum chuck to precisely focus on the wafer. In recent years, a tip (pin or protrusion) having a predetermined height is integrally formed on the seating surface of the vacuum chuck. It is comprised so that a wafer may contact.
팁과 웨이퍼의 접촉면적은 어느 정도 줄일 수는 있지만, 팁과 웨이퍼와의 접촉면적을 무한정 줄이면 팁의 지지력이 저하되어 진공 척의 안착 면에 웨이퍼가 안정적으로 흡착되지 못하고 이탈되고 만다.Although the contact area between the tip and the wafer can be reduced to some extent, if the contact area between the tip and the wafer is reduced indefinitely, the supporting force of the tip decreases and the wafer does not stably adsorb to the seating surface of the vacuum chuck.
진공 척의 안착 면에 웨이퍼가 안정적으로 흡착되지 못하고 이탈될 경우, 반도체 제품의 불량을 초래하고 아울러 반도체 제품의 신뢰도를 하락시키며 반도체 제조 작업시간을 지연시킨다.If the wafer is not reliably adsorbed on the seating surface of the vacuum chuck, the wafer is released, which causes the defect of the semiconductor product, decreases the reliability of the semiconductor product, and delays the semiconductor manufacturing operation time.
따라서, 웨이퍼와 팁의 접촉면적을 최소화하면서도, 웨이퍼의 평탄도를 높이고 안정적으로 웨이퍼를 진공 척의 안착 면에 흡착시키는 것은 반도체 제조공정의 진행과 반도체 제품의 신뢰도 및 웨이퍼의 양품을 결정하는 데에 매우 중요하다.Therefore, while minimizing the contact area between the wafer and the tip, while increasing the flatness of the wafer and stably adsorbing the wafer to the seating surface of the vacuum chuck, it is very important to determine the progress of the semiconductor manufacturing process, the reliability of the semiconductor product, and the quality of the wafer. It is important.
통상적으로 웨이퍼는 4,5,8,12인치(웨이퍼의 직경)가 사용되는 바, 이하 참조 도면에서는 8인치 웨이퍼에 사용되는 진공 척(Vacuum Chuck)의 구성 및 작용에대해 설명하기로 한다.Typically, 4, 5, 8, 12 inches (wafer diameter) are used for the wafer. Hereinafter, the construction and operation of a vacuum chuck used in an 8 inch wafer will be described in the following reference drawings.
도 1은 종래 진공 척을 보인 사시도이고, 도 2는 종래 진공 척을 보인 평면도이며, 도 3은 도 2의 A-A선 단면도이다.1 is a perspective view showing a conventional vacuum chuck, Figure 2 is a plan view showing a conventional vacuum chuck, Figure 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.
도 1내지 도 3에 보인 바와 같이, 8인치(대략, 200mm) 웨이퍼(W)에 사용되는 진공 척(10)은 그 직경을 통상적으로 198mm로 하며, 이 진공 척(10)의 안착 면(11)에는 다수의 진공 홀(12) 및 진공 해제홀(12')이 일정간격을 두고 연속 위치되어 있다.1 to 3, the vacuum chuck 10 used for the 8 inch (approximately 200 mm) wafer W has a diameter of 198 mm, and the seating surface 11 of the vacuum chuck 10 is shown. ), A plurality of vacuum holes 12 and vacuum releasing holes 12 'are continuously positioned at regular intervals.
진공 홀(12)및 진공 해제홀(12')은 진공 척(10) 내부를 관통하는 복수개의 진공라인(13)과 단일 영역으로 연결되며, 이 진공라인(13)은 진공압력을 발생시키는 진공펌프(도시하지 않음)와 연결되어 있다.The vacuum hole 12 and the vacuum releasing hole 12 'are connected to a plurality of vacuum lines 13 penetrating the inside of the vacuum chuck 10 in a single region, and the vacuum line 13 is a vacuum for generating a vacuum pressure. It is connected to a pump (not shown).
그리고 진공 척(10)의 안착 면(11) 중심부분에는 다수의 리프팅 홀(14)이 형성되고, 진공 척(10)의 안착 면(11) 테두리 부분에는 웨이퍼(W)의 배면이 접촉되는 외벽(15)이 형성되는 데, 외벽(15)의 안쪽에는 진공영역(V: Vacuum Zone)이 형성된다.In addition, a plurality of lifting holes 14 are formed at a central portion of the seating surface 11 of the vacuum chuck 10, and an outer wall where the rear surface of the wafer W contacts the edges of the seating surface 11 of the vacuum chuck 10. 15 is formed, and a vacuum zone (V) is formed inside the outer wall 15.
또한, 진공영역(V) 안쪽에 위치한 진공 척(10)의 안착 면(11)에는 소정높이를 갖고 웨이퍼(W) 배면을 지지하는 팁(16)이 원형 기둥형태로 일정간격을 두고 다수 형성되어 있다.In addition, on the seating surface 11 of the vacuum chuck 10 located inside the vacuum region V, a plurality of tips 16 having a predetermined height and supporting the back surface of the wafer W are formed at regular intervals in a circular columnar shape. have.
참고적으로, 종래 진공 척(10)은 대략 그 직경이 양면(안착 면과 배면) 모두 190mm이고, 안착 면(11)에 돌출된 팁(16)은 1단으로 이루어지며 그 직경(dt)이0.5mm, 높이(ht)가 0.35mm, 팁 간격(lt)이 3mm이다.For reference, the conventional vacuum chuck 10 has a diameter of approximately 190 mm on both sides (mounting surface and rear surface), and the tip 16 protruding from the mounting surface 11 is composed of one step and its diameter d t . 0.5 mm, height h t is 0.35 mm, and tip spacing l t is 3 mm.
이와 같이 구성된 종래 진공 척의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the conventional vacuum chuck configured as described above are as follows.
웨이퍼(W)가 진공 척(10)의 안착 면(11)에 올려지면, 웨이퍼(W)가 팁(16)에 의해 지지되며 이때, 진공펌프가 작동하여 진공라인(13) 및 진공 홀(12)을 통해 공기를 흡입함으로써 진공영역(V) 내부가 진공된다. 진공영역(V)의 진공으로 인하여 웨이퍼(W)가 팁(16)에 지지된 상태로 진공 척(10)의 안착 면(11)에 흡착 고정된다.When the wafer W is placed on the seating surface 11 of the vacuum chuck 10, the wafer W is supported by the tip 16, at which time the vacuum pump operates to operate the vacuum line 13 and the vacuum hole 12. The inside of the vacuum area V is evacuated by sucking air through the? Due to the vacuum in the vacuum region V, the wafer W is sucked and fixed to the seating surface 11 of the vacuum chuck 10 while being supported by the tip 16.
웨이퍼(W)를 흡착함에 있어서, 웨이퍼(W)의 전체 평탄도를 높이기 위해서는 웨이퍼(W)의 직경과 동일한 직경을 갖는 진공 척(10)을 사용하는 것이 이상적이지만, 이는 반도체 공정 중에 발생되는 웨이퍼(W)의 슬립 때문에 현실적으로 불가능하다.In adsorbing the wafer W, in order to increase the overall flatness of the wafer W, it is ideal to use the vacuum chuck 10 having the same diameter as the diameter of the wafer W, but this is the wafer generated during the semiconductor process. Due to the slip of (W) it is practically impossible.
통상적으로, 진공 척(10)은 웨이퍼(W)의 직경보다 10mm 정도 작은 직경의 것이 사용되는 바, 8인치 웨이퍼(대략 200mm)일 때에는 진공 척(10)의 직경(dc)은 대략 190mm로 하여 10mm 정도의 여유를 두고 있다. 웨이퍼(W)의 변형은 그 양단에서 가장 크게 발생하기 때문에, 웨이퍼(W)의 직경에 가장 가까운 진공 척을 사용해야만 웨이퍼(W)의 변형을 방지할 수 있는 것이다.Typically, the vacuum chuck 10 has a diameter of about 10 mm smaller than the diameter of the wafer W. When the 8-inch wafer (about 200 mm), the diameter (d c ) of the vacuum chuck 10 is approximately 190 mm. There is a margin of about 10mm. Since the deformation of the wafer W occurs most at both ends thereof, the deformation of the wafer W can be prevented only by using a vacuum chuck closest to the diameter of the wafer W.
종래의 진공 척의 경우에는, 도 3에 보인 바와 같이, 진공 척의 직경과 웨이퍼의 직경이 10mm로 큰 차이를 보이고 있기 때문에 웨이퍼의 변형으로 인하여 웨이퍼의 전체 평탄도(편평한 정도)는 낮아질 수밖에 없다.In the case of the conventional vacuum chuck, as shown in FIG. 3, since the diameter of the vacuum chuck and the diameter of the wafer show a large difference of 10 mm, the overall flatness (flatness) of the wafer is inevitably reduced due to the deformation of the wafer.
그리고, 웨이퍼의 국부 평탄도를 높이기 위해서는, 웨이퍼를 균일하게 진공흡입시켜야 하는 데, 종래 진공 척의 경우에는 도 2 및 3에 보인 바와 같이, 진공 홀(12)이 서로 정사각형으로 위치되어 있어서, 인접한 진공 홀(12) 간의 거리(L1)와 대각선 방향의 진공 홀(12) 간의 거리(L2)가 서로 상이하다.In order to increase the local flatness of the wafer, the wafer must be vacuum suctioned uniformly. In the case of the conventional vacuum chuck, as shown in FIGS. 2 and 3, the vacuum holes 12 are square to each other, so that the adjacent vacuum The distance L1 between the holes 12 and the distance L2 between the vacuum holes 12 in the diagonal direction are different from each other.
다시 말하면, 종래 진공 척은 웨이퍼를 균일하게 흡착하지 못하기 때문에 웨이퍼(W)의 국부에 미세한 변형(도 3에 일점 쇄선으로 표시됨)이 발생된다.In other words, since the conventional vacuum chuck does not uniformly adsorb the wafer, minute deformation (indicated by dashed-dotted lines in FIG. 3) occurs in the local portion of the wafer W. As shown in FIG.
또한, 종래 진공 척의 경우에는, 도 1에 보인 바와 같이, 웨이퍼 배면을 지지하고 있는 팁이 원기둥 형상으로 이루어져 있는 바, 팁과 웨이퍼와의 접촉면적 증가로 인하여, 파티클이 커져서 결과적으로 디 포커스의 원인이 되어 반도체 생산에 막대한 손실을 초래한다.In addition, in the case of the conventional vacuum chuck, as shown in FIG. 1, the tip supporting the back of the wafer has a cylindrical shape, and due to an increase in the contact area between the tip and the wafer, the particles become larger and consequently cause defocus. This causes huge losses in semiconductor production.
따라서, 웨이퍼와 팁의 접촉면적을 최소한으로 줄여 파티클 발생을 줄이면서도 진공 척의 상면에 웨이퍼를 보다 안전하게 흡착시키고 웨이퍼의 평탄도를 높일 수 있는 진공 척의 필요성이 절실히 요구되고 있다.Therefore, there is an urgent need for a vacuum chuck capable of adsorbing the wafer to the upper surface of the vacuum chuck more safely and increasing the flatness of the wafer while reducing particle generation by minimizing the contact area between the wafer and the tip.
본 발명은 웨이퍼의 배면을 지지하는 팁의 끝단을 이단구조로 하여 팁과 웨이퍼와의 접촉면적을 최소화함으로써 파티클의 발생을 줄이고, 진공 홀을 정삼각형 으로 연속 위치시켜 웨이퍼를 균일 압력으로 흡착함으로써 웨이퍼의 평탄도를 높일 수 있는 반도체 제조설비의 진공 척을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention reduces the generation of particles by minimizing the contact area between the tip and the wafer by using the end of the tip supporting the back of the wafer in two-stage structure, by continuously placing vacuum holes in an equilateral triangle to adsorb the wafer at a uniform pressure. An object of the present invention is to provide a vacuum chuck of a semiconductor manufacturing equipment capable of increasing flatness.
도 1은 종래 진공 척을 보인 사시도,1 is a perspective view showing a conventional vacuum chuck,
도 2는 종래 진공 척을 보인 평면도,2 is a plan view showing a conventional vacuum chuck,
도 3은 도 2의 A-A선 단면도,3 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.
도 4는 본 발명의 진공 척을 보인 사시도,4 is a perspective view showing a vacuum chuck of the present invention;
도 5는 본 발명의 진공 척을 보인 평면도,5 is a plan view showing a vacuum chuck of the present invention,
도 6은 도 5의 B-B선 단면도.6 is a cross-sectional view taken along the line B-B in FIG. 5.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※※ Explanation of symbols about main part of drawing ※
W : 웨이퍼Z : 진공영역W: Wafer Z: Vacuum Area
Ht ,Ht1: 팁의 높이Dt ,Dt1 :팁의 직경H t, H t1 : Tip height D t, D t1: Tip diameter
Lt :팁의 간격111 : 안착 면L t: Spacing of tip 111: Seating surface
114 : 위치홀115 : 외벽114: location hole 115: outer wall
116 : 팁112 : 진공 홀116: tip 112: vacuum hole
112' : 진공 해제홀112 ': vacuum release hole
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 안착 면에 웨이퍼의 배면을 지지하는 팁이 다수 형성되고, 상기 팁 사이에 진공의 흡입력을 이용하여 상기 웨이퍼를 상기 안착 면에 흡착시키는 진공 홀이 다수 형성된 반도체 제조설비의 진공 척에 있어서, 상기 웨이퍼와의 접촉면적을 최소화하도록 상기 팁의 상부 끝단이 2단으로 형성되며, 상기 진공 홀은 정삼각형으로 연속 위치된다.In order to achieve the above object, the present invention, a plurality of tips for supporting the back of the wafer is formed on the seating surface, a plurality of vacuum holes for adsorbing the wafer to the seating surface using the suction force of the vacuum is formed between the tips In the vacuum chuck of the semiconductor manufacturing equipment, the upper end of the tip is formed in two stages so as to minimize the contact area with the wafer, the vacuum hole is continuously positioned in an equilateral triangle.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 특징적인 구성을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a characteristic configuration of the present invention.
도 4는 본 발명의 진공 척을 보인 사시도이고, 도 5는 본 발명의 진공 척을 보인 평면도이며, 도 6은 도 5의 B-B선 단면도이다.Figure 4 is a perspective view showing a vacuum chuck of the present invention, Figure 5 is a plan view showing a vacuum chuck of the present invention, Figure 6 is a cross-sectional view taken along the line B-B of FIG.
도 4내지 도 6에 보인 바와 같이, 진공 척(100)의 안착 면(111)에는 다수의 진공 홀(112) 및 진공 해제홀(112')이 서로 일정간격을 갖고 연속 위치되어 있다.4 to 6, a plurality of vacuum holes 112 and vacuum releasing holes 112 ′ are continuously disposed on the seating surface 111 of the vacuum chuck 100 at a predetermined interval from each other.
진공 홀(112) 및 진공 해제홀(112')은 진공 척(100) 내부를 관통하는 복수개의 진공라인(113)과 단일 영역으로 연결되며, 이 진공라인(113)은 진공압력을 발생시키는 진공펌프(도시하지 않음)와 연결되어 있다.The vacuum hole 112 and the vacuum releasing hole 112 ′ are connected to a plurality of vacuum lines 113 penetrating the inside of the vacuum chuck 100 in a single region, and the vacuum line 113 is a vacuum generating a vacuum pressure. It is connected to a pump (not shown).
그리고, 진공 척(100)의 안착 면(111) 중심부분에는 다수의 리프팅 홀(114)이 형성되고, 진공 척(100)의 안착 면(111) 테두리 부분에는 웨이퍼(W)의 배면이 접촉되는 외벽(115)이 형성되는 데, 외벽(115)의 안쪽에는 진공영역(V: Vacuum Zone)이 형성된다.In addition, a plurality of lifting holes 114 are formed in the central portion of the seating surface 111 of the vacuum chuck 100, and the rear surface of the wafer W is in contact with the edge of the seating surface 111 of the vacuum chuck 100. An outer wall 115 is formed, and a vacuum zone (V) is formed inside the outer wall 115.
또한, 진공영역(V) 안쪽에 위치한 진공 척(100)의 안착 면(111)에는 소정높이를 갖고 웨이퍼(W) 배면을 지지하는 팁(116)이 일정간격을 두고 다수 형성되어 있다.In addition, a plurality of tips 116 having a predetermined height and supporting the back surface of the wafer W are formed on the seating surface 111 of the vacuum chuck 100 located inside the vacuum region V at a predetermined interval.
본 발명의 특징은 웨이퍼(W)와 진공 척(100)의 접촉면적을 최소화하도록 진공 척(100)의 안착 면(111)에 형성된 팁(116)의 끝단이 2단으로 형성된 것에 있다.A characteristic of the present invention is that the tip 116 formed on the seating surface 111 of the vacuum chuck 100 has two ends so as to minimize the contact area between the wafer W and the vacuum chuck 100.
바람직하게는, 팁(116)의 직경은 그 하단(Dt)이 0.5mm이고 상단(Dt1)이 0.25mm정도로 형성되어 있다. 또한 팁(116)의 높이가 그 하단(Ht)이 0.2mm이고 상단(Ht1)이 0.1mm이고, 상기 팁의 간격(Lt)은 2.5mm로 형성하는 것이 좋다.Preferably, the diameter of the tip 116 is formed such that the lower end D t is 0.5 mm and the upper end D t1 is about 0.25 mm. In addition, the height of the tip 116 has a lower end (H t ) of 0.2mm and the top (H t1 ) of 0.1mm, the tip spacing (L t ) is preferably formed to be 2.5mm.
또한, 진공 척(100)의 안착 면(111)에 형성된 진공 홀(112)은 정삼각형으로 연속 위치되어 인접하는 거리(L1,L2)가 모두 동일하게 형성됨으로써, 진공의 흡입력이 동일하게 발생되어 웨이퍼(W)의 국부 변형을 방지할 수 있도록 구성된다.In addition, the vacuum holes 112 formed on the seating surface 111 of the vacuum chuck 100 are continuously positioned in an equilateral triangle so that the adjacent distances L1 and L2 are all formed the same, so that the suction force of the vacuum is generated to be equal to the wafer. It is configured to prevent local deformation of (W).
이와 같이 구성된 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention configured as described above is as follows.
도 4내지 도 6을 참조하면, 진공 홀(112)은 정삼각형으로 위치되어 있기 때문에 진공 흡입력이 균일하게 이루어지며, 이로 인하여 웨이퍼(W)의 국부 변형을 방지할 수 있다.4 to 6, since the vacuum hole 112 is positioned in an equilateral triangle, vacuum suction force is uniformly made, thereby preventing local deformation of the wafer W. As shown in FIG.
또한, 팁(116)의 끝단이 2단으로 형성되어 있기 때문에 팁(116)과 웨이퍼(W)의 접촉면적을 최소화시켜 파티클 발생을 줄여 포토 공정에서의 웨이퍼 포커싱의 정밀성을 높일 수 있다.In addition, since the tip 116 is formed in two stages, the contact area between the tip 116 and the wafer W may be minimized to reduce particle generation, thereby increasing the precision of wafer focusing in a photo process.
전술한 바와 같이, 본 발명에서는 진공 홀(112)의 위치를 정삼각형으로 함과 동시에 팁(116)의 끝단 형상을 2단으로 형성시키는 바, 종래와 같이 웨이퍼의 슬립을 해결하기 위하여 진공 척의 직경에 제한을 두던 종래 기술의 한계성을 극복할 수 있는 것이다.As described above, in the present invention, the position of the vacuum hole 112 is formed into an equilateral triangle, and the tip 116 is formed in two stages. It is possible to overcome the limitations of the prior art that put limitations.
종래에는 8인치 웨이퍼의 경우, 진공 척의 직경을 190mm으로 10mm정도의 여유를 두고 있으나, 본 발명에서는 진공 척의 직경을 최대 195.7mm 내지 198mm로 확대하여 4.3mm 내지 2mm정도로 웨이퍼의 직경을 확대하여 웨이퍼의 전체 평탄도를 높일 수 있는 것이다.Conventionally, in the case of an 8-inch wafer, the diameter of the vacuum chuck has a margin of about 10 mm to 190 mm, but in the present invention, the diameter of the wafer is expanded to about 4.3 mm to 2 mm by expanding the diameter of the vacuum chuck to a maximum of 195.7 mm to 198 mm. The overall flatness can be increased.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에서는 웨이퍼와의 접촉면적을 최소화하도록 팁의 끝단이 2단으로 형성되어 파티클 발생을 줄이며, 진공의 흡입력이 균일하여 웨이퍼의 국부 변형을 방지하도록 진공 홀이 정삼각형으로 연속 위치된다.As described above, in the present invention, the tip of the tip is formed in two stages to minimize the contact area with the wafer, thereby reducing particle generation, and the vacuum holes are continuous in an equilateral triangle so as to prevent local deformation of the wafer by uniform vacuum suction force. Is located.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 웨이퍼의 배면을 지지하는 팁의 끝단을 이단구조로 형성하여 팁과 웨이퍼와의 접촉면적을 최소화함으로써 파티클의 발생을 줄이고, 진공 홀을 정삼각형으로 연속 위치시켜 웨이퍼를 균일 압력으로 흡착함으로써 웨이퍼의 평탄도를 높일 수 있는 것이다.As described above, according to the present invention, the tip of the tip supporting the rear surface of the wafer is formed in a two-stage structure, thereby minimizing the generation of particles by minimizing the contact area between the tip and the wafer, and continuously placing the vacuum holes in an equilateral triangle. By adsorbing at a uniform pressure, the flatness of the wafer can be increased.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0007010A KR100462565B1 (en) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | Vacuum Chuck of Semiconductor Manufacturing Equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0007010A KR100462565B1 (en) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | Vacuum Chuck of Semiconductor Manufacturing Equipment |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2020020003980U Division KR200273741Y1 (en) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | Vacuum Chuck of Semiconductor Manufacturing Equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030067141A true KR20030067141A (en) | 2003-08-14 |
| KR100462565B1 KR100462565B1 (en) | 2004-12-23 |
Family
ID=32220861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0007010A KR100462565B1 (en) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | Vacuum Chuck of Semiconductor Manufacturing Equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100462565B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100708217B1 (en) * | 2005-05-24 | 2007-04-16 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for testing substrate |
| KR20190009453A (en) * | 2017-07-18 | 2019-01-29 | 와이엠씨 주식회사 | Vacuum chuck |
| WO2023224255A1 (en) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 뉴브이테크주식회사 | Chuck for wafer and method for manufacturing same |
-
2002
- 2002-02-07 KR KR10-2002-0007010A patent/KR100462565B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100708217B1 (en) * | 2005-05-24 | 2007-04-16 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for testing substrate |
| KR20190009453A (en) * | 2017-07-18 | 2019-01-29 | 와이엠씨 주식회사 | Vacuum chuck |
| WO2023224255A1 (en) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 뉴브이테크주식회사 | Chuck for wafer and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100462565B1 (en) | 2004-12-23 |
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