KR20030063511A - 하이브리드 커패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 높은 정격전압 및 우수한 교류특성을 갖는 전해 커패시터와 높은 에너지밀도 및 고출력특성을 지닌 전기화학적 커패시터의 장점을 동시에 얻을 수 있으며, 고용량이면서 시트형이기 때문에 알루미늄 전해 커패시터의 일부 영역을 대체하면서 응용범위를 대폭적으로 확대할 수 있고, 에폭시몰딩컴파운드(Epoxy Molding Compound)를 사용하여 외장(40)을 하기 때문에 외관치수가 균일하며 물리적, 열적 충격에 강하고, 고체 전해질을 사용함으로써 전해액의 누액을 방지할 수 있어 반영구적으로 수명을 보증할 수 있는 하이브리드 커패시터를 제조하는 방법에 관한 발명이다.
Description
본 발명은 하이브리드 커패시터 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 높은 정격전압 및 우수한 교류특성을 갖는 전해 커패시터와 높은 에너지밀도 및 고출력특성을 지닌 전기화학적 커패시터를 시트형으로 결합시켜 고용량이면서 물리적 및 열적 충격에 강하고 반영구적으로 사용할 수 있는 하이브리드 커패시터 제조방법에 관한 것이다.
지금까지의 상용화된 하이브리드 커패시터는 외형이 원통형이며 높이가 10㎜ 이상의 크기로 된 것이 일반적이었다.
이렇게 치수가 큰 제품은 표면실장(SMT; Surface Mounting Technology)이 요구되는 소형 및 시트형의 전자제품에는 적용이 불가능하고, 이로 인하여 응용범위가 한정되고 시장규모가 점점 작아질 수밖에 없었다. 알루미늄 전해 커패시터가 생존전략을 위해 표면실장이 가능한 CHIP형으로의 변환을 시도하는 것도 같은 맥락이라고 볼 수 있다.
그리고, 통상의 하이브리드 커패시터는 내부 전해질을 황산과 같은 액체를 사용하기 때문에 누액에 따른 커패시턴스의 변화 폭이 크고 수명이 짧아 신뢰성이 급격히 저하되는 단점을 지니고 있으며, 제품의 외장으로 폴리프로필렌(polypropylene) 재료를 사용하기 때문에 열에 약하고 자칫 취급상 부주의로 인하여 외관에 주름이 생기기 쉬워 불량률이 높은 단점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 단점을 극복하기 위하여 기획된 것으로, 그 목적으로 하는 바는 높은 정격전압 및 우수한 교류특성을 갖는 전해 커패시터로 된 애노드와 높은 에너지밀도 및 고출력특성을 지닌 전기화학적 커패시터로 된 캐소드를 시트형으로 결합시켜 고용량이면서 물리적 및 열적 충격에 강하고 전해액의 누액을 방지하여 반영구적으로 사용할 수 있는 하이브리드 커패시터를 제조하는 방법을 제공함에 있다.
도 1a는 본 발명에 따른 하이브리드 커패시터 제조방법에 적용된 애노드(Anode)를 나타내는 설명도.
도 1b는 본 발명에 따른 하이브리드 커패시터 제조방법에 적용된 캐소드(Cathode)를 나타내는 설명도.
도 2a 내지 2c는 본 발명에 따른 하이브리드 커패시터 제조방법을 나타내는 공정도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 애노드 11 : 양극소자
12 : 유전체층 13 : 고체 전해질층
14 : 카본층 15 : 은층
16 : 리드 20 : 캐소드
21 : 음극소자 22 : 비용량층
23 : 카본층 24 : 은층
25 : 리드 30 : 접착제
40 : 외장 100 : 하이브리드 커패시터
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 높은 정격전압 및 우수한 교류특성을 지닌 전해 커패시터(Electrolytic Capacitor)로 된 애노드(Anode)와 높은 에너지밀도 및 고출력을 지닌 전기화학적 커패시터(Electrochemical Capacitor)로 된 캐소드(Cathode)를 접착제를 통하여 시트(sheet)형으로 결합시킨 후 외장 처리하여 전해 커패시터 및 전기화학적 커패시터의 특성을 모두 지닌 하이브리드 커패시터를 제조하는 것을 그 기술적 방법상의 기본 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 하이브리드 커패시터 제조방법의 바람직한 실시예를 도면을 참조하면서 설명하기로 한다.
도 1a는 본 발명에 따른 하이브리드 커패시터 제조방법에 적용된 애노드(Anode; 10)를 나타내는 설명도이고, 도 1b는 본 발명에 따른 하이브리드 커패시터 제조방법에 적용된 캐소드(Cathode; 20)를 나타내는 설명도로서, 높은 정격전압 및 우수한 교류특성을 지닌 전해 커패시터(Electrolytic Capacitor)로 된 애노드(Anode; 10)와 높은 에너지밀도 및 고출력을 지닌 전기화학적 커패시터(Electrochemical Capacitor)로 된 캐소드(Cathode; 20)를 접착제(30)를 통하여 시트(sheet)형으로 결합시킨 후 외장(40) 처리하여 전해 커패시터 및 전기화학적 커패시터의 특성을 모두 지닌 하이브리드 커패시터(100)를 제시하고 있다.
이때, 전해 커패시터로 된 애노드(10)는 다공질의 양극소자(11) 내외부에 양극산화(anodization) 방식을 이용하여 균일한 유전체층(12)을 성장시키고, 이 유전체층(12) 위에 열분해(pyrolysis) 방식으로 고체 전해질층(13)을 형성시키며, 고체 전해질층(13) 위에 카본(carbon)층(14)과 은(silver)층(15)을 순차 도포하므로써 제조된다.
양극소자(11)는 비표면적이 큰 탄탈륨 분말(70KCV/g)을 바인더(binder) 및 아세톤과 혼합하여 소자를 성형하고, 이러한 소자를 10-5torr 이하의 고진공과 1,200∼1,600℃의 고온 분위기에서 소결하여 단단한 다공질의 소자로 제공한 후, 다공질의 소자를 50∼90℃의 인산액(0.1∼1.0wt%H3PO4)에서 양극산화(anodization)하여 제조한다.
양극소자(11)는 탄탈륨(tantalum), 니오븀(niobium), 티타늄(titanium) 및알루미늄(aluminum) 중에서 선택할 수 있다.
고체 전해질(MnO2)층(13)은 유전체층(12)이 성장된 다공질의 양극소자(11)를 10%, 20%, 40%, 60%, 70%의 질산망간액[Mn(NO3)2·xH2O]에 순차적으로 침적시킨 후 200∼300℃의 온도 및 스팀(steam) 분위기에서 열분해(pyrolysis)하여 유전체층(12) 표면에 형성되도록 한다.
그리고, 고체 전해질층(13) 위에 도포된 카본(carbon)층(14)은 비저항이 1㏁㎝ 이상인 일정량의 순수(D.I water)에 평균입경이 0.2㎛이하로 조절된 카본입자를 3:1∼7:1의 중량비로 분산시켜 콜로이드 용액을 제조하고, 이 용액 속에 고체 전해질층(13) 및 유전체층(12)이 형성된 양극소자(11)를 침적하여 제조한다.
카본층(14) 위에 도포된 은층(15)은 400∼900cp의 점성을 갖는 전도성 silver paste에 고체 전해질층(13), 유전체층(12) 및 카본층(14)이 형성된 양극소자(11)를 침적하여 제조한다.
고체 전해질층(13)은 화합물반도체에 해당하는 망간산화물(MnO2), 카드뮴산화물(CdO), 아연산화물(ZnO) 및 주석산화물(SnO2) 중에서 선택할 수 있다.
한편, 전기화학적 커패시터로 된 캐소드(20)는 음극소자(21) 표면에 비용량(specific capacitance)층을 코팅하고, 이 비용량층(22) 위에 카본층(14) 및 은층(15)을 순차 도포하여 제조한다.
음극소자(21) 표면에 코팅된 비용량층(22)은 RuO2·nH2O : PVDF(polyvinylidene fluoride) : SPB(Super P Black) : VGCF(Vapor Growth CarbonFiber) = 81∼87 : 7∼13 : 2∼4 : 2∼4의 중량비로 혼합하여 혼합 슬러리를 제조한 후 진공 분위기에서 용존 기포를 탈포하고, 음극소자(21) 표면에 혼합 슬러리를 도포한 후 90∼100℃의 건조기에서 1∼3 시간동안 건조하고 110℃에서 가열·압착하여 제조한다.
비용량층(22) 위에 도포된 카본층(23)은 비저항이 1㏁㎝ 이상인 일정량의 순수(D.I water)에 평균입경이 0.2㎛이하로 조절된 카본입자를 3:1∼7:1의 중량비로 분산시켜 콜로이드 용액을 제조하고, 이 용액 속에 상기 비용량층(22)이 코팅된 음극소자(21)를 침적하여 제조한다.
카본층(23) 위에 도포된 은층(24)은 400∼900cp의 점성을 갖는 전도성 silver paste에 비용량층(22) 및 카본층(23)이 형성된 음극소자(21)를 침적하여 제조한다.
음극소자(21)는 탄탈륨 foil을 사용할 수 있고, 비용량층(22)은 음극소자(21) 위에 코팅되는 90∼120F/g의 비용량을 갖는 RuO2, 또는 음극소자(21) 위에 코팅되는 활성탄소를 사용할 수 있다.
도 2a 내지 2c는 본 발명에 따른 하이브리드 커패시터 제조방법을 나타내는 공정도로서 전해 커패시터로 된 애노드(10)와 전기화학적 커패시터로 된 캐소드(20)를 은 접착제(30)를 사용하여 상호 결합시킨 후, 에폭시몰딩컴파운드(Epoxy Molding Compound)로서 외장(40)을 한 공정을 보여주고 있다.
더욱 구체적으로 본 발명에 따른 하이브리드 커패시터 제조방법을 설명하면, 양극산화(anodization) 방식을 이용하여 다공질의 양극소자(11) 내외부에 균일한 유전체(Ta2O5)층(12)을 성장시키고 열분해(pyrolysis) 방식으로 유전체층(12) 위에 고체 전해질(MnO2)층(13)을 형성하여 전해 커패시터(electrolytic capacitor) 구조로 된 애노드(10)를 제공한다.
양극소자(11)로는 탄탈륨(tantalum)이외에도 니오븀(niobium), 티타늄(titanium) 및 알루미늄(aluminum)등이 사용될 수 있고, 고체 전해질로써는 화합물반도체에 해당하는 망간산화물(MnO2), 카드뮴산화물(CdO), 아연산화물(ZnO), 주석산화물(SnO2, ITO) 등이 적용될 수 있다.
한편, 탄탈륨 foil로 된 음극소자(21) 표면에는 100F/g의 매우 큰 비용량(specific capacitance)을 갖는 RuO2를 코팅하여 전기화학적 커패시터 구조로 된 캐소드(20)를 제공한다. 이때, 코팅물질에는 RuO2이외에도 비용량이 큰 활성탄소 등이 적용될 수 있다.
위와 같은 방식으로 만들어진 전해 커패시터로 된 애노드(10) 및 전기화학적 커패시터로 된 캐소드(20) 각각에 카본층(14, 23)과 은층(15, 24)을 도포하고, 애노드(10) 및 캐소드(20) 사이에 은 접착제(silver adhesive; 30)를 넣어 접합시켜 고용량의 탄탈륨 하이브리드 커패시터(100)를 제조할 수 있게 된다.
바람직하게, 본 발명은 전해 커패시터의 장점인 높은 정격전압(working voltage)과 우수한 교류특성 그리고 저가인 점을 활용하고, 전기화학적 커패시터의장점인 높은 에너지밀도 및 고출력을 동시에 지닌 탄탈륨 하이브리드 커패시터(100)를 제조하는 것이다.
더불어, 표면실장이 가능하고 소형이며 시트형 전자제품에 적합하도록 높이를 5mm이하로 제한한 시트형 탄탈륨 하이브리드 커패시터(100)를 제공하고, 외장(40)을 에폭시몰딩컴파운드(Epoxy Molding Compound)를 사용하여 물리적, 열적 충격에 강하고 외관치수가 균일한 탄탈륨 하이브리드 커패시터(100)를 제조한다.
그리고, 고체 전해질을 사용함으로써 전해액 누액현상을 제거하고 반영구적인 수명과 고신뢰성을 지닌 탄탈륨 하이브리드 커패시터(100)를 제조하기 위함이다.
바람직한 실시예로서, 본 발명은 아래 표 1과 같은 조건을 통해 전해 커패시터(electrolytic capacitor)로 된 애노드(10)의 역할을 하는 양극소자(11)를 제조한다.
| 양극소자 재료 | 양극소자 크기(W×H×T) | 중량 | Anodization Voltage | 출현용량 |
| 탄탈륨분말 70KCV | 23.5㎜×30㎜×1.8㎜ | 7.7g | 12V | 39.8mF |
비교적 비표면적이 큰 탄탈륨 분말(70KCV/g)을 바인더(binder) 및 아세톤과 혼합한 후 표 1의 조건으로 소자를 성형한다. 이렇게 성형한 소자는 10-5torr 이하의 고진공과 1,200∼1,600℃의 고온 분위기에서 소결하여 단단한 다공질의 형태로 만들고, 이 다공질의 소자는 50∼90℃의 인산액(0.1∼1.0wt%H3PO4)에서 해당전압으로 양극산화(anodization)하여 소자표면에 균일한 유전체(Ta2O5)층을 성장시킨다. 일반적으로 anodization voltage는 커패시터의 누설전류 특성을 고려하여 정격전압의 3∼4배가 되도록 소자를 설계한다. 유전체층(12)이 성장된 양극소자(11)는 10%, 20%, 40%, 60%, 70%의 질산망간액[Mn(NO3)2·xH2O]에 순차적으로 침적하고 일정온도(200∼300℃)와 스팀(steam) 분위기에서 열분해(pyrolysis)하여 유전체층(12) 표면에 고체 전해질(MnO2)층(13)이 형성되도록 한다.
다음으로, 비저항이 1㏁㎝이상인 일정량의 순수(D.I water)에 평균입경이 0.2㎛이하로 조절된 카본입자를 3:1∼7:1의 중량비로 분산시켜 콜로이드 용액을 제조하고, 여기에 양극소자(11)를 침적하여 고체 전해질층(13) 위에 카본층(14)이 형성되도록 하고, 400∼900cp의 점성을 갖는 전도성 silver paste에 소자를 침적시켜 silver층(15)을 형성한다.
카본층(14)과 silver층(15)을 형성시키는 이유는 접촉저항을 줄이기 위함이다.
그 후, 리드(16)를 용접하여 단자를 형성시킨다.
| 음극소자 재료 | 음극소자 크기(W×H×T) | 코팅재료 | RuO2의 비용량 | 단면용량 |
| 탄탈륨 Foil | 23.5mm×30mm×0.05mm | RuO2 | 100F/g | 140mF |
음극소자(21)는 표 2에 나타낸 바와 같이 0.05mm 두께의 탄탈륨 foil을 사용하고, 탄탈륨 foil 표면에 비용량(specific capacitance)이 큰 RuO2코팅액을 해당용량이 출현될 수 있도록 일정 두께로 도포하여 전기화학적 커패시터로 된 캐소드(20)를 제조한다.
더욱 구체적으로, 결합제로 PVDF(polyvinylidene fluoride)을, 도전재는 VGCF(Vapor Growth Carbon Fiber)와 SPB(Super P Black)을 사용한다. 재료의 혼합비는 중량비로 RuO2·nH2O : PVDF : SPB : VGCF = 81∼87 : 7∼13 : 2∼4 : 2∼4로 하며, 혼합 후 진공 분위기에서 혼합 슬러리에 있는 용존 기포를 탈포한다. 그런 다음 혼합 슬러리를 해당두께로 도포하고 100℃의 건조기에서 2시간동안 건조한 후 표 2의 크기보다는 2㎜씩 크게 하여, 즉 25.5mm×32mm로 제단한다. 그리고 110℃에서 가열·압착하여 RuO2전극을 제작한다.
다음으로, 전해 커패시터로 애노드(10)를 제조하는 방식과 동일하게 카본층(23)과 silver층(24)을 형성하고 표 2에 표기된 크기로 절단한다. 그리고 전극의 끝 부분에 리드(25)를 용접하여 단자를 형성시킨다.
위와 같이 제조된 탄탈륨 전해 커패시터로 된 애노드(10)와 전기화학적 커패시터로 된 캐소드(20) 중간에 도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이 은 접착제(30)를 도포하고 열처리(140∼170℃)하여 단단하게 결합한다. 이렇게 해서 형성된 탄탈륨 하이브리드 커패시터(100)는 EMC 외장, 마킹, 내압 및 에이징, 특성 및 외관검사를 통하여 신뢰성을 갖춘 완제품으로 제조할 수 있게 된다. 완제품의 외관 크기는 제품의 용도와 용량에 따라 크기변화가 가능하며, 본 발명의 실시예에서의 제품은 26.5mm(가로)×33mm(세로)×3.0mm(높이)을 기준으로 하였다.
본 발명에 따른 하이브리드 커패시터(100)의 합성용량은 아래의 수학식 1과 같다.
여기서, Ct는 전체 합성용량(total capacitance), Ca는 양극 용량(anode capacitance), Cc는 음극 용량(cathode capacitance)을 의미한다.
이상에서와 같은 본 발명에 따른 하이브리드 커패시터 제조방법은 첨부된 도면 및 구체적인 실시예와 관련하여 설명되었지만, 본 발명은 구체적인 실시예의 구성 또는 첨부된 도면에 의하여 특별히 제한되는 것은 아니며 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 변형과 수정이 가능하고, 이러한 변형 및 수정은 특허청구범위에 의하여 해석된다.
상술한 바와 같은 방법에 의하여 얻어지는 본 발명에 따른 하이브리드 커패시터는 높은 정격전압 및 우수한 교류특성을 갖는 전해 커패시터와 높은 에너지밀도 및 고출력특성을 지닌 전기화학적 커패시터의 장점을 동시에 얻을 수 있다.
그리고, 고용량이면서 시트형이기 때문에 알루미늄 전해 커패시터의 일부 영역을 대체하면서 응용범위를 대폭적으로 확대할 수 있다.
또한, 본 발명은 에폭시몰딩컴파운드(Epoxy Molding Compound)를 사용하여외장(40)을 하기 때문에 외관치수가 균일하며 물리적, 열적 충격에 강하고, 고체 전해질을 사용함으로써 전해액의 누액을 방지할 수 있어 반영구적으로 수명을 보증할 수 있으며, 내부조립 상태가 안정하기 때문에 고특성의 커패시터를 제조할 수 있다.
더불어, 본 발명에 따른 하이브리드 커패시터(100)는 양극산화방식(anodization)에 의해 유전체층(12)을 성장시키기 때문에 2.5V에서 50V까지 정격전압(working voltage)을 다양하게 제조할 수 있고, 외관의 높이를 5mm이하의 시트형으로 만들 수 있다.
Claims (17)
- 높은 정격전압 및 우수한 교류특성을 지닌 전해 커패시터(Electrolytic Capacitor)로 된 애노드(Anode; 10)와 높은 에너지밀도 및 고출력을 지닌 전기화학적 커패시터(Electrochemical Capacitor)로 된 캐소드(Cathode; 20)를 접착제(30)를 통하여 시트(sheet)형으로 결합시킨 후 외장(40) 처리하여 전해 커패시터 및 전기화학적 커패시터의 특성을 모두 지닌 하이브리드 커패시터(100)를 제조하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 전해 커패시터로 된 애노드(10)는다공질의 양극소자(11) 내외부에 양극산화(anodization) 방식을 이용하여 균일한 유전체층(12)을 성장시키고,상기 유전체층(12) 위에 열분해(pyrolysis) 방식으로 고체 전해질층(13)을 형성시키며,상기 고체 전해질층(13) 위에 카본(carbon)층(14)과 은(silver)층(15)을 순차 도포하여 제조되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 양극소자(11)는비표면적이 큰 탄탈륨 분말(70KCV/g)을 바인더(binder) 및 아세톤과 혼합하여 소자를 성형하고,상기 소자를 10-5torr 이하의 고진공과 1,200∼1,600℃의 고온 분위기에서 소결하여 단단한 다공질의 소자를 제공하고,상기 다공질의 소자를 50∼90℃의 인산액(0.1∼1.0wt%H3PO4)에서 양극산화(anodization)하여 제조되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 양극소자(11)는 탄탈륨(tantalum), 니오븀(niobium), 티타늄(titanium) 및 알루미늄(aluminum) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 고체 전해질층(13)을 형성하는 단계는상기 유전체층(12)이 성장된 다공질의 양극소자(11)를 10%, 20%, 40%, 60%, 70%의 질산망간액[Mn(NO3)2·xH2O]에 순차적으로 침적시킨 후 200∼300℃의 온도 및 스팀(steam) 분위기에서 열분해(pyrolysis)하여 상기 유전체층(12) 표면에 고체 전해질(MnO2)층이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 고체 전해질층(13) 위에 카본층(14)을 도포하는 단계는비저항이 1㏁㎝ 이상인 일정량의 순수(D.I water)에 평균입경이 0.2㎛이하로 조절된 카본입자를 3:1∼7:1의 중량비로 분산시켜 콜로이드 용액을 제조하고, 이 용액 속에 상기 고체 전해질층(13) 및 유전체층(12)이 형성된 양극소자(11)를 침적하여 제조하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 카본층(14) 위에 은층(15)을 도포하는 단계는400∼900cp의 점성을 갖는 전도성 silver paste에 상기 고체 전해질층(13), 유전체층(12) 및 카본층(14)이 형성된 양극소자(11)를 침적하여 제조하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 고체 전해질층(13)은 화합물반도체에 해당하는 망간산화물(MnO2), 카드뮴산화물(CdO), 아연산화물(ZnO) 및 주석산화물(SnO2) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 전기화학적 커패시터로 된 캐소드(20)는음극소자(21) 표면에 비용량(specific capacitance)층(22)을 코팅하고,상기 비용량층(22) 위에 카본층(23) 및 은층(24)을 순차 도포하여 제조되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 음극소자(21) 표면에 비용량층(22)을 코팅하는 단계는RuO2·nH2O : PVDF(polyvinylidene fluoride) : SPB(Super P Black) : VGCF(Vapor Growth Carbon Fiber) = 81∼87 : 7∼13 : 2∼4 : 2∼4의 중량비료 혼합하여 혼합 슬러리를 제조한 후 진공 분위기에서 용존 기포를 탈포하고,상기 음극소자(21) 표면에 상기 혼합 슬러리를 도포하고 90∼100℃의 건조기에서 1∼3 시간동안 건조한 후 110℃에서 가열·압착하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 비용량층(22) 위에 카본층(23)을 도포하는 단계는비저항이 1㏁㎝ 이상인 일정량의 순수(D.I water)에 평균입경이 0.2㎛이하로 조절된 카본입자를 3:1∼7:1의 중량비로 분산시켜 콜로이드 용액을 제조하고, 이용액 속에 상기 비용량층(22)이 코팅된 음극소자(21)를 침적하여 제조하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 카본층(23) 위에 은층(24)을 도포하는 단계는 400∼900cp의 점성을 갖는 전도성 silver paste에 상기 비용량층(22) 및 카본층(23)이 형성된 음극소자(21)를 침적하여 제조하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 음극소자(21)는 탄탈륨 foil인 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 비용량층(22)은 상기 음극소자(21) 위에 코팅되는 90∼120F/g의 비용량을 갖는 RuO2인 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 비용량층(22)은 상기 음극소자(21) 위에 코팅되는 활성탄소인 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 접착제(30)는 은 접착제(silver adhesive; 30)인 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 외장(40)은 에폭시몰딩컴파운드(Epoxy Molding Compound)인 것을 특징으로 하는 하이브리드 커패시터 제조방법.
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| KR20030063512A (ko) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | 주식회사 기노리텍 | 하이브리드 커패시터 제조방법 |
| KR100465022B1 (ko) * | 2002-08-28 | 2005-01-13 | (주)에스와이하이테크 | 고출력 커패시터와 그 제조방법 |
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