KR20030054770A - Sputter of manufacturing Liquid Crystal Display device - Google Patents
Sputter of manufacturing Liquid Crystal Display device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030054770A KR20030054770A KR1020010085179A KR20010085179A KR20030054770A KR 20030054770 A KR20030054770 A KR 20030054770A KR 1020010085179 A KR1020010085179 A KR 1020010085179A KR 20010085179 A KR20010085179 A KR 20010085179A KR 20030054770 A KR20030054770 A KR 20030054770A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- variable
- sputter
- clamp
- liquid crystal
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 131
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 26
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 24
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 액정표시소자의 제조장치에 관한 것으로서, 특히 스퍼터(sputter) 내에서 안전하게 기판을 받치는 서셉터와 상기 기판을 지지 및 정렬시키는 클램프에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly, to a susceptor holding a substrate safely in a sputter and a clamp for supporting and aligning the substrate.
일반적으로 액정표시장치 제조 공정에 사용되는 스퍼터(sputter)는 유리 기판 상에 금속 박막을 증착시키는 장치로서, 진공 속의 2개의 전극에 직류전압을 가하고, 아르곤(Ar)가스 등을 주입하면, 아르곤이 이온화되면서 음극으로 가속되어 충돌에 의해 음극에 준비된 금속 타깃의 원자가 방출되고, 이때 방출된 원자가 양극에 있는 유리 기판 면에 부착되는 원리를 이용한 것이다.In general, a sputter used in a liquid crystal display manufacturing process is a device for depositing a metal thin film on a glass substrate. When a DC voltage is applied to two electrodes in a vacuum and argon (Ar) gas is injected, The ionization accelerates to the cathode and releases atoms of the metal target prepared on the cathode by collision, and at this time, the released atoms are attached to the surface of the glass substrate on the anode.
도 1은 액정표시장치 제조용 스퍼터의 개략적 계통도이다.1 is a schematic system diagram of a sputter for manufacturing a liquid crystal display device.
액정표시소자 제조용 스퍼터는 기판의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)이 이루어지는 로드부(L1)(L6)와, 상기 로드부(L1)(L6)에 연결되어 기판을 이동시키는 이송부(T0)와, 상기 이송부(T0)를 통하여 이동된 기판의 예비가열을 수행하는 예열부와(H2), 상기 예열부에서 예비 가열된 기판 상에 증착이 이루어지는 증착부(S3)(S4)(S5)로 구성된다.The sputter for manufacturing a liquid crystal display device includes a rod part L1 and L6 for loading and unloading a substrate, and a transfer part T0 connected to the rod part L1 and L6 to move the substrate. And a preheating unit (H2) for performing preheating of the substrate moved through the transfer unit (T0), and a deposition unit (S3) (S4) (S5) in which deposition is performed on the substrate preheated by the preheating unit. It is composed.
상기 로드부(L1)(L6)는 로드 락 쳄버(load lock chamber)라고 부르기도 하는데, 일정한 크기의 기판을 놓을 수 있는 테이블을 구비하고 있다. 따라서 상기 기판의 로딩(loading)이 이루어지는 곳으로서 상기 로드부(특히 L1)는 대기압으로부터 고진공(High vacuum ;10-5Torr)으로 만들어 대기압 상태에서 초고진공(ultra high vacuum ;10-7Torr) 상태를 만들기 위해 완충 역할을 하는 곳이다. 반대로, 기판의 언로딩(unloading)이 이루어지는 상기 로드부(특히 L2)는 모든 증착공정이 끝난 고온 상태의 기판을 냉각시키며, 고진공의 상태로부터 대기압 상태로 만들기 위한 곳이기도 하다.The rod parts L1 and L6 are also called load lock chambers, and have a table on which a substrate having a predetermined size can be placed. Thus loading (loading) a rod (in particular L1) as the area formed of the high vacuum from the atmospheric pressure of the substrate, made of ultra-high-vacuum conditions at atmospheric pressure (High vacuum 10 -5 Torr) ( ultra high vacuum; 10 -7 Torr) state This is where it acts as a buffer to make. On the contrary, the rod part (especially L2) in which the substrate is unloaded is used to cool the substrate in the high temperature state after all the deposition processes are completed, and is also a place for bringing the high vacuum state to the atmospheric pressure state.
또한, 상기 이송부(T0)는 이송 챔버(transfer chamber)라고 일컫는 데, 상기 이송 챔버에 의해 초고진공 상태를 유지하며, 내부에 로봇(robot) 주축 및 감지기 등을 구비하고, 또한 상기 로봇의 주축을 중심으로 하는 로봇 암(도시하지 않음) 의해 상기 로드부(L1)(L6), 상기 예열부(H2)와 상기 증착부(S3)(S4)(S5)에 대하여 항상 반 시계 방향으로 회전되면서 기판의 이동을 담당한다.In addition, the transfer unit T0 is called a transfer chamber, and maintains an ultra-high vacuum state by the transfer chamber, and includes a robot spindle and a sensor therein, and further includes a main shaft of the robot. The substrate is rotated counterclockwise at all times with respect to the rod parts L1 and L6, the preheater H2, and the deposition units S3, S4, and S5 by a robot arm (not shown). Is in charge of the movement.
그리고, 상기 예열부(H2)는 상기 증착부(S3)(S4)(S5)에서 공정이 이루어지기 전에 기판을 공정온도까지 예비 가열(pre-heating)하는 곳으로 히터 챔버(heater chamber)라고 일컫는다.In addition, the preheater H2 is a heater chamber where the substrate is pre-heated to a process temperature before the process is performed in the deposition units S3, S4, and S5. .
마지막으로, 상기 증착부(S3)(S4)(S5)는 실제 증착 공정이 이루어지는 곳으로서 증착 챔버(deposition chamber) 또는 스퍼터링 챔버(sputtering chamber)라고 하며, 증착 물질인 Al, Mo, Cr과 같은 타깃(Target)의 종류에 따라 각각 별도의 상기 스퍼터링 챔버를 갖는다.Lastly, the deposition units S3, S4, and S5, which are actual deposition processes, are called deposition chambers or sputtering chambers, and targets such as Al, Mo, and Cr are deposition materials. Each of the target sputtering chambers has a separate sputtering chamber.
이와 같은 액정표시장치 제조용 스퍼터 내에서의 기판 상에 금속 증착공정을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the metal deposition process on the substrate in the sputter for manufacturing a liquid crystal display device as follows.
먼저, 금속 증착을 하기 위한 기판은 로드부(L1)로 투입되어 고진공 상태에서 초고진공 상태의 상기 이송부(T/C)로 이동된다. 또한, 상기 기판은 상기 이송부에서 상기 예열부(H)로 이동되어 예열을 받은 후 다시 상기 이송부를 통하여 이동되며, 상기 예열부(H)에서 예열된 기판을 상기 증착부 즉, 스프터링 챔버에서 금속 증착이 이루어지고, 다시 상기 이송부를 거쳐 상기 로드부(L2)에서 상기 기판을 언로딩(Unloading)할 수 있다. 따라서, 일정한 크기의 기판을 이용하여 상기 스퍼터 내에서 금속 증착할 수 있다.First, the substrate for metal deposition is put into the rod portion (L1) is moved from the high vacuum state to the transfer unit (T / C) of the ultra-high vacuum state. In addition, the substrate is moved from the transfer part to the preheating part (H) after receiving a preheat and then moved again through the transfer part, and the substrate preheated in the preheating part (H) in the deposition part, that is, the metal in the sputtering chamber Deposition is performed, and the substrate may be unloaded from the rod part L2 via the transfer part. Therefore, the metal can be deposited in the sputter using a substrate having a constant size.
여기서 특히, 이와 같은 금속 증착 공정 중에 작은 변수에도 가장 큰 영향을 받는 곳이 실제로 금속 박막이 증착되는 스퍼터링 챔버로서, 이와 같은 상기 스퍼터링 챔버에 대하여 자세히 살펴보도록 하자.In particular, the sputtering chamber in which the metal thin film is actually deposited is most affected by the small variables during the metal deposition process. Let's examine the sputtering chamber in detail.
도 2는 액정표시장치 제조용 스퍼터링 챔버의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a sputtering chamber for manufacturing a liquid crystal display device.
도 2에 도시된 바와 같이, 스퍼터링 챔버(1) 내에 고전압을 인가하여 자기장을 유도시켜 대전된 2차 전자를 유도하기 위한 볼 샤프트(2)(ball shaft)가 있고, 상기 전자와 충돌을 일으켜 증착 물질을 만드는 타깃(3)(target)이 있고, 상기 타깃(3)의 온도를 제어하고 상기 타깃을 지지하는 백킹 플래이트(4)(backing plate)가 있고, 증착 공정 시 상기 타깃(3)과의 간격을 조율하는 플래튼(平盤)(5)(platen)이 있고, 상기 플래튼 상에 서셉터(6)(susceptor)가 있다.이와 같이 구성된 상기 스퍼터링 내에서의 금속 박막 증착 공정은 다음과 같다.As shown in FIG. 2, there is a ball shaft 2 for inducing a magnetic field by applying a high voltage in the sputtering chamber 1 to induce charged secondary electrons, and collide with the electrons to deposit them. There is a target (3) for making a material, there is a backing plate (4) (backing plate) for controlling the temperature of the target (3) and supporting the target, and with the target (3) during the deposition process There is a platen 5 to adjust the spacing, and there is a susceptor 6 on the platen. The process of depositing a metal thin film in the sputtering thus configured is as follows. same.
먼저, 상기 플래튼(5)은 기판(도시하지 않음)의 증착 공정이 이루어지기 전에 상기 타깃에 가깝도록 축을 중심으로 하여 도 2에 도시된 화살표 방향으로 거의 수직에 가깝게 세워진다. 그후, 진공 속의 2개의 전극에 일정 이상의 직류전압을 가한 상태에서 아르곤(Ar)가스 등을 주입하면, 아르곤이 이온화되면서 음극으로 가속되어 충돌에 의해 음극에 준비된 금속 타깃(3)의 원자가 방출되고, 이때 방출된 원자가 양극에 있는 유리 기판 면에 부착된다. 여기서, 상기 유리 기판을 고정시키는 플래튼에 대하여 살펴보자.First, the platen 5 is erected almost vertically in the direction of the arrow shown in FIG. 2 about its axis so as to be close to the target before the deposition process of the substrate (not shown) is performed. Then, when argon (Ar) gas or the like is injected in a state in which two or more DC voltages are applied in a vacuum, argon is ionized, accelerated to the cathode, and atoms of the metal target 3 prepared in the cathode are released by collision. The released atoms are then attached to the surface of the glass substrate at the anode. Here, let's look at the platen for fixing the glass substrate.
도 3은 도 2의 플래튼 평면도이다.3 is a top view of the platen of FIG. 2.
도 3에 도시된 바와 같이, 플래튼(5) 상에는 기판의 클램핑 장치로서, 상기 기판을 지지하기 위한 서셉터(6)가 있고, 상기 서셉터(6) 상에 증착을 위한 기판(7)이 있고, 상기 기판을 상기 서셉터(6)에 고정시키기 위해 상기 기판의 상ㆍ하부에 각각 쌍으로 위치한 상부 클램프(8a)(upper clamp)와 하부 클램프(8b)(lower clamp) 및 상기 상부 클램프(8a)와 상기 하부 클램프(8b)를 움직일 수 있도록 된 공간의 클램프 홀(8)이 있다. 또한, 증착이 이루어질 때 상기 기판을 받치기 위한 멈춤 핀(9)(stopper pin)이 있다.As shown in FIG. 3, on the platen 5 there is a susceptor 6 for supporting the substrate, and a substrate 7 for deposition on the susceptor 6. And an upper clamp 8a, a lower clamp 8b, and an upper clamp 8, which are located in pairs on the upper and lower portions of the substrate to fix the substrate to the susceptor 6, respectively. There is a clamp hole 8 in the space that is allowed to move 8a) and the lower clamp 8b. There is also a stopper pin 9 for supporting the substrate when deposition is made.
상기 플래튼(5)의 구동을 살펴보면, 먼저, 이송부(T0)로부터 공급된 기판은 스퍼터링 챔버의 상기 서셉터(6) 상에 놓인다. 그리고, 상기 하부 클램프(8b)는 상기 기판(7)을 약간 밀어 올리면서 상기 기판(7)을 죈다. 동시에, 상기 상부 클램프(8a)는 상기 기판(7)을 저지하면서 죈다.Looking at the driving of the platen 5, first, the substrate supplied from the transfer section T0 is placed on the susceptor 6 of the sputtering chamber. Then, the lower clamp 8b squeezes the substrate 7 while slightly pushing up the substrate 7. At the same time, the upper clamp 8a was closed while blocking the substrate 7.
따라서, 상기 상부 및 하부 클램프(8a)(8b)에 의해 상기 기판(7)이 정렬(alignment) 및 압착이 이루어지고, 상기 플래튼(5)은 금속의 증착을 위해 축을 중심으로 기립하게 된다.Accordingly, the substrate 7 is aligned and pressed by the upper and lower clamps 8a and 8b, and the platen 5 stands up about an axis for the deposition of metal.
또한, 금속의 증착을 위해 상기 플래튼(5)이 수직으로 기립하면 상기 하부 클램프(8b)는 상기 기판을 받치고 압착하는 역할을 수행한다. 이때, 기판(7) 무게의 대부분은 상기 하부 클램프(8b)에서 담당하지만 기판의 하중이 많이 걸릴 때에는 서셉터(6) 상에 고정된 멈춤 핀(9)이 상기 기판이 아래로 처지는 것을 저지시킨다.In addition, when the platen 5 stands vertically for the deposition of metal, the lower clamp 8b serves to support and compress the substrate. At this time, most of the weight of the substrate 7 is handled by the lower clamp 8b, but the stop pin 9 fixed on the susceptor 6 prevents the substrate from sagging downward when the substrate is heavily loaded. .
이와 같이 구성된 종래 기술에 따른 상부 클램프(8a) 및 하부클램프(8b)의 동작을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the upper clamp 8a and the lower clamp 8b according to the prior art configured as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4a는 상부 클램프의 구조도이고, 도 4b는 하부 클램프의 구조도이다.Figure 4a is a structural diagram of the upper clamp, Figure 4b is a structural diagram of the lower clamp.
도 4a에 도시된 바와 같이, 상부 클램프(8a)는 기판(7)에 밀착 및 클램핑 시키기 위해 "??"자 모양을 하고 하나의 턱(10)과 하나의 플랜지(12)(flange)를 가지고 있다.As shown in FIG. 4A, the upper clamp 8a has a “??” shape and has one jaw 10 and one flange 12 to tightly and clamp the substrate 7. have.
또한, 도 4b에 도시된 바와 같이, 하부 클램프(8b)는 기판(7)을 밀착하여 클램핑 하고 상기 기판(7)의 정렬(alignment)하기 위한 첫째 턱(10)과, 상기 기판을 정렬시키기 위해 둘째 턱(11)과 플랜지(12)(flange)를 구비하여 "??"자 모양을 하고 있다.In addition, as shown in FIG. 4B, the lower clamp 8b has a first jaw 10 for tightly clamping the substrate 7 and aligning the substrate 7, and for aligning the substrate. Second jaw 11 and the flange 12 (flange) is provided with a "??" shape.
따라서, 이와 같은 모양을 갖는 상기 상부 클램프(8a)와 하부 클램프(8b)를 이용하여 기판(7)의 위와 아래를 밀착하며 지지하게 된다. 즉, 상기 하부클램프(8b)에 의해 정렬(alignment)되는 기판에 대하여 상세히 살펴보면 다음과 같다.Therefore, the upper clamp 8a and the lower clamp 8b having such a shape are held in close contact with the top and bottom of the substrate 7. That is, the substrate aligned with the lower clamp 8b will be described in detail as follows.
도 5는 도 3에서 Ⅰ∼Ⅰ'의 사시단면도이다.FIG. 5 is a perspective cross-sectional view of II 'in FIG. 3. FIG.
도 5에 도시된 바와 같이, 기판을 지지하기 위해 서셉터(6)가 있고, 상기 서셉터(6) 상에 올려진 기판(7)이 있고, 상기 기판(7)을 정렬(alignment)하는 하부 클램프(8b)가 있다. 여기서, 상기 서셉터(6) 상에 기판을 받치기 위한 멈춤 핀(9)(stopper pin)을 투시하였다.As shown in FIG. 5, there is a susceptor 6 for supporting a substrate, a substrate 7 mounted on the susceptor 6, and a lower portion for aligning the substrate 7. There is a clamp 8b. Here, a stopper pin 9 for supporting the substrate on the susceptor 6 was projected.
상기 기판(7)이 서셉터(6) 상에 놓이면 상기 하부 클램프(8b)가 안쪽으로 조이면서 상기 기판을 정렬(Alignment)시킨다. 따라서, 상기 하부 클램프(8b)가 상기 기판(7)을 죄게되면 상기 기판(7)은 상기 하부 클램프(8b)에 의해 도면상 좌측으로 약 2mm 정도 이동하면서 상기 하부 클램프(8b)의 첫째 턱(10)에 안착된다. 또한, 상기 하부 클램프의 둘째 턱(11)은 상기 첫째 턱(10)에 의한 상기 기판(7)의 정렬과 동시에 상기 서셉터(6)에 자리를 잡는다.When the substrate 7 is placed on the susceptor 6, the lower clamp 8b is tightened inward to align the substrate. Therefore, when the lower clamp 8b clamps the substrate 7, the substrate 7 is moved by about 2 mm to the left in the drawing by the lower clamp 8b, and thus the first jaw of the lower clamp 8b ( 10) is seated. In addition, the second jaw 11 of the lower clamp is positioned in the susceptor 6 simultaneously with the alignment of the substrate 7 by the first jaw 10.
그러나, 다양한 기판을 이용한 금속 박막의 증착 공정에서 이와 같은 상기 상부 클램프(8a)와 상기 하부 클램프(8b)를 이용하여 상기 기판을 죌 때 다음과 같은 문제점이 발생한다.However, the following problem occurs when the substrate is removed by using the upper clamp 8a and the lower clamp 8b in the deposition process of the metal thin film using various substrates.
먼저, 상기 상부 클램프(8a)와 상기 하부 클램프(8b)는 균일한 크기의 기판을 죌 때만 사용 가능할 뿐 기존에 사용되지 않았던 작은 크기의 기판을 로딩할 경우, 상기 기판이 오정렬(misalignment)된다. 또한, 상기 기판이 기존 공정의 기판보다 클 경우, 상기 기판(7)이 상기 하부 클램프(8b)의 둘째 턱(11)에 걸리게 되어상기 기판(7)이 깨어지거나 부분파손 되는 문제가 발생한다.First, the upper clamp 8a and the lower clamp 8b can be used only when a substrate of uniform size is loaded, and when the substrate of a small size that has not been used is loaded, the substrate is misaligned. In addition, when the substrate is larger than the substrate of the existing process, the substrate 7 is caught by the second jaw 11 of the lower clamp 8b, causing the substrate 7 to be broken or partially broken.
한편, 이와 같이 기존의 공정에 따른 기판의 크기가 달라질 경우, 상기 로드부(L1,L6)에서도 다음과 같은 문제점이 발생한다.On the other hand, if the size of the substrate according to the existing process in this way, the following problems occur in the rods (L1, L6).
도 6a는 로드부 내의 스테이지의 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 Ⅱ∼Ⅱ'의 단면도이다.FIG. 6A is a plan view of a stage in the rod portion, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 6A.
도 6a에 도시된 바와 같이, 따른 로드부의 스테이지(13)(stage)는 기판(7)의 크기에 대응하는 평판(14)이 있고, 상기 기판(7)이 상기 평판(14)과 닫는 면적을 줄이기 위해 넓은 평판(14)의 가장자리 모서리 부분에서 상기 기판(7)을 받치는 코너 블록(15)(coner block)이 있고, 세로축 상기 코너 블록(15) 사이에서 상기 기판(7)을 받치기 위한 사이드 블록(16)(side block)이 있고, 상기 기판(7)의 중심부분을 받치기 위해 스포터(17)(supporter)로 구성되어 있다. 즉, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 기판(7)은 상기 코너 블록(15), 사이드 블록(16) 및 상기 스포터(17)에 의하여 지지 및 받혀진다.As shown in FIG. 6A, the stage 13 of the rod portion has a flat plate 14 corresponding to the size of the substrate 7, and the substrate 7 closes to the flat plate 14. There is a corner block 15 (coner block) that supports the substrate 7 at the edge edge portion of the wide plate 14 to reduce, the side for supporting the substrate 7 between the vertical block and the corner block 15 There is a block (side block), and is composed of a spotter 17 (supporter) to support the central portion of the substrate (7). That is, as shown in FIG. 6B, the substrate 7 is supported and supported by the corner block 15, the side block 16 and the spotter 17.
이때, 상기 스테이지(13)는 카셋트 형태로 여러 장의 기판을 넣을 수 있도록 복수개의 스테이지로 구성되어 있다.At this time, the stage 13 is composed of a plurality of stages to accommodate a plurality of substrates in the form of a cassette.
따라서, 종래 기술에 따른 로드부(L1, L6)의 스테이지(13)는 이와 같은 구조로 형성되어 있기 때문에 다양한 크기의 기판(7)이 로딩될 수가 없다. 먼저, 기판(7)의 크기가 작을 경우, 상기 코너 블록(15) 및 사이드 블록(16)에 의하여 지지 및 받쳐질 수가 없어 다음 단계로의 이동이 불가능하다. 또한, 기판(7)의 크기가 클 경우 상기 스테이지뿐만 아니라 상기 코너 블록(15) 및 사이드 블록(16)을연결하는 클립에 의하여 기판이 손상을 입게 된다.Therefore, since the stage 13 of the rod parts L1 and L6 according to the prior art is formed in such a structure, the substrate 7 of various sizes cannot be loaded. First, when the size of the substrate 7 is small, it cannot be supported and supported by the corner block 15 and the side block 16, so that movement to the next step is impossible. In addition, when the size of the substrate 7 is large, the substrate is damaged by a clip connecting the corner block 15 and the side block 16 as well as the stage.
이상에서 설명한 바와 같이, 크기가 다양한 기판을 사용하여 금속 증착공정을 진행 할 경우 종래 기술에 따른 스퍼터는 다음과 같은 문제점이 있었다.As described above, the sputtering according to the prior art when the metal deposition process using a substrate having a variety of sizes had the following problems.
첫째, 기판과 서셉터가 정확히 맞게 설계되어 있기 때문에 크기가 다양한 기판을 이용할 경우 종래 기술에 따른 스퍼터의 클램프가 유동적이지 못하여 기판의 손상 및 오정렬에 따른 금속 증착 불량이 나올 수 있다. 또한, 상기 기판의 두께가 달라질 경우 약간의 응력(tension), 오정렬(misalignment), 차이(gap)의 발생으로 인하여 상기 기판이 상기 클램프에 걸리게 되어 상기 기판이 깨어지거나 부분 파손되는 문제가 있다.First, since the substrate and the susceptor are designed to be precisely matched, when a substrate having a variety of sizes is used, the clamp of the sputter according to the prior art may not be fluid, resulting in a poor metal deposition due to damage and misalignment of the substrate. In addition, when the thickness of the substrate is changed, the substrate is caught by the clamp due to slight tension, misalignment, and gap, and thus the substrate is broken or partially broken.
둘째, 크기가 다양한 기판을 이용할 경우 상기 로드부에서 상기 기판을 지지 및 받치기 위한 코너 블록 및 사이드 블록을 이탈하거나 상기 코너 블록 및 사이드 부분을 연결하는 클립에 부딪혀 상기 기판이 손상을 입게 되는 문제가 있다.Second, when a substrate having a variety of sizes is used, the substrate may be damaged by leaving the corner block and the side block from the rod part for supporting and supporting the substrate, or hitting a clip connecting the corner block and the side portion. have.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 스퍼터링 챔버 내의 기판을 정렬하고 죌 수 있는 클램프 및 로드부의 기판을지지 할 수 있는 플래튼을 변형하여 크기가 다양한 기판을 이용하여 금속 증착을 할 수 있도록 하는 스퍼터를 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to modify the substrate to vary the size of the platen that can support the substrate of the clamp and the rod portion that can align and squeeze the substrate in the sputtering chamber It is an object of the present invention to provide a sputter which can be used for metal deposition.
도 1은 액정표시소자 제조용 스퍼터의 개략적 계통도.1 is a schematic system diagram of a sputter for manufacturing a liquid crystal display device.
도 2는 액정표시소자 제조용 스퍼터링 챔버의 단면도.2 is a cross-sectional view of a sputtering chamber for manufacturing a liquid crystal display device.
도 3은 도 2의 플래튼 평면도.3 is a top view of the platen of FIG. 2;
도 4a 내지 4b는 종래 기술에 따른 상ㆍ하부 클램프의 사시도.4A to 4B are perspective views of the upper and lower clamps according to the prior art.
도 5는 도 3에서 Ⅰ∼Ⅰ의 단면도.FIG. 5 is a cross-sectional view of I to I in FIG. 3. FIG.
도 6a는 로드부 내의 스테이지의 평면도.6A is a plan view of a stage in the rod portion;
도 6b는 도 6b의 Ⅱ∼Ⅱ'의 단면도.FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG. 6B.
도 7a는 본 발명에 따른 로드부의 스테이지 사시도.Figure 7a is a perspective view of the stage of the rod unit according to the present invention.
도 7b는 도 7a의 Ⅲ∼Ⅲ' 단면도.FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line III-III 'of FIG. 7A.
도 8은 본 발명에 따른 가변 클램프의 단면도.8 is a cross-sectional view of a variable clamp according to the present invention.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
T0 : 이송부 L1, L6 : 로드부T0: transfer section L1, L6: rod section
H2 : 예열부 S3, S4, S5 : 증착부H2: Preheater S3, S4, S5: Deposition
100 : 가변 스테이지 101 : 기판100: variable stage 101: substrate
103 : 평판 105 : 코너 블록103: flat plate 105: corner block
107 : 사이드 블록 109 : 서포터107: side block 109: supporter
111 : 무빙 블록 113 : 가변 클램프111: moving block 113: variable clamp
115 : 서셉터115: susceptor
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 액정표시소자 제조용 스퍼터는, 크기가 다양한 기판의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)을 위해 상기 기판의 크기에 따라 변형이 가능한 가변 스테이지를 구비하는 로드부와, 상기 로드부로부터 로딩된 상기 기판을 예비가열 하는 예열부와, 상기 예열부로부터 예열된 상기 기판 상에 금속의 증착 시 스프터링 내의 서셉터 상에서 상기 다양한 크기의 기판을 정렬하고 죄기 위해 가변 클램프를 구비한 증착부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a sputter for manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a rod part having a variable stage that is deformable according to the size of the substrate for loading and unloading of various sizes of substrates; And a preheater for preheating the substrate loaded from the rod and a variable clamp to align and tighten the substrates of various sizes on a susceptor in sputtering upon deposition of metal on the substrate preheated from the preheater. It characterized in that it comprises a deposition unit provided.
본 발명은 스퍼터링 챔버 내의 서셉터 상에서 유동적인 가변 클램프를 구비하고, 로드부 내의 플래튼의 크기가 조절되는 무빙 블록을 구비하여 크기가 다양한 기판의 금속 증착 공정이 이루어 질 수 있도록 한다.The present invention includes a variable clamp floating on the susceptor in the sputtering chamber, and a moving block having a size of the platen in the rod portion to control the metal deposition process of various sizes of substrates.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시소자 제조용 스퍼터를 상세히 설명한다.Hereinafter, a sputter for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 7a는 본 발명에 따른 로드부의 스테이지 사시도 이고, 도 7b는 도 7a의 Ⅲ∼Ⅲ'의 단면도이다.7A is a perspective view of a stage of a rod unit according to the present invention, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line III-III ′ of FIG. 7A.
도 7a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 액정표시소자 제조용 스퍼터의 로드부(도시하지 않음)에서 가변 스테이지(100)는 기판(101)의 크기에 대응하는 평판(103)이 있고, 상기 기판(102)이 상기 평판(103)과 닫는 면적을 줄이기 위해 상기 평판(103)의 가장자리 모서리 부분에서 상기 기판(101)을 받치는 코너 블록(105)(coner block)이 있고, 세로축 상기 코너 블록 사이에서 상기 기판을 받치기 위한 사이드 블록(107)(side block)이 있고, 상기 기판(101)의 중심부분을 받치기 위해 스포터(109)(supporter)를 포함하여 구성되어 있다.As shown in FIG. 7A, in the rod part (not shown) of the sputter for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, the variable stage 100 includes a flat plate 103 corresponding to the size of the substrate 101. There is a corner block 105 (coner block) that supports the substrate 101 at the edge edge portion of the plate 103 to reduce the area 102 is closed with the plate 103, the vertical axis between the corner block There is a side block 107 (side block) for supporting the substrate, and is configured to include a spotter 109 (supporter) for supporting the central portion of the substrate 101.
특히, 본 발명의 가변 스테이지(100)는 다양한 크기의 기판에 대응하도록 만들기 위해 상기 가변 스테이지(100)의 세로축과 가로축 각각에 대하여 움직임이 가능한 무빙 블록(111)을 더 포함하여 구성된다.In particular, the variable stage 100 of the present invention further comprises a moving block 111 capable of moving about each of the vertical axis and the horizontal axis of the variable stage 100 so as to correspond to substrates of various sizes.
즉, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 기판(101)의 크기에 따라 움직임이 가능한 가교 바(111a)(bar)를 구비한 무빙 블록(111)은 복수개의 상기 코너 블록(107), 사이드 블록(109)을 구비하여 기판(101)을 받칠 수 있도록 한다.That is, as shown in FIG. 7B, the moving block 111 having a bridge bar 111a (bar) capable of moving according to the size of the substrate 101 includes a plurality of corner blocks 107 and side blocks. 109 is provided to support the substrate 101.
따라서, 다양한 크기의 상기 기판에 따라 유동적으로 변할 수 있게 제작된 본 발명에 따른 상기 가변 스테이지(100)는 상기 기판을 안전하게 로딩 및 언로딩시킬 수 있다. 또한, 상기 로드부로부터 로딩된 상기 기판(101)은 예열부에서 예비가열 되어 금속 박막이 실제 증착되는 증착부로 이동되는데, 상기 로드부, 예열부 및 증착부로의 이동은 이송부를 통하여 이루어진다.Accordingly, the variable stage 100 according to the present invention, which is made to be fluidly changed according to the substrates of various sizes, may safely load and unload the substrates. In addition, the substrate 101 loaded from the rod part is preheated in the preheater and moved to the deposition unit where the metal thin film is actually deposited, and the movement to the rod unit, the preheater and the deposition unit is performed through a transfer unit.
도 8은 본 발명에 따른 가변 클램프의 단면도이다.8 is a cross-sectional view of the variable clamp according to the present invention.
한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 액정표시장치 제조용 스퍼터 내에서 증착부(도시하지 않음)의 가변 클램프(113)는 스퍼터링 챔버(도시하지 않음) 내에서 기판(101)을 받치고 지지하기 위한 서셉터(115) 상에서 크기가 다양한 기판(101)을 정렬하고 죄기 위해 유동적으로 이동이 가능하고, 옆으로 누워진 "V"자 모양의 홈이 있어서 상기 기판(101)을 죄기에 편리한 구조로 되어 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 8, the variable clamp 113 of the deposition unit (not shown) supports and supports the substrate 101 in the sputtering chamber (not shown) in the sputter for manufacturing the liquid crystal display device of the present invention. To move and align the various substrates 101 on the susceptor 115 to move and to move the substrate 101 is a convenient structure for clamping the substrate 101 has a "V" shaped groove It is.
이때, 본 발명에 따른 상기 가변 클램프(113)는 종래 기술에 따른 축에 대하여 회전하는 클램프와 달리 상기 서셉터(115)의 상단면과 평행하게 이동할 수 있기 때문에 다양한 크기의 기판을 마주보는 양쪽에서 죌 경우 구조적으로 상기 기판을 안전하게 정렬시키는 구조를 갖는다.At this time, the variable clamp 113 according to the present invention can move in parallel with the top surface of the susceptor 115, unlike the clamp that rotates about the axis according to the prior art in both sides facing the substrate of various sizes And in some cases structurally securely aligning the substrate.
따라서, 상기 기판(101)은 상기 서셉터(115)에 의해 지지되고, 상기 가변 클램프(113)에 의해 상기 서셉터(115)에 접착되고, 종래 기술에서 언급한 바와 마찬가지로 플래튼에 의해 상기 서셉터(115)가 직립하여 상기 기판(101) 상에 금속 박막을 형성된다.Thus, the substrate 101 is supported by the susceptor 115, adhered to the susceptor 115 by the variable clamp 113, and the stand by the platen as mentioned in the prior art. The acceptor 115 stands up to form a metal thin film on the substrate 101.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치 제조용 스퍼터는 로드부와, 예열부와, 증착부, 이송부 중에서, 특히 상기 로드부 및 증착부에서 기판의 크기에 따라 조절이 가능한 스테이지와, 가변 클램프를 설치 변형하여 종래 기술의 액정표시장치 제조용 스퍼터를 저비용으로 개조하여 사용할 수 있기 때문에 경제적이다As described above, the sputter for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes a rod portion, a preheating portion, a stage that can be adjusted according to the size of a substrate in the rod portion and the deposition portion, in particular the rod portion and the deposition portion, and a variable clamp. It is economical because the sputter for manufacturing the liquid crystal display of the prior art can be retrofitted and used at low cost by installing and modifying
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 액정표시소자 제조용 스퍼터는 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the sputter for producing a liquid crystal display device of the present invention has the following effects.
본 발명에 따른 액정표시장치 제조용 스퍼터는 다양한 크기의 기판을 이용할 수 있도록 로드부 및 증착부에서 기판의 크기에 따라 조절이 가능한 스테이지와, 가변 클램프를 구비하고 있기 때문에 종래 기술의 액정표시장치 제조용 스퍼터를 저비용으로 개조하여 사용할 수 있다.The sputter for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention is provided with a stage and a variable clamp which can be adjusted according to the size of the substrate in the rod part and the deposition part so that various sizes of substrates can be used. Can be used at low cost.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010085179A KR20030054770A (en) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | Sputter of manufacturing Liquid Crystal Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010085179A KR20030054770A (en) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | Sputter of manufacturing Liquid Crystal Display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030054770A true KR20030054770A (en) | 2003-07-02 |
Family
ID=32213498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010085179A KR20030054770A (en) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | Sputter of manufacturing Liquid Crystal Display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20030054770A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100723744B1 (en) * | 2004-07-29 | 2007-05-30 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | Spacer dispersion apparatus and spacer dispersing method |
| KR100905394B1 (en) * | 2005-08-01 | 2009-06-30 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for manufacturing flat panel display |
| KR100920383B1 (en) * | 2009-01-29 | 2009-10-07 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for manufacturing flat panel display |
| KR100920420B1 (en) * | 2009-01-29 | 2009-10-07 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for manufacturing flat panel display |
| KR100920419B1 (en) * | 2009-01-29 | 2009-10-07 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for manufacturing flat panel display |
| KR100940303B1 (en) * | 2009-01-29 | 2010-02-05 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for manufacturing flat panel display |
| KR101368762B1 (en) * | 2006-12-06 | 2014-02-28 | 엘아이지에이디피 주식회사 | Substrate table and Apparatus for assembling substrates having a therein |
-
2001
- 2001-12-26 KR KR1020010085179A patent/KR20030054770A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100723744B1 (en) * | 2004-07-29 | 2007-05-30 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | Spacer dispersion apparatus and spacer dispersing method |
| US7652742B2 (en) | 2004-07-29 | 2010-01-26 | Nec Lcd Technologies, Ltd | Spacer spraying system, spacer spraying method and liquid crystal display panel |
| KR100905394B1 (en) * | 2005-08-01 | 2009-06-30 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for manufacturing flat panel display |
| KR101368762B1 (en) * | 2006-12-06 | 2014-02-28 | 엘아이지에이디피 주식회사 | Substrate table and Apparatus for assembling substrates having a therein |
| KR100920383B1 (en) * | 2009-01-29 | 2009-10-07 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for manufacturing flat panel display |
| KR100920420B1 (en) * | 2009-01-29 | 2009-10-07 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for manufacturing flat panel display |
| KR100920419B1 (en) * | 2009-01-29 | 2009-10-07 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for manufacturing flat panel display |
| KR100940303B1 (en) * | 2009-01-29 | 2010-02-05 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for manufacturing flat panel display |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1880000B (en) | Sputtering target, sputtering target assembly and method for welding sputtering target material brand | |
| US20060150910A1 (en) | Alignment system, vertical tray transporting assembly, and deposition apparatus with the same | |
| JP6582059B2 (en) | Aligner structure and alignment method | |
| KR20180001472A (en) | Substrate clamping method, substrate clamping apparatus, film formation method, film formation apparatus, manufacturing method of electronic device, substrate mounting method, alignment method and substrate mounting apparatus | |
| WO2011024853A1 (en) | Film-forming apparatus | |
| KR20030054770A (en) | Sputter of manufacturing Liquid Crystal Display device | |
| US20020021952A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US20090165710A1 (en) | Module for supporting a substrate and deposition apparatus having the same | |
| US7487812B2 (en) | Substrate bonding apparatus for liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
| JP2002288888A (en) | Base plate transfer machine and base plate processor using it | |
| KR20050021863A (en) | Thin-film deposition system | |
| KR20190063133A (en) | Film forming apparatus, film forming method and manufacturing method of organic el display apparatus | |
| US20070138009A1 (en) | Sputtering apparatus | |
| KR102243370B1 (en) | Substrate processing equipment | |
| KR100459212B1 (en) | Sputter of manufacturing Liquid Crystal Display device | |
| JP6686100B2 (en) | Film forming apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method | |
| KR100928480B1 (en) | Sputter for liquid crystal display device manufacturing and sputtering method using the same | |
| KR101809803B1 (en) | Align system with substrate tightening plate for stabilizing substrate | |
| KR20200049314A (en) | Adsorption and alignment method, adsorption system, film forming method, film forming apparatus, and manufacturing method of electronic device | |
| WO2019198537A1 (en) | Substrate holding device, substrate holding method, and film forming device | |
| JP3233496B2 (en) | Vacuum deposition equipment | |
| KR101914882B1 (en) | Align system with substrate tightening plate for stabilizing substrate | |
| CN110172667A (en) | A kind of clamping device and sputtering equipment applied in sputtering equipment | |
| KR20190078439A (en) | Electrostatic chuck, film forming apparatus including electrostatic chuck, substrate holding and separating method, film forming method including the same, and manufacturing method of electronic device using the same | |
| KR20050070972A (en) | Substrate clamp assembly included sputter for manufacturing liquid crystal display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |