KR20030053539A - 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 장치 및 방법 - Google Patents
선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 장치 및 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 복굴절매질에 의하여 광축선의 방향으로 투과된 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 상기 장치는 상기 선형으로 편광된 빔의 온액시스부분(2)을 수직 성분들(3, 4)로 분할하는 제1빔분할기(7), 각각의 성분들(3, 4)을 검출하는 2개의 광검출기들(8, 9), 제2빔분할기(12)가 입사하는 선형으로 편광된 빔(1)의 오프액시스로 배치되는, 상기 선형으로 편광된 빔의 오프액시스부분(11)을 직교 성분들(15, 16)로 분할하는 제2빔분할기(12), 상기 제2빔분할기(12)에 의하여 분할된 성분들(15, 16)을 검출하는 제2세트의 광검출기들; 및 2개의 제1광검출기들(8, 9)에 의하여 수신된 각각의 신호에서 상기 제2세트의 광검출기들(13, 14)에 의하여 수신된 신호들을 제거하는 제거장치(17)를 포함하여 이루어진다.
Description
이 장치 및 방법은 각각 통상적으로 등방성이고 따라서 임의의 복굴절을 나타내지 않는 반도체웨이퍼에 대하여 고유의 내부의 응력필드들을 검출하는 데 편리하게 사용될 수 있다. 내부의 응력필드들이 전위(dislocation) 및 슬립라인에 의하여 유도되기 때문에, 검출결과는 전위 및 슬립라인의 량에 대한 척도(measure)일 것이며, 따라서 웨이퍼 및 결과로 형성된 반도체 디바이스의 품질의 척도이다. 선형으로 편광된 빔은 복굴절매질의 표면에 수직인 방향으로 복굴절매질에 의하여 투과되는 것이 바람직하다.
통상적으로, 반도체디바이스의 제조는 웨이퍼처리의 여러 단계, 특히 웨이퍼가 기계적으로 응력을 받는 열처리단계를 포함한다. 그 결과로, 결정내의 전위, 슬라이드 및 슬립라인이 발생되어, 예를 들어 누설전류를 유발할 것이고, 따라서 디바이스특성을 현저히 저하시킨다. 따라서, 그 결과에 따라 전위 및 슬립라인의양을 결정하여, 사전에 결정된 임계값을 초과하는 전위 및 슬립라인의 양을 갖는 그들 웨이퍼들을 불량처리할 필요가 있다.
전위 및 슬립라인의 정도는 주사 적외선 편광해소(Scanning Infrared Depolarization)이라 불리우는 방법에 의하여 검출될 수 있다. 주사 적외선 편광해소에 의한 슬립라인 검출의 원리는, 내부의 응력필드들이 4면체(tetrahedral)로부터 정방정(tetragonal)으로 결정의 대칭을 저하시키거나 더욱 저하시킬 때에, 실리콘웨이퍼에 의하여 투과된 선형으로 편광된 광이 입사광에 대하여 2개의 직교 성분들, 평행하고 수직하는 성분들로 분할된다는 점을 기초로 한다.
다르게 설명하면, 내부의 응력필드들이 생기는 경우, 통상적으로는 등방성인 실리콘웨이퍼가 복굴절된다. 따라서, 2개의 직교 성분들은 상이한 속도로 투과되는 정상(ordinary) 및 비정상(extraordinary) 빔을 각각 형성한다. 그 결과, 2개의 직교 성분들 사이의 위상차로 인하여 웨이퍼로부터 나온 빔은 타원형으로 편광된다.
반도체웨이퍼내에 생기는 응력필드들은 전위나 슬립라인으로 인한 결정의 일그러짐(distortion)에 의하여 유발된다. 2개의 직교 성분들 사이의 비는 응력필드의 세기의 좋은 척도를 제공한다. 주사 적외선 편광해소법에 대한 실험적인 셋업이 도 2에 도시되어 있다. 도 2에서, 참조번호(1)는 레이저디바이스(도시되지 않음)에 의하여 방출된 선형으로 편광된 빔을 도시한다. 참조번호(2)는 반도체웨이퍼(5)에 의하여 투과된 후의 레이저빔을 나타낸다. 참조번호(7)는 입사빔(2)을 직교 성분들(3, 4)로 분할시키는 편광빔분할기이다. 성분(3)은 광검출기(8)에 의하여 검출되고, 성분(4)은 광검출기(9)에 의하여 검출된다. 슬립라인은 참조번호(6)으로 표시된 단차로 나타낸다.
상술된 효과는 매우 약하다. 따라서, 광빔의 수직 성분 대 평행 성분의 비는 1:100 이거나 그보다도 작다. 약한 수직 신호를 검출하기 위해서, 광다이오드 신호를 증폭하는 증폭기는 매우 높은 게인(gain)에서 작동해야만 한다.
하지만, 검출기에 의하여 검출된 직교 성분은 슬립라인에 의하여 유도된 편광해소로 유발될 뿐만 아니라, 광의 산란으로도 유발된다. 표면비평탄성 또는 불순물등과 같은 웨이퍼표면의 결함으로 인하여, 편광된 광이 산란된다. 특히, 트렌치들 및 여타의 구조체들과 같은 반도체디바이스의 패턴은 광산란을 야기할 것이다. 그 결과, 편광된 광은 그 편광방향을 바꾸거나 심지어는 편광되지 않을 것이다.
그 후, 상기 산란된 광의 일시적인 평행 및 수직 성분들은 양쪽 모두의 검출기에 의하여 검출될 것이다. 산란된 광의 양이 크기에 따라 실제(true) 신호를 초과하는 경우, 이는 웨이퍼가 이미 패터닝된 특별한 경우이기 때문에, 증폭기들은 비선형으로 동작을 시작하거나 포화상태로 몰고간다. 두 경우 모두에서, 증폭기들은 실제 편광해소 효과를 나타내는 약한 신호를 알아보기 어렵게 된다.
광산란을 크게 유발하는 트렌치와 같은 구조들이 패터닝되기 이전에 상기 측정이 실행되는 경우에는 주사 적외선 편광해소법 중에 생기는 문제점들을 부분적으로 피할 수 있다. 하지만, 트렌치형성 중에 열처리단계 또한 실행되기 때문에, 트렌치형성중과 그 이후에 전위 및 슬립라인의 양이 여전히 증가한다. 따라서, 트렌치형성 이전의 측정은 잘못된 측정결과들을 야기할 것이다.
또한, 이러한 측정은 트렌치에 의한 산란을 피할 것이다. 하지만, 불순물이나 표면비평탄성로 인한 산란은 억제될 수 없다.
본 발명은 복굴절매질(birefringent medium)에 의하여 투과된 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 장치의 실험적인 셋업을 도시하는 도면; 및
도 2는 종래기술에서 사용되는 장치의 실험적인 셋업을 도시하는 도면.
1 입사레이저 빔
2 투과된 온-액시스 레이저 빔
3 온-액시스 수직 성분
4 온-액시스 평행 성분
5 반도체웨이퍼
6 슬립라인
7 제1빔분할기
8 수직 성분용 제1광검출기
9 평행 성분용 제1광검출기
10 트렌치들
11 레이저빔의 오프-액시스부분
12 제2빔분할기
13 평행 성분용 제2광검출기
14 수직 성분용 제2광검출기
15 오프-액시스 평행 성분
16 오프-액시스 수직 성분
17 제거장치
18 하이 게인 증폭기
19 적외선 레이저 디바이스
그러므로, 본 발명의 목적은 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 개선된 장치 및 개선된 방법을 각각 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 반도체웨이퍼내의 내부 응력필드를 결정하는 개선된 장치 및 개선된 방법을 각각 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 상기 목적은 복굴절매질에 의하여 투과된 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 장치에 의하여 달성되며, 상기 장치는
상기 투과된 빔의 제1부분을 직교 성분들로 분할하는 제1빔분할기;
상기 제1빔분할기에 의하여 분할된 직교 성분들 중 하나를 각각 검출하는 적어도 2개의 광검출기들로 된 제1세트;
선형으로 편광된 입사빔의 오프액시스로 배치되는 제2빔분할기로서, 상기 투과된 빔의 제2부분을 직교 성분들로 분할하는 상기 제2빔분할기;
상기 제2빔분할기에 의하여 분할된 직교 성분들 중 하나를 각각 검출하는 적어도 2개의 광검출기들로 된 제2세트; 및
상기 제1세트의 광검출기들에 의하여 수신된 각각의 신호로부터 상기 제2세트의 광검출기들에 의하여 수신된 신호들을 제거하는 제거장치를 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 목적은 복굴절매질에 의하여 투과된 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 방법에 의하여 달성되며, 상기 방법은
상기 투과된 빔의 제1부분을 제1빔분할기를 사용하여 직교 성분들로 분할하는 단계;
제1세트의 광검출기들을 이용함으로써 상기 제1빔분할기에 의하여 분할된 직교 성분들을 검출하는 단계;
입사하는 선형으로 편광된 입사빔의 오프액시스로 배치되는 제2빔분할기를 이용하여 상기 투과된 빔의 제2부분을 직교 성분들로 분할하는 단계;
제2세트의 광검출기들을 이용함으로써 상기 제2빔분할기에 의하여 분할된 직교 성분들을 검출하는 단계; 및
상기 제1세트의 광검출기들에 의하여 수신된 각각의 신호로부터 상기 제2세트의 광검출기들에 의하여 수신된 신호들을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.
선형으로 편광된 빔은 복굴절매질의 표면에 수직인 방향으로 투과되며, 상기 투과된 빔의 제1부분은 온-액시스부분이고 상기 투과된 빔의 제2부분은 오프-액시스부분인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 선형으로 편광된 적외선 레이저 빔을 방출하는 레이저디바이스 및 상기 선형으로 편광된 적외선 레이저 빔이 상기 반도체웨이퍼에 의하여 투과된 후에 상기 레이저 빔의 편광해소량을 검출하는 장치를 포함하여 이루어지는 반도체디바이스내의 내부 응력필드를 결정하는 장치를 제공하며, 상기 선형으로 편광된 레이저 빔의 편광해소량을 검출하는 상기 장치는 상기와 같이 정의된다.
더욱이, 본 발명은 상기 통상적으로 등방성인 매질안으로 선형으로 편광된 적외선 레이저 빔을 조사하는 단계 및 상기 적외선 레이저 빔이 상기 반도체웨이퍼에 의하여 투과된 후에 상기 선형으로 편광된 레이저 빔의 편광해소량을 결정하는 방법을 포함하여 이루어지는 반도체웨이퍼내의 내부 응력필드를 검출하는 방법을 제공하며, 상기 선형으로 편광된 레이저 빔의 편광해소량을 검출하는 상기 방법은 상기와 같이 정의된다.
본 발명은 광산란의 영향이 억제될 수도 없을 뿐더러 산란된 광이 광검출기에 들어가는 것을 피할 수도 없기 때문에, 증폭기에 들어가기 전에 내부 응력으로 인한 편광해소를 나타내는 실제 신호로부터 부분의 광을 제거해야 한다는 이해가 전제되어 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 1에서, 대략 800 내지 900㎚의 파장 및 200㎚의 빔 직경을 갖는 선형으로 편광된 레이저 빔은 레이저디바이스(19), 예를 들어 GaAs 레이저다이오드에 의하여 방출된다. 레이저 빔은 반도체웨이퍼(5)에 의하여 투과된다. 그러면, 투과된 레이저 빔(2)은 타원형으로 편광되고, 빔분할기(7)에 의하여 2개의 직교 성분들(3, 4)로 분할된다. 성분(3)은 광검출기(8)에 의하여 검출되고, 성분(4)은 광검출기(9)에 의하여 검출된다. 직교 성분들을 분할하기 위해서, 빔분할기(7)는편광 빔분할기로서 구현되거나 빔분할기(7)는 편광 독립적이며, 2개의 성분들(3, 4)은 직교 편광자들(polarizer)의 세트에 의하여 각각 편광된다. 본 경우에서, 레이저빔(1)의 입사방향은 반도체웨이퍼(5)의 광축선에 대응한다. 레이저빔은 반도체웨이퍼의 표면에 직각인 방향으로 지향된다.
또한, 2개의 직교 성분들(15, 16)을 분할하는 제2빔분할기(12)는 투과된 레이저빔의 오프-액시스부분(11)를 분할하도록 축선을 약간 벗어나 위치된다. 또한, 제2세트의 광검출기들(13, 14)은 광검출기 13이 성분 15를 검출하고, 광검출기 14가 성분 16을 검출하도록 위치된다.
표면비평탄성, 입자들, 특히 디바이스패턴에 의하여 투과된 레이저 빔의 오프액시스부분(11)이 산란되었다. 오프액시스방향으로는 오직 산란된 광만이 검출되기 때문에, 산란광 및 실제 신호 모두에 감응성이 있는 1세트의 검출기들이 있는 반면, 1세트의 검출기는 산란된 광에만 감응성이 있다. 보다 구체적으로, 투과된 광의 온-액시스부분를 검출하는 검출기들(8, 9)의 세트는 산란된 광 및 그 신호에 감응성이 있는 반면, 투과된 광의 오프-액시스부분를 검출하는 검출기들(13, 14)의 세트는 산란된 광에만 감응성이 있다.
참조번호 17은 요구되는 실제 편광해소 신호를 생기게 하는 검출기들의 두 세트의 신호들을 제거하는 제거장치를 나타낸다. 특히, 제거장치는 온-액시스 평행 성분을 나타내는 신호에서 오프-액시스 평행 성분을 나타내는 신호를 제거한다. 또한, 제거장치는 온-액시스 수직 성분을 나타내는 신호에서 오프-액시스 수직 성분을 나타내는 신호를 제거한다. 참조번호 18은 하이 게인으로 생성된 상이한 신호들을 증폭하는 하이 게인 증폭기를 나타낸다. 수직 성분 대 평행 성분의 비는 웨이퍼내의 내부 응력에 대한 척도가 될 것이며, 따라서 웨이퍼의 품질평가를 가능하게 한다.
본 발명에 따르면, 제2빔분할기 및 약간 오프액시스된 제2세트의 검출기들을 배열함으로써, 실제 편광해소 신호가 얻어질 수 있으며 산란광영향이 크게 억제된다. 특히, 불순물, 표면비평탄성 및 특히 트렌치들 등의 디바이스구조들과 같은 산란항목들이 더이상 정확한 편광해소측정을 방해하지 않을 것이다. 따라서, 트렌치들과 같은 디바이스구조들을 형성한 후에 주사 적외선 편광해소법을 수행할 수 있다. 따라서, 이 측정은 디바이스구조들을 패터닝하기 이전에 통상적으로 수행되는 측정값들보다 정확하고 실질적이다. 또한, 불순물 및 표면비평탄성의 영향이 억제될 수 있어 유익하다. 그 결과, 보다 높은 정확성으로 품질평가가 실행될 수 있다.
반도체웨이퍼에 투과될 레이저빔을 확보하기 위해서는, 그 파장이 적절히 선택되어야 한다. 특히, GaAs 레이저와 같은 반도체 레이저에 의하여 방출된 적외선 레이저 빔이 통상적으로 사용된다.
통상적으로, 레이저디바이스가 반도체웨이퍼 밑에 고정되는 한편 검출기들 및 빔분할기들이 반도체웨이퍼위에 고정되는 실험적인 셋업이 선택된다. 전체 반도체 웨이퍼전체가 스캐닝될 수 있도록 반도체웨이퍼가 회전되며 횡방향으로 시프트된다.
제2빔분할기의 오프-액시스 각도를 결정할 때에는, 광의 산란각도가 등방성이 아니라 오히려 열편(lobar)인 것을 명심해야 한다. 따라서, 온-액시스부분내에도 포함된 산란된 광의 부분을 검출하기 위해서는, 반도체웨이퍼로의 광축선에 대한 제2빔분할기의 변위각도가 매우 작을 필요가 있다. 하지만, 최소각도는 장치의 기하학적인 배열에 의하여 결정된다. 본 발명가들은 3°내지 5°의 각도가 최적의 결과를 제공한다는 것을 발견하였다.
상술된 바와 같이, 록-인(lock-in) 증폭기를 사용함으로써 상술된 바와 같이 측정의 정확성이 현저하게 개선될 수 있다. 이 경우, 반도체웨이퍼안으로 조사된 레이저빔은 사전설정된 주파수로 초핑된다. 그 후에, 록-인 증폭기는 신호들이 상기 사전설정된 주파수를 가지는 2세트의 검출기들로부터의 이들 신호들만을 고려할 것이다. 록-인 증폭기는 온-액시스 검출기들의 세트에 의하여 공급된 각각의 신호들로부터 오프-액시스 검출기들의 세트에 의하여 공급된 신호를 제거한다.
본 발명은 고산란면이나 다양한 웨이퍼 토포그래피를 갖는 웨이퍼들을 검사할 때에 특히 유용하다.
비록 본 발명은 반도체웨이퍼들의 검사에 대하여 설명하였지만, 특히 거칠고 고산란면을 갖는 통상적으로 등방성매질인 어떤 종류의 복굴절재료에도 적용될 수 있음을 당업자는 이해하여야 할 것이다.
Claims (10)
- 복굴절매질(5)에 의하여 투과된 선형으로 편광된 빔(1)의 편광해소량을 검출하는 장치에 있어서,상기 투과된 빔의 제1부분(2)을 수직 성분들(3, 4)로 분할하는 제1빔분할기(7);상기 제1빔분할기(7)에 의하여 분할된 직교 성분들(3, 4) 중 하나를 각각 검출하는 적어도 2개의 광검출기들(8, 9)로 된 제1세트;상기 제2빔분할기(12)가 선형으로 편광된 입사빔(1)의 오프액시스로 배치되는, 상기 투과된 빔의 제2부분(11)을 직교 성분들(15, 16)로 분할하는 상기 제2빔분할기(12);상기 제2빔분할기(12)에 의하여 분할된 상기 직교 성분들(15, 16) 중 각각의 하나를 검출하는 적어도 2개의 광검출기들(13, 14)로 된 제2세트; 및상기 제1세트의 광검출기들(8, 9)에 의하여 수신된 각각의 신호에서 상기 제2세트의 광검출기들(13, 14)에 의하여 수신된 신호들을 제거하는 제거장치(17)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 장치.
- 제1항에 있어서,상기 선형으로 편광된 빔(1)은 복굴절매질(5)의 표면에 직각인 방향으로 투과되고, 상기 투과된 빔의 제1부분(2)은 온-액시스부분이며 상기 투과된 빔의 제2부분(11)은 오프-액시스부분인 것을 특징으로 하는 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2빔분리기(12)는 3°내지 5°의 각도로 오프액시스로 배치되는 것을 특징으로 하는 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제거장치의 신호가 공급되는 증폭기(18)를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제거장치(17)는 록-인(lock-in) 증폭기인 것을 특징으로 하는 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 장치.
- 선형으로 편광된 적외선 레이저 빔(1)을 방출하는 레이저디바이스(19) 및 상기 선형으로 편광된 적외선 레이저 빔(1)이 상기 반도체웨이퍼(5)에 의하여 투과된 후에 상기 레이저 빔의 편광해소량을 검출하는 장치를 포함하여 이루어지는 반도체웨이퍼(5)내의 내부 응력필드를 결정하는 장치에 있어서,상기 선형으로 편광된 레이저 빔의 편광해소량을 검출하는 상기 장치는 제1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 정의되어 있는 선형으로 편광된 레이저 빔의 편광해소량을 검출하는 장치를 특징으로 하는 장치.
- 복굴절매질(5)에 의하여 투과된 선형으로 편광된 빔(1)의 편광해소량을 검출하는 방법에 있어서,상기 투과된 빔의 제1부분(2)을 제1빔분할기(7)를 사용하여 직교 성분들로 분할하는 단계;제1세트의 광검출기들(8, 9)을 이용함으로써 상기 제1빔분할기(7)에 의하여 분할된 직교 성분들(3, 4)을 검출하는 단계;상기 제2빔분할기(12)가 선형으로 편광된 입사빔(1)의 오프액시스로 배치되는, 상기 투과된 빔의 제2부분(11)을 제2빔분할기(12)를 이용하여 직교 성분들(15, 16)로 분할하는 단계;제2세트의 광검출기들(13, 14)을 이용함으로써 상기 제2빔분할기(12)에 의하여 분할된 직교 성분들(15, 16)을 검출하는 단계; 및상기 제1세트의 광검출기들(8, 9)에 의하여 수신된 각각의 신호로부터 상기 제2세트의 광검출기들(13, 14)에 의하여 수신된 신호들을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 방법.
- 제7항에 있어서,상기 선형으로 편광된 빔(1)은 복굴절매질(5)의 표면에 직각인 방향으로 투과되고, 상기 투과된 빔의 제1부분(2)은 온-액시스부분이고 상기 투과된 빔의 제2부분(11)은 오프-액시스부분인 것을 특징으로 하는 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 방법.
- 제7항 또는 제8항에 있어서,상기 제거하는 단계로부터 생성되는 신호를 증폭하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 방법.
- 선형으로 편광된 적외선 레이저 빔(1)을 조사하는 단계 및 상기 적외선 레이저 빔(1)이 반도체웨이퍼(5)에 의하여 투과된 후에 상기 레이저 빔의 편광해소량을 검출하는 방법을 포함하여 이루어지는 반도체웨이퍼(5)내의 내부 응력필드를 결정하는 방법에 있어서,상기 선형으로 편광된 레이저 빔의 편광해소량을 검출하는 상기 방법은 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 정의되어 있는 선형으로 편광된 빔의 편광해소량을 검출하는 방법을 특징으로 하는 반도체웨이퍼(5)내의 내부 응력필드를 결정하는 방법.
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR20200098693A (ko) * | 2017-12-25 | 2020-08-20 | 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼의 평가 방법 |
Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
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| TWI254128B (en) * | 2004-12-29 | 2006-05-01 | Optimax Tech Corp | Apparatus and method for measuring phase retardation |
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| CN113155335B (zh) * | 2021-02-07 | 2023-04-07 | 中北大学 | 一种两级式微飞片冲击应力测试装置及测试方法 |
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|---|---|---|---|---|
| DE2422506A1 (de) * | 1974-05-09 | 1975-11-20 | Deutsche Bundespost | Verfahren zur messung extrem kleiner verluste in glaesern |
| US4890926A (en) * | 1987-12-21 | 1990-01-02 | Miles Inc. | Reflectance photometer |
| US5365067A (en) * | 1993-06-30 | 1994-11-15 | National Research Council Of Canada | Method and device for evaluation of surface properties, especially molecular orientation, in non-transparent layers |
| WO1996028721A1 (fr) * | 1995-03-10 | 1996-09-19 | Hitachi, Ltd. | Procede d'inspection, appareil d'inspection et production d'un dispositif semi-conducteur faisant appel a ce procede et a cet appareil |
| US5835220A (en) * | 1995-10-27 | 1998-11-10 | Nkk Corporation | Method and apparatus for detecting surface flaws |
| US5936736A (en) * | 1996-09-30 | 1999-08-10 | Asahi Seimitsu Kabushiki Kaisha | Focusing method and apparatus for a surveying instrument having an AF function, and arrangement of an AF beam splitting optical system therein |
| US6381356B1 (en) * | 1996-10-23 | 2002-04-30 | Nec Corporation | Method and apparatus for inspecting high-precision patterns |
| TW482898B (en) * | 1996-12-04 | 2002-04-11 | Ade Optical Syst Corp | A surface inspection system and method for distinguishing between particle defects and pit defects on a surface of a workpiece. |
| US6097488A (en) * | 1998-06-22 | 2000-08-01 | Princeton University | Method and apparatus for measuring micro structures, anisotropy and birefringence in polymers using laser scattered light |
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-
2003
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200098693A (ko) * | 2017-12-25 | 2020-08-20 | 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼의 평가 방법 |
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