KR20030050461A - 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로 - Google Patents

Abstract

본 발명은 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로에 관한 것으로, 본 발명은 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로에 있어서, 저항(R0)을 통해 튜닝전압(VT)단에 접속하여, 상기 튜닝전압(VT)에 따른 커패시턴스를 제공하는 커패스턴스 회로부(22); 상기 커패스턴스 회로부(22)와 접지사이에 접속하고, 스위칭전압(Vsw)에 따른 서로 다른 인덕턴스를 제공하는 인덕턴스 회로부(24); 및 상기 커패스턴스 회로부(22)에 의한 커패시턴스와 상기 인덕턴스 회로부(24)에 의한 인덕턴스에 의해 결정되는 공진주파수를 발진시키는 발진부(25)를 구비함을 요지로 하며, 이에 따라, 휴대폰의 듀얼밴드용으로 사용될 수 있는 발진회로를 간단하게 변경하여 튜닝 가변범위를 개선시킬 수 있다.

Description

휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로{VOLTAGE-CONTROLLED OSCILLATION CIRCUIT FOR DUAL BAND IN CELLULAR PHONE}

본 발명은 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로에 관한 것으로, 특히 휴대폰의 듀얼밴드용으로 사용될 수 있는 발진회로를 간단하게 변경하여 튜닝 가변범위를 개선시킬 수 있도록 하는 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로에 관한 것이다.

일반적으로, 휴대폰의 구성은 도 1에 도시된 바와 같으며, 도 1을 참조하면, 휴대폰의 고주파신호를 포착하기 위한 안테나(ANT), 송신신호와 수신신호를 각각 사전에 정해진 경로로 패스시켜 주는 신호 선택부 또는 듀플렉서(11)(이하, 듀플렉서라 함)와, 상기 듀플렉서(11)를 통한 수신신호를 복원하는 수신부(12), 송신할 데이터를 송신하기에 적합한 신호로 변환하는 송신부(13)와, 그리고, 상기 수신부(12)내부의 전압제어발진기 및 상기 송신부(13)내부의 전압제어발진기의 발진주파수를 위상동기시키는 PLL(14)로 이루어져 있다.

도 2는 종래 전압제어발진회로의 구성도로서, 도 2를 참조하면, 종래 전압제어발진회로는 튜닝전압(VT)에 따른 커패시턴스를 제공하는 커패시턴스 회로부(21)와, 밴드스위칭전압(Vsw)에 따른 인덕턴스를 제공하는 인덕턴스 회로부(23)와, 상기 커패시턴스 회로부(21)에 의한 커패시턴스와 상기 인덕턴스 회로부(23)에 의한 인덕턴스에 의한 공진주파수를 발진시키는 발진부(25)를 포함하고 있다.

이와 같은 종래 듀얼밴드용 전압제어발진회로는 스위칭을 통해 공진 주파수를 가변시켜 듀얼밴드용으로 사용하는데, 이와 같은 전압제어발진회로에서는 상기커패시턴스 회로부(21)와 상기 인덕턴스 회로부(23)가 병렬로 구성되어 있으며, 그 주파수 대역은 대략 1㎓ 이상이었다.

그러나, 적용되는 휴대폰에서 사용하는 IF주파수는 보통 200㎒ 부근의 낮은 주파수이므로, 이러한 주파수는 업-스트립(U-STRIP) 라인으로 탱크(TANK)회로를 구현하는 경우에는, 트리밍(TRIMMING)에 의해 발진주파수를 맞추기가 곤란하다는 문제점이 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 따라서, 본 발명의 목적은 휴대폰의 듀얼밴드용으로 사용될 수 있는 발진회로를 간단하게 변경하여 튜닝 가변범위를 개선시킬 수 있도록 하는 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로를 제공하는데 있다.

도 1은 일반적인 휴대폰의 개략적인 구성도이다.

도 2는 종래 전압제어발진회로의 구성도이다.

도 3은 본 발명에 따른 전압제어발진회로의 구성도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

22 : 커패시턴스 회로부24 : 인덕턴스 회로부

25 : 발진부VT : 튜닝전압

Vsw : 밴드 스위칭전압VD : 바랙터 다이오드

D : 핀 다이오드C1, C5 : 커플링 커패시터

R1,R2 : 바이어스 저항L1,L2 : 인덕터

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로써, 본 발명의 회로는 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로에 있어서, 저항을 통해 튜닝전압단에 접속하여, 상기 튜닝전압에 따른 커패시턴스를 제공하는 커패스턴스 회로부; 상기 커패스턴스 회로부와 접지사이에 접속하고, 스위칭전압에 따른 서로 다른 인덕턴스를 제공하는 인덕턴스 회로부; 및 상기 커패스턴스 회로부에 의한 커패시턴스와 상기 인덕턴스 회로부에 의한 인덕턴스에 의해 결정되는 공진주파수를 발진시키는 발진부를 구비함을 특징으로 한다.

이하, 본 발명에 따른 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로에 대하여 첨부도면을 참조하여 그 구성 및 작용을 상세하게 설명한다.

도 3은 본 발명에 따른 전압제어발진회로의 구성도로서, 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로는 저항(R0)을 통해 튜닝전압(VT)단에 접속하여, 상기 튜닝전압(VT)에 따른 커패시턴스를 제공하는 커패스턴스 회로부(22)와, 상기 커패스턴스 회로부(22)와 접지사이에 접속하고, 스위칭전압(Vsw)에 따른 서로 다른 인덕턴스를 제공하는 인덕턴스 회로부(24)와, 상기 커패스턴스 회로부(22)에 의한 커패시턴스와 상기 인덕턴스 회로부(24)에 의한 인덕턴스에 의해 결정되는 공진주파수를 발진시키는 발진부(25)로 구성한다.

상기 커패스턴스 회로부(22)는 튜닝전압(VT)단에 저항(R0)을 통해 캐소드단을 접속한 바랙터 다이오드(VD1)를 포함하고, 상기 튜닝전압(VT)에 따른 커패시턴스를 제공하도록 구성한다.

또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 튜닝전압(VT)과 상기 커패스턴스 회로부(22)사이에 저항(R0)을 접속하여 상기 튜닝전압(VT)에 포함되는 노이즈 성분을 감소시키는데, 이에 반해, 종래에는 튜닝전압(VT)에 대한 노이즈를 제거할 목적으로 커패시터(C1)와 인덕터(LD)를 사용하여 하였다. 이 경우, 저주파(예,200MHz 정도)에서는 상기 인덕터(LD)가 상당히 길어져야 하며, 이로 인해 제조상의 어려움이 있었으며, 이러한 점을 감안해서 본 발명에서는 저항(R0)으로 구성하였다.

상기 인덕턴스 회로부(24)는 상기 커패스턴스 회로부(22)의 바랙터 다이오드(VD1)의 애노드단에서 접지로 직렬로 접속한 제1 인덕터(L1) 및 제2 인덕터(L2)와, 제1, 제2 인덕터(L1,L2)의 접속점에 커패시터(C1) 및 바이어스 저항(R1,R2)을 통해 접속한 스위칭전압(Vsw)과, 상기 커패시터(C1)와 저항(R1)간의 접속점에 애노드단을 접속하고, 그 캐소드단을 접지로 접속한 핀 다이오드(D1)를 포함한다.

이와 같이 구성된 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작을 첨부도면에 의거하여 하기에 상세히 설명한다.

본 발명은 휴대폰의 듀얼밴드용으로 사용될 수 있는 발진회로를 개선하여 튜닝 가변범위를 개선시킬 수 있도록 하는 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로를 제안하는 바, 이에 대한 동작을 하기에 설명한다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 전압 제어발진회로에 대한 전체 동작을 간단히설명하면, 커패스턴스 회로부(22)는 튜닝전압(VT)에 따른 커패시턴스를 제공하고, 인덕턴스 회로부(24)는 밴드 스위칭전압(Vsw)에 따른 인덕턴스를 제공하며, 그리고, 발진부(25)는 상기 커패스턴스 회로부(22)의 커패시턴스와 상기 인덕턴스 회로부(24)의 인덕턴스에 의해 결정된 공진 주파수를 발진시켜 발진주파수를 제공한다.

상기 커패스턴스 회로부(22)에 대해서 설명하면, 저항(R0)을 통해 제공되는 튜닝전압(VT)에 따라, 그 내부의 바랙터 다이오드(VD1)의 커패시턴스가 가변되는데, 예를 들어, 상기 튜닝전압(VT)이 높을 경우에는 상기 바랙터 다이오드(VD1)에서 작은 커패시턴스가 제공되고, 반대로, 상기 튜닝전압(VT)이 낮을 경우에는 상기 바랙터 다이오드(VD1)에서 큰 커패시턴스가 제공된다.

이애 대해서 구체적인 예로서, 먼저, 도 2를 참조하여 종래의 커패시턴스 회로부(21)에서는 바랙터 다이오드(VD)와 콘덴서(C2)가 직렬로 접속되어 있는데, 이때, 단위를 생략하고, 콘덴서(C2)의 커패시턴스가 2이고, 바랙터 다이오드(VD)의 커패시턴스가 1에서 5까지 가변되는 경우에, 전체 등가 커패시턴스가 "(VD*C2)/(VD+C2)"이므로, 가변범위는 0.67(2/3)에서 1.43(10/7)이다. 이에 반해, 본 발명에서는 종래의 직렬구성인 커패시터(C2)를 제거하고, 바랙터 다이오드(VD1)로서 커패시턴스의 가변을 실현하고 있으며, 따라서 본 발명에 의한 커패시턴스 가변범위는 1에서 5까지이다. 따라서, 종래의 커패시턴스 가변범위는 대략 0.67(1.43-0.67)인데, 본 발명에 의한 커패시턴스 가변범위는 4(5-1)이다.

그리고, 상기 인덕턴스 회로부(24)에 대해서 설명하면, 스위칭전압(Vsw)에 의해서 핀 다이오드(D1)가 스위칭하는데, 예를 들어, 상기 스위칭전압(Vsw)이 하이 전압(대략, 0.7V 이상)이 제공되면 상기 핀 다이오드(D1)가 턴온되고, 이에 따라 상기 인덕턴스 회로부(24)는 제1 인덕터(L1)에 의한 인덕턴스를 제공하며, 결국적으로 VD1,L1에 의해 결정된 주파수가 발생된다.

반면에, 상기 스위칭전압(Vsw)이 로우 전압(대략, 0.7V 이하)이 제공되면 상기 핀 다이오드(D1)가 턴오프되고, 이에 따라 상기 인덕턴스 회로부(24)는 제1 인덕터(L1) 및 제2 인덕터(L2)에 의한 합성 인덕턴스를 제공하며, 결국적으로 VD1,L1,L2에 의해 결정된 주파수가 발생된다.

설명한 바와 같이, 상기 핀 다이오드(D1)가 턴온시에는 상기 인덕턴스 회로부(24)가 제1 인덕터(L1)에 해당하는 인덕턴스(LH=L1)를 제공하여, 상기 인덕턴스 회로부(24) 및 커패스턴스 회로부(22)에의한 공진주파수(FL)는 ""이며, 이 공진 주파수는 발진부(25)에서 발진된후 발진주파수로 제공된다.

그리고, 상기 핀 다이오드(D1)가 턴오프시에는 상기 인덕턴스 회로부(24)가 제1 인덕터(L1)와 제2 인덕터(L2)에 해당하는 인덕턴스(LL=L1+L2)를 제공하여, 상기 인덕턴스 회로부(24) 및 커패스턴스 회로부(22)에의한 공진주파수(FL)는 ""이며, 이 공진 주파수는 발진부(25)에서 발진된후 발진주파수로 제공된다.

전술한 바와 같은 본 발명은 휴대폰뿐만 아니라, 듀얼밴드 튜닝기능을 갖는 통신장치 등과 같이, 듀얼밴드용 전압제어발진기를 갖춘 장치 또는 시스템에 적용될 수 있다.

상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 휴대폰의 듀얼밴드용으로 사용될 수 있는 발진회로를 간단하게 변경하여 튜닝 가변범위를 개선시킬 수 있도록 하는 특별한 효과가 있는 것이다.

이상의 설명은 본 발명의 구체적인 실시 예에 대한 설명에 불과하고, 본 발명은 이러한 구체적인 실시 예에 한정되지 않으며, 또한, 본 발명에 대한 상술한 구체적인 실시 예로부터 그 구성의 다양한 변경 및 개조가 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.

Claims (3)

1. 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로에 있어서,

   저항(R0)을 통해 튜닝전압(VT)단에 접속하여, 상기 튜닝전압(VT)에 따른 커패시턴스를 제공하는 커패스턴스 회로부(22);

   상기 커패스턴스 회로부(22)와 접지사이에 접속하고, 스위칭전압(Vsw)에 따른 서로 다른 인덕턴스를 제공하는 인덕턴스 회로부(24); 및

   상기 커패스턴스 회로부(22)에 의한 커패시턴스와 상기 인덕턴스 회로부(24)에 의한 인덕턴스에 의해 결정되는 공진주파수를 발진시키는 발진부(25)를 구비함을 특징으로 하는 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로.
2. 제1항에 있어서, 상기 커패스턴스 회로부(22)는

   튜닝전압(VT)단에 저항(R0)을 통해 캐소드단을 접속한 바랙터 다이오드(VD1)를 포함하고,

   상기 튜닝전압(VT)에 따른 커패시턴스를 제공하도록 구성함을 특징으로 하는 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로.
3. 제1항에 있어서, 상기 인덕턴스 회로부(24)는

   상기 커패스턴스 회로부(22)의 바랙터 다이오드(VD1)의 애노드단에서 접지로 직렬로 접속한 제1 인덕터(L1) 및 제2 인덕터(L2);

   상기 제1, 제2 인덕터(L1,L2)의 접속점에 커패시터(C1) 및 바이어스 저항(R1,R2)을 통해 접속한 스위칭전압(Vsw); 및

   상기 커패시터(C1)와 저항(R1)간의 접속점에 애노드단을 접속하고, 그 캐소드단을 접지로 접속한 핀 다이오드(D1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 휴대폰의 듀얼밴드용 전압 제어발진회로.