KR20030049002A - Multi chip package - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A multi chip package and a fabricating method thereof are provided to mount a plurality of chips without increasing the area of the multi chip package by attaching a semiconductor chip to the package while the semiconductor chip is vertically installed. CONSTITUTION: A package board(100) includes a plurality of pads. A plurality of semiconductor chips(300) are attached to the upper surface of the package board wherein the sawing surface of the semiconductor chip comes in contact with the surface of the package board. A plurality of leads electrically connect the semiconductor chips with the outside, arranged in the back surface of the package board. Conductive pads are exposed to the sawing surface of the semiconductor chip.

Description

멀티 칩 패키지 및 그 제조방법{Multi chip package}Multi chip package and its manufacturing method {Multi chip package}

본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 다수의 칩을 적재시킬 수 있는 멀티 칩 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a multi-chip package capable of loading a plurality of chips.

개인용 휴대 전자 제품을 비롯한 전자 기기들의 용량 및 속도가 증가되고, 사이즈 역시 소형화됨에 따라, 반도체 패키지 역시 대용량화, 고속화 및 경박단소형화되어가는 추세이다.As the capacity and speed of electronic devices including personal portable electronic products have increased and the size has also been miniaturized, semiconductor packages have also become larger, faster, and lighter and smaller.

현재에는 패키지의 사이즈를 감소시키기 위하여, 핀 대신 볼을 사용하는 볼 그리드 어레이 패키지(Ball grid array package:BGA) 및 칩의 크기를 크게 벗어나지 않는 범위내에서 조립될 수 있는 칩 스케일 패키지(Chip scale package:CSP)가 제안되고 있다. 더불어, 단위 반도체 패키지당 실장되는 밀도를 높이면서, 하나의 패키지로서 다수의 기능을 수행할 수 있도록 하나의 패키지내에 다수의 칩이 실장되는 멀티 칩 패키지(Multi chip package)가 제안되고 있다.Currently, in order to reduce the size of the package, a ball grid array package (BGA) using balls instead of pins and a chip scale package that can be assembled within a range that does not significantly exceed the chip size (CSP) has been proposed. In addition, a multi chip package has been proposed in which a plurality of chips are mounted in one package so as to perform a plurality of functions as one package while increasing the density mounted per unit semiconductor package.

도 1은 종래의 멀티 칩 패키지를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 종래의 멀티 칩 패키지의 단면도로서, 도 1 및 도 2를 참조하여, 종래의 멀티 칩 패키지에 대하여 설명하도록 한다.1 is a plan view schematically illustrating a conventional multi-chip package, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the conventional multi-chip package. Referring to FIGS. 1 and 2, the conventional multi-chip package will be described.

도 1 및 도 2를 참조하여, 가장자리면에 일정 등간격으로 배열된 다수의 리드(10)를 갖는 리드 프레임(15)이 준비된다. 리드 프레임(15) 상부에는 패키지 기판(20)이 접착제(18a)에 의하여 부착되어 있다. 기판(20) 상부의 소정 부분에는 제 1 칩(25)과 제 2 칩(28)이 접착제(18b)에 의하여 부착되어 있다. 여기서, 제 1 칩(25)과 제 2 칩(28)은 도 1에서와 같이 소정 거리를 두고 이격되어 있을 수도 있고, 또는 적층될 수도 있다. 이때, 패키지 기판(20) 상부 가장자리에 일정 등간격으로 제 1 패드(20a)들이 배열되어 있고, 제 1 패드(20a)의 내측에 제 1 및 제 2 칩(25,28)을 둘러싸도록 제 2 패드(20b)들이 배열되어 있다. 또한, 제 1 및 제 2 칩(25,28)의 상부 가장자리에는 각각 전기적 패드(25a,28b)가 설치되어 있다.1 and 2, a lead frame 15 having a plurality of leads 10 arranged at regular equal intervals on an edge surface is prepared. The package substrate 20 is attached to the lead frame 15 by the adhesive 18a. The first chip 25 and the second chip 28 are attached to the predetermined portion of the substrate 20 by the adhesive 18b. Here, the first chip 25 and the second chip 28 may be spaced apart from each other by a predetermined distance as shown in FIG. 1, or may be stacked. In this case, the first pads 20a are arranged at regular intervals on the upper edge of the package substrate 20, and the second pads 25 and 28 surround the first and second chips 25 and 28 inside the first pad 20a. The pads 20b are arranged. In addition, electrical pads 25a and 28b are provided at upper edges of the first and second chips 25 and 28, respectively.

칩(25,28)의 패드(25a,28a)는 제 2 패드(20b)와 선택적으로 와이어(29)에 의하여 본딩되고, 제 2 패드(30b)와 기판내에서 전기적으로 연결된 제 1 패드(20a)는 리드(10)와 와이어(29)에 의하여 본딩된다.The pads 25a and 28a of the chips 25 and 28 are first bonded to the second pad 20b by wires 29 and are electrically connected to the second pad 30b in the substrate. ) Is bonded by the lead 10 and the wire 29.

그러나, 이와 같이 2개의 칩을 실장하는 경우는 어느 정도 작게 패키지를 구현할 수 있으나, 3개 이상의 칩을 다중 실장하는 경우, 패키지 면적이 매우 증가되어, 패키지의 경박단소형화를 달성할 수 없다.However, in the case of mounting two chips as described above, the package can be implemented to a certain extent. However, when three or more chips are multi-mounted, the package area is greatly increased, so that the thin and small size of the package cannot be achieved.

또한, 종래의 멀티 칩 패키지는 패드와 패드 사이를 와이어로 연결시킨다. 이때, 와이어(29)는 가늘고 긴 배선이므로, 와이어(29)의 길이가 길어질수록 인덕턴스(inductance)가 증대되어, 반도체 패키지의 스피드(speed) 특성 및 노이즈(noise) 특성이 열악해진다.In addition, conventional multi-chip packages connect the pads with the wires. At this time, since the wire 29 is a thin and long wire, the longer the length of the wire 29, the higher the inductance, the poor the speed characteristics and noise characteristics of the semiconductor package.

또한, 종래의 다른 방법으로, 반도체 패키지를 소형화하도록 반도체 칩을 적층하는 구조가 제안되었는데, 이를 도 3을 참조하여 설명한다.In addition, in another conventional method, a structure in which semiconductor chips are stacked to miniaturize a semiconductor package has been proposed, which will be described with reference to FIG. 3.

도 3에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(31) 상부에 제 1 칩(33) 및 제 2 칩(35)이 순차적으로 적층, 부착된다. 여기서, 제 1 칩(33)과 패키지 기판(31) 및 제 2 칩(35)과 제 1 칩(33)은 접착제(37)에 의하여 접착되어 있다. 또한, 각각의 칩(33,35) 상단 양측 가장자리에 패드(33a,35a)가 배열되어 있고, 하부에 배치된 제 1 칩(33)이 제 2 칩(35)에 비하여 그 크기가 크므로, 상기 제 1 칩(33)의 패드(33a)가 노출된다. 아울러, 패키지 기판(31)의 가장자리 부분에도 제 1 및 제 2 칩(33,35)의 패드(33a,35a)와 연결될 패드(31a,31b)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 3, the first chip 33 and the second chip 35 are sequentially stacked and attached on the package substrate 31. Here, the first chip 33, the package substrate 31, the second chip 35, and the first chip 33 are bonded by an adhesive 37. In addition, since the pads 33a and 35a are arranged at both edges of the upper ends of the respective chips 33 and 35, and the first chip 33 disposed below is larger in size than the second chip 35, The pad 33a of the first chip 33 is exposed. In addition, pads 31a and 31b to be connected to the pads 33a and 35a of the first and second chips 33 and 35 are formed at the edges of the package substrate 31.

제 1 및 제 2 칩(33,35)의 패드(33a,35b)는 패키지 기판(31)의 패드(31a,31b)와 선택적으로 와이어(39)에 의하여 본딩된다. 이렇게 와이어 본딩된반도체 칩(33,35)은 수지(40)에 의하여 봉지되어, 패키지 몸체(42)가 완성된다. 여기서, 미설명 부호 43은 칩(33,35)들을 외부와 전기적으로 연결시키기 위한 솔더 볼(43)이다.The pads 33a and 35b of the first and second chips 33 and 35 are bonded to the pads 31a and 31b of the package substrate 31 by the wire 39. The wire-bonded semiconductor chips 33 and 35 are sealed by the resin 40 to complete the package body 42. Here, reference numeral 43 is a solder ball 43 for electrically connecting the chips 33 and 35 to the outside.

이러한 적층형 패키지 역시, 와이어(39)에 의하여 패드들간이 연결되므로, 여전히 인덕턴스가 증대되는 문제점이 있다. 아울러, 이러한 적층형 패키지는 상부의 제 2 칩(35) 부착시, 하중에 의하여 하부의 제 1 칩(33)에 스트레스가 인가되어, 크랙등의 문제점이 발생될 수 있다.This stacked package also has a problem that the inductance is still increased because the pads are connected by the wires 39. In addition, when the second package 35 is attached to the stacked package, a stress may be applied to the lower first chip 33 by a load, thereby causing a problem such as a crack.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 크기를 증대시키지 않고도 다중 칩을 실장할 수 있는 멀티 칩 패키지를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a multi-chip package capable of mounting multiple chips without increasing the size.

또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 스피드 특성 및 노이즈 특성을 개선할 수 있는 멀티 칩 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a multichip package capable of improving speed characteristics and noise characteristics.

또한, 본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 칩의 부착시 크랙을 방지할 수 있는 멀티 칩 패키지를 제공하는 것이다.In addition, another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a multi-chip package that can prevent cracks when the chip is attached.

도 1은 종래의 멀티 칩 패키지를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing a conventional multi-chip package.

도 2는 도 1의 멀티 칩 패키지의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the multichip package of FIG. 1.

도 3은 종래의 적층형 멀티 칩 패키지를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a conventional stacked multi-chip package.

도 4는 본 발명에 따른 멀티 칩 패키지의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a multichip package according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 반도체 칩의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a semiconductor chip according to the present invention.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

100 - 패키지 기판 130 - 도전성 범프100-Package Board 130-Conductive Bump

200 - 반도체 기판 210 - 칩의 패드 혹은 패드 금속 배선200-semiconductor substrate 210-pad or pad metal wiring on chip

300 - 반도체 칩300-semiconductor chip

본 발명의 목적과 더불어 그의 다른 목적 및 신규한 특징은, 본 명세서의 기재 및 첨부 도면에 의하여 명료해질 것이다.Other objects and novel features as well as the objects of the present invention will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.

상기한 본 발명의 이루고자 하는 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 멀티 칩 패키지는, 다수의 패드를 구비한 패키지 기판과, 상기 패키지 기판의 상부에 소잉된 면이 패키지 기판면과 접하도록 부착되는 다수의 반도체 칩, 및 상기 패키지 기판 뒷면에 배열되며, 상기 칩들을 외부와 전기적으로 연결시키기 위한 다수의 리드를 구비하며, 상기 반도체 칩의 소잉된 면에는 도전 패드가 노출되어 있다.In order to achieve the above technical problem to be achieved, the multi-chip package of the present invention, the package substrate having a plurality of pads, and the surface sawed on top of the package substrate is attached so as to contact the package substrate A plurality of semiconductor chips, and a plurality of leads arranged on the back of the package substrate, and a plurality of leads for electrically connecting the chips to the outside, the conductive pad is exposed on the sawed surface of the semiconductor chip.

이러한 반도체 칩은 소잉된 면에 노출된 도전 패드와 상기 패키지 기판면의 패드가 전기적으로 접촉되도록 부착되어 있다. 또한, 상기 반도체 칩과 상기 패키지 기판은 도전성 범프에 의하여 접착되며, 바람직하게는 도전성 범프가 상기 칩의 패드와 패키지 기판의 패드 사이에 개재된다. 이러한 도전성 범프로는 Ag 글래스가 이용될 수 있다.The semiconductor chip is attached so that the conductive pad exposed on the sawed surface and the pad of the package substrate surface are in electrical contact. In addition, the semiconductor chip and the package substrate are adhered by conductive bumps, and preferably the conductive bumps are interposed between pads of the chip and pads of the package substrate. As the conductive bumps, Ag glass may be used.

또한, 본 발명에 따른 멀티 칩 패키지의 제조방법은, 스크라이브 라인이 한정되어 있으며, 반도체 소자가 형성된 반도체 기판을 제공한다. 이어서, 상기 반도체 기판 상부에 단부가 스크라이브 라인 내부로 연장되도록 패드 금속 배선을 형성한다음, 상기 반도체 기판의 스크라이브 라인을 소잉하여, 소잉면에 패드 금속 배선이 노출된 반도체 칩을 형성한다. 다음으로, 상기 반도체 기판의 소잉된 면이 패키지 기판면과 접하도록, 다수의 패드를 구비한 패키기 기판상에 반도체 칩을 부착시킨다.In addition, the method for manufacturing a multi-chip package according to the present invention provides a semiconductor substrate in which a scribe line is limited and a semiconductor element is formed. Subsequently, a pad metal wiring is formed on the semiconductor substrate so that an end thereof extends into the scribe line. Then, the scribe line of the semiconductor substrate is sawed to form a semiconductor chip having exposed pad metal wiring on a sawing surface. Next, the semiconductor chip is attached onto a package substrate having a plurality of pads such that the sawed surface of the semiconductor substrate contacts the package substrate surface.

이때, 반도체 칩을 부착시키는 단계에서, 상기 반도체 칩의 소잉된 면에 노출된 패드와 패키지 기판의 패드가 접촉되도록 부착하는 것이 바람직하다. 아울러, 상기 반도체 칩을 부착시키는 단계에서, 상기 반도체 칩의 패드와 패키지 기판의 패드 사이에 도전성 범프를 개재하여 접착시킨다.At this time, in the step of attaching the semiconductor chip, it is preferable to attach so that the pad exposed on the sawed surface of the semiconductor chip and the pad of the package substrate. In addition, in the attaching of the semiconductor chip, the semiconductor chip is bonded between the pad of the semiconductor chip and the pad of the package substrate through a conductive bump.

본 발명에 의하면, 칩의 패드를 소잉면에 노출되도록 형성한 후, 소잉면이 패키지 기판면에 접하도록 부착한다. 즉, 반도체 칩을 수직으로 세운 상태로 부착하므로, 면적을 증대시키지 않고도 다수의 칩을 장착할 수 있다. 아울러, 칩의 패드와 패키지 기판의 패드가 범프에 의하여 직접 접촉되므로, 와이어 본딩이 요구되지 않아, 스피드 저하 및 노이즈 발생이 감소된다. 또한, 칩과 칩이 적층되지 않으므로, 칩 상부에 칩을 적층시킬 때 발생되는 하중이 발생되지 않는다. 이에따라, 크랙과 같은 문제점이 발생되지 않는다.According to the present invention, after the pad of the chip is formed to be exposed to the sawing surface, the sawing surface is attached so as to contact the package substrate surface. That is, since the semiconductor chip is attached in a vertical position, many chips can be mounted without increasing the area. In addition, since the pad of the chip and the pad of the package substrate are directly contacted by bumps, wire bonding is not required, thereby reducing speed degradation and noise generation. In addition, since the chip and the chip are not stacked, the load generated when the chip is stacked on the chip is not generated. Accordingly, problems such as cracks do not occur.

(실시예)(Example)

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 또한, 어떤 층이 다른 층 또는 반도체 기판의 "상"에 있다라고 기재되는 경우에, 어떤 층은 상기 다른 층 또는 반도체 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는, 그 사이에 제 3의 층이 개재되어질 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and the like of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same elements. In addition, where a layer is described as being "on" another layer or semiconductor substrate, a layer may exist in direct contact with the other layer or semiconductor substrate, or a third layer therebetween. Can be done.

첨부한 도면 도 4는 본 발명에 따른 멀티 칩 패키지의 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 반도체 칩의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a multi-chip package according to the present invention, Figure 5 is a cross-sectional view of a semiconductor chip according to the present invention.

먼저, 도 4를 참조하여 본 발명의 멀티 칩 패키지를 설명하면, 패키지 기판(100) 일주면상에 다수의 반도체 칩(300)이 부착된다. 이때, 다수의 칩(300)은소잉(sawing)된 면(220)이 패키지 기판(100)면과 접하도록 부착되며, 칩(300)의 소잉된 면(220)에는 도전성 패드(210)가 노출되어 있다. 아울러, 다수의 칩(300)은 일정 등간격을 두고 이격되어 있으며, 칩(300)의 패드(210)와 부착되는 패키지 기판(100) 부분에도 패드(도시되지 않음)가 형성되어 있다. 여기서, 다수의 칩(300)과 패키지 기판(100)은 접착제, 예컨대, Ag 글래스와 같은 도전성 범프(bump:130)에 의하여 부착되고, 바람직하게는, 칩(300)의 패드(210)와 패키지 기판(100)의 패드(도시되지 않음) 사이에 도전성 범프(130)가 개재되어 부착되어 있다.First, referring to FIG. 4, a multi-chip package according to an exemplary embodiment of the present invention is provided with a plurality of semiconductor chips 300 attached to one surface of a package substrate 100. At this time, the plurality of chips 300 are attached so that the sawed surface 220 is in contact with the package substrate 100 surface, and the conductive pad 210 is exposed on the sawed surface 220 of the chip 300. It is. In addition, the plurality of chips 300 are spaced at regular intervals, and pads (not shown) are formed on portions of the package substrate 100 attached to the pads 210 of the chips 300. Here, the plurality of chips 300 and the package substrate 100 are attached by an adhesive, for example, a conductive bump 130 such as Ag glass, and preferably, the pad 210 and the package of the chip 300 are packaged. Conductive bumps 130 are interposed between pads (not shown) of the substrate 100.

또한, 패키지 기판(100)의 뒷면에는 다수의 리드(150)가 형성되어 있다. 이때, 리드(150)는 외부의 전기적인 단자와 패키지를 전기적으로 연결시키기 위한 것으로, 예를 들어, 핀(pin) 또는 볼이 이용될 수 있다.In addition, a plurality of leads 150 are formed on the rear surface of the package substrate 100. In this case, the lead 150 is for electrically connecting the external electrical terminal and the package. For example, a pin or a ball may be used.

이러한 반도체 칩(300) 및 멀티 칩 패키지는 다음과 같은 방법에 의하여 제작된다.The semiconductor chip 300 and the multi-chip package are manufactured by the following method.

도 5를 참조하여, 스크라이브 라인(scribe line:SC)이 한정된 반도체 기판(200) 상부에 다층의 절연층(202,204) 및 다층 배선(206)이 형성된다. 이때, 본 도면은 반도체 소자의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 것으로서, 다층의 배선을 단순화시켜 나타내었다. 이어서, 다층 배선의 소정 부분과 연결되도록 패드 금속 배선(210)을 형성한다. 이때, 패드 금속 배선(210)은 스크라이브 라인(SC) 영역까지 연장되도록 형성한다. 그후, 패드 금속 배선(210)을 덮도록 절연막(212)을 형성한다음, 반도체 기판(200)을 단위 칩별로 소잉한다. 이때, 소잉은 알려진 바와 같이 반도체 기판(100)의 스크라이브 라인(SC)으로 한정된 부분을 다이아몬드 톱등으로 절단한다. 그러면, 반도체 칩(300)의 소잉된 면(220)에는 패드 금속 배선(210)이 노출되므로, 노출된 패드 금속 배선(210)이 곧 본 발명의 도전성 패드(210)가 된다. 그후, 앞서 설명한 바와 같이, 소잉된 면(220)이 패키지 기판(100) 표면과 접하도록 부착하므로써, 본 발명의 패키지를 완성한다.Referring to FIG. 5, multilayer insulating layers 202 and 204 and multilayer wirings 206 are formed on a semiconductor substrate 200 on which scribe lines SC are defined. At this time, the figure schematically shows the internal structure of the semiconductor device, and shows a simplified illustration of the multilayer wiring. Subsequently, the pad metal wiring 210 is formed to be connected to a predetermined portion of the multilayer wiring. In this case, the pad metal line 210 is formed to extend to the scribe line SC area. Thereafter, the insulating film 212 is formed to cover the pad metal wiring 210, and then the semiconductor substrate 200 is sawed for each unit chip. At this time, sawing cuts the part defined by the scribe line SC of the semiconductor substrate 100 with a diamond saw, etc. as is known. Then, since the pad metal wiring 210 is exposed on the sawed surface 220 of the semiconductor chip 300, the exposed pad metal wiring 210 becomes the conductive pad 210 of the present invention. Thereafter, as described above, the sawed surface 220 is attached so as to contact the surface of the package substrate 100, thereby completing the package of the present invention.

이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 칩의 패드를 소잉면에 노출되도록 형성한 후, 소잉면이 패키지 기판면에 접하도록 부착한다. 즉, 반도체 칩을 수직으로 세운 상태로 부착하므로, 면적을 증대시키지 않고도 다수의 칩을 장착할 수 있다.As described in detail above, according to the present invention, after the pad of the chip is formed to be exposed to the sawing surface, the sawing surface is attached to contact the package substrate surface. That is, since the semiconductor chip is attached in a vertical position, many chips can be mounted without increasing the area.

아울러, 칩의 패드와 패키지 기판의 패드가 범프에 의하여 직접 접촉되므로, 와이어 본딩이 요구되지 않아, 스피드 저하 및 노이즈 발생이 감소된다.In addition, since the pad of the chip and the pad of the package substrate are directly contacted by bumps, wire bonding is not required, thereby reducing speed degradation and noise generation.

또한, 칩과 칩이 적층되지 않으므로, 칩 상부에 칩을 적층시킬 때 일어나는 하중이 발생되지 않는다. 이에 따라, 크랙과 같은 문제점이 발생되지 않는다.In addition, since the chip and the chip are not stacked, the load occurring when the chip is stacked on the chip is not generated. Accordingly, problems such as cracks do not occur.

이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.Although the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. .

Claims (9)

다수의 패드를 구비한 패키지 기판;A package substrate having a plurality of pads; 상기 패키지 기판의 상부에 소잉된 면이 패키지 기판면과 접하도록 부착되는다수의 반도체 칩; 및A plurality of semiconductor chips attached to the top surface of the package substrate so as to contact the package substrate surface; And 상기 패키지 기판 뒷면에 배열되며, 상기 칩들을 외부와 전기적으로 연결시키기 위한 다수의 리드를 구비하며,Is arranged on the back of the package substrate, and has a plurality of leads for electrically connecting the chips to the outside, 상기 반도체 칩의 소잉된 면에는 도전 패드가 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.And a conductive pad is exposed on the sawed surface of the semiconductor chip. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체 칩은 소잉된 면에 노출된 도전 패드와 상기 패키지 기판면의 패드가 전기적으로 접촉되도록 부착되는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.The semiconductor chip is attached to the conductive pad exposed to the sawed surface and the pad on the surface of the package substrate is attached to the electrical contact. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 반도체 칩과 상기 패키지 기판은 도전성 범프에 의하여 접착되는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.And the semiconductor chip and the package substrate are bonded by conductive bumps. 제 3 항에 있어서, 상기 도전성 범프는 상기 칩의 패드와 패키지 기판의 패드 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.The multi-chip package of claim 3, wherein the conductive bumps are interposed between pads of the chip and pads of a package substrate. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 도전성 범프는 Ag 글래스인 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.The conductive bump is a multi-chip package, characterized in that the Ag glass. 스크라이브 라인이 한정되어 있으며, 반도체 소자가 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계;Providing a semiconductor substrate on which a scribe line is defined and in which a semiconductor element is formed; 상기 반도체 기판 상부에 단부가 스크라이브 라인 내부로 연장되도록 패드 금속 배선을 형성하는 단계;Forming a pad metal line on the semiconductor substrate such that an end portion extends into a scribe line; 상기 반도체 기판의 스크라이브 라인을 소잉하여, 소잉면에 패드 금속 배선이 노출된 반도체 칩을 형성하는 단계; 및Sawing a scribe line of the semiconductor substrate to form a semiconductor chip having exposed pad metal wiring on a sawing surface; And 상기 반도체 기판의 소잉된 면이 패키지 기판면과 접하도록, 다수의 패드를 구비한 패키기 기판상에 반도체 칩을 부착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지의 제조방법.Attaching a semiconductor chip on a package substrate having a plurality of pads such that the sawed surface of the semiconductor substrate is in contact with the package substrate surface. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 반도체 칩을 부착시키는 단계에서,Attaching the semiconductor chip, 상기 반도체 칩의 소잉된 면에 노출된 패드와 패키지 기판의 패드가 접촉되도록 부착하는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지의 제조방법.And attaching the pad exposed to the sawed surface of the semiconductor chip to be in contact with the pad of the package substrate. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 반도체 칩을 부착시키는 단계에서,Attaching the semiconductor chip, 상기 반도체 칩의 패드와 패키지 기판의 패드 사이에 도전성 범프를 개재하여 접착시키는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지의 제조방법.And bonding conductive bumps between the pads of the semiconductor chip and the pads of the package substrate. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 도전성 범프는 Ag 글래스인 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지의 제조방법.The conductive bump is Ag glass manufacturing method of the multi-chip package, characterized in that.
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