KR20030048683A - 파장 가변 레이저 광원 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 파장 분할 다중화 방식의 광통신 시스템에서 요구되고 있는 파장 가변 레이저 광원에 대한 것이다. 특히 파장 라커(wavelength locker) 없이도 좋은 파장 안정성을 갖는 파장 가변 레이저 광원에 관한 것이다. 본 발명의 파장 가변 레이저 광원은 다중 반사 피크를 구현할 수 있는 광섬유와 모드 크기 변환기 영역, 이득 영역, 브래그 거울 영역으로 구성된 반도체 소자가 결합되어 있고, 상기 반도체 소자의 광섬유쪽 단면은 무반사 코팅층이 형성되어 있다. 이에 따라, 본 발명의 파장 가변 레이저 광원은 광섬유에 의해 레이저의 발진 파장이 안정화되어, 온도, 구동전류, 외부환경 등에 무관한 안정적인 레이저의 발진 파장을 파장 라커 없이 구현할 수 있다.

Description

파장 가변 레이저 광원{Tunable wavelength laser light source}
본 발명은 파장 분할 다중화 방식(WDM: wavelength division mutiplexing)의 광통신 시스템에서 요구되고 있는 파장 가변 레이저 광원에 대한 것으로, 보다 상세하게는 파장 라커(wavelength locker) 없이도 좋은 파장 안정성을 갖는 파장 가변 레이저 광원에 관한 것이다.
통신을 통해 전송되는 정보의 양이 급격히 늘어나면서, 전송 속도를 높이기 위한 방법으로 파장 분할 다중화 방식의 광신호 전송이 사용되고 있다. 이 방식은 빛의 비간섭성을 이용하여 하나의 광섬유를 통해 서로 다른 파장(채널)의 광신호를 전송하여 결과적으로 전송속도를 증가시키는 것이다. 파장 분할 다중화 방식은 광통신 시스템의 확장성과 유연성을 보장하는데 유리하고 경제적인 것으로 알려져 있다.
파장 분할 다중화 방식의 광통신 시스템에서 다채널광원 혹은 예비광원으로 파장 가변 레이저 광원의 중요성이 계속적으로 증가하고 있다. 이러한 용도로 사용되기 위해서는 파장 가변 레이저 광원은 좋은 단일 모드 동작 특성 (측모드 억제율 30 dB 이상), 파장 안정성 (채널 간격의 ±5% 이하), 높은 출력 파워 등의 특성을 가져야 한다. 이와 함께 앞으로 급속한 발전이 예상되는 메트로 망과 가입자 망에서 사용되기 위해서는 저가의 파장 가변 레이저 광원이 필요하리라 예상된다.
그러나, 종래의 파장 가변 레이저 광원은 반도체 소자의 큰 파장 의존성으로인해 구동전류, 온도, 주위 환경 등에 무관한 안정적인 발진 파장을 얻기가 쉽지 않았다. 이러한 문제의 해결 방법으로서 발진 파장을 감시하고, 감시된 값을 이용하여 능동적으로 파장을 조절해 주는 파장 라커(wavelength locker)를 주로 사용하였다. 그러나, 이 방법은 파장 라커가 상대적으로 비싸고, 파장 라커를 광소자 모듈내에 패키징해야 하는 공정상의 어려움, 파장 감시 결과를 피드백(feedback) 해 주는 파장 조절 회로를 부가적으로 설치해야 하는 문제가 있다. 또한, 반도체 레이저 다이오드의 노화(aging)에 따른 특성변화를 파장 조절 회로에 입력하기 위해 주기적으로 캘리브레이션을 수행하여야 한다. 다시 말해, 종래의 파장 가변 레이저 광원은 복잡한 구동회로와 비싼 가격 등의 단점을 가지고 있어 저가의 소자를 요구하는 메트로 망, 가입자용 광통신 시스템에서 사용되기에는 어려움이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래의 문제점을 해결하여 파장 라커나 능동적인 파장 조절 없고 저가이면서도 높은 파장 안정성을 갖는 파장 가변 레이저 광원을 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2의 (a) 내지 (c)는 도 1의 파장 가변 레이저 광원의 동작 원리를 나타내는 개념도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4의 (a) 내지 (c)는 도 3의 파장 가변 레이저 광원의 동작 원리를 나타내는 개념도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원을 개략적으로 도시한 도면이다.
제 8은 본 발명의 제6 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원을 개략적으로 도시한 도면이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 예에 의한 파장 가변 레이저 광원은 다중 반사 피크를 구현할 수 있는 광섬유와, 상기 광섬유쪽 단면에 무반사코팅층이 형성되어 있고, 모드 크기 변환기 영역, 이득 영역 및 브래그 거울 영역을 포함하여 레이저 발진 파장을 가변할 수 있는 반도체 소자로 이루어져 상기 광섬유 및 반도체 소자는 광결합되어 상기 광섬유의 반사 피크에 따라 레이저 발진파장이 결정되는 것을 특징으로 한다.
상기 반도체 소자에 위상 조절 영역을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 광섬유에는 다중 반사 피크를 구현하기 위해 다중 광섬유 브래그 격자 또는 추출 광섬유 브래그 격자가 형성되어 있을 수 있다. 상기 브래그 거울 영역에는 레이저 발진 파장을 가변할 수 있게 다중 브래그 격자 또는 추출 브래그 격자가 형성되어 있을 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 예에 의한 파장 가변 레이저 광원은 다중 반사 피크를 구현할 수 있는 광섬유와, 상기 광섬유쪽 단면에 무반사코팅층이 형성되어 있고, 모드 크기 변환기 영역, 이득 영역 및 파장 가변 필터 영역을 포함하여 레이저 발진 파장을 가변할 수 있는 반도체 소자로 이루어져 상기 광섬유 및 반도체 소자는 광결합되어 상기 광섬유의 반사 피크에 따라 레이저 발진 파장이 결정되는 것을 특징으로 한다.
상기 반도체 소자에 위상 조절 영역을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 광섬유에는 다중 반사 피크를 구현하기 위해 다중 광섬유 브래그 격자 또는 추출 광섬유 브래그 격자가 형성되어 있을 수 있다. 상기 파장 가변 필터 영역에는 레이저 발진 파장을 가변할 수 있게 광결합 도파로가 형성되어 있을 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 예에 의한 파장 가변 레이저 광원은 다중 반사 피크를 구현할 수 있는 광섬유와, 상기 광섬유쪽 단면에 무반사코팅층이 형성되어 있고, 이득 영역 및 브래그 거울 영역을 포함하여 레이저 발진 파장을 가변할 수 있는 반도체 소자와, 상기 광섬유와 반도체 소자 사이에 설치된 렌즈로 이루어지고,상기 광섬유 및 반도체 소자는 상기 렌즈를 통하여 광결합되어 상기 광섬유의 반사 피크에 따라 레이저 발진 파장이 결정되는 것을 특징으로 한다.
상기 반도체 소자에 위상 조절 영역을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 광섬유에는 다중 반사 피크를 구현하기 위해 다중 광섬유 브래그 격자 또는 추출 광섬유 브래그 격자가 형성되어 있을 수 있다. 상기 브래그 거울 영역에는 레이저 발진 파장을 가변할 수 있게 다중 브래그 격자 또는 추출 브래그 격자가 형성되어 있을 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 예에 의한 파장 가변 레이저 광원은 실리카 기판 위에 평면 도파로를 구비하여 다중 반사 피크를 구현할 수 있는 실리카 수동 광회로와, 상기 실리카 기판에 플립칩 본딩되어 있고, 상기 실리카 수동 광회로의 평면 도파로쪽 단면에 무반사코팅층이 형성되어 있고, 모드 크기 변환기 영역, 이득 영역 및 브래그 거울 영역을 포함하여 레이저 발진 파장을 가변할 수 있는 반도체 소자로 이루어져 상기 실리카 수동 광회로 및 반도체 소자는 광결합되어 상기 실리카 수동 광회로의 반사 피크에 따라 레이저 발진 파장이 결정되는 것을 특징으로 한다.
상기 반도체 소자에 위상 조절 영역을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 실리카 수동 광회로의 평면 도파로에는 다중 반사 피크를 구현하기 위해 다중 브래그 격자 또는 추출 브래그 격자가 형성되어 있을 수 있다. 상기 브래그 거울 영역에는 레이저 발진 파장을 가변할 수 있게 다중 브래그 격자 또는 추출 브래그 격자가 형성되어 있을 수 있다.
이상과 같은 구성을 통하여 본 발명의 파장 가변 레이저 광원은 파장 라커나 능동적인 파장 조절 없이 저가이면서도 높은 파장 안정성을 가질 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예들에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 도면에서 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 파장 가변 레이저 광원은 브래그 격자(12)를 포함하여 다중 반사 피크를 얻을 수 있는 광섬유(100)와, 광도파로(22)를 갖는 반도체 소자(200), 예컨대 반도체 레이저 소자가 광결합되어 구성된다. 상기 광섬유(100)의 브래그 격자(12)는 다중 광섬유 브래그 격자(Multiple Fiber Bragg Grating)나 추출 광섬유 브래그 격자 (Sampled Fiber Bragg Grating)이다. 다중 광섬유 브래그 격자는 서로 다른 중심 파장을 갖는 여러 개의 브래그 격자를 광섬유(100)에 제작한 것이다. 그리고, 추출 광섬유 브래그 격자는 중심 파장이 동일한 브래그 격자를 광섬유(100)에 일정 주기로 배열해 광섬유에 제작한 것이다.
상기 반도체 소자(200)는 광도파로(22)를 갖으며, 상기 광섬유와 인접한 부분부터 순차적으로 모드 크기 변환기 영역(20), 이득 영역(30), 및 브래그 거울 영역(40)을 포함한다. 상기 모드 크기 변환기 영역(20)은 레이저광의 폭을 상기 광섬유(100)와 매칭시켜 상기 반도체 소자(200)와 광섬유(100)의 광결합 효율을 높이는 역할을 수행한다. 상기 이득 영역(30)은 이득 전극(26)을 통해 전류를 주입하여 반사광을 증폭시키는 역할을 수행한다. 상기 브래그 거울 영역(40)은 다중 브래그 격자(24)가 포함되어 반사 파장을 가변시키며, 더하여 브래그 거울 전극(28)을 통해 전류를 주입하여 가변되는 반사 파장을 선택 및 조절하는 역할을 수행한다.
상기 광섬유(100)와 접하여 있는 반도체 소자(200)의 왼쪽 단면은 무반사 코팅층(32)이 형성되어 있다. 이렇게 반도체 소자(200)의 왼쪽 단면에 무반사 코팅층(32, antireflection coating layer)이 형성되어 있으면 레이저 공진이 반도체 소자(200)의 내부에서 일어나는 것을 억제할 수 있다. 결과적으로, 레이저 공진기의 구성은 반도체 소자(200)의 브래그 거울 영역(40)과 브래그 격자(12)를 갖는 광섬유(100) 사이에서 형성된다. 상기 반도체 소자(200)의 오른쪽 단면은 절단면을 그대로 이용하거나, 효율을 높이기 위하여 절단면에 높은 반사율 코팅을 할 수 있다.
도 2의 (a) 내지 (c)는 도 1의 파장 가변 레이저 광원의 동작 원리를 나타내는 개념도이다.
구체적으로, 도 2의 (a) 및 (b)은 각각 다중 반사 피크를 얻을 수 있는 광섬유(100)와 반도체 소자(200)에서 반사율과 파장에 대한 관계를 나타낸다. 도 2의 (b)의 반사 피크의 실선, 점선, 대시선은 반도체 소자(200)에서 서로 다른 브래그 거울 영역(40)에 주입되는 전류에 따른 반사 피크를 나타낸다. 도 2의 (a)에서 보듯이 광섬유에서 반사 피크의 파장은 고정되어 있으나, 반도체 소자(200)의 브래그 거울 영역(40)에서의 반사 피크의 파장은 브래그 거울 영역(40)에 주입되는 전류에 따라 원하는 대로 조절할 수 있다.
결과적으로, 반도체 소자(200)의 브래그 거울 영역(40)에 주입되는 전류를 변화시켜 파장 가변을 조절할 수 있지만, 발진 파장은 항상 광섬유(100)의 반사 피크 중 하나의 파장에 결정되게 된다. 다시 말해, 발진 파장은 도 2의 (c)중 어느 하나의 파장으로 결정된다. 상기 광섬유(100)의 반사 피크를 파장 가변 다중화 방식의 통신 시스템에서 채널 간격으로 유지하면 별도의 파장 라커 없이도 항상 원하는 파장을 안정적으로 얻을 수 있다.
상기 광섬유(100)에 제작된 브래그 격자의 중심파장은 0.01nm/℃의 온도 의존성을 갖는다. 이 값은 종래의 반도체 소자의 0.1 nm/℃ 보다 10 분의 1 정도로 작은 값이다. 그리고, 광섬유(100)에 온도보상(athermal) 패키징을 사용하면 -10℃에서 70℃의 온도 범위에서 중심 파장의 변화가 40pm이하가 되도록 온도 의존성을 줄일 수 있다. 더욱이, 광섬유(100)는 전류 주입에 의한 발열이나 굴절률 변화 문제가 없다는 사실을 고려하면 광섬유(100)에 의해 파장이 결정되는 본 발명의 파장 가변 레이저 광원은 매우 좋은 파장 안정성을 가질 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원을 개략적으로 도시한 도면이다.
구체적으로, 본 발명의 제2 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원은 도 1의 제1 실시예와 비교하여 브래그 거울 영역(40) 내의 다중 브래그 격자를 추출 브래그 격자(sampled bragg grating, 34)로 바꾼 것을 제외하고는 동일하다. 상기 추출 브래그 격자(34)도 다중의 반사 피크를 갖는데, 추출 브래그 격자(34)에 의한 반사 피크의 간격이 광섬유(10)의 반사 피크 간격과 약간 크거나 작도록 한다.
도 4의 (a) 내지 (c)는 도 3의 파장 가변 레이저 광원의 동작 원리를 나타내는 개념도이다.
구체적으로, 도 4의 (a) 및 (b)은 각각 다중 반사 피크를 얻을 수 있는 광섬유(100)와 반도체 소자(200)에서 반사율과 파장에 대한 관계를 나타낸다. 광섬유(100)와 반도체 소자(200)간에 반사 피크의 간격이 다르므로, 브래그 거울 영역(40)에 전류를 주입하여 반사 피크들을 전체적으로 이동시키면 어느 한 파장에서 상기 광섬유(100)와 반도체 소자(200)간의 반사 피크의 파장을 일치시킬 수 있다. 이 경우 레이저광은 일치된 파장에서 발진하게 된다.
또한 파장 가변 특성을 구현하기 위해서는 브래그 거울 영역(40)에 주입되는 전류를 변화시켜 반사 피크를 전체적으로 이동하게 한다. 반도체 소자(200)에서 반사 피크가 이동함에 따라 광섬유(100)와 반사 피크가 일치하는 파장이 변화하게 되고, 결과적으로 다른 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이 일정 파장에서 레이저가 발진하게 된다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원을 개략적으로 도시한 도면이다.
구체적으로, 본 발명의 제3 실시예는 제1 및 제2 실시예의 브래그 거울 영역(40)을 파장 가변 필터 영역(50)으로 치환한 구조이다. 파장 가변 필터 영역을이용하여 오른쪽 단면에서 반사되어 돌아오는 반사 피크를 조절하면 도 2의 (a) 내지 (c)에서 설명한 것과 같은 원리로 광섬유의 반사 피크 중 하나의 파장에서 레이저 발진 파장을 고정시킬 수 있다. 도 5에서, 참조번호 36은 광결합 도파로를 의미하며, 참조번호 38은 파장 가변 필터 영역(50)에 전류를 주입하기 위한 전극을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원을 개략적으로 도시한 도면이다.
구체적으로, 본 발명의 제4 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원은 광섬유와 반도체 소자의 광결합을 위하여 모드 크기 변환기 영역을 구비하지 않고 렌즈(42)를 이용하여 광결합을 이루는 것을 제외하고는 제1 실시예와 동일하다. 즉, 본 발명의 제4 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원은 반도체 소자(200)가 이득 영역(30)과 브래그 거울 영역(40)으로 구성된다. 또한, 상기 반도체 소자(200)의 브래그 거울 영역(40)에는 다중 브래그 격자(24)를 구성하였으나, 도 3과 같은 추출 브래그 격자(34)를 사용하여도 무방하다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원을 개략적으로 도시한 도면이다.
구체적으로, 본 발명의 제5 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원은 반도체 소자(200)에 위상 조절 영역(60)을 추가한 것을 제외하고는 제1 실시예와 동일하다. 상기 위상 조절 영역(60)은 이득영역(30)과 브래그 거울 영역(40) 사이에 위치하도록 구성한다. 본 발명의 제5 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원은 위상 조절 영역(60)을 추가함으로써 레이저 특성의 미세 조절이 가능하다.
또한, 상기 위상 조절 영역(60)은 제2 실시예, 제3 실시예 및 제4 실시예에도 적용할 수 있다. 상기 반도체 소자(200)의 브래그 거울 영역(40)에는 다중 브래그 격자(24)를 구성하였으나, 도 3과 같은 추출 브래그 격자(34)를 사용하여도 무방하다. 도 7에서, 참조번호 44는 위상 조절 영역(60)에 전류를 주입할 수 있는 전극을 나타낸다.
도 8은 본 발명의 제6 실시예에 의한 파장 가변 레이저 광원을 개략적으로 도시한 도면이다.
구체적으로, 본 발명의 제1 내지 제5 실시예는 다중 반사 피크를 얻을 수 있는 수단으로 광섬유(100)를 채용하였다. 그런데, 본 발명의 제6 실시예는 광섬유(100)와 동일한 물질 특성을 갖는 실리카 수동 광회로(passive lightwave circuit : PLC, 300)를 이용하는 것을 제외하고는 제1 실시예와 동일하다.
상기 실리카 수동 광회로(300)는 실리카 기판(46) 위에 산화규소막을 형성하여 광섬유(100)와 동일한 물질 특성을 갖는 평면 도파로를 구성하는 기술이다. 상기 실리카 수동 광회로(300)는 실리카 기판(46) 위에 광도파로의 코어층(52)과 클래드층(54)을 제작하고 형성된 평면 도파로에 브래그 격자(48)를 형성한다. 상기 실리카 기판(46) 상의 광도파로 코어층(52)과 클래드층(54)은 산화규소막의 제작 과정에서 붕소, 인, 불소 등 불순물을 첨가해 코어층(52)의 굴절률이 클래드층(54)의 굴절률보다 크도록 만들어 줌으로써 형성된다. 상기 브래그 격자(48)는 다중 반사 피크를 구현하기 위해 다중 브래그 격자 또는 추출 브래그 격자로 구성할 수 있다.
상기 실리카 수동 광회로(300)는 평면 도파로쪽에 무반사코팅층(32)이 형성된 반도체 소자(200)와 결합하게 되면 도 2 및 도 4에서 나타난 것과 동일한 원리로 파장 가변 레이저 광원을 구성할 수 있다. 즉, 모드 크기 변환기 영역(20), 이득 영역(30), 브래그 거울 영역(40)을 포함하는 반도체 소자는 실리카 기판(46) 위에 수동 광정렬에 의해 플립칩 본딩 (flip-chip bonding) 되도록 하여 광정렬이 용이하게 구성할 수 있다. 더하여, 상기 실리카 수동 광회로(300)는 실리카 기판(46) 위에 형성된 평면 형태이므로, 광섬유(100)와는 달리 쉽게 열전냉각 소자 (thermo-electric cooler) 위에 부착할 수 있다는 장점이 있다. 도 8에 도시한 반도체 소자(200)는 앞서의 제1 실시예 내지 제5 실시예에 도시한 반도체 소자(200)를 그대로 적용할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 파장 가변 레이저 광원은 파장 라커나 능동적인 파장 조절 없고 저가이면서도 높은 파장 안정성을 갖는다.
더하여, 본 발명의 파장 가변 레이저 광원은 광섬유에 의해 레이저의 발진 파장이 안정화되어, 온도, 구동전류, 외부환경 등에 무관한 안정적인 레이저의 발진 파장을 파장 라커 없이 구현할 수 있다.

Claims (9)

  1. 다중 반사 피크를 구현할 수 있는 광섬유; 및
    상기 광섬유쪽 단면에 무반사코팅층이 형성되어 있고, 모드 크기 변환기 영역, 이득 영역 및 브래그 거울 영역을 포함하여 레이저 발진 파장을 가변할 수 있는 반도체 소자로 이루어지고, 상기 광섬유 및 반도체 소자는 광결합되어 상기 광섬유의 반사 피크에 따라 레이저 발진 파장이 결정되는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원.
  2. 다중 반사 피크를 구현할 수 있는 광섬유; 및
    상기 광섬유쪽 단면에 무반사코팅층이 형성되어 있고, 모드 크기 변환기 영역, 이득 영역 및 파장 가변 필터 영역을 포함하여 레이저 발진 파장을 가변할 수 있는 반도체 소자로 이루어지고, 상기 광섬유 및 반도체 소자는 광결합되어 상기 광섬유의 반사 피크에 따라 레이저 발진 파장이 결정되는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원.
  3. 다중 반사 피크를 구현할 수 있는 광섬유;
    상기 광섬유쪽 단면에 무반사코팅층이 형성되어 있고, 이득 영역 및 브래그 거울 영역을 포함하여 레이저 발진 파장을 가변할 수 있는 반도체 소자; 및
    상기 광섬유와 반도체 소자 사이에 설치된 렌즈로 이루어지고, 상기 광섬유 및 반도체 소자는 상기 렌즈를 통하여 광결합되어 상기 광섬유의 반사 피크에 따라 레이저 발진 파장이 결정되는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원.
  4. 실리카 기판 위에 평면 도파로를 구비하여 다중 반사 피크를 구현할 수 있는 실리카 수동 광회로; 및
    상기 실리카 기판에 플립칩 본딩되어 있고, 상기 실리카 수동 광회로의 평면 도파로쪽 단면에 무반사코팅층이 형성되어 있고, 모드 크기 변환기 영역, 이득 영역 및 브래그 거울 영역을 포함하여 레이저 발진 파장을 가변할 수 있는 반도체 소자로 이루어지고, 상기 실리카 수동 광회로 및 반도체 소자는 광결합되어 상기 실리카 수동 광회로의 반사 피크에 따라 레이저 발진 파장이 결정되는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원.
  5. 제1항 내지 제4항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 소자에 위상 조절 영역을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원.
  6. 제1항 내지 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 광섬유에는 다중 반사 피크를 구현하기 위해 다중 광섬유 브래그 격자 또는 추출 광섬유 브래그 격자가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원.
  7. 제1항, 제3항, 또는 제4항에 있어서, 상기 브래그 거울 영역에는 레이저 발진 파장을 가변할 수 있게 다중 브래그 격자 또는 추출 브래그 격자가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원.
  8. 제2항에 있어서, 상기 파장 가변 필터 영역에는 레이저 발진 파장을 가변할 수 있게 광결합 도파로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원.
  9. 제4항에 있어서, 상기 실리카 수동 광회로의 평면 도파로에는 다중 반사 피크를 구현하기 위해 다중 브래그 격자 또는 추출 브래그 격자가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원.
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