KR20030046801A - Parallel logic devices/circuits tester for plural logic devices/circuits and parallel memory chip repairing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 소자(device) 및 소자가 포함된 로직회로(logic circuit)의 불량여부를 실시간으로 테스트하기 위한 로직회로 테스트 장치 및 메모리IC 수선장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기준소자와 다수의 검사대상소자(DUT) 또는 기준PCB(Printed Circuit Board)와 기준 PCB와 동일한 회로구성을 갖는 DUT테스트보드를 병렬로 배치하여 상기 기준소자와 검사대상소자 또는 기준 PCB와 DUT테스트보드에 동일한 입력신호를 인가하여 동작시키고 기준소자와 검사대상소자로부터 출력되는 신호 또는 기준 PCB와 DUT테스트보드로부터 출력되는 신호를 하드웨어적으로 구성된 비교수단을 이용하여 비교함으로써 실시간으로 다수의 검사대상소자의 불량여부 또는 검사대상소자가 PCB에서 정상동작 하는지 여부를 판단할 수 있는 병렬 로직회로 테스트장치에 관한 것이다. 또한, 검사대상소자가 메모리IC인 경우 상술된 비교수단의 비교결과를 이용하여 메모리IC의 불량위치를 정확히 파악하고 이를 수선할 수 있는 메모리IC 수선장치에 관한 것이다.The present invention relates to a logic circuit test apparatus and a memory IC repair apparatus for real-time testing whether a device and a logic circuit including the device are defective. DUT test boards having the same circuit configuration as the device under test (DUT) or the reference PCB (Printed Circuit Board) and the reference PCB are arranged in parallel to provide the same input signal to the reference device and the device under test or the reference PCB and the DUT test board. It is operated by applying and comparing the signal output from the reference device and the device under test or the signal output from the reference PCB and the DUT test board by using the hardware-configured comparison means. The present invention relates to a parallel logic circuit tester that can determine whether a device operates normally on a PCB. In addition, when the device to be inspected is a memory IC, the present invention relates to a memory IC repair apparatus capable of accurately identifying and repairing a defective position of the memory IC using the comparison result of the above-described comparison means.
일반적으로, 반도체칩이나 반도체칩모듈과 같은 로직회로의 불량여부 테스트는 제품완성 후 소자의 불량여부을 판별하는 최종적인 과정으로서, 다량의 소자들을 효율적으로 빠른 시간에 검사할 수 있는 로직회로 테스트 장치가 요청되고 있다.In general, a test for failure of logic circuits such as a semiconductor chip or a semiconductor chip module is a final process of determining whether a device is defective after completion of a product, and a logic circuit test apparatus capable of inspecting a large amount of devices efficiently and quickly is provided. It is requested.
도 1은 반도체칩과 같은 로직회로를 테스트하기 위한 종래 로직회로 테스트 장치의 블록도이다.1 is a block diagram of a conventional logic circuit test apparatus for testing a logic circuit such as a semiconductor chip.
중앙검사부(100)는 핸들러(200)의 소켓(socket:201a, 201b, 201c)에 연결된 어드레스라인(A), 컨트롤라인(C), 데이터 입출력(I/O)라인(D)을 통해 각 검사대상소자들(202a, 202b, 202c)에 인가되는 어드레스신호, 제어신호, 데이터신호를 발생한다. 즉, 중앙검사부(100)는 쓰기모드에서 제어신호로 검사대상소자들(202a, 202b, 202c)의 동작을 제어하고 어드레스신호로 검사대상소자들(202a, 202b, 202c)의 특정 위치를 지정하여 해당 위치에 데이터를 기록한다. 또한, 중앙검사부(10)는 읽기 모드에서 역시 제어신호로 검사대상소자들(202a, 202b, 202c)의 동작을 제어하고 어드레스신호로 검사대상소자(202a, 202b, 202c)의 특정 위치를 지정하여 해당 위치에 데이터를 읽어들인다. 중앙검사부(100)는 이렇게 읽어들인 각 검사대상소자들(202a, 202b, 202c)로부터의 데이터값을 자신이 발생시켜 각 검사대상소자들(202a, 202b, 202c)로 인가해준 데이터신호에 대한 예상결과치와 비교하여 각 검사대상소자들(202a, 202b, 202c)의 불량여부를 판단한다.The central inspection unit 100 inspects each inspection through an address line (A), a control line (C), and a data input / output (I / O) line (D) connected to the sockets 201a, 201b, and 201c of the handler 200. Address signals, control signals, and data signals applied to the target elements 202a, 202b, and 202c are generated. That is, the central inspection unit 100 controls the operation of the inspection target elements 202a, 202b, and 202c with the control signal in the write mode, and designates specific positions of the inspection target elements 202a, 202b, and 202c with the address signal. Record the data at that location. In addition, the central inspection unit 10 also controls the operation of the inspection target elements 202a, 202b, and 202c with the control signal in the read mode, and designates specific positions of the inspection target elements 202a, 202b, and 202c with the address signal. Read data to the location. The central inspection unit 100 predicts the data signal generated by the central inspection unit 100 and thus applied to the respective inspection target elements 202a, 202b, and 202c. It is determined whether or not the inspection target elements 202a, 202b, and 202c are defective by comparison with the result value.
이러한 종래의 로직회로 테스트 장치는 중앙검사부(100)에서 모든 검사대상소자들(202a, 202b, 202c)로부터 데이터신호를 인가받아 이를 자신이 발생시켜 검사대상소자들(202a, 202b, 202c)로 인가해준 데이터신호에 대한 예상결과치와 소프트웨어적으로 일일이 비교한다. 또한, 중앙검사부(100)와 테스트블럭(200)간의 어드레스신호 및 제어신호는 공유가 가능하나, 데이터 I/O라인은 공유가 불가능하여 각 검사대상소자들에 대해 일대일 대응되는 데이터 I/O라인이 필요하다.The conventional logic circuit test apparatus receives data signals from all the inspection target elements 202a, 202b, and 202c in the central inspection unit 100 and generates them and applies them to the inspection target elements 202a, 202b, and 202c. The expected result of the data signal is compared with each other in software. In addition, although the address signal and the control signal between the central inspection unit 100 and the test block 200 can be shared, the data I / O lines cannot be shared, so that data I / O lines corresponding to each inspection target element have a one-to-one correspondence. This is necessary.
이때, 중앙검사부(100)에서의 검사대상소자들(202a, 202b, 202c)에 대한 테스트공정은 각 검사대상소자별로 독립적으로 이루어진다. 즉, 데이터신호들의 전송은 각각 서로 다른 I/O라인을 통해 이루어지므로 각 데이터신호는 다른 데이터신호와는 독립적이다. 따라서, 전체 검사대상소자들에 대한 테스트가 동시에 종료되지 않게 되어 검사대상소자의 수가 많아질수록 전체적인 테스트시간이 길어진다. 더욱이, 데이터신호 비교공정이 중앙검사부(100)에서 소프트웨어적으로 각 검사대상소자들에 대해 이루어지므로 검사대상소자의 수가 많아질수록 중앙검사부(100)의 동작에 로드가 많이 걸리게 된다. 이로써, 테스트장치의 안정적 동작을 위해서는 고속처리가 가능한 고가의 프로세서를 사용할 필요가 있다. 또한, 데이터 I/O라인은 고속으로 신호전송을 할 수 있는 고가의 장치로서, 결국 많은 수의 검사대상소자를 테스트하기 위한 테스트 장치는 고가의 데이터라인의 증가에 따른 제조단가 상승의 부담을 갖게 된다. 상술한 바와 같이, 종래의 테스트장치는 검사대상소자의 수가 증가할수록 그에 비례하여 경제적, 물리적 제한이 많이 따르게 된다.At this time, the test process for the elements to be inspected (202a, 202b, 202c) in the central inspection unit 100 is made independently for each inspection element. That is, since data signals are transmitted through different I / O lines, each data signal is independent of other data signals. Therefore, the test for the entire inspection target element does not end at the same time, and as the number of inspection target elements increases, the overall test time becomes longer. In addition, since the data signal comparison process is performed for each inspection target element by software in the central inspection unit 100, as the number of elements to be inspected increases, the operation of the central inspection unit 100 takes more load. Thus, for stable operation of the test apparatus, it is necessary to use an expensive processor capable of high speed processing. In addition, the data I / O line is an expensive device capable of transmitting signals at high speed, and thus, a test device for testing a large number of inspection target devices has a burden of manufacturing cost increase due to an increase in expensive data lines. do. As described above, in the conventional test apparatus, as the number of devices to be inspected increases, there are many economic and physical restrictions in proportion thereto.
또한, 종래의 테스트장치는 테스트블럭으로부터의 출력신호가 각 검사대상소자들의 데이터신호이므로 이러한 출력신호를 단순한 검사대상소자의 테스트를 위한 용도로 밖에 사용할 수 없게 된다.In addition, in the conventional test apparatus, since the output signal from the test block is a data signal of each inspection target device, the output signal can only be used for a simple test of the inspection target device.
일부 테스트 장치는 핸들러의 소켓에 검사대상소자를 로드하는 시간을 절약하기 위해 블록을 나누어 순차적으로 테스트하기도 하나 테스트시간이 로딩타임보다 길기 때문에 이러한 시도는 테스트블럭의 효율을 높이는 외에는 효과가 크지 않다.Some test devices test the blocks in sequential order in order to save the time to load the device under test into the handler's socket. However, since the test time is longer than the loading time, this test is not effective except to increase the efficiency of the test block.
따라서, 전술한 문제점들을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 기준소자와 다수의 검사대상소자 또는 기준 PCB와 기준 PCB와 동일한 회로구성을 갖는 테스트보드를 병렬로 배치하여 동일한 조건하에서 상기 기준소자와 검사대상소자 또는 기준 PCB와 테스트보드에 동일한 입력신호를 인가하여 동작시키고, 기준소자와 검사대상소자로부터 출력되는 신호 또는 기준 PCB와 테스트보드로부터 출력되는 신호를 하드웨어적으로 구성된 비교수단을 이용하여 비교함으로써 실시간으로 다수의 검사대상소자의 불량여부 또는 검사대상소자가 PCB에서 정상동작 하는지 여부를 판단할 수 있는 병렬 로직회로 테스트장치를 제공함에 있다. 또한, 검사대상소자가 메모리IC인 경우 불량으로 판단된 검사대상소자에 대응하는 상술된 비교수단으로부터의 비교결과를 이용하여 해당 검사대상소자의 불량셀에 대한 파형을 용이하게 관측하고 이를 수선할 수 있는 수선장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention for solving the above problems is to arrange in parallel a test board having the same circuit configuration as a reference device and a plurality of inspection target elements or a reference PCB and a reference PCB in parallel under the same conditions. It operates by applying the same input signal to the device or reference PCB and test board, and compares the signal output from the reference device and the inspection target device or the signal output from the reference PCB and the test board using a hardware constructed comparison means. The present invention provides a parallel logic circuit test apparatus capable of determining whether a plurality of inspection target devices are defective or whether the inspection target devices operate normally on a PCB. In addition, when the device to be inspected is a memory IC, the waveform of the defective cell of the device to be inspected can be easily observed and repaired using the comparison result from the aforementioned comparison means corresponding to the device to be inspected as defective. To provide a repair device.
도 1은 반도체칩과 같은 로직회로를 테스트하기 위한 종래 로직회로 테스트 장치의 블럭도,1 is a block diagram of a conventional logic circuit test apparatus for testing a logic circuit such as a semiconductor chip;
도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 로직회로 테스트 장치의 전체 블럭도,2 is an overall block diagram of a logic circuit test apparatus according to a first embodiment of the present invention;
도 3은 도 2 테스트장치의 비교검사부의 블록도,3 is a block diagram of a comparison test unit of FIG. 2, FIG.
도 4a 및 도 4b는 비교검사부에서 기준소자로부터의 데이터신호와 검사대상소자로부터의 데이터신호의 타이밍도,4A and 4B are timing diagrams of a data signal from a reference element and a data signal from an element to be inspected in the comparison inspection unit;
도 5는 본 발명의 제 2실시예에 따른 로직회로 테스트 장치의 전체 블록도,5 is an overall block diagram of a logic circuit test apparatus according to a second embodiment of the present invention;
도 6은 본 발명의 수선장치의 블록도,6 is a block diagram of the repair apparatus of the present invention;
도 7은 웨이퍼 테스터 프로브 블럭을 장착한 웨이퍼 프로브 헤더를 이용하여 웨이퍼상의 메모리IC를 테스트하는 모습을 간략하게 나타낸 도면,7 is a view briefly illustrating a test of a memory IC on a wafer using a wafer probe header equipped with a wafer tester probe block;
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 중앙검사부 20 : 제 1테스트블럭10: central inspection unit 20: the first test block
21a, 22a, 23a : 기준소켓21a, 22a, 23a: Standard socket
21b, 21c, 22b, 22c, 23b, 23c : DUT소켓21b, 21c, 22b, 22c, 23b, 23c: DUT socket
24, 25 : 버스 드라이버 26 : 제 1지연수단24, 25: bus driver 26: first delay means
201a, 202a, 203a : 기준소자201a, 202a, 203a: reference element
201b, 201c, 202b, 202c, 203b, 203c : 검사대상소자(DUT)201b, 201c, 202b, 202c, 203b, and 203c: device under test (DUT)
231a ∼ 231d : 비교기 232a ∼ 232d : 스위치부231a to 231d: comparators 232a to 232d: switch section
233 : 논리소자 234a ∼ 234d : 제 2지연수단233: logic elements 234a to 234d: second delay means
30 : 제 2테스트블럭 31a, 32a, 33a : PCB소켓30: 2nd test block 31a, 32a, 33a: PCB socket
301a, 302a, 303a : 기준PCB301a, 302a, 303a: reference PCB
31b, 31c, 32b, 32c, 33b, 33c : DUT테스트보드31b, 31c, 32b, 32c, 33b, 33c: DUT test board
40 : 웨이퍼 테스터 프로브 블럭40: wafer tester probe block
41b, 41c, 42b, 42c, 43b, 43c : 프로브셋41b, 41c, 42b, 42c, 43b, 43c: probe set
401b, 401c,402b, 402c,403b, 403c : 프로브401b, 401c, 402b, 402c, 403b, 403c: probe
50 : 수선부 60 : 웨이퍼 프로브 헤더50: repair part 60: wafer probe header
70 : 웨이퍼70: wafer
C00, C10, C01, C11, C02, C12 : 비교검사부C00, C10, C01, C11, C02, C12: comparative inspection
위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 병렬 로직회로 테스트 장치는 기준소자와 다수의 검사대상소자(이하, "DUT"라 함)들이 병렬로 로드되고, 동일한 조건하에서 상기 기준소자와 다수의 검사대상소자에 동일한 신호를 입력하여 동작시키며, 상기 동일한 입력신호에 대한 상기 기준소자로부터의 데이터신호와 상기 검사대상소자로부터의 데이터신호를 하드웨어적으로 구성된 비교수단을 이용하여 비교하여 상기 검사대상소자들의 불량여부를 실시간으로 테스트한다.The parallel logic circuit test apparatus of the present invention for achieving the above object is loaded with a reference element and a plurality of inspection target elements (hereinafter referred to as "DUT") in parallel, under the same conditions and a plurality of inspection targets The same signal is input to the device, and the data signal from the reference device and the data signal from the device to be inspected are compared with each other by using a hardware constructed comparison means. Test whether in real time.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 기술한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 로직회로 테스트 장치의 전체 블럭도를 나타낸다.2 shows an overall block diagram of a logic circuit test apparatus according to a first embodiment of the present invention.
중앙검사부(10)는 디지털IC 또는 디지털회로모듈 등 DUT의 불량여부를 테스트하기 위한 어드레스신호, 제어신호, 및 데이터신호를 발생하여 이를 어드레스라인(A), 제어라인(C), 및 데이터라인(D0, D2, …)을 통해 출력한다. 그리고, 중앙검사부(10)는 후술될 제 1테스트블럭(20)으로부터 비교신호(R00, R02, …, R10,R12, …, … )를 제공받아 각 DUT의 불량여부를 판단하고 불량으로 판단된 DUT의 불량위치를 알아낸다. 이러한 비교신호는 하나 또는 다수의 기준소자(201a, 202a, 203a, …)로부터의 데이터신호와 한 행 또는 다수 행으로 각 기준소자에 대해 병렬연결된 DUT(201b, 201c, …, 202b, 202c, …, 203b, 203c, …, …)로부터의 데이터신호를 각각 비교한 신호이며, 이는 상세하게 후술된다.The central inspection unit 10 generates an address signal, a control signal, and a data signal for testing whether the DUT, such as a digital IC or a digital circuit module, is defective and generates the address line (A), the control line (C), and the data line ( Output via D0, D2,…). The central inspection unit 10 receives the comparison signals R00, R02, ..., R10, R12, ..., ... from the first test block 20, which will be described later, to determine whether each DUT is defective and is determined to be defective. Find out the defective location of the DUT. These comparison signals are data signals from one or more reference elements 201a, 202a, 203a, ... and DUTs 201b, 201c, ..., 202b, 202c, ... connected in parallel with each reference element in one or multiple rows. , 203b, 203c, ..., ... are the signals obtained by comparing the data signals, respectively, which will be described later in detail.
제 1테스트블럭(20)은 기준소자(201a, 202a, 203a, …)와 DUT(201b, 201c, …, 202b, 202c, …, 203b, 203c, …, …)가 각각 로드되어 전기적으로 접속되는 다수의 소켓들(21a, 21b, 21c …, 22a, 22b, 22c …, 23a, 23b, 23c …, …)이 설치된다. 기준소자(201a, 202a, 203a …)가 로드된 각 소켓(21a, 22a, 23a …:이하, "기준소켓" 이라 함)들은 DUT(201b, 201c, …, 202b, 202c, …, 203b, 203c, …, …)가 로드된 소켓(21b, 21c, …, 22b, 22c, …, 23b, 23c, …:이하, "DUT소켓" 이라 함)들과 각각 병렬로 설치된다. 즉, 기준소켓(21a)과 DUT소켓(21b, 21c, …)이 하나의 병렬세트(set)를 이루며, 기준소켓(22a)와 DUT소켓(22b, 22c, …)이 다른 병렬세트를 이루고, 기준소켓(23a)와 DUT소켓(23b, 23c, …)이 또 다른 병렬세트를 이룬다. 이러한 각 병렬세트는 도 2에서와 같이 다수의 병렬세트들이 하나의 테스트블럭으로 형성되거나 각각 분리 및 결합이 가능하도록 독립적으로 구성될 수 있다. 각 DUT소켓(21b, 21c, …, 22b, 22c, …, 23b, 23c, …, …)에는 후술될 비교검사부(C00, C10, …, C01, C11, …, C02, C12, …, …)가 각각 대응되게 설치된다.The first test block 20 has reference elements 201a, 202a, 203a, ... and DUTs 201b, 201c, ..., 202b, 202c, ..., 203b, 203c, ..., ... respectively loaded and electrically connected thereto. A plurality of sockets 21a, 21b, 21c ..., 22a, 22b, 22c ..., 23a, 23b, 23c ..., ... are installed. Each of the sockets 21a, 22a, 23a, hereinafter referred to as " reference sockets " loaded with the reference elements 201a, 202a, and 203a ... are referred to as DUTs 201b, 201c, ..., 202b, 202c, ..., 203b, 203c. ..., ..., ... are respectively installed in parallel with the loaded sockets 21b, 21c, ..., 22b, 22c, ..., 23b, 23c, ...: hereinafter referred to as "DUT socket". That is, the reference socket 21a and the DUT sockets 21b, 21c, ... form one parallel set, and the reference socket 22a and the DUT sockets 22b, 22c, ... form another parallel set, The reference socket 23a and the DUT sockets 23b, 23c, ... form another parallel set. Each parallel set may be independently configured such that a plurality of parallel sets may be formed as one test block or may be separated and combined, respectively, as shown in FIG. 2. In each of the DUT sockets 21b, 21c, ..., 22b, 22c, ..., 23b, 23c, ..., ..., the comparison inspection unit C00, C10, ..., C01, C11, ..., C02, C12, ..., ...) Are respectively installed correspondingly.
제 1테스트블럭(20)의 회로패턴은 어느 한 기준소켓(21a)과 이와 병렬로 설치된 다수의 DUT소켓(21b, 21c, …)들 즉 각 병렬세트에 동일한 신호들이 인가되도록 구성된다. 이때, 동일한 신호라는 것은 동일한 데이터값을 갖는 것 뿐만 아니라 중앙검사부(10)의 동일한 데이터단자에서 출력된 하나의 신호를 의미한다. 즉, 도 2와 같이 중앙검사부(10)와 기준소켓(21a)간에 연결된 데이터라인(D0)에서 분기된 데이터라인(D'0)를 이용하여 병렬세트(21a, 21b, 21c, …)에 데이터신호를 동시에 인가한다. 다른 병렬세트(22a, 22b, 22c …, 23a, 23b, 23c …, …)들에도 각 병렬세트별로 동일한 신호가 인가된다.The circuit pattern of the first test block 20 is configured such that the same signals are applied to one reference socket 21a and a plurality of DUT sockets 21b, 21c, ... installed in parallel thereto. In this case, the same signal means not only having the same data value but also one signal output from the same data terminal of the central inspection unit 10. That is, as shown in FIG. 2, data is stored in the parallel sets 21a, 21b, 21c, ... by using the data line D'0 branched from the data line D0 connected between the central inspection unit 10 and the reference socket 21a. Apply the signal at the same time. The same signal is applied to each of the parallel sets to the other parallel sets 22a, 22b, 22c... 23a, 23b, 23c...
각 비교검사부(C00, C10, …, C01, C11, …, C02, C12, …, …)는 각 기준소자(201a, 202a, 203a, …)로부터 출력되는 데이터신호와 각 DUT(201b, 201c, …, 202b, 202c, …, 203b, 203c, …, …)로부터 출력되는 데이터신호를 비교하여 그 결과를 각 DUT마다 1비트의 신호로 출력한다. 도 3은 비교검사부(C00)의 블록도이다. 본 발명의 다른 비교검사부(C01, C02, …, C10, C11, …)들도 모두 동일한 구조와 기능을 갖는다. 따라서, 이하 하나의 비교검사부(C00)와 이에 대응되는 기준소자(201a) 및 DUT(201b)를 가지고 본 발명에 대해 설명한다.Each of the comparison inspection units C00, C10, ..., C01, C11, ..., C02, C12, ..., ... is provided with data signals output from the respective reference elements 201a, 202a, 203a, ..., and each DUT 201b, 201c, ..., 202b, 202c, ..., 203b, 203c, ..., ... are compared, and the result is output as a 1-bit signal for each DUT. 3 is a block diagram of the comparison inspection unit C00. Other comparative inspection units C01, C02, ..., C10, C11, ... of the present invention all have the same structure and function. Therefore, the present invention will be described below with one comparison inspection unit C00, a corresponding reference element 201a, and a DUT 201b.
비교검사부(C00)는 데이터라인의 비트수만큼(본 발명의 실시예로 4비트인 경우를 표시함)의 스위치부(232a ∼ 232d)와 비교기(231a ∼ 231d) 및 논리합이나 논리곱연산을 수행하는 논리소자(233)로 이루어진다. 스위치부(232a ∼ 232d)는 쓰기모드에서 온되어 중앙검사부(10)로부터의 데이터신호가 DUT(201b)에 인가되도록 하고, 읽기모드에서 오프되어 기준소자(201a)로부터의 데이터신호와 DUT(201b)로부터의 데이터신호가 각각 비교기(231a ∼ 231d)로 인가되도록 한다. 비교기(231a∼ 231d)는 입력된 두 데이터신호를 비교한다. 논리소자(233)는 비교기(231a ∼ 231d)로부터 출력되는 데이터를 논리합 또는 논리곱하여 1비트의 신호(R00)를 중앙검사부(10)로 출력한다. 그런데, 스위치부(232a ∼ 232d)는 데이터의 진행을 지연시키는 원인이 된다. 그러므로 이를 보상해주기 위한 수단이 필요하다. 후술되는 제 2지연수단이 이러한 역할을 수행한다.The comparison inspection unit C00 performs a logical sum or logical product operation with the switch units 232a to 232d and the comparators 231a to 231d of the data lines as many as the number of bits of the data line (in the embodiment of the present invention). Consisting of a logic element 233. The switch sections 232a to 232d are turned on in the write mode so that the data signal from the central inspection unit 10 is applied to the DUT 201b, and turned off in the read mode to turn off the data signal from the reference element 201a and the DUT 201b. Are applied to the comparators 231a to 231d, respectively. Comparators 231a to 231d compare the two input data signals. The logic element 233 logically sums or logically multiplies the data output from the comparators 231a to 231d and outputs a one-bit signal R00 to the central inspection unit 10. By the way, the switch sections 232a to 232d cause a delay in the progress of data. Therefore, a means is needed to compensate for this. The second delay means described below plays this role.
버스 드라이버(24)는 병렬검사시 발생하는 중앙검사부(10)의 각 신호선의 부하(주로 정전용량)증가에 따른 처리속도 감소를 방지하기 위한 수단으로, 연결된 DUT들(201b, 201c, …, 202b, 202c, …, 203b, 203c, …, …)에 의한 각 신호선에 대한 정전용량을 감소시킨다. 이러한 정전용량감소수단(24)으로 버퍼나 플립플랍(F/F)이 사용될 수 있다. 이러한 정전용량감소수단(24)이 없으면 DUT의 수가 많아질수록 DUT들의 전체 정전용량값이 증가하여 시스템의 동작성능(drive capability)이 저하되는 문제가 발생한다. 그러나, 이러한 정전용량감소수단(24)에 의해 제어신호 및 어드레스신호가 일정시간 지연되게 되는데 이러한 신호의 지연을 보상하기 위해 버스 드라이버(25)가 데이터라인(D'0, D'2, …)상에 설치한다. 이때, 버스 드라이버(24, 25)는 동일한 소자로 이루어진다.The bus driver 24 is a means for preventing a decrease in processing speed due to an increase in load (mainly capacitance) of each signal line of the central inspection unit 10 generated during parallel inspection. The connected DUTs 201b, 201c, ..., 202b , 202c, ..., 203b, 203c, ..., ... decrease the capacitance for each signal line. A buffer or flip-flop F / F may be used as the capacitance reducing means 24. Without such capacitive reduction means 24, as the number of DUTs increases, the total capacitance value of the DUTs increases, resulting in a problem that the drive capability of the system is degraded. However, the capacitance reduction means 24 causes the control signal and the address signal to be delayed for a predetermined time. In order to compensate for the delay of the signal, the bus driver 25 causes the data lines D '0, D' 2,... Install on At this time, the bus drivers 24 and 25 are made of the same element.
제 1지연수단(26)은 쓰기모드에서 스위치부(232a ∼ 232d)에 의한 데이터신호의 지연을 보상하기 위해 어드레스라인(A) 및 제어라인(C)상에 설치되어 데이터신호의 지연시간만큼 어드레스신호와 제어신호를 지연시킨다. 그런데, 이러한 제 2지연수단(26)의 사용으로 읽기모드에서 DUT(201b)로부터의 데이터신호가 지연되어 기준소자(201a)로부터의 데이터신호와 동기화 되지 않아 도 4a와 같이 두 데이터신호의 비교가능시간이 짧아지는 문제가 발생한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 각 비교기(231a ∼ 231d)에 인가되는 기준소자(201a)로부터의 데이터신호를 제 2지연소자(26)에 의한 지연시간만큼 지연시킬 필요가 있으며, 제 2지연수단(234a ∼ 234d)이 이러한 기능을 수행한다. 제 1지연수단(26) 및 제 2지연수단(234a ∼ 234d)은 저속 테스터에서는 생략할 수 있으며, PLL등에 의한 클럭조정등 다른 수단으로도 구현할 수 있다.The first delay means 26 is provided on the address line A and the control line C in order to compensate for the delay of the data signal by the switch sections 232a to 232d in the write mode, so as to address the delay time of the data signal. Delay the signal and the control signal. However, the use of the second delay means 26 delays the data signal from the DUT 201b in the read mode and is not synchronized with the data signal from the reference device 201a. Thus, the two data signals can be compared as shown in FIG. 4A. The problem of shortening of time occurs. In order to solve this problem, it is necessary to delay the data signal from the reference element 201a applied to each of the comparators 231a to 231d by the delay time by the second delay element 26, and the second delay means 234a. 234d) performs this function. The first delay means 26 and the second delay means 234a to 234d may be omitted in the low speed tester, and may be implemented by other means such as clock adjustment by a PLL or the like.
본 발명의 로직회로 테스트장치의 동작을 전체적으로 설명한다.The operation of the logic circuit test apparatus of the present invention will be described as a whole.
기준소자들, DUT들 및 비교검사부들의 기능이 동일하므로 설명의 편의상 하나의 병렬세트(201a, 201b, 201c, …) 특히 DUT(201b)와 이에 대응되는 기준소자(201a), 비교검사부(C00) 및 해당 데이터라인(D0, D'0, D''0)의 동작에 대해서만 설명한다.Since the functions of the reference elements, the DUTs, and the comparison inspection unit are the same, one parallel set 201a, 201b, 201c, ... is used for convenience of description, in particular, the DUT 201b, the corresponding reference element 201a, and the comparison inspection unit C00. ) And the operation of the corresponding data lines D0, D'0, and D''0.
제어신호가 쓰기모드인 경우, 중앙검사부(10)에서 발생된 데이터신호는 데이터라인(D0)을 통해 기준소켓(21a)에 로드된 기준소자(201a)에 인가되고, 동시에 기준소자(201a)와 병렬로 연결된 DUT들(201b, 201c, …)에 인가되어 어드레스신호에 의해 지정된 위치에 기록된다. 다음에 제어신호가 읽기모드인 경우, 스위치부(232a ∼ 232d)가 오프되어, 기준소자(201a) 및 DUT(201b)로부터의 데이터신호가 각각 데이터라인(D'0) 및 데이터라인(D''0)을 통해 비교검사부(C00)에 인가된다. 이렇게 비교검사부(C00)에 인가된 두 데이터신호는 비교기(231a ∼ 231d)에서 각 비트별로 비교되고 그 비교결과가 논리소자(233)로 출력된다. 논리소자(233)는 각 비교기(231a ∼ 231d)로부터의 출력신호를 논리합 또는 논리곱하여 1비트의 신호(R00)를 중앙검사부(10)로 출력한다. 중앙검사부(10)는 수신되는 신호(R00)를 이용하여 DUT(201b)의 불량여부를 판단하게 되고, 특히 어느 어드레스에서 불량이 났는지 그 불량위치를 정확히 알 수 있게된다. 그런데, 쓰기모드에서 DUT(201b)에 인가되는 데이터신호는 스위치부(232a ∼ 232d)에 의해 일정시간 지연되는 문제가 발생된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 DUT(201b)에 인가되는 어드레스신호 및 제어신호를 스위치부(232a ∼ 232d)에 의한 지연시간만큼 지연시켜야 한다. 따라서, 도 2에서와 같이 DUT(201b)에 연결된 어드레스라인(A) 및 제어라인(C)상에 제 1지연수단(26)을 설치한다. 이러한 지연수단으로는 Buffered Driver가 사용된다. 그러나, 제 1지연수단(26)은 읽기모드에서도 DUT(201b)에 인가되는 제어신호 및 어드레스신호를 지연시켜 DUT(201b)로부터의 데이터신호가 비교검사부(C00)에 지연되어 인가되게 만든다. 이로인해, 도 4a에서와 같이 기준소자(201a)로부터의 데이터신호와 DUT(201b)로부터의 데이터신호의 비교가능시간이 짧아지는 문제가 발생한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 읽기모드에서 기준소자(201a)로부터 비교검사부(C00)에 인가되는 데이터신호를 제 1지연수단(26)에 의한 지연시간만큼 지연시켜야 한다. 이를 위해 도 3에서와 같이 각 비교기(231a ∼ 231d)의 두 입력단자 중 읽기모드시 기준소자(201a)로부터의 데이터신호가 입력되는 단자상에 제 1지연수단(26)과 동일한 제 2지연수단(234a ∼ 234d)을 설치한다. 즉, 이러한 제 2지연수단(234a ∼ 234d)은 쓰기모드시에는 이용되지 않고 읽기모드시에만 데이터신호를 지연시킨다. 도 4는 제 2지연수단(234a ∼ 234d)의 사용으로 두 데이터신호의 동기화가 이루어져 비교가능시간이 길어진것을 보여주고 있다.When the control signal is in the write mode, the data signal generated by the central inspection unit 10 is applied to the reference element 201a loaded in the reference socket 21a through the data line D0, and simultaneously with the reference element 201a. It is applied to the DUTs 201b, 201c, ... that are connected in parallel, and is written to the position designated by the address signal. Next, when the control signal is in the read mode, the switch sections 232a to 232d are turned off so that the data signals from the reference element 201a and the DUT 201b are respectively the data line D'0 and the data line D '. '0) is applied to the comparison inspection unit C00. The two data signals applied to the comparison test unit C00 are compared for each bit in the comparators 231a to 231d and the comparison result is output to the logic element 233. The logic element 233 logically sums or logically multiplies the output signals from the comparators 231a to 231d and outputs a one-bit signal R00 to the central inspection unit 10. The central inspection unit 10 determines whether or not the DUT 201b is defective by using the received signal R00, and in particular, it is possible to know exactly where the defect is located at which address. However, a problem occurs that the data signal applied to the DUT 201b in the write mode is delayed for a predetermined time by the switch units 232a to 232d. In order to solve this problem, an address signal and a control signal applied to the DUT 201b must be delayed by a delay time by the switch units 232a to 232d. Accordingly, as shown in FIG. 2, the first delay means 26 is provided on the address line A and the control line C connected to the DUT 201b. As such delay means, a buffered driver is used. However, the first delay means 26 delays the control signal and the address signal applied to the DUT 201b even in the read mode so that the data signal from the DUT 201b is delayed and applied to the comparison check unit C00. This causes a problem that the comparable time between the data signal from the reference element 201a and the data signal from the DUT 201b is shortened as shown in FIG. 4A. In order to solve this problem, the data signal applied from the reference element 201a to the comparison inspection unit C00 in the read mode should be delayed by the delay time by the first delay means 26. To this end, as shown in FIG. 3, the second delay means equal to the first delay means 26 on the terminal into which the data signal from the reference element 201a is input in the read mode among the two input terminals of the comparators 231a to 231d. 234a-234d are provided. That is, these second delay means 234a to 234d are not used in the write mode but delay the data signal only in the read mode. Fig. 4 shows that the use of the second delay means 234a to 234d makes the two data signals synchronized so that the comparable time becomes longer.
도 5는 본 발명의 제 2실시예에 따른 로직회로 테스트장치의 블록도이다.5 is a block diagram of a logic circuit test apparatus according to a second embodiment of the present invention.
어느 DUT는 그 자체의 동작은 정상이나 메모리모듈과 같이 어느 특정 PCB(Printed Circuit Board)에 장착되었을 때 정상적으로 작동하지 않는 경우가 있다. 도 5의 테스트장치는 이처럼 DUT가 어느 특정 PCB에 장착되어 정상적으로 작동하는지 여부를 판단하기 위한 것이다.Some DUTs do not operate normally when they are mounted on a specific printed circuit board (PCB) such as normal or memory modules. The test apparatus of FIG. 5 is for judging whether the DUT is normally mounted on a specific PCB.
제 2테스트블럭(30)은 제 1테스트블럭(20)과 기준소켓(21a, 22a, 23a, …) 및 DUT소켓(21b, 21c, …, 22b, 22c, …, 23b, 23c, …, …)의 기능이 상이하다. 즉, 도 2의 기준소켓(21a, 22a, 23a, …) 대신에 양품의 PCB인 기준PCB(301a, 302a, 303a, …)를 로드할 수 있는 PCB소켓(31a, 32a, 33a, …)이 설치된다. 그리고, 도 2의 DUT소켓(21b, 21c, 22b, 22c, 23b, 23c) 대신에 DUT테스트보드(31b, 31c, …, 32b, 32c, …, 33b, 33c, …)가 PCB소켓(31a, 32a, 33a, …)에 병렬로 설치된다. DUT테스트보드(31b, 31c, …, 32b, 32c, …, 33b, 33c, …)는 DUT(201b, 201c, …, 202b, 202c, …, 203b, 203c, …, …)들이 각각 로드되면 기준PCB와 동일한 회로구성을 갖게된다. 따라서, 기준PCB(301a, 302a, 303a, …)로부터의 데이터와 DUT(201b, 201c, …, 202b, 202c, …, 203b, 203c, …, …)가 로드된 DUT테스트보드(31b, 31c, …, 32b, 32c, …, 33b, 33c, …)로부터의 데이터를 비교하면, DUT(201b, 201c, …, 202b, 202c, …, 203b, 203c, …, …)가 어느 특정 회로 PCB에서 정상적으로 동작하는지 여부를 실제로 조립하지 않고서도 판단할 수 있게된다.The second test block 30 includes the first test block 20, the reference sockets 21a, 22a, 23a, ..., and the DUT sockets 21b, 21c, ..., 22b, 22c, ..., 23b, 23c, ..., ... ) Function is different. That is, the PCB sockets 31a, 32a, 33a, ... that can load the reference PCBs 301a, 302a, 303a, ..., which are good PCBs, instead of the reference sockets 21a, 22a, 23a, ... of FIG. Is installed. And, instead of the DUT sockets 21b, 21c, 22b, 22c, 23b, and 23c of FIG. 2, the DUT test boards 31b, 31c, ..., 32b, 32c, ..., 33b, 33c, ... are PCB sockets 31a, 32a, 33a, ...) in parallel. The DUT test boards 31b, 31c, ..., 32b, 32c, ..., 33b, 33c, ... are referred to when the DUTs 201b, 201c, ..., 202b, 202c, ..., 203b, 203c, ..., ... are loaded, respectively. It has the same circuit configuration as the PCB. Therefore, the DUT test boards 31b, 31c, loaded with data from the reference PCBs 301a, 302a, 303a, ..., and the DUTs 201b, 201c, ..., 202b, 202c, ..., 203b, 203c, ..., ... Comparing the data from…, 32b, 32c,…, 33b, 33c,…, the DUTs 201b, 201c,…, 202b, 202c,…, 203b, 203c,…,… are normally available on any particular circuit PCB. It can be judged whether or not it works without actually assembling it.
도 6은 도 2에서 DUT가 메모리IC인 경우 도 2의 각 비교검사부(C00, C01, C02, … C10, C11, C12, … ,…)로부터의 출력신호(R00, R01, R02, … , R10, R11, R12, … , … )를 이용하여 웨이퍼상의 각 IC의 불량셀(cell)을 찾아내어 수리하기 위한 수선장치의 블록도이며, 도 7은 웨이퍼 프로브 헤더를 이용하여 웨이퍼상의 메모리IC를 테스트하는 모습을 간략하게 나타낸 도면이다..FIG. 6 illustrates output signals R00, R01, R02, ..., R10 from the comparison test units C00, C01, C02, ... C10, C11, C12, ..., ... of FIG. 2 when the DUT is a memory IC in FIG. Is a block diagram of a repair apparatus for finding and repairing defective cells of each IC on a wafer using R11, R12, ..., ..., and FIG. 7 is a test of memory ICs on a wafer using a wafer probe header. It is a drawing briefly showing how.
웨이퍼 테스터 프로브 블럭(40)은 웨이퍼(70)상의 다수의 메모리IC를 각각 테스트할 수 있는 하나 또는 다수의 프로브셋(41b, 41c, …, 42b, 42c, …, 43b, 43c, …, …) 및 이에 일대일 대응되는 비교검사부(C00, C10, …, C01, C11, …, C02, C12, …, …) 를 구비하며, 웨이퍼 프로브 헤드(60)에 장착되어 사용된다. 이때, 다수의 프로브셋(41b, 41c, …, 42b, 42c, …, 43b, 43c, …, …)는 도 2 및 도 5에서와 같이 기준소자(201a, 202a, 203a, …)가 로드된 기준소켓(201a, 201b, 201c, …)에 병렬로 연결된다. 즉, 웨이퍼 테스트시, 프로브들(401b, 401c, …, 402b, 402c, …, 403b, 403c, …, …)이 웨이퍼상의 각 메모리IC의 단자와 전기적으로 연결되면, 각 프로브셋(41b, 41c, …, 42b, 42c, …, 43b, 43c, …, …)은 도 2의 제 1테스트블럭(20)에서 DUT들이 로드된 다수의 소켓들과 같은 기능을 수행하게 된다. 또한, 도 6에서 기준소자가 로드되는 소켓(201a, 201b, 201c, …)을 양품PCB가 로드될 수 있는 PCB소켓으로 대체하고, 프로브셋(41b, 41c, …, 42b, 42c, …, 43b, 43c, …, …)가 기준PCB와 동일한 회로구성을 갖도록 하면 상술된 제 2실시예와 같이 메모리IC의 불량여부 뿐만 아니라 메모리IC가 어느 특정 PCB에서 정상적으로 동작하는지 여부도 판단할 수 있게된다.The wafer tester probe block 40 includes one or more probe sets 41b, 41c, ..., 42b, 42c, ..., 43b, 43c, ..., ... that can test a plurality of memory ICs on the wafer 70, respectively. And comparison inspection units C00, C10, ..., C01, C11, ..., C02, C12, ..., ... corresponding to one to one, and are mounted on the wafer probe head 60 and used. At this time, the plurality of probe sets 41b, 41c, ..., 42b, 42c, ..., 43b, 43c, ..., ... is loaded with reference elements 201a, 202a, 203a, ... as shown in FIGS. The reference sockets 201a, 201b, 201c, ... are connected in parallel. That is, during the wafer test, when the probes 401b, 401c, ..., 402b, 402c, ..., 403b, 403c, ..., ... are electrically connected to the terminals of each memory IC on the wafer, each probe set 41b, 41c , ..., 42b, 42c, ..., 43b, 43c, ..., ...) perform the same function as the plurality of sockets loaded with the DUTs in the first test block 20 of FIG. 2. Also, in Fig. 6, the sockets 201a, 201b, 201c, ... into which the reference elements are loaded are replaced with PCB sockets into which a good quality PCB can be loaded, and the probe sets 41b, 41c, ..., 42b, 42c, ..., 43b. , 43c, ..., ... have the same circuit configuration as that of the reference PCB, as in the second embodiment described above, it is possible to determine whether or not the memory IC operates normally on which specific PCB as well as whether the memory IC is defective.
수선부(50)는 메모리IC의 불량셀(cell)을 해당 메모리IC내 여분의 셀(cell)로 대체하여 불량셀을 수리하는 것으로, 불량셀에 대한 수선 자체는 종래의 수선장치와 동일하나 본원발명의 경우 비교검사부(C00, C10, …, C01, C11, …, C02, C12, …, …)로부터 출력신호(R00, R01, …, R10, R11, …, …)를 인가받아 용이하게 불량셀을 찾아내고 이를 수선할 수 있도록 구성된 것에 특징이 있다.The repair unit 50 repairs a defective cell by replacing a defective cell of the memory IC with an extra cell in the corresponding memory IC, and repairing the defective cell is the same as that of a conventional repair apparatus. In the case of the invention, the output signal R00, R01, ..., R10, R11, ..., ... is easily received from the comparison inspection unit C00, C10, ..., C01, C11, ..., C02, C12, ..., ... It is characterized by the ability to locate and repair cells.
도 6은 동시에 다수의 메모리IC를 테스트하고 이를 수선할 수 있도록 다수의 프로브셋을 구비한 실시예를 나타내고 있으나, 하나의 프로브셋를 구비하여 사용할 수 있음은 자명하다.FIG. 6 illustrates an embodiment in which a plurality of probe sets are provided to test and repair a plurality of memory ICs at the same time. However, it is obvious that one probe set may be used.
또한, 사용자는 검사결과신호(R00, R01, …, R10, R11, …, …)를 드리거소스(source)로 오실로스코프 또는 로직분석기와 같은 계측기(파형분석기)에 입력시킴으로써 불량셀에 대한 불량유형을 판단할 수 있다. 메모리IC와 같이 단순히 데이터값을 비교하여 불량여부를 판단하는 경우 이외에 ASIC을 테스트하는 경우 불량유무 판단 뿐만 아니라 불량의 유형을 파악할 필요가 있다. 따라서, 이러한 경우 비교검사부(C00, C10, …, C01, C11, …, C02, C12, …, …)의 출력데이터들을 계측기로 분석하여 불량셀의 유형을 파악하는 것이 매우 유용하다.In addition, the user inputs a test result signal (R00, R01, ..., R10, R11, ..., ...) and inputs the defect type for the defective cell by inputting it to a measuring instrument (waveform analyzer) such as an oscilloscope or a logic analyzer as a source. You can judge. In addition to determining whether there are any defects by simply comparing data values, such as memory ICs, when testing ASICs, it is necessary to determine the type of defects as well as the determination of defects. Therefore, in this case, it is very useful to analyze the output data of the comparison inspection unit C00, C10, ..., C01, C11, ..., C02, C12, ..., ... with a measuring instrument to determine the type of defective cells.
상술한 바와 같이, 본원발명은 기준소자와 병렬로 연결된 다수의 DUT들에 동일한 신호가 인가될 수 있도록 구성하고, 더욱이 하드웨어적으로 구성된 비교검사부를 이용하여 기준소자와 DUT의 데이터값을 비교함으로써 실시간으로 다수의 DUT의 불량여부를 판단할 수 있다. 또한, 비교검사부의 출력신호를 DUT의 불량여부뿐만 아니라 불량셀의 유형을 파악하고 불량셀을 용이하게 수선할 수 있는 수선장치에도 응용할 수 있어 더욱 효과적이다.As described above, the present invention is configured in such a way that the same signal can be applied to a plurality of DUTs connected in parallel with the reference element, and furthermore, by comparing the data values of the reference element and the DUT using a hardware comparison comparison unit It is possible to determine whether or not a plurality of DUT failure. In addition, the output signal of the comparison inspection unit can be applied to a repair apparatus that can identify the type of defective cells as well as whether the DUT is defective or to easily repair the defective cells.
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