KR101020643B1 - wafer motherboard - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼테스트 시스템에 있어서 테스트 헤드와 프로브 카드를 연결하는 웨이퍼 마더보드에 관한 것으로, 특히 여분 셀 분석 기능을 갖는 웨이퍼 마더보드에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer motherboard for connecting a test head and a probe card in a wafer test system, and more particularly to a wafer motherboard having a redundant cell analysis function.

본 발명의 웨이퍼 마더보드는 웨이퍼테스트를 위하여 테스트 헤드와 프로브 카드를 연결하는 웨이퍼 마더보드에 있어서, 상기 테스트 헤드가 웨이퍼로 출력한 패턴신호에 의해 상기 웨이퍼가 출력하는 판독신호를 획득하기 위한 신호 획득모듈; 및 상기 신호 획득모듈로부터 입력되는 판독신호와 미리 정해진 기준신호를 비교하고, 상기 비교 결과에 따른 셀 정보를 출력하는 컴퍼레이터부와, 상기 컴퍼레이터부가 출력하는 셀 정보를 저장하기 위한 저장부와, 상기 저장부에 저장되어 있는 셀 정보를 분석하여 메모리가 양품인지 여부를 판단하고, 상기 메모리가 불량품으로 판단된 경우에는 수리가 가능한지 여부를 판단하는 분석부를 포함하여 구성되는 여분 셀 분석 모듈을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The wafer motherboard of the present invention is a wafer motherboard for connecting a test head and a probe card for a wafer test, wherein a signal for acquiring a read signal output by the wafer is obtained by a pattern signal output from the test head to the wafer. module; A comparator unit for comparing the read signal input from the signal acquisition module with a predetermined reference signal, and outputting cell information according to the comparison result, a storage unit for storing cell information output from the comparator unit; Including a spare cell analysis module configured to analyze the cell information stored in the storage unit to determine whether or not the memory is good, and if the memory is determined to be defective, including an analysis unit for determining whether or not repair is possible. Characterized in that made.

웨이퍼, 테스트, 수리, 여분 셀, 메모리, 프로브, 탐침 Wafer, test, repair, spare cell, memory, probe, probe

Description

여분 셀 분석 기능을 갖는 웨이퍼 마더보드{wafer motherboard}Wafer motherboard with extra cell analysis

본 발명은 웨이퍼테스트 시스템에 있어서 테스트 헤드와 프로브 카드를 연결하는 웨이퍼 마더보드에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer motherboard for connecting a test head and a probe card in a wafer test system.

주지되어 있는 바와 같이, 여러 가지 공정을 거쳐 완성된 웨이퍼 상태의 메모리는 조립 및 테스트의 여러 단계의 후속 공정을 거치게 되며 하나의 완성된 메모리로 탄생하게 된다. 메모리 테스트는 조립되기 전 웨이퍼 상태에서 이루어지는 웨이퍼 테스트와 조립 공정 이후에 패키지 상태로 이루어지는 패키지 테스트로 구분할 수 있다.As is well known, a wafer state memory completed through a variety of processes goes through several stages of assembly and testing, resulting in a complete memory. The memory test can be divided into a wafer test performed in a wafer state before assembly and a package test performed in a package state after the assembly process.

특히, 웨이퍼테스트의 기본 목적은 다이(die; 칩)를 패키지 상태로 만들기 이전에 불량 다이를 검출하여 후속 공정으로 연결되는 것을 방지하는 것이다. 그리고, 다른 중요한 목적은 고장 셀들을 수리하여 수율을 향상하는 것이다. 메모리에는 많은 셀들이 존재한다. 예를 들어, 1G DRAM의 경우 1억개 이상의 메모리 셀이 한개의 메모리에 존재한다. 이 중에서 한 개의 고장 셀만 있어도 그 메모리는 사용할 수가 없게 된다. 따라서, 통상적으로 메모리는 설게 당시에 여분의 셀을 만든 후 일부 셀에 고장이 존재하게 되면 고장 셀을 여분의 셀로 대체할 수 있는 수단을 준비한다. 이러한 고장 셀을 대체하기 위한 셀을 여분 셀(redundant cell)이라고 하며, 고장 셀들을 주어진 여분 셀들로 모두 대체 가능한지를 분석하는 것을 여분 셀 분석(redundant cell analysis)이라 하며, 고장 셀을 여분 셀로 대체하는 것을 수리(repair)라 이른다.In particular, the basic purpose of wafer testing is to detect bad dies and prevent them from connecting to subsequent processes prior to bringing the die into a package. And another important purpose is to repair faulty cells to improve yield. There are many cells in memory. For example, in the case of 1G DRAM, more than 100 million memory cells exist in one memory. If only one fault cell is found, the memory cannot be used. Therefore, a memory usually prepares a means for replacing a failed cell with a spare cell if a fault exists in some cells after making an extra cell at the time of design. The cell for replacing such a failed cell is called a redundant cell, and analyzing whether it is possible to replace all the failed cells with given spare cells is called redundant cell analysis. This is called repair.

도 1 및 도 2는 각각, 종래 웨이퍼테스트 시스템의 개략도와 전기적인 블록 구성도이다.1 and 2 are schematic and electrical block diagrams of a conventional wafer test system, respectively.

도 1에 도시한 바와 같이, 테스트 헤드(test head; 20)는 케이블을 통해 메모리 테스터 일명, 메인프레임(main frame, 10)에 연결되고, 일 측에 웨이퍼 마더보드(wafer motherboard) 일명, 퍼포먼스 보드(performance board, 40)가 장착된다.As shown in FIG. 1, a test head 20 is connected to a memory tester aka, a main frame 10 via a cable, on one side a wafer motherboard aka, a performance board. (performance board, 40) is installed.

웨이퍼 마더보드(40)는 테스트 헤드(20)와 프로브 카드(probe card, 50) 사이에 개재되는 것으로, 둘 간의 전기적인 연결을 확립하여 주는 것이다. 또한, 웨이퍼 마더보드(40)는 통상, ZIF(zero input force) 연결 방식으로 프로브 카드(50)와 연결된다.The wafer motherboard 40 is interposed between the test head 20 and the probe card 50 to establish an electrical connection between the two. In addition, the wafer motherboard 40 is typically connected to the probe card 50 by a zero input force (ZIF) connection method.

프로브 카드(50)의 하부에는 웨이퍼(60) 위의 패드(pad)를 직접 접촉하는 다수의 탐침(prober; 51)이 형성되어 있다.A plurality of probes 51 are formed below the probe card 50 to directly contact pads on the wafer 60.

탐침 스테이션(30)은 탐침(51)을 웨이퍼(60)의 패드에 접촉하기 위하여 웨이퍼(60)를 원하는 방향과 위치로 움직일 수 있도록 하는 것이다. 즉, 탐침 스테이션(30)은 프로브 카드(50)에 자동으로 웨이퍼(60)를 공급하고, 여러 개의 다이를 순차적으로 탐침하여 테스트가 가능하도록 웨이퍼를 다루는 장치이다.The probe station 30 is intended to move the wafer 60 in the desired direction and position to bring the probe 51 into contact with the pad of the wafer 60. That is, the probe station 30 is a device for automatically supplying the wafer 60 to the probe card 50, and handling the wafer to test the die by sequentially probing several dies.

도 2에 도시한 바와 같이, 메모리 테스터(10)의 구성은 웨이퍼테스트를 위한 정해진 테스트 패턴 신호를 발생시키는 ALPG(algorithmic pattern generater; 11), 시스템 버스(system bus; 12), 셀들에 관한 정보를 저장하기 위한 특별한 용도의 메모리인 ECR(error catch ram; 14), ECR(14)에 저장되어 있는 데이터를 분석하여 여분 셀 분석을 수행하는 RCPU(Redundant CPU; 15), 및 웨이퍼테스트를 총괄 제어하는 컴퓨터(13)를 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 2, the configuration of the memory tester 10 includes information about an algorithm pattern generator 11, a system bus 12, and cells that generate a predetermined test pattern signal for wafer testing. Error catch ram (ECR) 14, a special purpose memory for storing, Redundant CPU 15, which performs redundant cell analysis by analyzing data stored in the ECR 14, and wafer test. It comprises a computer 13.

또한, 테스트 헤드(20)의 구성은 ALPG(11)로부터 입력되는 패턴 신호와 타이밍(timing) 신호를 결합하여 출력하는 TGFC(Timing & Formatting; 21), TGFC(21)로부터 출력되는 패턴 신호를 웨이퍼(60)에 기록하는 드라이버(driver)와 웨이퍼(60)에 의해 판독된 테스트 패턴의 판독 신호와 해당 메모리의 특성에 대응되는 기준신호와 비교하여 그 비교 값을 ECR(14)로 출력하는 컴퍼레이터(comparator)를 포함하는 PE(pin electronic), 웨이퍼에 전원 공급을 하기 위한 PPS(programmable power supply), 및 웨이퍼의 DC 테스트를 위한 PMU(parametric measurement unit)을 포함하여 이루어진다.In addition, the configuration of the test head 20 is a TGFC (Timing &Formatting; 21) for combining and outputting a pattern signal and a timing signal input from the ALPG (11), wafer pattern signal output from the TGFC (21) A comparator for comparing the read signal of the test pattern read by the driver and the wafer 60 written in the 60 with the reference signal corresponding to the characteristic of the memory and outputting the comparison value to the ECR 14. and a pin electronic (PE) including a comparator, a programmable power supply (PPS) for powering the wafer, and a parametric measurement unit (PMU) for DC testing of the wafer.

위와 같은 구성에 따라, RCPU(15)는 ECR(14)에 저장되어 있는 셀 정보를 분석하여 해당 메모리가 양품인지 불량품인지를 분석하게 된다. 또한, 고장 셀이 있는 메모리를 수리 가능한지 여부를 판별하게 된다.According to the above configuration, the RCPU 15 analyzes the cell information stored in the ECR 14 to analyze whether the corresponding memory is good or bad. In addition, it is determined whether or not the memory with the defective cell can be repaired.

일반적으로, 메모리는 생산 수량이 많고 검사시간이 많이 소요되므로 여러 개 이를 테면, 512개의 메모리를 동시에 테스트하게 된다. 이에 따라, 동시 테스트되는 메모리와 동일한 용량을 갖는 ECR(14)이 필요해진다. 이를 테면, 피시험 메모 리(device under test; DUT)가 64Gbit이고 이러한 용량을 갖는 512개의 DUT를 동시에 테스트하기 위해서는, 32,748Gbit(32Tera bit)라는 방대한 ECR(14)이 필요하게 된다.In general, since the memory is a large quantity of production and a lot of inspection time, several such as 512 memory is tested at the same time. This requires an ECR 14 with the same capacity as the memory being tested simultaneously. For example, in order to simultaneously test 512 DUTs having a device under test (DUT) of 64 Gbit and having this capacity, a massive ECR 14 of 32,748 Gbits (32 Tera bits) is required.

한편, 메모리의 용량이 지속적으로 증가함에 따라 웨이퍼 테스트를 위해 필요한 ECR의 용량 또한 증가하고 있는 추세이다. 그러나, 기존의 메모리 테스터의 경우에는 ECR의 용량이 작게 구성되어 있으므로 대용량의 메모리를 검사하기 위해서는 동시에 검사하는 개수를 줄여야 하는 문제점이 있었다. 물론, 기존의 메모리 테스터를 개조할 수도 있지만 그렇게 하기 위해서는 막대한 비용을 들여야만 하는 문제점이 있었다.Meanwhile, as memory capacity continues to increase, the capacity of ECR required for wafer testing also increases. However, in the case of the conventional memory tester, since the capacity of the ECR is configured to be small, there is a problem in that the number of tests must be reduced at the same time in order to test a large memory. Of course, existing memory testers can be retrofitted, but doing so requires a significant cost.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 웨이퍼테스트에 있어서 메모리 테스터의 개조 없이도 동시에 테스트 가능한 메모리의 수를 늘릴 수 있도록 여분 셀 분석 기능을 갖는 웨이퍼 마더보드를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a wafer motherboard having an extra cell analysis function in order to increase the number of memory that can be tested simultaneously without modifying the memory tester in a wafer test.

전술한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 웨이퍼 마더보드는 웨이퍼테스트를 위하여 테스트 헤드와 프로브 카드를 연결하는 웨이퍼 마더보드에 있어서, 상기 테스트 헤드가 웨이퍼로 출력한 패턴신호에 의해 상기 웨이퍼가 출력하는 판독신호를 획득하기 위한 신호 획득모듈; 및 상기 신호 획득모듈로부터 입력되는 판독신호와 미리 정해진 기준신호를 비교하고, 상기 비교 결과에 따른 셀 정보를 출력하는 컴퍼레이터부와, 상기 컴퍼레이터부가 출력하는 셀 정보를 저장하기 위한 저장부와, 상기 저장부에 저장되어 있는 셀 정보를 분석하여 메모리가 양품인지 여부를 판단하고, 상기 메모리가 불량품으로 판단된 경우에는 수리가 가능한지 여부를 판단하는 분석부를 포함하여 구성되는 여분 셀 분석 모듈을 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, the wafer motherboard of the present invention is a wafer motherboard for connecting a test head and a probe card for a wafer test, wherein the reading is output by the wafer by a pattern signal output from the test head to the wafer. A signal acquisition module for obtaining a signal; A comparator unit for comparing the read signal input from the signal acquisition module with a predetermined reference signal, and outputting cell information according to the comparison result, a storage unit for storing cell information output from the comparator unit; Including a spare cell analysis module configured to analyze the cell information stored in the storage unit to determine whether or not the memory is good, and if the memory is determined to be defective, including an analysis unit for determining whether or not repair is possible. Is done.

전술한 구성에서, 상기 저장부는 상기 컴퍼레이터부가 출력하는 셀 정보를 상기 저장부에 저장하도록 하는 저장 과정과 상기 분석부가 상기 저장부에 저장되어 있는 셀 정보를 읽어 들여 분석하도록 하는 분석 과정이 동시에 수행되도록, 상기 저장 과정을 위한 영역과 상기 분석 과정을 위한 영역으로 구분되되, 상기 여분 셀 분석 모듈은 상기 분석 과정이 완료된 영역은 상기 저장 과정을 위한 영역으로 전환하고 상기 저장 과정이 완료된 영역은 상기 분석 과정을 위한 영역으로 전환하는 메모리 컨트롤러를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.In the above-described configuration, the storage unit performs a storing process of storing the cell information output by the comparator unit in the storage unit and an analysis process of causing the analysis unit to read and analyze the cell information stored in the storage unit at the same time. Preferably, the spare cell analysis module is divided into an area for the storage process and an area for the analysis process, wherein the redundant cell analysis module converts the area where the analysis process is completed into an area for the storage process and the area where the storage process is completed. It is preferable to further comprise a memory controller for switching to the area for the process.

본 발명에 따르면, 웨이퍼 마더보드에 여분 셀 분석 기능을 부여함으로써 메모리 테스터의 개조 없이도 방대한 양의 메모리를 분석할 수 있는 효과가 있다. 즉, ECR을 확장하는데 있어서 메모리 테스터를 개조하는데 드는 비용을 아낄 수가 있다. 또한, 사용자는 원하는 만큼의 ECR을 용이하게 증설할 수 있다.According to the present invention, by providing an extra cell analysis function to the wafer motherboard, it is possible to analyze a large amount of memory without modification of the memory tester. In other words, the cost of retrofitting a memory tester to expand ECR can be saved. In addition, the user can easily add as many ECRs as desired.

이하에는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 여분 셀 분석 기능을 갖는 웨이퍼 마더보드에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, a wafer motherboard having a redundant cell analysis function according to a preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings will be described in detail.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 마더보드의 전기적인 블록 구성도이고, 도 4는 도 3에서 보인 여분 셀 분석 모듈의 구체적인 블록 구성도이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 여분 셀 분석 방법을 설명하기 위한 개념도이다.3 is an electrical block diagram of a wafer motherboard according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a detailed block diagram of the redundant cell analysis module shown in FIG. 3, and FIG. 5 is an embodiment of the present invention. It is a conceptual diagram for explaining the redundant cell analysis method according to.

도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 마더보드(100)는 웨이퍼테스트를 위하여 테스트 헤드(200)와 프로브 카드(500)를 연결하여 주는 것으로, 본 발명의 특징적인 양상에 따라 테스트 헤드(200)가 웨이퍼로 출력한 패턴신호에 의해 웨이퍼가 출력하는 판독신호 즉, 패턴신호에 대한 응답신호를 획득하기 위한 신호 획득모듈(110)과, 신호 획득모듈(110)로부터 입력되는 판독신호를 분석하여 메모리가 양품인지 여부를 판단하고, 메모리가 불량품인 경우 수리가 가능한지 여부를 판단하 는 여분 셀 분석 모듈(120)을 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 3, the wafer motherboard 100 connects the test head 200 and the probe card 500 to test the wafer. The test head 200 according to a characteristic aspect of the present invention may be used. The memory is analyzed by analyzing a signal acquisition module 110 for acquiring a read signal output by the wafer, that is, a response signal to the pattern signal, and a read signal input from the signal acquisition module 110 by the pattern signal output to the wafer. It includes a spare cell analysis module 120 to determine whether or not good quality, and whether the repair is possible if the memory is defective.

전술한 구성에서, 신호 획득모듈(110)은 구체적으로, 스위치 소자로 구현되고 테스트 헤드(200)에 구비되어 있는 릴레이 컨트롤러(240)로부터 스위치 ON 신호가 입력되면 I/O(input/output) 신호라인에서 판독신호를 획득(catch)하는 것이다.In the above-described configuration, the signal acquisition module 110 is specifically implemented as a switch element, when the switch ON signal is input from the relay controller 240 provided in the test head 200 I / O (input / output) signal To catch the read signal on the line.

또한, 여분 셀 분석 모듈(120)은 본 발명의 특징적인 양상에 따라, 도 4에 도시한 바와 같이 신호 획득모듈(110)로부터 입력되는 판독신호와 미리 정해진 기준신호를 비교하고, 상기 비교 결과에 따른 셀 정보를 출력하는 컴퍼레이터부(121)와, 컴퍼레이터부(121)가 출력하는 셀 정보를 저장하기 위한 저장부(123)와, 저장부(123)에 저장되어 있는 셀 정보를 분석하여 메모리가 양품인지 여부를 판단하고, 불량품으로 판단된 메모리의 경우에는 수리가 가능한지 여부를 판단하는 분석부(124)를 포함하여 이루어진다.In addition, the redundant cell analysis module 120 compares the read signal input from the signal acquisition module 110 with a predetermined reference signal, as shown in FIG. 4, according to a characteristic aspect of the present invention. A comparator unit 121 for outputting cell information, a storage unit 123 for storing cell information output by the comparator unit 121, and cell information stored in the storage unit 123 It determines whether the memory is good or not, and in the case of the memory determined to be defective comprises an analysis unit 124 for determining whether or not repair is possible.

또한, 웨이퍼 마더보드(100)는 랜 케이블(300)을 통해 메모리 테스터와 연결되는데, 이에 따라 분석부(124)는 분석 결과를 메모리 테스터에 전달해 줄 수 있다.In addition, the wafer motherboard 100 is connected to the memory tester through the LAN cable 300, so that the analysis unit 124 may deliver the analysis results to the memory tester.

또한, 분석부(124)는 여분 셀 분석을 위한 정보 이를 테면, 웨이퍼 크기, 하나의 메모리에 존재하는 셀 수 그리고 셀 어드레스 등의 정보를 케이블(300)을 통해 메모리 테스터로부터 전달받을 수 있다.In addition, the analyzer 124 may receive information for redundant cell analysis, such as wafer size, the number of cells existing in one memory, and a cell address, from the memory tester through the cable 300.

또한, 저장부(123)는 컴퍼레이터부(121)가 출력하는 셀 정보를 저장부(123)에 저장하도록 하는 저장 과정과 분석부(124)가 저장부(123)에 저장되어 있는 셀 정보를 읽어 들여 분석하도록 하는 분석 과정이 동시에 수행되도록, 저장 과정을 위한 영역과 분석 과정을 위한 영역 즉, 도 4에 도시한 바와 같이 ECR(A)와 ECR(B)로 구분되는 것이 바람직하다.In addition, the storage unit 123 stores the cell information output from the comparator unit 121 in the storage unit 123 and the cell information stored in the storage unit 123 by the analysis unit 124. In order to simultaneously perform an analysis process for reading and analyzing, it is preferable to be divided into an area for a storage process and an area for an analysis process, that is, an ECR (A) and an ECR (B) as shown in FIG. 4.

또한, 여분 셀 분석 모듈(120)은 분석 과정이 완료된 영역은 저장 과정을 위한 영역으로 전환하고 저장 과정이 완료된 영역은 상기 분석 과정을 위한 영역으로 전환하는 메모리 컨트롤러(122)를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 즉, 저장부(123)를 두 영역으로 구분하는 것과 메모리 컨트롤러(122)가 여분 셀 분석 모듈(120)에 추가로 구성되는 이유는 테스트 시간을 단축하기 위함이다.In addition, the redundant cell analysis module 120 may further include a memory controller 122 for converting an area where the analysis process is completed into an area for the storage process and converting the area where the storage process is completed to the area for the analysis process. desirable. That is, the reason why the storage unit 123 is divided into two areas and the memory controller 122 is additionally configured in the redundant cell analysis module 120 is to shorten the test time.

도 3에서, 미설명 부호 130은 테스트 헤드(200)에 접속하기 위한 연결단자이고, 도면 부호 140은 프로브 카드(500)에 접속하기 위한 연결단자이다.In FIG. 3, reference numeral 130 denotes a connection terminal for connecting to the test head 200, and reference numeral 140 is a connection terminal for connecting to the probe card 500.

또한, 도면 부호 210은 웨이퍼에 전원 공급을 하기 위한 PPS(programmable power supply)이고, 도면 부호 220은 웨이퍼의 DC 테스트를 위한 PMU(parametric measurement unit)이며, 도면 부호 230은 드라이버 핀이고, 도면 부호 250은 I/O 핀이다.In addition, reference numeral 210 denotes a programmable power supply (PPS) for supplying power to the wafer, reference numeral 220 denotes a parametric measurement unit (PMU) for DC test of the wafer, reference numeral 230 denotes a driver pin, and reference numeral 250 Is the I / O pin.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 여분 셀 분석 방법은 다음과 같이 수행될 수 있다.On the other hand, the redundant cell analysis method according to an embodiment of the present invention can be performed as follows.

일반적으로, 레이저 수리 이전에 수행되는 테스트를 레이저전 테스트(pre-laser test)라고 한다. 레이저전 테스트에 여러 가지 테스트 항목이 적용되고 있지만 통상적으로 DC 테스트, 간단하게 메모리의 기능을 확인하는 기능 테스트 및 각 셀의 고장 여부를 확인하는 셀 테스트, 이렇게 세 단계로 구성된다.In general, tests performed prior to laser repair are referred to as pre-laser tests. Although several test items are applied to the pre-laser test, they typically consist of three stages: a DC test, a functional test that simply checks the function of the memory, and a cell test that checks each cell for failure.

도 5에 도시한 바와 같이, 메모리 테스터(400)는 셀 테스트를 할 경우에는 셀 테스트의 시작을 명령하기 위한 신호를 테스트 헤드(200)에 출력하게 된다.As shown in FIG. 5, when performing a cell test, the memory tester 400 outputs a signal for commanding the start of a cell test to the test head 200.

그러면, 테스트 헤드(200)는 릴레이 컨트롤러(240)를 구동하여 스위치 ON 신호를 웨이퍼 마더보드(100)에 설치된 신호 획득모듈(110)로 출력하게 된다.Then, the test head 200 drives the relay controller 240 to output the switch ON signal to the signal acquisition module 110 installed on the wafer motherboard 100.

이에 따라, 신호 획득모듈(110)은 I/O 신호라인에서 판독신호를 획득하고, 이를 여분 셀 분석모듈(120)로 전달하게 된다.Accordingly, the signal acquisition module 110 acquires a read signal from the I / O signal line and transfers it to the redundant cell analysis module 120.

그러면, 여분 셀 분석모듈(120)은 메모리 셀의 고장 여부, 불량품인 메모리의 수리 가능 여부를 분석하고 그 분석 결과를 메모리 테스터(400)에 출력하게 된다.Then, the redundant cell analysis module 120 analyzes whether the memory cell has failed or whether the defective memory can be repaired and outputs the analysis result to the memory tester 400.

한편, 메모리 테스터(400)는 셀 테스트가 완료되고 다른 테스트를 수행하고자 할 경우에는 셀 테스트의 종료를 명령하기 위한 신호를 테스트 헤드(200)에 출력하게 된다.Meanwhile, when the cell test is completed and another test is to be performed, the memory tester 400 outputs a signal to the test head 200 to command the end of the cell test.

이에 따라, 테스트 헤드(200)는 스위치 OFF 신호를 신호 획득모듈(100)에 전달하여 스위치 소자가 오프되도록 한다.Accordingly, the test head 200 transmits a switch OFF signal to the signal acquisition module 100 so that the switch element is turned off.

본 발명의 여분 셀 분석 기능을 갖는 웨이퍼 마더보드는 전술한 실시 예에 국한되지 않고 본 발명의 기술 사상이 허용하는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수가 있다.The wafer motherboard having the redundant cell analysis function of the present invention is not limited to the above-described embodiments and can be modified in various ways within the scope of the technical idea of the present invention.

도 1 및 도 2는 각각, 종래 웨이퍼테스트 시스템의 개략도와 전기적인 블록 구성도이다.1 and 2 are schematic and electrical block diagrams of a conventional wafer test system, respectively.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 마더보드의 전기적인 블록 구성도이다.3 is an electrical block diagram of a wafer motherboard according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에서 보인 여분 셀 분석 모듈의 구체적인 블록 구성도이다.4 is a detailed block diagram of the redundant cell analysis module shown in FIG. 3.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 여분 셀 분석 방법을 설명하기 위한 개념도이다.5 is a conceptual diagram illustrating a method of analyzing a redundant cell according to an embodiment of the present invention.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***

10: 메모리 테스터10: memory tester

11: ALPG(algorithmic pattern generater) 12: system bus11: ALPG (algorithmic pattern generater) 12: system bus

13: 컴퓨터 14: ECR(error catch ram)13: Computer 14: error catch ram (ECR)

15: RCPU(Redundant CPU)15: Redundant CPU

20: 테스트 헤드20: test head

21: TGFC(Timing & Formatting) 22: PE(pin electronic)21: TGFC (Timing & Formatting) 22: PE (pin electronic)

23: PPS(programmable power supply)23: programmable power supply (PPS)

24: PMU(parametric measurement unit)24: parametric measurement unit (PMU)

30: 탐침스테이션 40: 웨이퍼 마더보드30: probe station 40: wafer motherboard

50: 프로브 카드 51: 탐침50: probe card 51: probe

60: 웨이퍼60: wafer

100: 웨이퍼 마더보드100: wafer motherboard

110: 신호 획득모듈 120: 여분 셀 분석모듈110: signal acquisition module 120: redundant cell analysis module

121: 컴퍼레이터부 122: 메모리 컨트롤러121: comparator unit 122: memory controller

123: 저장부 124: 분석부123: storage unit 124: analysis unit

130, 140: 연결단자130, 140: connector

200: 테스트 헤드200: test head

210: PPS 220: PMU210: PPS 220: PMU

230: 드라이버 핀 240: 릴레이 컨트롤러230: driver pin 240: relay controller

250: I/O 핀250: I / O pin

300: 랜 케이블 400: 메모리 테스터300: LAN cable 400: memory tester

500: 프로브 카드500: probe card

Claims (2)

웨이퍼테스트를 위하여 테스트 헤드와 프로브 카드를 연결하는 웨이퍼 마더보드에 있어서,In the wafer motherboard connecting the test head and the probe card for the wafer test, 상기 테스트 헤드가 웨이퍼로 출력한 패턴신호에 의해 상기 웨이퍼가 출력하는 판독신호를 획득하기 위한 신호 획득모듈; 및A signal acquisition module for acquiring a read signal output from the wafer by the pattern signal output from the test head to the wafer; And 상기 신호 획득모듈로부터 입력되는 판독신호와 미리 정해진 기준신호를 비교하고, 상기 비교 결과에 따른 셀 정보를 출력하는 컴퍼레이터부와, 상기 컴퍼레이터부가 출력하는 셀 정보를 저장하기 위한 ECR((Error Catch RAM)과, 상기 ECR에 저장되어 있는 셀 정보를 분석하여 메모리가 양품인지 여부를 판단하고, 상기 메모리가 불량품으로 판단된 경우에는 수리가 가능한지 여부를 판단하는 분석부를 포함하여 구성되는 여분 셀 분석 모듈을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마더보드.A comparator unit for comparing a read signal input from the signal acquisition module with a predetermined reference signal, outputting cell information according to the comparison result, and an ECR (Error Catch) for storing cell information output from the comparator unit; RAM) and an analysis unit for analyzing the cell information stored in the ECR to determine whether the memory is good, and if it is determined that the memory is defective, whether or not the repair unit can be repaired. Wafer motherboard, characterized in that comprises a. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 ECR은 상기 컴퍼레이터부가 출력하는 셀 정보를 상기 ECR에 저장하도록 하는 저장 과정과 상기 분석부가 상기 ECR에 저장되어 있는 셀 정보를 읽어 들여 분석하도록 하는 분석 과정이 동시에 수행되도록, 상기 저장 과정을 위한 영역과 상기 분석 과정을 위한 영역으로 구분되되,The ECR stores the cell information output by the comparator in the ECR and the analysis process by which the analyzer reads and analyzes the cell information stored in the ECR. Area and the area for the analysis process, 상기 여분 셀 분석 모듈은 상기 분석 과정이 완료된 영역은 상기 저장 과정을 위한 영역으로 전환하고 상기 저장 과정이 완료된 영역은 상기 분석 과정을 위한 영역으로 전환하는 메모리 컨트롤러를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마더보드.The redundant cell analysis module may further include a memory controller configured to convert an area where the analysis process is completed into an area for the storage process and convert the area where the storage process is completed into an area for the analysis process. Motherboard.
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