KR20030046519A - 백업 커패시터의 충전 및 방전 단계를 제어하기 위한 방법 - Google Patents

백업 커패시터의 충전 및 방전 단계를 제어하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 백업 커패시터(C)를 충전 전에 먼저 특정 전압 레벨로 방전하는 방식으로 데이터 저장매체의 백업 커패시터(C)의 충전 및 방전 단계를 제어하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방전은 정전류(iD)로 이루어진다. 따라서, 백업 커패시터(C)의 충전 전류에 의해, 방전 전에 상기 커패시터(C)의 충전 상태를 검출할 수 없게 된다. 이로 인해, 데이터 처리 유닛(1)에서 보안 관련 산술 연산 동안 흐른 전류에 대한 추론이 더 이상 불가능하다. 바람직한 회로 장치에서는 정전류원(3)이 전류-미러 회로로 형성되고, 백업 커패시터(C)의 전압이 비교기(2)에 의해 밴드갭 기준과 비교된다.

Description

백업 커패시터의 충전 및 방전 단계를 제어하기 위한 방법{METHOD FOR CONTROLLING THE CHARGING AND DISCHARGING PHASES OF A BACK-UP CAPACITOR}
상기 방법의 배경은 전용 키(secret key) 데이터를 처리하는 데이터 처리 유닛이 계산 동안 전력 소비로부터 키 데이터에 대한 추론을 할 수 없도록 설계되어야 한다는 사실이다. 특히, 이로 인해 "단순 파워 분석(Simple Power Analysis)"( SPA) 및 "차분 파워 분석(Differential Power Analysis: DPA)"으로 공지된 분석 방법이 적용될 수 없어야 한다. 계산 사이클 동안 산술 및 논리 유닛의 전압 공급의 버퍼링에 의해, 임계 산술 연산의 실행 동안 산술 및 논리 유닛의 전류 프로파일이 은폐된다. 그러나, 백업 커패시터의 방전 레벨로부터, 버퍼링 시간 동안 데이터처리 유닛에 어느 정도의 액티비티(activity)가 주어졌는지를 판독할 수 있다. 백업 커패시터의 이전 방전 레벨에 의존하는 후속 재충전 전류를 기초로, 처리된 전용 데이터 또는 경우에 따라 알고리즘 처리에 대한 추론을 할 수 있는 위험이 있다.
본 발명은 데이터 처리 유닛을 포함하는 데이터 저장매체의 상기 데이터 처리 유닛상에서 전압 공급 입력에 접속되는 백업 커패시터의 충전 및 방전 단계를 제어하기 위한 방법으로서,
- 데이터 처리 유닛과 백업 커패시터를 공급 전위로부터 분리하는 단계,
- 데이터 처리 유닛에서 산술 연산을 실행하는 단계, 및
- 백업 커패시터를 공급 전위에 접속함으로써, 백업 커패시터를 충전하는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 회로 장치의 제1개략도.
도 2는 본 발명에 따른 회로 장치의 제2의 구체실시예.
본 발명의 목적은 백업 커패시터의 재충전 시에 계산 사이클 동안 전류 소비에 대한 추론이 불가능하도록, 백업 커패시터에 의한 데이터 처리 유닛의 버퍼링을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 상기 방법을 실시하기 위한 회로 장치를 제공하는 것이다.
방법에 관련한 상기 목적은 백업 커패시터의 충전 전에 백업 커패시터를 정전류를 이용하여 규정된 전압으로 방전시킴으로써 달성된다.
회로 장치에 관련한 상기 목적은,
스위칭 가능한 정전류원을 통해 방전될 수 있으며 공급 전위에 접속될 수 있는 백업 커패시터,
상기 백업 커패시터에 접속될 수 있는 제 1 입력 및 기준 전압이 인가되는 제 2 입력을 가진 비교기, 및
상기 비교기의 출력에 접속되고, 상기 백업 커패시터를 공급 전위에 접속시키기 위한 스위치 및 상기 정전류원의 접속을 위한 스위치를 제어할 수 있는 제어 유닛을 포함하는 회로 장치에 의해 달성된다.
백업 커패시터를 규정된 전압으로 방전시킴으로써, 커패시터의 충전 시에 수용되는 전하는 항상 동일하다. 따라서, 계산 사이클 후에 백업 커패시터의 충전 상태에 대한 추론이 더 이상 불가능하다.
정전류로 백업 커패시터를 규정된 전압으로 방전하는 것이 특히 바람직한데, 그 이유는 규정된 전압의 도달을 검출하는 회로 장치에는 데드 시간이 존재하는 것이 전제되어야 하기 때문이다. 이 시간에는 백업 커패시터가 계속 방전된다. 상기 방전이 정전류로 이루어지지 않으면, 백업 커패시터의 전압이 방전 단계의 종료 후에, 비록 선행 기술에 따른 방법 또는 회로 장치에서 보다는 훨씬 작은 정도라 할지라도, 다시 산술 연산의 실행 후의 방전 레벨에 의존하게 된다. 회로 장치의 바람직한 실시예에서, 방전은 전류-미러 회로에 의해 정전류로 구현될 수 있다.
또한, 백업 커패시터의 방전이 직렬 접속된 저항과 트랜지스터를 통해 이루어지는 것이 바람직한데, 그 이유는 상기 트랜지스터와 저항 사이에서 인출된 전압을 밴드갭 기준의 특정 전압과 비교할 수 있도록 세팅될 수 있는 분압기가 형성되기 때문이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참고로 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 실시할 수 있는 회로 장치의 구성을 나타낸다. 데이터 저장매체의 데이터 처리 유닛(1)은 공급 전압(VCC)에 직접 접속되지않고, 공급 전압 입력(6)은 제 1 스위치(S1)에 의해 공급 전압(VCC)으로부터 분리될 수 있다. 또한, 백업 커패시터(C)가 공급 전압 입력(6)에 접속된다. 따라서, 제 1 스위치(S1)가 개방되면, 백업 커패시터(C)에 의한 데이터 처리 유닛(1)의 전압 공급이 이루어진다. 데이터 처리 유닛(1)이 백업 커패시터(C)에 의해 전압을 공급 받을 수 있는 지속시간은 커패시터(C)의 용량 및 데이터 처리 유닛(1)의 전력 소비에 의존한다. 상기 장치의 목적은 데이터 처리 유닛(1)에서의 임계적인, 즉 보안에 관련된 산술 연산의 실행 시에 상기 데이터 처리 유닛(1)을 공급 전압(VCC)으로부터 분리함으로써, 데이터 처리 유닛(1)을 포함하는 전체 회로의 전력 소비에 의해, 전용 키에 대한 추론을 이끌어내는 것을 방지하는 것이다. 그러나, 산술 연산의 실행 종료 후에 스위치(S1)가 다시 폐쇄되면, 커패시터(C)가 충전된다. 이 경우, 상기 충전 전류에 의해, 전용 산술 연산을 실행하는 동안 커패시터(C)에서 얼마나 많은 전하가 인출되었는지를 알 수 있다.
이것을 피하기 위해, 커패시터(C)가 일정한 전압값으로 방전되고 그 후에야 다시 정격 전압으로 충전된다. 이것을 위한 한 방법은 커패시터(C)를 적합한 회로에 의해 발생된 정전압으로 방전시키는 것이다. 하지만, 이것은 정전압원을 용량성 부하로 전환 접속하는 것을 의미할 것이다. 정전압원이 실제로 이상적이지 않으며 공급 전압을 제공받기 때문에, 이 방법에서도 공급 전류가 커패시터(C)의 전압 레벨에 의존한다. 따라서, 이러한 회로는 전용 산술 연산 동안의 전력 소비를 완전히 은폐하기에는 부적합하다.
본 발명에서는 이와는 달리, 커패시터(C)의 전압이 일정한 하한치에 도달할때까지, 커패시터(C)가 정전류원(3)을 통해 방전된다. 그리고 나서, 방전 경로가 스위치(S2)를 통해 차단되고, 스위치(S1)가 폐쇄됨으로써 커패시터(C)가 다시 충전된다. 상기 전압 하한치의 검출은 비교기(2)를 통해 이루어진다. 상기 비교기(2)는 커패시터(C)의 전압을 기준 전압(Uref)과 비교한다. 비교기(2)의 출력에는 제어 유닛(4)이 접속되며, 상기 제어 유닛(4)은 스위치(S1, S2)를 제어한다. 제어 유닛(4) 자신은 전용 산술 연산 실행의 시작 전 및 종료 후에 데이터 처리 유닛(1)에 의해 작동된다. 따라서, 언제 스위치(S1)가 개방됨으로써 데이터 처리 유닛(1)이 백업 커패시터(C)를 통해 전압을 공급해야 하는지, 그리고 언제 방전 과정, 즉 스위치(S2)의 폐쇄가 수행되어야 하는지가 지시된다. 방전 과정의 종료는 비교기(2)에 의해 독자적으로 검출되므로, 스위치(S2)의 개방 및 스위치(S1)의 폐쇄 시점이 결정된다. 또한, 제어 유닛(4)은 예컨대, 초기 조건을 결정하는 부가의 회로에 의해 부가의 입력(5)을 통해 제어될 수 있다.
저항(R)을 통한 커패시터의 방전 시에, 커패시터의 전압은 부가의 조치 없이 지수함수에 따라 강하한다. 도 1의 회로 장치에서와 같이, 비교기(2)가 커패시터의 전압이 규정된 하한치에 도달했음을 검출하면, 스위치(S2)가 개방될 때까지 얼마간의 시간이 걸린다. 이 시간 동안, 커패시터(C)가 계속 방전된다. 비교기(2)와 스위치(S2)의 데드 시간이 항상 동일하기는 하지만, 커패시터(C)의 전압이 지수함수로 강하하기 때문에, 커패시터(C)의 실제 최종 전압은 항상 그 이전 충전 레벨에 의존한다.
따라서, 본 발명에 따른 실시예에서는 방전이 정전류를 통해 이루어지며, 이것은 정전류원(3)에 의해 보장되므로 비교기(2) 및 스위치(S2)의 데드 시간 동안 커패시터(C)의 전압이 여전히 더 강하되기는 하지만, 그 최종 값은 이전의 충전 상태와 무관하다.
도 2는 제어 유닛을 구현하기 위한 AND 게이트(11), 2상 제너레이터(12) 및 플립플롭(13)으로 구성된 장치와 정전류원을 구현하기 위한 전류-미러 회로를 포함한 본 발명에 따른 회로 장치의 구체적인 실시예를 도시한다. 데이터 처리 유닛(1)의 전압 공급 입력(6)은 도 1의 실시예에서와 같이 공급 전압(VCC)에 접속된다. 또한, 백업 커패시터(C)가 제공된다. 스위치(S1)가 개방되면, 상기 백업 커패시터(C)를 통해 데이터 처리 유닛(1)의 전압 공급이 이루어진다. 도 1과는 달리, 비교기(2)의 비반전 입력이 커패시터(C) 또는 전압 공급 입력(6)에 직접 접속되지 않고, 저항(R)과 직렬 접속된 트랜지스터(T4) 사이에서 전압이 인출된다. 커패시터(C)의 방전은 저항(R) 및 트랜지스터(T4)를 통해 이루어지고, 상기 저항과 트랜지스터는 방전 동안 분압기를 형성한다. 저항(R)과 트랜지스터(T4) 사이의 전압 인출이 선택되는 이유는 기준 전압(Uref)과의 전압 비교가 비교기(2)에 의해 이루어져야 하고 상기 기준 전압(Uref)이 밴드갭 기준에 의해 형성되어야 하기 때문이다. 밴드갭 기준 전압은 통상적으로 1.203V인 한편, 커패시터(C)는 바람직하게는 2.0 V로 방전되어야 한다. 따라서, 저항(R)과 트랜지스터(T4)로 이루어진 분압기는 상기 저항에서 약 0.8 V의 전압이 강하하도록 제공되어야 한다. 전압이 커패시터(C)에서 직접 인출되면, 밴드갭 기준과의 비교가 불가능할 것이다.
정전류원은 기준 경로에 저항(Rs)과 트랜지스터(T3), 및 트랜지스터(T4)를 가진 전류 미러 회로로 구현된다. 기준 경로에서 저항(Rs)은 트랜지스터(T3)와 직렬 접속되고 정전압(Vconst)과 기준 전위(0) 사이에 놓인다. 따라서, 저항(Rs)과 정전압(Vconst)의 크기에 의해, 기준 경로에 어떤 전류가 흐르는지가 결정된다. 이것은 또한 트랜지스터(T4)를 통해 어떤 전류가 흐를 수 있는지를 결정한다. 트랜지스터(T4)의 제어 단자와 기준 전위 사이에 접속된 트랜지스터(T1)에 의해, 트랜지스터(T4)가 스위칭된다. 트랜지스터(T3)와 트랜지스터(T4)의 제어 단자 사이에 접속된 트랜지스터(T2)에 의해, 전류 미러가 접속 및 차단될 수 있다.
커패시터(C)가 낮은 전압 레벨을 갖지 않으면, 비교기(2)의 비교 결과는 하이(HIGH) 신호이다. 스위치(S1)가 개방되면, 플립플롭이 리셋되고, 플립플롭(13)의 부정(negated) 출력(qn)은 HIGH이다. 부가로 데이터 처리 유닛(1)에 의해, 보안 관련 산술 연산이 종료되고 커패시터가 방전될 수 있음이 신호화되면, 데이터 처리 유닛(1)의 출력(14)이 HIGH로 되고, 상기 신호는 제 3 입력 신호로서 AND 게이트(11)에 인가된다. 이로 인해, AND 게이트(11)의 출력에서의 전압 레벨이 HIGH로 되고, 이것은 방전 과정에 이어서 시작된다. AND 게이트(11)의 출력 신호로부터 2상 제너레이터(12)를 통해 2개의 시간적으로 지연된 신호(16, 15)가 발생된다. 먼저, 신호(16)를 통해 트랜지스터(T1)가 개방되면, 트랜지스터(T4)가 도통될 수 있다. 제 2 신호(15)에 의해 트랜지스터(T2)가 접속되므로, 전류 미러 회로가 액티브하게 되고 저항(Rs)을 통해 방전 경로로 흐르는 전류를 반영한다. 방전 전류(iD)가 일정하기 때문에, 저항(R)에서 정전압이 강하한다. 상기 전압은 이 실시예에서 0.8 V로 세팅된다. 커패시터(C)의 원래 전압이 2.4 V이고 저항(R)에서의 전압 강하가 0.8 V이면, 비교기(2)의 비반전 입력에는 1.6 V의 전압이 인가되는 한편, 기준 전압(Uref)은 1.2 V이다. 커패시터가 2 V로 방전될 때에야 비로소, 비교기(2)의 비반전 입력에서의 전압이 반전 입력에서의 전압 보다 작아진다. 이 순간에, 비교기(2)의 출력 신호가 강하하고, AND 게이트(11)의 입력에서의 상기 LOW 신호에 의해 그 출력은 LOW로 된다. 그 결과, 트랜지스터(T1)가 도통 접속되므로, 방전 트랜지스터(T4)가 차단되고 커패시터(C)의 방전이 종료된다. 스위치(S1)의 폐쇄 후에, 커패시터(C)가 다시 충전될 수 있다.
물론, 상기 방식의 기능을 위해 회로 장치의 여러 실시예가 가능하지만, 백업 커패시터(C)가 정전류(ID)로 방전되면, 이러한 회로는 본 발명에 포함된다.

Claims (5)

  1. 데이터 처리 유닛(1)을 포함하는 데이터 저장매체의 상기 데이터 처리 유닛(1)상에서 전압 공급 입력(6)에 접속되는 백업 커패시터(C)의 충전 및 방전 단계를 제어하기 위한 방법으로서,
    - 데이터 처리 유닛(1)과 백업 커패시터(C)를 공급 전위(VCC)로부터 분리하는 단계,
    - 데이터 처리 유닛(1)에서 산술 연산을 실행하는 단계, 및
    - 백업 커패시터(C)를 공급 전위(VCC)에 접속함으로써, 백업 커패시터(C)를 충전하는 단계를 포함하며,
    상기 백업 커패시터(C)의 충전 전에 상기 백업 커패시터(C)가 정전류(iD)를 이용하여 규정된 전압까지 방전되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1항에 따른 방법을 실시하기 위한 회로 장치에 있어서,
    - 스위칭가능한 정전류원(3)을 통해 방전될 수 있으며 공급 전위(VCC)에 접속될 수 있는 백업 커패시터(C),
    - 상기 백업 커패시터에 접속된 제 1 입력 및 기준 전압(Uref)이 인가되는 제 2 입력을 가진 비교기(2), 및
    - 상기 비교기(2)의 출력에 접속되고, 상기 백업 커패시터(C)를 공급전위(VCC)에 접속시키기 위한 스위치(S1) 및 상기 정전류원(3; RS, T3, T4)의 스위칭을 위한 스위치(S2; T4)를 제어할 수 있는 제어 유닛(4; 11, 12, 13)을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 정전류원(3)은 전류-미러 회로인 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 제어 유닛은 플립플롭(13) 및 AND 게이트(11)를 포함하여, 상기 플립플롭(13)의 출력(qn)이 AND 게이트의 제 1 입력에 접속되며, 상기 제어 입력이 AND 게이트(11)의 제 2 입력에 접속되어 제공되며, 상기 비교기(2)의 출력이 AND 게이트의 제 3 입력에 접속되는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 백업 커패시터(10)의 방전은 직렬 접속된 저항(R)과 트랜지스터(T4)를 통해 이루어짐으로써, 분압기가 형성되어, 상기 트랜지스터(T4)와 저항(R) 사이에서 인출된 전압이 비교기(2)에 의해 밴드갭 기준의 전압(Uref)과 비교되는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
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