KR20030036360A - 비접촉식으로 측정된 자계를 이용한 평판 디스플레이용 tft 셀 어레이의 양부 테스트방법 - Google Patents

비접촉식으로 측정된 자계를 이용한 평판 디스플레이용 tft 셀 어레이의 양부 테스트방법 Download PDF

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    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays

Abstract

본 발명은 LCD 패널을 생산하는 공정 중에, LCD 패널을 구성하는 부분품인, 개별 화소 구동을 위한 글라스 서브스트레이트(Glass Substrate) 위에 형성된 a-Si TFT(Amorphous-Silicon Thin Film Transistor)와 스토리지 커패시터(Storage Capacitor) 및 디스플레이 전극(Display electrode)인 ITO(Indium Tin Oxide)로 구성된 단위 TFT 셀(Cell)이 어레이(Array)로 배열된 TFT 시트(Sheet)위의 각 단위 TFT 셀의 정상 동작여부를 LC(Liquid Crystal)를 주입하기 전에 TFT 시트만으로 판별하기 위한 것으로서, LCD 패널의 구성 부분품인 TFT 시트 위의 각 TFT 셀(Cell)에 접속된 ITO 전극과 일정거리 이격되게 MR(Magneto-Resistive), GMR(Great Maneto-Resistive), IMH(Induction type Magnetic Head) 등의 자계센서가 배치된 상태에서, TFT 시트 위의 모든 TFT 셀에 접속된 데이터 버스와 게이트 버스에 적절한 데이터 시험 패턴(Pattern) 전기신호를 인가하여 TFT를 작동시키는 제1단계와, 상기 특정 TFT 셀의 ITO 전극과 상기 ITO 전극과 일정거리 이격된 비접촉식 자계센서를 통하여 측정된 자계신호를 측정(scan)하는 제2단계 및 상기 자계센서로부터 측정된 자계신호를 분석해서 LCD 패널의 구성부분품인 TFT 시트의 각 TFT 셀의 정상 동작여부를 판정하고, 해당 TFT 시트를 구성하는 각 TFT 셀에 대한 고해상도, 고신뢰도의 자계 및 전계 상태(특성) 분포도를 작성하는 제3단계를 수행함을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면, LCD 패널의 구성부분품인 TFT 시트의 각 TFT 셀의 양부를 판정하기 위한 장치 및 이와 관련된 측정 메카니즘을 단순화하면서도 측정속도와 정밀도를 향상시키고, 각 TFT 셀에 대한 자계센서로부터 변환되어진 저항, 전류 등의 전기신호 값을 직접적인 측정으로 각 TFT 셀에 대한 전기적인 특성이 정밀한 해당 데이터를 취득할 수 있을 뿐더러 TFT 시트를 구성하는 TFT 시트 위의 각 TFT 셀에 대한 정밀한 자계의 측정 및 이로부터 변환 되어진 저항, 전류 등의 전기신호 값을 이용한 고해상도, 고신뢰도의 상태(특성) 분포도를 작성할 수 있다.

Description

비접촉식으로 측정된 자계를 이용한 평판 디스플레이용 TFT 셀 어레이의 양부 테스트방법{Quality test method of TFT cell array for flat board display using a magnetic field measured by non-contact mode}
본 발명은 비접촉식으로 측정된 자계를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부 테스트(test)방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 일정한 주파수를 갖는 교류전원이 가해지는 LCD 패널의 각 TFT 셀을 구성하는 ITO 전극으로부터 맥스웰 방정식에 따라 유기되는 전자계 중 자계의 변화를 MR 또는 GMR 및 IMH 센서를 이용하여 자계의 변화를 측정하고, 이를 분석하여 LCD 패널의 각 TFT 셀의 전기적 불량과 오염 등의 종류와 수량, 위치 그리고 그 불량의 특성을 분석할 수 있도록 하는 비접촉식으로 측정된 자계를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부 테스트방법에 관한 것이다.
통상적인 평판 디스플레이의 하나인 컬러 TFT-LCD 패널(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)은 도1에 도시한 바와 같이, 백라이트(back-light), 편광판(polarizer), 유리판(glass substrate), TFT 시트(Thin-Film Transistor sheet), LC(Liquid Crystal), 컬러필터시트(color filter sheet), 드라이브(drive) IC, 콘트롤러(controller) 등으로 구성되어 있다.
상기한 바와 같은 구조의 TFT-LCD 패널을 생산하는 공정 중에 화소 픽셀을 구성하는 각 TFT 셀의 ITO 전극의 전압 측정으로 LCD 화소픽셀의 정상 동작여부(양부)를 확인함으로써 TFT-LCD 패널의 생산수율을 증대할 수 있을 뿐더러 공정관리의 효율성을 극대화할 수 있다.
이렇게 TFT-LCD 패널을 생산하는 공정 중에 LCD 픽셀의 정상 동작여부를 확인하는 방법의 하나는 TFT 셀을 프로브 시스템(probe system)을 이용하여 직접 각각의 ITO 전극을 직접 프로브 팁(probe tip)으로 접촉식으로 프로빙(probing)하여 ITO 전극의 전압을 측정하는 방법이다.
그러나, 위와 같은 방법으로는 LCD 픽셀의 해상도 증가로 ITO 전극의 수가 1280＊1024*3=3,932,160 까지 증가한 모든 ITO 전극을 프로브 시스템의 프로브 팁으로 프로빙하는 데 한계가 있다. 이에 종래에는 품질관리 차원에서 일정부분의 샘플(sample)을 채취하여 위와 같은 방법으로 TFT 시트의 정상 동작여부를 검사하고 있는 실정이다.
또, 하나의 방법은 외부의 10*10Cm의 측정용 LCD 모듈레이터(Modulator)와 광원(light source)을 이용하는 방법으로서 시험하고자하는 LCD 패널의 구성 부분품인 TFT 시트를 구동한 후, 모듈레이터를 이용하여 가상 LCD 모듈(module)을 구성하여 비전(vision)방식으로 개별 TFT 셀의 양부의 판별 및 매핑(mapping)한다. 그리고, 매핑된 전압값을 상태분포도를 구하기 위한 특정한 알고리즘에 적용시켜 해당 LCD 패널에 대한 상태분포도를 구한다.
상기한 방법은 비접촉식 측정으로 전술한 프로빙 방식보다 빠르며 비교적 정확한 측정이 가능하다는 이점은 있으나, 고가의 소모품인 모듈레이터를 사용하며, 비전 등의 기술을 사용하는 복잡한 시스템 구조로서, 처리량(throughput)의 저하요인이 되기도 하고, 모듈레이터를 통하여 반사된 빛의 밝기를 이용하여 상대적인 전압을 유추해서 측정하고 있어, 정확한 측정이라 하기에는 불합리하며, 빈번한 모듈레이터의 교체에 다른 시간적, 경제적인 손실이 많다.
상기한 바와 같은 결점을 해결하기 위하여 본 발명은 LCD 패널의 구성부분품인 TFT 시트의 각 TFT 셀의 양부를 판정하기 위한 장치 및 이와 관련된 측정 메카니즘을 단순화하면서도 측정속도와 정밀도를 향상시키고, 각 TFT 셀에 대한 자계센서로부터 변환되어진 저항, 전류 등의 전기신호 값을 직접적인 측정으로 각 TFT 셀에 대한 전기적인 특성이 정밀한 해당 데이터를 취득할 수 있을 뿐더러 TFT 시트를 구성하는 TFT 시트 위의 각 TFT 셀에 대한 정밀한 자계의 측정 및 이로부터 변환 되어진 저항, 전류 등의 전기신호 값을 이용한 고해상도, 고신뢰도의 상태(특성) 분포도를 작성할 수 있도록 하는 비접촉식으로 측정된 자계를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 비접촉식 양부 테스트방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
도1은 통상적인 TFT-LCD를 나타낸 사시도이다.
도2는 본 발명에서 맥스웰 방정식에 의해 비접촉식으로 측정된 자계를 이용하여 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부를 테스트하기 위한 시스템 구성도이다.
도3은 맥스웰 방정식에 따라 ITO 전극의 표면에서 유기된 전계와 자계의 진행과정을 보여주는 파형도이다.
도4는 통상적인 TFT-LCD에서 TFT 시트만 별도로 나타낸 사시도 이다.
도5는 TFT 시트를 전기적인 등가회로로 나타낸 구성도 이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 비접촉식 자계센서 어레이(MR, GMR, IMH 등의 센서)
2 : 멀티채널 시그널프로세서
3 : 컴퓨터 4 : 디스플레이(상태분포도)
5 : 게이트 시험 패턴 제너레이터 6 : 데이터 시험 패턴 제너레이터
C : 스토리지 커패시터 d : 이격거리
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 비접촉식으로 측정된 자계를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부 테스트방법은, LCD 패널의 생산 공정 중에 TFT 시트를 구성하는 각 TFT 셀의 정상 동작여부를 판별하는 비접촉식으로 측정된 자계를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부 테스트방법에 있어서, 상기 LCD 패널의 TFT 셀 어레이를 구성하는 각 TFT에 접속된 ITO 전극과 일정거리 이격되게 자계의 변화를 저항 또는 전류 등의 전기적인 변화로 변환시켜주는 비접촉식 자계센서 어레이가 배치된 상태에서, 특정 TFT에 접속된 칼럼 드라이버(column driver)에 시험용 데이터 전압 패턴을 입력하고 로우드라이버(row driver)를 통해 해당 TFT의 게이트에 시험용 게이트 전압 패턴을 인가시켜 TFT를 작동시키는 제1단계와, 상기 TFT 셀의 ITO 전극으로부터 유기된 자계의 변화에 대응하여 변화하는 비접촉식 자계센서 어레이의 저항, 전류 등의 전기적인 변화를 측정하는 제2단계 및 상기 비접촉식 자계센서로부터 측정된 저항 또는 전류 값을 분석해서 TFT 시트를 구성하는 각 TFT 셀의 정상 동작여부를 판정하고, 해당 TFT 시트를 구성하는 각 TFT 셀에 대한 고해상도의 상태(특성)분포도를 작성하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 비접촉으로 측정된 자계를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부 테스트방법에 있어서, 상기 비접촉식 자계센서 어레이는 상기 TFT 셀의 ITO 전극의 자계변화를 측정하는 하나의 비접촉식 자계센서를 포함하는 어레이로 구성되고, 상기 비접촉식 자계센서 어레이는 TFT 시트의 각 TFT 셀과 일정간격을 두고 스캔하는 동안 해당 TFT 셀을 구성하는 TFT의 데이터와 게이트에 시험용 패턴신호를 인가하고 센서 플레이트 어레이의 출력을 스캔하는 점 스캔 방식으로 TFT 시트의 각 TFT 셀을 스캔하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 의한 비접촉으로 측정된 자계를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부 테스트방법에 있어서, 상기 비접촉식 자계센서 어레이는 상기 TFT 셀의 ITO 전극의 자계변화를 측정하는 비접촉식 자계센서가 TFT 시트의 1라인 상에 있는 각 TFT 셀에 대응되게 배치하여 어레이를 구성하고, 상기 비접촉식 자계센서 어레이는 상기 TFT 시트의 1라인 상에 있는 각 TFT 셀과 일정간격을 두고 스캔하는 동안 해당 1라인 상에 있는 TFT 셀을 구성하는 TFT의 데이터와 게이트에시험용 패턴을 인가하고 비접촉식 자계센서 어레이의 출력을 스캔하는 라인 스캔 방식으로 TFT 시트의 각 TFT 셀을 스캔하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 의한 비접촉식 자계센서 어레이를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부 테스트방법에 있어서, 상기 비접촉식 자계센서 어레이는 상기 TFT 셀의 ITO 전극과 동일한 면적을 갖는 도체로 구성된 판을 TFT 시트 상에 있는 모든 TFT 셀에 대응되게 배치하여 어레이를 구성하고, 상기 비접촉식 자계센서 어레이가 TFT 시트 상에 있는 각 TFT 셀과 일정간격을 두고 배치된 상태에서 TFT 시트의 모든 TFT 셀의 데이터와 게이트에 시험패턴 전기신호를 인가하고 센서 플레이트 어레이의 출력을 스캔하는 평판 스캔 방식으로 TFT 시트의 각 TFT 셀을 스캔하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 의한 비접촉식 전계센서 어레이를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부 테스트방법에 있어서, 상기 평판 디스플레이(flat display)는 TFT-LCD(Thin-Film Transistor Liquid Crystal Display), ELD(Electro-Luminescence Display), PDP(Plasma Display Panel) 중 액티브 매트릭스(Active Matrix) 구동방식인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
도2는 본 발명에서 맥스웰 방정식에 의해 비접촉식으로 측정된 자계를 이용하여 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부를 테스트하기 위한 시스템 구성도이고, 도3은 맥스웰 방정식에 따라 ITO 전극의 표면에서 유기된 전계와 자계의 진행과정을 보여주는 파형도이며, 도4는 통상적인 TFT-LCD에서 TFT 시트만 별도로 나타낸 사시도이며, 도5는 TFT 시트를 전기적인 등가회로로 나타낸 구성도이다.
도2는 본 발명에 의한 비접촉식 자계센서 어레이를 이용하여 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부를 테스트하기 위한 시스템 구성도로서, 컴퓨터(3)의 제어로 1KHz∼100MHz의 주파수를 갖는 교류전원을 출력하는 펄스 패턴 제너레이터(5)는 로우 드라이버(row driver) 및 칼럼 드라이버(column driver)를 통해 평판 디스플레이(TFT-LCD, ELD, PDP 등을 말하며, 이하에서는 TFT- LCD 패널을 예로 설명한다)의 TFT 시트 위의 TFT 셀을 구성하는 TFT의 데이터 및 게이트(gate)에 미리 정의된 적절한 시험패턴신호를 공급한다. 물론, TFT 시트를 구성하는 각 TFT 셀에는 칼럼 드라이버를 통해 시험패턴 데이터가 입력되고, 펄스패턴 제너레이터(5)의 출력주파수 또는 파형의 형상 등은 TFT 시트를 구성하는 다수개의 TFT 셀 중 정상 동작여부를 판정하기 위하여 필요한 가능한 모든 최적의 방법의 조합을 만들어 데이터 또는 게이트 라인에 공급된다.
각 TFT 셀의 스토리지 커패시터(C)(storage capacitor)와 접속된 ITO 전극에는 MR, GMR 또는 IMH(Induction type Magnetic Head)로 만들어진 센서 어레이(1)가 일정간격을 두고 배치되어 있고, ITO 전극에서 발생된 자계를 비접촉으로 센싱하는 자계 센서 어레이(1)가 일정간격을 두고 마주보는 구조를 갖는다. 이때, 비접촉상태를 유지하는 ITO 전극과 자계센서 어레이(1)의 간격, 즉 비접촉 자계센서 어레이(1)가 ITO 전극을 스캐닝하는 이격거리(d)는 5㎛∼100㎛로 하는 것이 바람직하다.
이렇게 비접촉 자계센서 어레이(1)(sensor array)를 이용하여 TFT 셀, 즉ITO 전극을 스캐닝하는 방법으로는 점 방식 스캐닝과 라인 방식 스캐닝 그리고 평판 방식 스캐닝 등을 들 수 있다.
먼저, 점(point) 방식으로 ITO 전극을 스캐닝하기 위한 비접촉 자계센서(1)는 TFT 셀의 ITO 전극과 동일한 면적을 갖는 MR, GMR, IMH 등의 센서로 구성된 하나의 단독 센서이다. 이러한 구조를 갖는 비접촉 자계센서가 TFT 시트의 각 TFT 셀과 일정간격을 두고 스캔하는 동안 해당 TFT 셀을 구성하는 TFT의 데이터 및 게이트에 시험패턴신호를 시험에 적절한 형태로 인가하면서 비접촉 자계센서에서 출력되는 저항, 전류 등의 전기적인 값을 읽어와 분석하는 방식이 점 방식 스캐닝이다.
또한, 라인(line) 방식으로 ITO 전극을 스캐닝하기 위한 비접촉 자계센서 어레이(1)는 TFT 셀의 ITO 전극과 동일한 면적을 갖는 MR, GMR, IMH 등으로 된 판을 TFT 시트의 1라인 상에 있는 각 TFT 셀에 대응되게 배치된 어레이(array)이다. 이러한 구조를 갖는 비접촉 자계센서 어레이가 TFT 시트의 1라인 상에 있는 각 TFT 셀과 일정간격을 두고 스캔하는 동안 해당 1라인 상에 있는 TFT의 데이터 및 게이트에 시험패턴신호를 적절한 형태로 인가하면서 비접촉 자계센서 어레이에서 출력되는 저항, 전류 등의 전기신호 값을 읽어와 분석하는 방식이 라인 방식 스캐닝이다.
마지막으로, 평판 방식으로 ITO 전극을 스캐닝하기 위한 비접촉 자계센서 어레이(1)는 TFT 셀의 ITO 전극과 동일한 면적을 갖는 MR, GMR, IMH 등으로 TFT 시트 상에 있는 모든 TFT 셀에 1:1로 대응되게 배치된 어레이(array)이다. 이러한 구조를 갖는 비접촉 자계센서 어레이가 TFT 시트의 모든 TFT 셀과 일정간격을 두고 스캔하는 동안 TFT 시트의 각 TFT의 데이터 및 게이트에 시험패턴신호를 적절한 형태로 인가하면서 비접촉 자계센서 어레이에서 출력되는 저항, 전류등의 전기 신호값을 읽어와 분석하는 방식이 평판 방식 스캐닝이다.
물론, 이외에도 측정하고자 하는 목적(용도)에 따라 비접촉 자계센서 어레이를 다양하게 배치할 수 있을 뿐더러 이를 이용하여 TFT 시트의 각 TFT 셀을 스캔하는 방법도 다양하게 변형 가능함은 당연하다.
이러한 각종 비접촉 자계센서 어레이(1)로부터 출력되는 저항, 전류등의 전기 신호값은 멀티채널 시그널 프로세서(2)를 통해 컴퓨터(3)에 제공된다. 따라서, 컴퓨터(3)는 멀티채널 시그널 프로세서(2)를 통해 비접촉 자계센서 어레이(1)로부터 입력되는 저항, 전류 등의 전기신호 값을 분석해서, TFT 시트를 구성하는 각 TFT 셀, 즉 TFT와 ITO 전극의 정상 동작여부를 판정하고, 해당 TFT 시트를 구성하는 각 TFT 셀에 대한 고해상도의 상태(특성)분포도를 작성하여 컴퓨터 내부에 저장하고 디스플레이(4)에 표시한다.
이와 같은 구성에 의해 맥스웰 방정식에 따라 유기된 전자계중 자계를 측정하여 TFT 시트의 각 TFT 셀의 정상 동작여부를 판정하는 과정을 살펴본다.
통상적으로, 도체, 즉 안테나에 일정한 주파수를 가지는 교류전원을 인가하는 경우 안테나에서는 전자계가 유기된다. 이때, 안테나로부터 유기되는 전자계는 맥스웰 방정식에서와 같이 전계와 자계가 안테나의 표면으로 서로 직교되게 유기됨을 알 수 있다. 즉, 도3에서와 같이, 전자계는 안테나의 표면으로 수직 상방으로 진행하고, 전계와 자계는 각각 X축과 Y축 방향으로 진동한다.
이러한 맥스웰 방정식에 따른 자계를 이용하고 있는 본 발명은 위에서 설명한 바와 같은 여러 가지 방식에 따라 TFT 시트의 TFT 셀을 구성하는 TFT에 접속된 ITO 전극에 근접되게 비접촉식 자계센서 어레이(1)를 배치한 후 칼럼 드라이버(column driver)를 통해 데이터 패턴 신호를 입력하면서 로우 드라이버(row driver)를 통해 해당 TFT의 게이트에 펄스 패턴 제너레이터(5)로부터 출력되는 시험 패턴 신호를 인가한다.
이에 따라, 게이트에 가해진 시험패턴신호가 '하이'레벨을 유지하는 동안에는 TFT가 '턴온'되면서 교류형태의 시험패턴데이터가 TFT를 통해 ITO 전극과 스토리지 커패시터(C)에 가해지고, 게이트에 가해진 시험패턴신호가 '로우'레벨을 유지하는 동안에는 TFT가 '턴오프'상태를 유지하므로 더 이상이 데이터가 흐르지 않고, 다만 스토리지 커패시터(C)에 충전되었던 전원이 짧은 시간동안 방전되어 ITO 전극에 가해진다.
그러므로, TFT와 ITO 전극이 정상적으로 동작하는 경우에는 ITO 전극에 근접되게 배치된 비접촉 자계센서 어레이(1)에 의해 위와 같이 ITO 전극에 가해지는 자계 변화에 대응하는 저항, 전류 등의 전기신호를 검출해 낼 수 있다. 물론, TFT나 혹은 ITO 전극이 정상 동작을 하지 못하는 경우에는 위와 같이 동작이 이루어지지 않아 ITO 전극으로부터 TFT와 ITO 전극이 정상 동작할 때 검출할 수 있는 저항, 전류등과는 다른 형태의 전기신호, 혹은 아무런 전기 신호도 검출하지 못한다.
이렇게, TFT 시트 위의 TFT 셀의 데이터와 게이트에 최적의 시험조건에 맞게 설정된 시험패턴신호를 인가한 상태에서 해당 TFT 셀의 ITO 전극과 근접되게 배치된 비접촉 자계센서 어레이(1)에 의해 측정된 전기신호 값 등은 멀티 채널시그널 프로세서(2)를 통해 컴퓨터(3)에 전송된다.
위와 같이 비접촉 자계센서 어레이(1)로 부터 측정된 전기신호 값을 전송 받은 컴퓨터(3)는 이 전기신호 값을 분석해서 TFT 시트를 구성하는 각 TFT 셀의 정상 동작여부를 판정하고, 해당 TFT 시트를 구성하는 각 TFT 셀에 대한 고해상도의 상태(특성)분포도를 작성한다. 그리고, 컴퓨터(3)는 TFT 시트의 모든 TFT 셀에 대한 검사를 완료한 후 TFT 시트의 모든 TFT 셀의 정상 동작여부와 개별 TFT 셀에 대한 고해상도의 상태분포도를 내부에 저장함과 동시에 디스플레이(4)에 표시한다.
따라서, 본 발명에 의하면, LCD 패널의 구성부분품인 TFT 시트의 각 TFT 셀의 양부를 판정하기 위한 장치 및 이와 관련된 측정 메카니즘을 단순화하면서도 측정속도와 정밀도를 향상시키고, 각 TFT 셀에 대한 자계센서로부터 변환되어진 저항, 전류 등의 전기신호 값을 직접적인 측정으로 각 TFT 셀에 대한 전기적인 특성이 정밀한 해당 데이터를 취득할 수 있을 뿐더러 TFT 시트를 구성하는 TFT 시트 위의 각 TFT 셀에 대한 정밀한 자계의 측정 및 이로부터 변환 되어진 저항, 전류 등의 전기신호 값을 이용한 고해상도, 고신뢰도의 상태(특성) 분포도를 작성할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체적인 실시 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (5)

  1. LCD 패널을 생산하는 공정 중에 LCD 패널의 구성 부분품인 TFT 시트 위의 각 TFT 셀의 정상 동작여부를 판별하는 비접촉식으로 자계를 측정하는 원리를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 비접촉식 양부 테스트방법에 있어서,
    상기 TFT 시트의 TFT에 접속된 ITO 전극과 일정거리 이격되게 MR, GMR, IMH 등의 자계센서가 단독 또는 어레이로 배치된 상태에서, 특정 TFT에 접속된 칼럼 드라이버(column driver)에 시험패턴 데이터를 입력하고 로우 드라이버(row driver)를 통해 해당 TFT의 게이트에 시험패턴신호를 인가시켜 TFT를 작동시키는 제1단계;
    상기 TFT 셀의 ITO 전극과 상기 ITO 전극과 일정거리 이격된 비접촉 자계센서 단독 또는 어레이를 이용한 저항, 전류 등의 전기신호를 측정(scan)하는 제2단계; 및
    상기 비접촉 자계센서 단독 또는 어레이로부터 측정된 전기신호 값을 분석해서 TFT 시트를 구성하는 각 TFT 셀의 정상 동작여부를 판정하고, 해당 TFT 시트를 구성하는 각 TFT 셀에 대한 고해상도의 상태(특성)분포도를 작성하는 제3단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 자계센서 단독 또는 어레이를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부 테스트방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 비접촉 자계센서 단독 또는 어레이는, 상기 TFT 셀의 ITO 전극과 동일한 면적을 갖는 MR, GMR, IMH 등의 자계측정 센서로 구성된 단독 센서 모듈을 구성하고, 상기 자계 센서가 TFT 시트의 각 TFT 셀과 일정간격을 두고 이동하며 스캔하는 동안 해당 TFT의 데이터 및 게이트에 시험 패턴 신호를 인가하고 센서 플레이트 어레이의 출력을 입력받는 점 스캔 방식으로 TFT 시트의 각 TFT 셀을 이동하며 스캔하는 것을 특징으로 하는 비접촉식으로 자계를 측정하는 원리를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부 테스트방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 비접촉 자계 센서 어레이는, 상기 TFT 셀의 ITO 전극과 동일한 면적을 갖는 MR, GMR, IMH 등으로 구성된 센서를 TFT 시트의 로우(Row) 또는 컬럼(Column) 1라인 상에 있는 각 TFT 셀에 대응되게 배치하여 어레이를 구성하고, 상기 비접촉 자계 센서 어레이가 TFT 시트의 1라인 상에 있는 각 TFT 셀과 일정간격을 두고 1라인의 복수의 TFT 셀의 전압을 입력 받는 동안 해당 1라인 상에 있는 TFT의 데이터와 게이트에 시험패턴 신호를 인가하고 비접촉 자계센서 어레이는 그 위를 이동하며 스캔하는 라인 스캔 방식으로 TFT 시트의 각 TFT 셀을 스캔하는 것을 특징으로 하는 비접촉식으로 자계를 측정하는 원리를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 양부 테스트방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 비접촉 자계센서 어레이는, 상기 TFT 셀의 ITO 전극과 동일한 면적을갖는 MR, GMR, IMH 등으로 구성된 센서를 TFT 시트 상에 있는 모든 TFT 셀에 대응되게 배치하여 어레이를 구성하고, 상기 센서 어레이가 TFT 시트 상에 있는 각 TFT 셀과 일정간격을 두고 배치된 상태에서 TFT 시트 위의 모든 TFT 셀의 데이터와 게이트에 시험패턴신호를 인가하고 센서 플레이트 어레이는 상기 TFT 시트를 테스트하는 동안 이동하지 않으며, 상기 비접촉 자계센서 어레이의 출력을 컴퓨터에 의하여 스캔하는 평판 센서 스캔 방식으로 TFT 시트의 각 TFT 셀을 스캔하는 것을 특징으로 하는 비접촉식으로 자계를 측정하는 원리를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 비접촉식 양부 테스트방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 평판 디스플레이(flat display)는, TFT-LCD(Thin-Film Transistor Liquid Crystal Display), ELD(Electro-Luminescence Display), PDP(Plasma Display Panel)등의 액티브 매트릭스(Active Matrix) 구동방식인 것을 특징으로 하는 비접촉식으로 자계를 측정하는 원리를 이용한 평판 디스플레이 TFT 셀 어레이의 비접촉식 양부 테스트방법.
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