KR20030036234A - 최소의 내부 및 외부 구성요소를 갖는 밸러스트 제어 ｉｃ - Google Patents

최소의 내부 및 외부 구성요소를 갖는 밸러스트 제어 ｉｃ Download PDF

Info

Publication number
KR20030036234A
KR20030036234A KR1020027017333A KR20027017333A KR20030036234A KR 20030036234 A KR20030036234 A KR 20030036234A KR 1020027017333 A KR1020027017333 A KR 1020027017333A KR 20027017333 A KR20027017333 A KR 20027017333A KR 20030036234 A KR20030036234 A KR 20030036234A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
voltage
charge
reference voltage
capacitor
Prior art date
Application number
KR1020027017333A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100454278B1 (ko
Inventor
리바리치토마스제이.
Original Assignee
인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22791878&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20030036234(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션 filed Critical 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션
Publication of KR20030036234A publication Critical patent/KR20030036234A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100454278B1 publication Critical patent/KR100454278B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14—Circuit arrangements
    • H05B41/26—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
    • H05B41/28—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
    • H05B41/288—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices and specially adapted for lamps without preheating electrodes, e.g. for high-intensity discharge lamps, high-pressure mercury or sodium lamps or low-pressure sodium lamps
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14—Circuit arrangements
    • H05B41/26—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
    • H05B41/28—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
    • H05B41/295—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices and specially adapted for lamps with preheating electrodes, e.g. for fluorescent lamps
    • H05B41/298—Arrangements for protecting lamps or circuits against abnormal operating conditions
    • H05B41/2981—Arrangements for protecting lamps or circuits against abnormal operating conditions for protecting the circuit against abnormal operating conditions
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14—Circuit arrangements
    • H05B41/26—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
    • H05B41/28—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
    • H05B41/282—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices
    • H05B41/2825—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices by means of a bridge converter in the final stage
    • H05B41/2828—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices by means of a bridge converter in the final stage using control circuits for the switching elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14—Circuit arrangements
    • H05B41/26—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
    • H05B41/28—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
    • H05B41/282—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices
    • H05B41/285—Arrangements for protecting lamps or circuits against abnormal operating conditions
    • H05B41/2851—Arrangements for protecting lamps or circuits against abnormal operating conditions for protecting the circuit against abnormal operating conditions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

형광램프 또는 고강도 방전램프를 제어하고 밸러스트를 보호하기 위해 집적상태도 구조를 통해 특정 명령어 집합을 실행하는 밸러스터 제어기 집적회로에 관한 것이다. 상기 집적 상태도 구조(도 2)는 IC(2)와 IC(2)에 의해 구동되는 하프-브리지 회로(6, 8)의 전력, 램프(4)의 예열 및 점등, 램프(4)의 실행, 여러 가능한 고장상태의 감지, 램프(4)의 보통 보수에 기초하여 이러한 고장상태로부터의 복구를 제어하면서도 이전의 전자적 밸러스트보다 내부 및 외부 구성요소가 적게 필요하다.

Description

최소의 내부 및 외부 구성요소를 갖는 밸러스트 제어 ＩＣ{BALLAST CONTROL IC WITH MINIMAL INTERNAL AND EXTERNAL COMPONENTS}
형광 램프 또는 고강도 방전(HID) 램프를 제어하는 전자적 밸러스트는 일반적으로 램프의 필라멘트를 예열하고, 램프를 점등(strike)하여, 램프를 소정의 전력으로 구동하고, 램프의 고장상태(fault condition)를 검출하여 회로를 안전하게 비동작 상태가 되게 하는데 필요한 전자기술을 요구한다.
가스 방전 회로를 위한 전자적 밸러스트는 최근, 이전에 사용된 파워 바이폴러 스위칭 디바이스를 대체할 수 있는 파워 MOSFET 스위칭 디바이스 및 절연게이트 바이폴러 트랜지스터(IGBT)의 용이성 때문에 널리 사용되고 있다. International Rectifier Corporation에 의해 제품명 IR2155로서 판매되고 있고 미국특허 제 5,545,955호(이는 참고문헌으로서 인용된다)에서 설명되고 있는 모놀리식 게이트 드라이버 회로는 전자적 밸러스트에서 파워 MOSFET 또는 IGBT를 구동하도록 개발되었다.
IR2155 게이트 드라이버 IC는 종래 회로에 비해 중요한 이점을 제공한다. 상기 드라이버는 종래의 DIP 또는 SOIC 패키지에 내장되어 있다. 상기 패키지는 내부레벨시프트회로(internal level shifting circuitry), 부족전압 록아웃 회로(under voltage lockout circuitry), 데드타임 지연회로(deadtime delay circuitry), 부가적 로직회로 및 입력부를 포함하여, 상기 드라이버가 외부 저항(RT) 및 커패시터(CT)에 의해 결정된 주파수로 자가발진(self-oscillate)을 할 수 있다.
IR2155가 종래의 밸러스트 제어회로에 대하여 광범위한 개선을 제공하지만, 다음과 같이 많은 바람직한 특성들이 결여되어 있다.
(i) 램프 양단에 초기 고전압 펄스 없이 무플래쉬(flash-free) 스타트를 할 수 있게 하는 스타트-업(start-up) 절차, (ii) 비제로(non-zero) 전압 스위칭 보호회로, (iii) 과온도 차단회로, (iv) DC 버스 및 AC 온/오프 제어회로, (v) 근접 또는 이하의 공진 검출회로
2001년 4월 3일자로 Wilhelm 등에게 특허되었으며 본 출원과 공동으로 양도된 미국특허 제 6,211,623호는 상기 논의한 바와 같은 IR2155의 한계점을 극복한 전자적 밸러스트를 개시한다. 이 전자적 밸러스트는 양수인 International Rectifier Corporation에 의해 IR2155와 동일한 것으로 본다.
상기 특허 제 6,211,623호의 밸러스트 제어회로는 일반적으로 공지된 밸러스트에서와 같이, 고정된 임계치에 대하여 CPH 핀을 비교하는 비교기를 포함하는 예열 타이머를 필요로 한다. 또한, 발진회로는 1이상의 비교기를 요구한다. 상기 및다른 구성의 상세에 따르면 칩의 내부 및 외부에서 부가적인 구성요소들을 필요로 하게 된다. 따라서, 종래 기술은, 내부 및 외부 구성요소의 수를 최소화하면서도 주요한 밸러스트 기능을 수행하는 밸러스트 제어 IC의 제공하에서만 개선될 수 있다. 그러한 밸러스트에 대한 응용들로서 선형 형광램프, 컴팩트 형광램프(CFL), 냉음극 형광램프(CCFL), 고강도 방전(HID) 램프 및 평판 형광램프를 포함한다.
본 발명은 형광 램프 또는 고강도 방전 램프를 제어하는 전자적 밸러스트(electronic ballast)에 관한 것으로서, 특히 적은 내부 및 외부 구성요소를 요구하는 전자적 밸러스트에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 밸러스트 제어 집적회로에 통합된 기능들을 나타내는 상태도이다.
도 2는 본 발명의 밸러스트 제어회로로 단일의 형광램프를 구동하는 전형적인 연결도이다.
도 3은 본 발명의 밸러스트 제어회로의 기본적인 블록도이다.
도 4는 본 발명에 의한 밸러스트 제어 집적회로의 발진기회로의 상세도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 예열회로의 구성도이다.
도 6은 본 발명에 의한 밸러스트 제어 집적회로의 낮은 DC 버스 주파수-시프트 리셋 회로의 구성도이다.
도 7은 본 발명에 의한 밸러스트 제어 집적회로에 대한 타이밍도이다.
본 발명은 적은 수의 비교기를 사용하고 하부회로(sub-circuit)의 기능을 결합한 전자적 밸러스트를 제공하여 필요한 내부 및 외부 구성요소의 수를 감소시킴으로써, 상기한 바와 같은 종래의 결점을 극복한다.
좀더 상세하게, 본 발명의 칩은 하나의 비교기회로만을 요구하는 발진회로를 포함한다. 또한, 램프 예열회로는 예열 주파수를 프로그램 하기 위해 타이밍 저항에 병렬로 연결된 예열 저항을 사용하고, 주파수 타이밍 입력부로부터 예열 핀을 (그리하여 예열 저항을) 서서히 단속(disconnect)하기 위해 MOSFET 스위치의 게이트의 전압이 램핑(ramping)된다. 또한, 예열 회로 램핑은 램프 점등(lamp ignition)을 위한 램핑으로서 사용되어 회로의 구성요소들을 줄일 수 있게 된다. 또한, 예열 커패시터 입력부는 DC 버스 감지저항을 DC 버스 감지 입력부에 연결하기 위한 편리한 지연(convenient delay)으로서 사용된다.
본 발명의 집적회로는 다음의 기능 즉, 마이크로 파워 스타트-업 전류, 프로그래머블 예열 주파수, 프로그래머블 점등전류 또는 과전류, 프로그래머블 예열시간, 프로그래머블 점등 램핑, 프로그래머블 실행 또는 최소 주파수, 프로그래머블데드타임, 프로그래머블 낮은 DC 버스 주파수시프트 리셋, 외부 차단 핀, 고전적인 토템-폴(totem-pole) 구성으로 연결된 MOSFET 또는 IGBT를 구동하는 상측 및 하측 600V 하프-브리지(half-bridge) 드라이버 출력을 수행하는 회로를 포함한다.
본 발명의 다른 특성 및 이점은 첨부된 도면을 참조하는 다음의 설명으로부터 명확하게 될 것이다.
개요
도 1을 참조하면, 전자적(고속 스타트) 형광램프 밸러스트를 제어하는 본 발명의 집적회로(IC)(2)의 동작에 통합된 상태도가 도시되어 있다. 도 2는 본 발명의집적회로(2)로 단일 형광램프(4)를 구동하는 전형적인 연결도를 도시한다. 도 3은 본 발명의 직접회로(2)의 기본적인 블록도를 나타낸다. 도 1-3에서 도시된 본 발명의 많은 태양은 2001년 4월 3일자로 Wilhelm 등에게 특허되었으며 여기서 참고문헌으로서 인용된 미국특허 제 6,211,623호의 개시된 내용과 유사하며, 이하에서 더욱 논의될 것이다. 그러나, 본 발명의 중요한 태양 및 이점은 특히 도 3에서 도시된 발진기(10), 예열회로(40) 및 스타트-업 회로(50)와 관련하여 다음과 같이 논의될 것이다.
발진기
도 4는 본 발명에 의한 발진기 회로(10)의 상세도이다. 종래의 밸러스트 IC와 달리, 발진기 회로가 단지 하나의 비교기(12)만을 요구하기 때문에 실리콘으로의 실현을 위해 요구되는 배치공간을 감소시키는 이점이 있다. 따라서, IC 전체 크기가 감소될 수 있다.
동작적으로, 비교기(12)의 마이너스(-) 입력(Vth)은 초기에 3/5 VCC인데, 이것은 VCC와 COM 간에 직렬로 연결된 동일한 저항값의 5개의 저항(14, 16, 18, 20, 22)에 의해 형성된 전압분배기에 의해 설정된다. 온/오프 제어신호은 로직 '하이'로 되어, MOSFET(24)를 온 시키는데 이것은 타이밍 커패시터(CT)가 데드타임 저항(28)을 통해 COM으로 방전되게 한다. 핀 CT는 비교기(12)의 플러스(+) 입력으로서 기능하고 초기에 COM에 있으므로 비교기(12)의 출력이 로직 '로우'가 된다.
스위치(30)는이 하이일 때 OR 게이트(32)의 출력이 하이가 되므로초기에 오프가 된다. 따라서, 핀 RT는 타이밍 저항(RT)을 통해 핀 CT와 연결되어 있으므로 핀 CT와 동일한 전위에 있다.이 로우가 되면(도 7의 타이밍도 참조), MOSFET 스위치(24)는 개방되고 스위치(30)는 닫힌다. 결과적으로, 타이밍 커패시터(CT)는 타이밍 저항(RT)을 통해 다음의 수학식에 의해 주어진 비율로 지수적으로 VCC로 충전된다.
여기서, R=타이밍 저항(RT)의 저항값 [Ohms]
C=타이밍 커패시터(CT)의 커패시턴스 [Farads]
t=시간 [초]
핀 CT의 전압이 3/5 VCC를 초과할 때, 비교기(12)의 출력은 하이가 되어 스위치(36)는 닫히고, 스위치(30)는 개방된다. 다음 타이밍 커패시터(CT)가 데드타임 저항(28)을 통해 다음의 수학식에 의해 주어진 비율로 COM을 향하여 지수적으로 방전된다.
스위치(36)가 닫히면 핀 CT에서의 임계치가 3/5 VCC에서 1/3 VCC로 변한다. 그렇게 되면, 본래의 양의 피드백은 비교기 출력이 단일 에지로 빠르게 전이되도록 한다. 커패시터(CT)가 1/3 VCC 이하로 방전될 때, 비교기(12)의 출력은 다시 로우가되고, 사이클이 반복된다.
3/5 VCC와 1/3 VCC 간의 이러한 충전 및 방전은신호가 일단 다시 하이가 될 때까지 무한히 계속된다. 정상상태 발진 동안, 충전 및 방전 시간은 다음과 같이 주어진다.
충전 :
방전 :
충전시간은 게이트 구동신호(HO, LO)의 온 시간을 결정한다(도 7의 타이밍도 참조). 방전시간은 게이트 구동신호(HO, LO) 간의 데드타임을 결정한다(도 7의 타이밍도 참조). 본 발명의 이러한 바람직한 발진기는 이전의 밸러스트 IC의 발진기회로보다 적은 회로를 요하며 구체적으로는 단지 하나의 비교기만을 필요로 한다. 발진기는 VCC와 비율계량(ratiometric)되어 VCC에 독립적이다. 선택되는 임계치는 임의적이다.
예열 타이머 및 점등 램핑
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 예열회로(40)의 개략적인 도시이다. 예열회로(40)는 비교기를 필요로 하지 않는다.
예열동안, IC가 더 높은 예열 주파수로 발진할 필요가 있다. 이어서 점등 주파수를 통해 최종 실행 또는 최소 주파수로의 완만한 하향 스위프(sweep)가 뒤따른다. 이를 위해, 외부 커패시터(CPH)는 CPH 핀에서 흘러 나오는 내부 5μA전류원(44)을 통해 COM에서 VCC로 선형적으로 충전된다. CPH 핀은 또한 핀 RPH을 핀 RT에 연결하는 PMOS 트랜지스터(46)의 게이트에 연결된다. 이 구성에서, 저항(RT)은 저항(RPH)에 병렬로 연결되어 발진기 예열 동안 주파수가 높아지게 된다. PMOS의 임계치가 약 1.5V이기 때문에, 예열 주기는 커패시터(CPH)가 COM에서 (VCC-1.5V)로 램핑하는데 걸리는 시간으로서 정의된다. 커패시터(CPH)는 (VCC-1.5V)에서 VCC로 계속 충전되기 때문에, 스위치(46)은 천천히 개방되어 RT로부터 핀 RPH을 천천히 단속시킨다. 이것은 주파수가 예열 주파수에서 최종 실행 주파수로 천천히 천이하도록 한다(도 7의 타이밍도 참조).
예열회로(40)의 이점은 1) 예열 주파수를 프로그램하기 위해 저항(RT)에 병렬로 연결된 저항(RPH)을 이용한다는 것, 2) RPH 핀을 RT핀으로부터 완만하게 단속시키기 위해 PMOS(46)의 게이트 전압을 램핑한다는 것, 3) 점등을 위한 램핑으로서 기존의 커패시터(CPH) 램핑을 사용한다는 것이다. 예열 타이머의 고전적인 실행은 고정된 임계치에 대하여 CPH 핀을 비교하는 비교기를 필요로 한다. 본 발명의 예열회로(40)에서 상기 3개의 기능을 결합함으로써, 비교기가 없는 예열 타이머가 실현되기 때문에 IC의 전체크기를 줄이게 된다.
스타트-업 회로 및 낮은 DC 버스 주파수 시프트 리셋
스타트-업 및 낮은 DC 버스 주파수 시프트 회로(50)가 도 6에서 개략적으로 도시되어 있다. 상기 회로는 램프가 소등될 수 있는 레벨 이하로 DC 버스가 감소하면 DC 버스를 감지하고 적절하게 회로를 예열모드로 리셋한다. 이것에 실패하면 브라운아웃라인(brown-out line) 상태 동안 램프가 소등되고 AC 입력이 되돌아 와도 재점등 되지 않게 된다. DC 버스의 감소는 또한 하프-브리지 출력에서 파워 MOSFET 또는 IGBT를 손상시키거나 파괴할 수 있는 하드 스위칭을 발생시킬 수 있다. 따라서,밸러스트 동작점이 항상 공진보다 높게 유지되어 하드 스위칭이 일어나지 않도록, DC 버스가 감소할 때 주파수를 증가시키는 것이 편리하다.
본 발명의 회로(50)는 DC 버스를 감지하는 VDC 핀을 사용함으로써 이를 달성한다. VDC가 (VCC-10.9V) 이하로 감소하면, CPH 핀이 VDC 핀과 선형적으로 풀 다운된다. 이것은 점차로 RPH와 RT를 재연결하여 점차로 주파수를 더 높게 시프트시킨다.
10.9V 임계치는 PNP 트랜지스터(52)에 의해 달성되고, 두 개의 5.1 제너 다이오드(54, 56)는 직렬로 연결된다. 트랜지스터(52)의 베이스는 핀 VDC에 연결되고, 트랜지스터(52)의 콜렉터는 COM에 연결되고, 에미터는 하위 다이오드(54)의 양극에 연결된다. 상위 다이오드의 음극은 핀 CPN에 연결된다. 이 구성에서, 주파수는 VDC가 두 개의 제너 전압(10.2V) + 트랜지스터(52)의 에미터-베이스 전압(≒0.7V)=10.9V 이하로 될 때까지 증가하지 않는다. 도 6은 이것을 도시적으로 나타낸다.
주파수 시프트가 발생하는 DC 버스 레벨을 프로그램 하기 위해, 외부 저항(58)(RSUPPLY)이 내부저항(60)과 함께 핀 VDC에서 DC 버스의 전압 분배비율을 형성한다. 더욱이 외부구성요소의 수를 줄이기 위해, 저항(58)은 또한 마이크로-파워 스타트-업 전류를 IC에 공급한다. DC 버스가 밸러스트 턴-온에서 증가하면서, 전류가 DC 버스로부터 저항(58)을 통해 핀 VDC로, VDC와 VCC 사이에 연결된 ESD 다이오드(62)를 통해 흐른다.
VCC가 양의 부족전압 록아웃 임계치(positive-going under-voltage lock-out threshold) 즉 UVLO(+)를 초과하면, 외부 다이오드(63)을 통해 VCC에 연결된 외부 충전 펌프(또는 다른 형태의 공급)가 VCC의 공급원으로서 역할을 하고 VCC를 내부 제너 클램프 전압까지 증가시킨다(도 7의 타이밍도를 참조). 다음, 저항(60)은 CPH가 슈미트 트리거(66)의 임계전압(≒1/2VCC)을 초과할 때 MOSFET(64)를 통해 핀 VDC에 내부적으로 연결된다. 이것은 예열시간의 대략 중간지점에서 발생한다. CPH 핀은 RVDC를 핀 VDC에 연결하는 편리한 지연으로서 사용되며 이것은 또한 IC의 전체 크기를 줄이는데 기여한다.
상태도
도 1을 참조하면, 본 발명의 직접회로(2)는 매우 특정적인 명령어 집합을 실행하여 램프(4)를 제어하고 밸러스트를 보호한다. IC는 다음의 기능들 즉, IC(2) 및 하프-브리지(MOSFET 6 및 8)의 전력을 상하로 조정하는 것, 램프를 예열하고 점등하는 것, 램프를 점등상태로 유지하는 것, 여러 가능한 고장상태를 감지하는 것, 보통의 램프 보수에 기초하여 이러한 고장상태로부터 램프를 복구하는 것을 정확히 제어하고 적절하게 수행한다.
상태머신이 IC로의 다양한 입력의 상태에 기초하여 5개의 기본모드 동작 사이에서 동작한다. 5개의 동작모드는 다음을 포함한다.
1) 부족전압 록아웃 모드
2) 예열 모드
3) 점등램핑 모드
4) 실행 모드
5) 고장 모드
도 2는 IC(2)의 핀배치를 도시하는데, 그것의 입력 및 출력을 모두 포함한다. 칩의 입력은 다음을 포함한다.
1) VCC
2) VDC
3) SD
4) CS
5) CPH
6) CT
7) RT
VCC는 감지되는 입력 및 IC로의 1차적 저전압 공급을 나타낸다. 상기 7개의 입력에 더하여, IC 표면 접합 온도는 8개의 입력을 나타낸다. IC의 출력은 다음을 포함한다.
1) HO
2) LO
3) RPH
4) RUN
5) DT
IC로의 공급은 다음을 포함한다.
1) VCC
2) COM
3) VB
4) VS
본 발명의 IC 기능에 대한 전반적인 설명은 다음과 같다.
부족전압 록아웃 모드(UVLO)
부족전압 록아웃 모드(UVLO)는 VCC가 IC의 턴-온 임계치 아래에 있을 때의 IC 상태로서 정의된다. 부족전압 록아웃은 150μA 보다 적은 매우 낮은 공급전류를 유지하고 IC가 상측 및 하측 출력 드라이버가 활성화 되기 전에 완전히 기능하도록 설계된다. 도 1은 밸러스트 출력단(저항(58), 커패시터(70, 72), DCP1및 DCP2)으로부터의 충전 펌프와 함께 밸러스트 IC의 스타트-업 전류를 사용하는 효율적인 공급전압을 나타낸다.
스타트-업 커패시터(70, 72)(CVCC)는 공급 저항(58)(RSUPPLY)을 통한 전류에서 IC에 의해 발생되는 스타트-업 전류를 뺀 값으로 충전된다. 저항(58)은 다이오드를 통해 내부적으로 VCC에 연결되고, 두 개의 기능을 수행하는데 선택된다. 첫 번째는밸러스트 스타트-업을 낮은 라인 입력전압이 되도록 최대 스타트-업 전류의 두 배를 제공한다. 두 번째는 감소하는 DC 버스(상기에서 상세히 설명됨)의 경우 IC 리셋 임계치를 설정하는 것이다. VCC에서 커패시터 전압이 스타트-업 임계치에 도달하고 SD 핀이 4.5V 이하이면, IC는 턴온되고 HO 및 LO는 발진하기 시작한다. 커패시터(70, 72)는 IC 동작전류의 증가에 의해 방전되기 시작한다.
방전 사이클 동안, 충전 펌프로부터 정류 전류가 IC 턴-오프 임계치 이상으로 커패시터를 충전한다. 충전 펌프 및 IC의 내부 15.6V 제너 클램프는 공급 전압으로서 기능한다. 스타트-업 커패시터(70, 72) 및 스너버(snubber) 커패시터(80)는 충분한 공급전류가 모든 밸러스트 동작상태에서 유용하도록 선택되어야 한다. 부트스트랩 다이오드(82) 및 공급 커패시터(84)는 상측 드라이버 회로를 위한 공급전압을 포함한다. 상측 공급이 핀 HO에서의 첫 번째 펄스 전에 충전되도록 하기 위해, 출력 드라이버로부터의 첫 번째 펄스가 LO 핀으로부터 나온다. 부족전압 록아웃 모드 동안, 상측 및 하측 드라이버 출력(HO, LO)은 모두 로우이고, 핀 CT는 COM에 내부적으로 연결되어 발진기를 디스에이블 시키고, 핀 CPH가 예열 시간을 리셋하기 위해 COM에 내부적으로 연결된다.
예열 모드(PH)
예열 모드는 램프 필라멘트가 그들의 정확한 방사온도로 가열될 때 IC 상태로서 정의된다. 이것은 램프의 수명을 최대화하고 요구되는 점등 전압을 감소시키는데 필요하다. 밸러스트 제어 IC는 VCC가 UVLO 양의 임계치를 초과할 때 예열 모드로 들어간다. HO 및 LO는 예열 주파수에서 50% 듀티 사이클로 그리고 외부 타이밍 커패시터(CT) 및 내부 데드타임 저항(RDT)의 값에 의해 설정된 데드 타임으로 발진하기 시작한다. 핀 CPH는 COM으로부터 단속되고 내부 1μA 전류원(도 3)이 CPH에서의 외부 예열시간 커패시터를 선형적으로 충전한다. 핀 CS에서의 과전류 보호가 예열 동안 디스에이블 된다. 예열 주파수는 타이밍 커패시터(CT)와 함께 저항(RPH, RT)의 병렬 결합에 의해 결정된다. 커패시터(CT)는 VCC의 1/3과 3/5 사이에서 충전 및 방전을 한다(도 7의 타이밍도 참조). 커패시터(CT)는 MOSFET(36)를 통해 VCC에 내부적으로 연결된 저항(RPH, RT)의 병렬 결합을 통해 지수적으로 충전된다. VCC의 1/3과 3/5로부터 커패시터(CT)의 충전시간은 각각의 출력 게이트 드라이버(HO 또는 LO)의 온 시간이다. CT가 3/5 VCC를 초과하면, MOSFET(36)는 턴 오프되고, RT 및 RPH를 VCC로부터 단속한다. 다음 커패시터(CT)는 내부 저항(RDT)을 통해, MOSFET(36)를 통해 COM으로 충전된다. VCC의 1/3과 3/5로부터 타이밍 커패시터(CT)의 방전시간은 출력 게이트 드라이버(HO 및 LO)의 데드타임(둘 다 오프)이다. 따라서 RDT(저항(28))와 함께 커패시터(CT)의 선택된 값은 원하는 데드타임을 프로그램한다(설계 수학식(1, 2) 참조). 커패시터(CT)가 1/3 VCC 이하로 방전하면, MOSFET(24)는 턴 오프되어 COM으로부터 RDT를 단속하고, MOSFET(36)는 턴 온되어 RT 및 RPH는 다시 VCC에 연결된다. 주파수는 핀 CPH에서의 전압이 13V를 초과하고 IC가 점등 모드에 들어갈 때까지 현재 주파수를 유지한다. 예열 모드 동안, 핀 CPH가 7.5V를 초과할 때 과전류 보호 및 DC 버스 부족전력 리셋이 인에이블 된다.
점등 모드(IGN)
점등 모드는 램프를 점등하기 위해 필요한 고전압이 램프 양단에 설정될 때의 IC 상태로서 정의된다. 밸러스트 제어 IC는 핀 CPH의 전압이 13V를 초과할 때 점등 모드로 들어간다.
핀 CPH은 핀 RPH와 핀 RT를 연결하는 예열 회로(40)(도 5참조)의 p-채널 MOSFET(46)의 게이트에 내부적으로 연결된다. 핀 CPH가 13V를 초과하면서, MOSFET(46)의 게이트-소스 전압이 MOSFET(46)의 턴온 임계치 이하로 떨어지기 시작한다. 핀 CPH가 계속 VCC로 램핑되면서, MOSFET 스위치(46)는 천천히 턴오프된다. 이것은 결과적으로 예열 저항(RPH)이 타이밍 저항(RT)로부터 완만하게 단속되어 따라서 동작 주파수가 예열 주파수에서 점등 주파수를 통해 최종 실행 주파수로 완만하게 램핑된다. 핀 CS에서 과전류 임계치는 비점등(non-strike) 또는 개방 필라멘트 (open-filament)고장상태로부터 밸러스트를 보호한다. 핀 CS에서의 전압은 외부 전류 감지 저항(RCS)을 통해 흐르는 하위 하프 브리지 MOSFET 전류에 의해 정의된다. 따라서, 전류 감지 저항(RCS)은 밸러스트 출력단의 최대 허용가능 피크 점등 전류(따라서 피크 점등 전압)를 프로그램 한다. 피크 점등 전류는 출력단 MOSFET의 최대 허용가능 전류정격을 초과해서는 안 된다. 만약 이 전류가 1.3V의 내부 임계치를 초과하면, IC는 고장 모드로 들어가고 게이트 드라이브 출력(HO, LO)은 로우로 래치된다.
실행모드(RUN)
램프가 성공적으로 점등되면, 밸러스트는 실행모드로 들어간다. 실행모드는 램프 아크가 설정되고 램프가 소정의 파워레벨로 구동되는 때의 IC 상태로서 정의된다. 실행모드 발진 주파수는 타이밍 저항(RT) 및 타이밍 커패시터(CT)에 의해 결정된다(다음 설계 수학식(3, 4) 참조). 하드 스위칭이 임의의 시간에 개방 필라멘트 또는 램프 제거에 의해 하프-브리지에서 발생하면, 전류감지저항(RCS) 양단의 전압은 1.3V의 내부 임계치를 초과하여 IC는 고장모드로 들어간다. 게이트 드라이브 출력(HO, LO)은 모두 로우로 래치된다.
DC 버스 부족전압 리셋
DC 버스의 전압이 브라운 아웃 라인 상태 동안 너무 많이 감소되면, 램프로의 공진 출력단은 공진에 근접 또는 이하로 시프트할 수 있다. 이것은 하프-브리지에서 하프-브리지 스위치를 손상시킬 수 있는 하드 스위칭을 생성할 수 있다. 이로부터 보호하기 위해, 핀 VDC는 DC 버스 전압을 측정하고 핀 VDC에서의 전압이 VCC 이하 10.9V로 감소하면서 핀 CPH에서 선형적으로 풀다운한다. 이것은 DC 버스가 감소하면서 p-채널 MOSFET(46)(도 4)가 닫히게 하고 주파수가 공진 이상의 안전한 동작점으로 더 높게 시프트하도록 한다. 주파수 시프트가 일어나는 DC 버스 레벨이 외부 저항(58) 및 내부 RVDC 저항에 의해 설정된다. 핀 CPH에서 풀 다운함으로써, 점등 램핑이 또한 리셋된다. 따라서, 램프가 매우 낮은 DC 버스 레벨에 의해 소등되면, 램프는 DC 버스가 다시 증가하면서 자동적으로 점등된다. 내부 RVDC 저항은CPH가 (예열 모드 동안) 7.5V를 초과할 때 핀 VDC와 COM 사이에서 연결된다. 이것은 저항(58)이 또한 IC용 스타트-업 저항으로서 기능하도록 하여 구성요소의 수를 최소화한다.
고장 모드(FAULT)
전류 감지 핀 CS의 전압이 예열 모드 후 임의의 시간에서 1.3V이면, IC는 고장모드로 들어가 게이트 드라이버 출력(HO, LO)은 로우 상태로 래치된다. CPH는 예열 시간을 리셋하기 위해 COM으로 방전되고, CT는 발진기를 디스에이블 하기 위해 COM으로 방전된다. 고장모드를 벗어나기 위해, VCC가 UVLO 음의 턴오프 임계치 이하로 다시 리사이클되어야 하거나 차단핀 SD는 5.1V 이상으로 풀링되어야 한다. 이러한 상태의 하나는 IC가 UVLO 모드로 들어가도록 할 것이다(상태도 참조). VCC가 턴온 임계치 이상이고 SD가 4.5V 이하이면, IC는 예열모드에서 다시 발진하기 시작할 것이다.
설계 수학식
본 발명의 밸러스트 IC를 실행하기 위한 설계 수학식은 다음과 같다.
단계 1 : 데드타임의 프로그램
게이트 드라이버 출력(HO, LO)간의 데드 타임은 타이밍 커패시터(CT)와 내부 데드타임 저항(28)(도 4 참조)에 의해 프로그램된다. 데드타임은 3/5 VCC에서 1/3 VCC로의 커패시터(CT)의 방전시간이며 다음과 같이 주어진다.
또는
단계 2 : 실행 주파수의 프로그램
최종 실행 주파수는 타이밍 저항(RT)과 타이밍 커패시터(CT)에 의해 프로그램 된다. 1/3 VCC에서 3/5 VCC로의 커패시터(CT)의 충전시간은 게이트 드라이버 출력(HO, LO)의 온 시간을 결정한다. 따라서, 실행 주파수는 다음과 같이 주어진다.
단계 3 : 예열 주파수의 프로그램
예열 주파수는 타이밍 저항(RT)과 예열 저항(RPH)과 타이밍 커패시터(CT)에 의해 프로그램 된다. 타이밍 저항(RT)과 예열 저항(RPH)은 예열시간의 지속을 위해내부적으로 병렬로 연결된다. 따라서, 예열 주파수는 다음과 같이 주어진다.
단계 4 : 예열시간의 프로그램
예열시간은 핀 CPH의 커패시터(CPH)가 13V까지 충전하는데 걸리는 시간으로 정의된다. 5μA의 내부 전류원이 핀 CPH로부터 흐른다. 따라서, 예열시간은 다음과 같이 주어진다.
또는
단계 5 : 최대 점등 전류의 프로그램
최대 점등 전류는 외부 저항(RCS) 및 1.3V의 내부 임계치에 의해 프로그램된다. 이 임계치는 밸러스트의 과전류 한계를 결정하는데, 이것은 주파수가 점등 동안 공진을 향해 아래로 램핑될 때 초과될 수 있다. 따라서, 최대 점등 전류는 다음과 같이 주어진다.
본 발명은 그 특정한 실시예와 관련하여 설명하였지만, 많은 다른 변경 및 수정 기타 다른 사용이 당업자에겐 명백할 것이다. 따라서, 본 발명은 여기의 특정 개시에 의해 한정되는 것이 아니며 단지 첨부된 청구범위에 의해서만 한정된다.

Claims (19)

  1. 커패시터의 충전 및 방전에 따라서 발진 신호를 제공하는 집적회로에 있어서,
    상기 커패시터 양단의 전압과 기준전압을 비교하고 상기 기준전압과 비교된 상기 커패시터 양단의 전압값에 응답하여 충전/방전 신호를 생성하는 비교기회로-상기 기준전압은 제 1기준전압 및 제 2기준전압을 포함하는 적어도 두 개의 값 사이에서 스위칭되고, 상기 충전/방전 신호는 상기 커패시터 양단의 전압이 상기 제 1기준전압을 초과할 때 제 1이진값을 갖고 상기 기준전압이 상기 제 2기준전압 이하일 때 제 2이진값을 갖고, 상기 제 1이진값과 상기 제 2이진값 중 하나는 커패시터의 충전을 일으키고 다른 하나는 커패시터의 방전을 일으킨다-와,
    상기 충전/방전 신호가 제 1값에서 제 2값으로 갈 때 상기 기준전압을 상기 제 1기준전압으로 스위칭하고 상기 충전/방전 신호가 제 2값에서 제 1값으로 갈 때 상기 기준전압을 상기 제 2기준전압으로 스위칭하는 스위치회로를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 집적회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 비교기회로는 단지 하나의 비교기만을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 스위치회로는 직렬로 연결된 제 1, 제 2 및 제 3저항을 갖는 전압분배기와 상기 제 3저항에 병렬로 연결된 스위치를 포함하고, 상기 전압분배기는 상기 제 1저항과 상기 제 2저항 사이에 기준리드를 갖고, 상기 기준 리드는 상기 비교기회로에 상기 기준전압을 제공하고, 상기 전압분배기는 상기 제 2저항과 상기 제 3저항 사이에 제 2기준리드를 갖고, 상기 제 2기준리드는 상기 스위치에 연결되고, 상기 스위치는 상기 제 3저항에 평행하는 전도경로를 제공함으로써 상기 충전/방전 신호의 상기 제 1이진값에 응답하고 비전도경로를 제공함으로써 상기 제 2이진값에 응답하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 충전/방전 신호의 상기 제 1이진값은 제 2이진값보다 크고 상기 제 1기준전압은 상기 제 2기준전압보다 큰 것을 특징으로 하는 집적회로.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 충전/방전 신호가 상기 제 1이진값이면 상기 커패시터를 충전하는 충전 스위치 및 상기 충전/방전 신호가 상기 제 2이진값이면 상기 커패시터를 방전하는 방전 스위치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  6. 가변 주파수 발진신호를 제공하는 집적회로에 있어서,
    각 충전 서브사이클 동안 충전 저항을 통해 충전되고 각 방전 서브사이클 동안 방전 저항을 통해 방전되는 커패시터 양단의 전압값에 응답하여 교대로 변화는 충전 및 방전 서브사이클을 제공하는 발진기회로와,
    상향 램핑 전압에 응답하여 상기 충전 및 방전 서브사이클의 주파수를 변경하는 주파수 변경회로-상기 주파수 변경회로는 상기 램핑 전압이 상승하여 상기 주파수가 변경되면서 상기 충전 저항 및 상기 방전 저항의 적어도 하나를 변경한다-를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 집적회로.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 주파수 변경회로는 상기 램핑 전압이 상승하여 상기 주파수가 완만하게 변경되면서 상기 충전 저항 및 상기 방전 저항의 적어도 하나를 완만하게 변경하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 주파수 변경회로는 비교기를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 주파수 변경회로는 램핑 리드를 통해 램핑 커패시터를 충전하는 전류원을 포함하고, 상기 서브사이클은 상기 전류원이 상기 램핑 커패시터를 충전하기 시작할 때 초기 주파수를 갖고 상기 전류원이 상기 램핑 커패시터의 충전을 완료할 때 동작 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 발진신호는 램프에 제공되고 상기 초기 주파수는 동작주파수보다 큰 예열 주파수인 것을 특징으로 하는 집적회로.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 주파수 변경회로는 상기 램핑 전압이 낮을 때 상기 제 1 및 제 2저항 각각을 통해 상기 커패시터를 충전하기 위해 전도경로를 제공하고, 상기 램핑 전압이 높을 때 상기 충전 저항으로부터 상기 제 2충전 저항소자를 제거하기 위해 비전도경로를 제공하는 스위치 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  12. 제 11항에 있어서, 주파수 변경회로는 DC 버스 전압에 응답하여 상기 램핑 커패시터 양단의 전압을 조정하는 조정회로를 더 포함하여, 상기 조정회로는 상기 DC 버스 전압이 임계치 이하로 떨어질 때 상기 램핑 커패시터 양단에 전도경로를 제공하는 조정스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 조정스위치는 제 1분배저항을 통해 상기 DC 버스에 연결하는 버스감지리드를 갖고, 상기 주파수 변경회로는 상기 램핑 전압이 임계전압에 도달할 때 제 2분배저항을 통해 상기 버스감지리드를 접지리드에 연결하는 지연회로를 더 포함하여, 상기 조정스위치가 DC 버스 전압에 응답하기 시작하도록 하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  14. 제 6항에 있어서, 상기 발진기회로는,
    상기 커패시터 양단의 전압과 기준전압을 비교하여 상기 기준전압과 비교된 상기 커패시터 양단의 전압값에 응답하여 충전/방전 신호를 생성하는 비교기회로-상기 기준전압은 제 1기준전압 및 제 2기준전압을 포함하는 적어도 두 개의 값 사이에서 스위칭되고, 상기 충전/방전 신호는 상기 커패시터 양단의 전압이 상기 제 1기준전압을 초과할 때 제 1이진값을 갖고 상기 기준전압이 상기 제 2기준전압 이하일 때 제 2이진값을 갖고, 상기 제 1이진값과 상기 제 2이진값 중 하나는 커패시터의 충전을 일으키고 다른 하나는 커패시터의 방전을 일으킨다-와,
    상기 충전/방전 신호가 제 1값에서 제 2값으로 갈 때 상기 기준전압을 상기 제 1기준전압으로 스위칭하고 상기 충전/방전 신호가 제 2값에서 제 1값으로 갈 때 상기 기준전압을 상기 제 2기준전압으로 스위칭하는 스위치회로를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 집적회로.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 발진기회로는 하나의 비교기만을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  16. 발진기회로와, 예열회로와, 스타트-업 회로를 포함하고, 적은 배치공간만이 필요하고 IC의 전체크기가 감소되도록 상기 발진기회로는 단지 하나의 비교기만을 포함하는 것을 특징으로 하는 밸러스트 제어 IC.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 예열회로는 예열 주파수를 생성하고, 상기 예열 주파수는 타이밍 저항과 병렬인 외부 예열 저항을 사용하여 프로그램되고, 상기 외부 예열 저항은 밸러스트 제어 IC가 예열 주파수 다음의 실행모드에 들어가면서 점차적으로 단속되는 것을 특징으로 하는 밸러스트 제어 IC.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 예열회로는 예열시간을 결정하기 위해 예열 전압 램핑을 발생시키고, 상기 예열전압 램핑은 또한 점등 램핑으로서 사용되는 것을 특징으로 하는 밸러스트 제어 IC.
  19. 제 17항에 있어서, 상기 예열회로는 비교기를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 밸러스트 제어 IC.
KR10-2002-7017333A 2000-06-19 2001-06-18 최소의 내부 및 외부 구성요소를 갖는 밸러스트 제어 ｉｃ KR100454278B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US21264300P 2000-06-19 2000-06-19
US60/212,643 2000-06-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030036234A true KR20030036234A (ko) 2003-05-09
KR100454278B1 KR100454278B1 (ko) 2004-10-26

Family

ID=22791878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-7017333A KR100454278B1 (ko) 2000-06-19 2001-06-18 최소의 내부 및 외부 구성요소를 갖는 밸러스트 제어 ｉｃ

Country Status (7)

Country Link
US (4) US6525492B2 (ko)
EP (1) EP1295193A4 (ko)
JP (2) JP3808435B2 (ko)
KR (1) KR100454278B1 (ko)
CN (2) CN1282050C (ko)
AU (1) AU2001275494A1 (ko)
WO (1) WO2001098853A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100853869B1 (ko) * 2005-10-24 2008-08-26 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션 디밍 밸러스트 제어 회로
KR100966991B1 (ko) * 2008-12-08 2010-06-30 삼성전기주식회사 인버터 구동 집적회로

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100454278B1 (ko) * 2000-06-19 2004-10-26 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션 최소의 내부 및 외부 구성요소를 갖는 밸러스트 제어 ｉｃ
WO2003059017A1 (en) * 2001-12-31 2003-07-17 International Rectifier Corporation Basic halogen convertor ic
DE10205896A1 (de) * 2002-02-13 2003-09-04 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Betriebsschaltung für Entladungslampe mit frequenzvariabler Zündung
US6853153B2 (en) * 2002-02-26 2005-02-08 Analog Microelectronics, Inc. System and method for powering cold cathode fluorescent lighting
US6677719B2 (en) * 2002-06-03 2004-01-13 Stmicroelectronics, Inc. Ballast circuit
US6879115B2 (en) * 2002-07-09 2005-04-12 International Rectifier Corporation Adaptive ballast control IC
WO2004030418A2 (en) * 2002-09-25 2004-04-08 Lumitronics, Inc. Circuit for driving cold cathode tubes
JP4144417B2 (ja) 2003-04-22 2008-09-03 松下電工株式会社 放電灯点灯装置及び照明器具
US7154232B2 (en) * 2003-06-24 2006-12-26 International Rectifier Corporation Ballast control IC with multi-function feedback sense
US7598677B2 (en) * 2003-08-26 2009-10-06 Q Technology, Inc. Multiple failure detection shutdown protection circuit for an electronic ballast
TWI377871B (en) * 2003-10-17 2012-11-21 Samsung Display Co Ltd Power supply system and liquid crystal display device having the same
ATE413087T1 (de) * 2004-01-23 2008-11-15 Koninkl Philips Electronics Nv Hochfrequenztreiber für eine gasentladungslampe
US7190208B2 (en) * 2004-04-08 2007-03-13 International Rectifier Corporation Self-oscillating full bridge driver IC
US7023142B2 (en) * 2004-05-07 2006-04-04 Zippy Technology Corp. Light modulation method and apparatus for cold cathode fluorescent lamps
WO2005112523A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-24 Design Rite Llc. Cicuit for driving cold cathode tubes and external electrode fluorescent lamps
US20070103089A1 (en) * 2005-05-11 2007-05-10 Gilbert Fregoso Circuit for driving cold cathode tubes and external electrode fluorescent lamps
TWI310292B (en) * 2005-06-14 2009-05-21 Richtek Technology Corp Dimming method and system thereof
JP2007035606A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Ricoh Co Ltd 加熱装置、定着装置及び画像形成装置
US7504816B2 (en) * 2005-09-28 2009-03-17 Intersil Americas Inc. Circuit for multiplexing digital and analog information via single pin of driver for switched MOSFETs of DC-DC converter
TW200721907A (en) * 2005-11-18 2007-06-01 Delta Optoelectronics Inc An improved startup method for the mercury-free flat-fluorescent lamp
KR101197512B1 (ko) * 2005-12-02 2012-11-09 페어차일드코리아반도체 주식회사 안정기 집적회로
DE102006061357B4 (de) * 2006-12-22 2017-09-14 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zur Ansteuerung einer Leuchtstofflampe
TWI338842B (en) * 2007-03-23 2011-03-11 Qisda Corp Signal transfer systems and methods
SE532218C2 (sv) * 2007-03-28 2009-11-17 Agency 9 Ab System, metod, datorprogram och datorläsbart medium för grafikbearbetning
CN104717814B (zh) * 2007-10-18 2017-12-19 台湾快捷国际股份有限公司 安定器的集成电路控制器
DE102008009078A1 (de) * 2008-02-14 2009-08-27 Vossloh-Schwabe Deutschland Gmbh Einfaches fremdgesteuertes Vorschaltgerät für Leuchtstofflampen
EP2124510B1 (de) * 2008-05-16 2013-01-02 Infineon Technologies Austria AG Verfahren zur Ansteuerung einer Leuchtstofflampe und Lampenvorschaltgerät
CN101610630B (zh) * 2008-06-17 2012-08-22 尼克森微电子股份有限公司 荧光灯管驱动电路
US7977887B2 (en) * 2008-09-09 2011-07-12 Delphi Technologies, Inc. Low leakage current LED drive apparatus with fault protection and diagnostics
DE102008056814A1 (de) * 2008-11-11 2010-05-27 HÜCO Lightronic GmbH Elektronisches Vorschaltgerät, Beleuchtungsgerät und Verfahren zum Betrieb dieser
JP2010279188A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Sanyo Electric Co Ltd 過電流保護回路
US8368432B2 (en) * 2010-11-12 2013-02-05 Nxp B.V. Interference-tolerant communication circuit
US8779678B2 (en) 2011-08-23 2014-07-15 Dudley Allan ROBERTS Segmented electronic arc lamp ballast
CN102955488B (zh) * 2011-08-26 2015-07-22 华润矽威科技（上海）有限公司 具有模式识别功能的电流源
TWI460993B (zh) * 2012-03-02 2014-11-11 Holtek Semiconductor Inc 半橋驅動裝置
US8633745B1 (en) * 2012-08-30 2014-01-21 Allegro Microsystems, Llc Circuits and related techniques for driving a high side of a half bridge circuit
US8558586B1 (en) * 2012-08-30 2013-10-15 Infineon Technologies Ag Circuit arrangement for driving transistors in bridge circuits
CN105445529B (zh) * 2014-07-28 2018-06-15 无锡华润上华科技有限公司 具有时序控制功能的掉电检测电路
US10784695B2 (en) * 2015-08-13 2020-09-22 Apple Inc. Reducing transient currents in receptacle circuitry during plug extraction
WO2017071758A1 (en) 2015-10-29 2017-05-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Interlock circuit
US10230356B2 (en) 2017-02-27 2019-03-12 Allegro Microsystems, Llc High-side output transistor circuit
US20200073465A1 (en) * 2018-08-30 2020-03-05 Qualcomm Incorporated Load reduction in a visual rendering system

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1409104A (en) * 1972-11-07 1975-10-08 Texas Instruments Inc Oscillator
US3992500A (en) 1974-06-07 1976-11-16 Koehring Company Vented extruder
DE2647569C3 (de) * 1976-10-21 1980-10-16 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Impulsgenerator mit umschaltbarer Ausgangsfrequenz
US5510681A (en) 1978-03-20 1996-04-23 Nilssen; Ole K. Operating circuit for gas discharge lamps
US6002210A (en) 1978-03-20 1999-12-14 Nilssen; Ole K. Electronic ballast with controlled-magnitude output voltage
US5479074A (en) 1980-08-14 1995-12-26 Nilssen; Ole K. Electronic ballast with pre-conditioner circuit
DE3266600D1 (en) * 1981-02-21 1985-11-07 Emi Plc Thorn Lamp driver circuits
US4434388A (en) * 1981-09-03 1984-02-28 Carver Leroy J Electrical lighting controller
ZA83299B (en) * 1982-01-15 1983-10-26 Minitronics Pty Ltd Electronic high frequency controlled device for operating gas discharge lamps
US4593232A (en) 1984-01-20 1986-06-03 Mcedwards Timothy K Flame simulating apparatus
US4866350A (en) 1988-04-04 1989-09-12 Usi Lighting, Inc. Fluorescent lamp system
EP0359860A1 (de) 1988-09-23 1990-03-28 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben mindestens einer Gasentladungslampe
US5170099A (en) * 1989-03-28 1992-12-08 Matsushita Electric Works, Ltd. Discharge lamp lighting device
US5144117A (en) * 1990-02-27 1992-09-01 Alps Electric Co., Ltd. Illumination type optical recorded information reading device
JP3053658B2 (ja) * 1991-03-04 2000-06-19 沖電気工業株式会社 電圧／パルス幅変調回路
JPH0596769A (ja) * 1991-10-14 1993-04-20 Mitsubishi Electric Corp 駆動回路
TW266383B (en) * 1994-07-19 1995-12-21 Siemens Ag Method of starting at least one fluorescent lamp by an electronic ballast and the electronic ballast used therefor
US5508664A (en) * 1995-04-20 1996-04-16 International Business Machines Corporation Oscillators having charge/discharge circuits with adjustment to maintain desired duty cycles
US6118228A (en) 1995-10-03 2000-09-12 Pal; Sandor Electronic ballast for fluorescent lamps
US5638031A (en) * 1996-01-29 1997-06-10 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Precision oscillator circuit
US5742134A (en) * 1996-05-03 1998-04-21 Philips Electronics North America Corp. Inverter driving scheme
US5696431A (en) * 1996-05-03 1997-12-09 Philips Electronics North America Corporation Inverter driving scheme for capacitive mode protection
US5770979A (en) * 1996-05-21 1998-06-23 Cherry Semiconductor Corporation Programmable oscillator using one capacitor
US5932974A (en) * 1996-06-04 1999-08-03 International Rectifier Corporation Ballast circuit with lamp removal protection and soft starting
US5838117A (en) * 1997-02-28 1998-11-17 General Electric Company Ballast circuit with synchronization and preheat functions
US5859504A (en) 1996-10-01 1999-01-12 General Electric Company Lamp ballast circuit with cathode preheat function
DE19805733A1 (de) * 1997-02-12 1998-08-20 Int Rectifier Corp Integrierte Treiberschaltung
US6031342A (en) * 1997-02-12 2000-02-29 International Rectifier Corporation Universal input warm-start linear ballast
US5811941A (en) * 1997-03-01 1998-09-22 Barton; Bina M. High frequency electronic ballast for a high intensity discharge lamp
US5982110A (en) * 1997-04-10 1999-11-09 Philips Electronics North America Corporation Compact fluorescent lamp with overcurrent protection
US6175195B1 (en) * 1997-04-10 2001-01-16 Philips Electronics North America Corporation Triac dimmable compact fluorescent lamp with dimming interface
US6011357A (en) * 1997-04-10 2000-01-04 Philips Electronics North America Corporation Triac dimmable compact fluorescent lamp with low power factor
DE19900153A1 (de) * 1998-01-05 1999-07-15 Int Rectifier Corp Integrierte Gate-Treiberschaltung
FR2773651A1 (fr) * 1998-01-13 1999-07-16 Motorola Semiconducteurs Circuit de temporisation
US5969483A (en) 1998-03-30 1999-10-19 Motorola Inverter control method for electronic ballasts
DE19819027A1 (de) 1998-04-29 1999-11-04 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Schaltungsanordnung zum Betrieb mindestens einer Entladungslampe
TW393876B (en) * 1998-07-30 2000-06-11 Mitsubishi Electric Corp Lighting device for the discharge lamp
DE19837728A1 (de) 1998-08-20 2000-02-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Schaltungsanordnung zum Betrieb mindestens einer Entladungslampe
US6285138B1 (en) * 1998-12-09 2001-09-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for lighting fluorescent lamp
US6228500B1 (en) 1999-03-08 2001-05-08 3M Innovative Properties Company Adhesive composition and precursor thereof
US6825620B2 (en) * 1999-06-21 2004-11-30 Access Business Group International Llc Inductively coupled ballast circuit
US6531831B2 (en) * 2000-05-12 2003-03-11 O2Micro International Limited Integrated circuit for lamp heating and dimming control
KR100454278B1 (ko) * 2000-06-19 2004-10-26 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션 최소의 내부 및 외부 구성요소를 갖는 밸러스트 제어 ｉｃ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100853869B1 (ko) * 2005-10-24 2008-08-26 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션 디밍 밸러스트 제어 회로
KR100966991B1 (ko) * 2008-12-08 2010-06-30 삼성전기주식회사 인버터 구동 집적회로

Also Published As

Publication number Publication date
EP1295193A1 (en) 2003-03-26
AU2001275494A1 (en) 2002-01-02
US20020067145A1 (en) 2002-06-06
US6525492B2 (en) 2003-02-25
JP2004501600A (ja) 2004-01-15
KR100454278B1 (ko) 2004-10-26
EP1295193A4 (en) 2004-08-18
JP2006202771A (ja) 2006-08-03
CN1282050C (zh) 2006-10-25
JP3808435B2 (ja) 2006-08-09
US20080284357A1 (en) 2008-11-20
US7420338B2 (en) 2008-09-02
US20030102823A1 (en) 2003-06-05
US7723928B2 (en) 2010-05-25
US7019471B2 (en) 2006-03-28
WO2001098853A1 (en) 2001-12-27
CN1784108A (zh) 2006-06-07
CN1437717A (zh) 2003-08-20
US20050007037A1 (en) 2005-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100454278B1 (ko) 최소의 내부 및 외부 구성요소를 갖는 밸러스트 제어 ｉｃ
KR100321964B1 (ko) 전집적 안정기 집적회로
US7408307B2 (en) Ballast dimming control IC
US7436127B2 (en) Ballast control circuit
US7558081B2 (en) Basic halogen convertor IC
EP0838129B1 (en) Electronic ballast
US6891339B2 (en) Adaptive CFL control circuit
US6879115B2 (en) Adaptive ballast control IC
US7352139B2 (en) Multiple lamp ballast control circuit
US7521874B2 (en) Dimmable ballast control integrated circuit
US7459867B1 (en) Program start ballast
JP2003178895A (ja) 閉ループ／調光の安定制御用集積回路
US7656096B2 (en) Hybrid ballast control circuit in a simplified package
TW541857B (en) Fully integrated ballast IC

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120926

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140925

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150925

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161007

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee