KR20030036180A - 금속 수소화물 소스를 갖는 전계 방출 장치 - Google Patents

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Abstract

전계 방출 디스플레이(100, 200)는 캐소드 플레이트(102, 302), 애노드 플레이트(104, 204, 304)와, 캐소드 플레이트(102, 302) 또는 애노드 플레이트(104, 204, 304) 상에 양호하게 배치되는 수소 소스(146, 148, 129, 150, 246, 346, 270)를 포함한다. 수소 소스(146, 148, 129, 150, 246, 346, 270)는 전계 방출 디스플레이(100, 200)의 활성 영역 상에 분포되고, 티타늄 수소화물, 바나듐 수소화물, 지르코늄 수소화물, 하프늄 수소화물, 니오븀 수소화물, 및 탄탈륨 수소화물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 금속 수소화물로 이루어진다. 금속 수소화물은 원 위치에서 수소의 동위 원소를 제공하도록 활성화될 수 있다.

Description

금속 수소화물 소스를 갖는 전계 방출 장치{Field emission device having metal hydride source}
원 위치에서 수소 소스들을 갖는 전계 방출 장치들은 종래 기술에 공지되어 있다. 예컨대, 젱 등(Jeng et al)(미국 특허 제 5,772,485)은 HSQ(hydrogen silsesquioxane)로 이루어진 유전체 층을 갖는 전계 방출 디스플레이를 기술하고 있고, 적어도 10개의 원자 퍼센트 수소(atomic percent hydrogen)를 제거할 수 있다. 젱 등은 유전체 층이 전계 방출 디스플레이의 캐소드 플레이트(cathod plate) 상에 분포되는 것을 지적한다. 분포된 HSQ는 유독한 산화물들을 마이크로팁 이미터들(microtip emitters) 상에 형성시키지 않는 반면, 그것은 오염 물질들의 흡착을 위한 게터(getter)로서 기능하지 않는다. 분포된 게터링을 원한다면, 부가적인 분포된 게터링 구조가 요구된다. 따라서, 분포된 게터의 제공은 부가적인 처리 단계들과 재료들을 필요로 한다. 게터로서 또한 기능하는 분포된 수소 소스가 종래 기술에서는 나타나지 않는다.
따라서, 게터로서 또한 기능할 수 있는 분포된 수소 소스를 갖는 개선된 전계 방출 장치에 대한 요구가 존재한다.
본 발명은 전계 방출 장치들의 영역에 관한 것으로, 특히, 원 위치에 수소 소스들(hydrogen sources)을 갖는 전계 방출 디스플레이들에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따라 수소 소스들을 갖는 전계 방출 디스플레이의 실시예의 횡단면도.
도 2는 본 발명에 따른 전계 방출 디스플레이의 다른 실시예의 애노드 플레이트의 횡단면도.
도 3은 본 발명에 따라 애노드 플레이트 상에 패터닝되고 독립적으로 활성화될 수 있는 수소 소스를 갖는 전계 방출 디스플레이의 또 다른 실시예의 횡단면도.
본 발명은 금속 수소화물로부터 이루어진 수소 소스를 갖는 전계 방출 장치를 위한 것으로, 금속은 IVB족 또는 VB족 금속들 중 하나다. 본 발명의 수소 동위원소는 전계 방출 장치의 실행 및 수명을 개선하는데 유용하다. 다른 것들 중에서, 수소 동위원소는 장치의 전자 이미터들 상에 산화물들을 감소시키고, 그에 의해 전자 이미터들의 방출 특성들을 개선한다. 수소 가스의 방출에 수반하여, 잔존하는 금속은 오염종(contaminant species)의 흡착(adsorption)에 유용한 게터로서 기능할 수 있다. 그 방출 이전에, 금속 수소화물의 수소는 물, 산소 등의 흡착을 방지함으로써 게터를 패시베이트한다. 게터링 기능의 보존은 장치 패키지의 철수(evacuation) 전 및 장치 패키지를 시일링(sealing)하는 단계 동안에 특히 유용하다. 더욱이, 본 발명의 수소 소스의 수소-금속 결합들(hydrogen-metal bonds)은 열적으로 안정하다. 수소 소스의 열적 안정성은 몇 가지 이점들을 가져온다. 예컨대, 본 발명의 수소 소스는 패키지의 시일링 단계 또는 수소 소스를 활성화하는 단계의 단일 실행 동안 수소가 완전히 고갈되지 않는다.
본 발명은, 예컨대, 본 명세서에 기술된 도면들에 예시된 수소 소스들 중 적어도 하나를 갖는 전계 방출 장치에 의해 구현된다. 더욱이, 본 명세서에 기술된 전계 방출 장치들이 전계 방출 디스플레이 장치들에 관한 것이지만, 본 발명의 범위는 디스플레이 장치들에 제한되지 않는다. 일반적으로, 본 발명은, 적합한 세기로 전계를 응용함으로써 전자들을 방출하도록 설계된 전자 이미터들을 이용하는 전계 방출 장치에 의해 구현된다.
더욱이, 본 발명에 따른 수소 소스는, 다음의 금속 수소화물들, 즉, 화학식 TiHx≤2에 의해 표현된 티타늄 수소화물, 화학식 VHx≤2에 의해 표현된 바나듐 수소화물, 화학식 ZrHx≤2에 의해 표현된 지르코늄 수소화물, 화학식 HfHx≤2에 의해 표현된 하프늄 수소화물, 화학식 NbHx≤2에 의해 표현된 니오븀 수소화물, 또는 화학식 TaHx≤2에 의해 표현된 탄탈륨 수소화물 중 하나로 이루어지고, 기호 "H"는 수소의 동위원소를 나타낸다. 본 명세서에서 수소에 관한 설명들은 또한 중수소(deuterium)에도 응용 가능하다. 바람직하게는, 본 발명의 수소 소스는 티타늄 수소화물, 바나듐 수소화물, 또는 지르코늄 수소화물로 이루어진다. 수소 소스의 금속 수소화물은 화학량적(stoichiometric) 또는 비화학량적(nonstoichiometric)일 수 있다. 바람직하게는, 본 발명의 수소 소스는 화학량적(TiH2, VH2, ZrH2, HfH2, NbH2, 또는 TaH2)이다.
본 발명에 따라, 수소 소스에 이용하기 위한 금속 수소화물의 선택은 금속 수소화물의 열적 안정성에 기초할 수 있다. 예컨대, 금속 수소화물은 장치를 시일링하는 단계 동안 도달된 최대 온도와의 호환성을 위해 선택될 수 있다. 예컨대, 티타늄 수소화물은 약 500℃까지 열적으로 안정하고, 반면 바나듐 수소화물 및 지르코늄 수소화물은 약 800℃까지 열적으로 안정하다.
본 발명의 수소 소스는 전계 방출 장치의 수명에서 일찍 수소 콘텐트의 실질적인 고갈을 실현하도록 설계될 수 있다. 이 예에서, 수소 소스는 전계 방출 장치의 수명의 실질적인 부분 동안 게터로서만 기능한다. 대안적으로, 수소 소스는 전계 방출 장치의 거의 또는 모든 수명 내내 수소 콘텐트를 갖도록 설계 및 동작될 수 있다.
몇 가지 다른 이점들은 본 발명에 따른 수소 소스의 공급에 의해 실현된다. 예컨대, 금속 수소화물이 수소가 금속에 화학적으로 결합된 화학적인 화합물이기 때문에, 수소 소스의 열적 안정성은 단순한 물리적 엔트랩먼트(physical entrapment)에 의해 수소를 유지하는 합금들과 같은 금속들로 이루어진 수소 소스들과 대비하여 높다. 더욱이, 박막으로서 수소 소스의 증착은 쉽게 달성될 수 있고, 수소 소스의 특성들은 쉽게 예측될 수 있다.
본 발명의 수소 소스는 낮은 비용으로 만들어질 수 있고, 다양한 타입들의 기판들 상에 형성될 수 있다. 본 발명의 수소 소스들을 만드는데 유용한 한 방법은 그 관련 부분들이 본 명세서에 참조로써 편입되고 본 명세서의 도 3을 참조하는, 델피노 등(Delfino, et al)의 공개된 국제 특허 출원 번호 WO 97/31390에 개시되어 있다. 금속 수소화물의 층을 증착하는 데 유용한 다른 방법은 그 관련 부분들이 본 명세서에 참조로써 편입된, 슈타인버그 등(Steinberg, et al)의 미국 특허 제 4,055,686 호에 개시되어 있다.
바람직하게는, 본 발명의 수소 소스는 장치의 활성 영역 상에 분포되고, 그에 의해 분포된 수소 소스를 규정한다. 바람직하게는, 본 발명의 수소 소스는 박막이다. 가장 바람직하게는, 본 발명의 수소 소스는 5 마이크로미터 이하의 두께를 갖는 박막을 규정한다.
예시를 단순하고 명백하게 하기 위해, 도면들에 도시된 엘리먼트들이 비례적으로 도시되지 않는다. 예컨대, 몇몇 엘리먼트들의 크기들은 상대적으로 과장되었다. 또한, 적절히 고려하여, 참조 부호들은 대응하는 엘리먼트들을 지시하도록 도면들에서 반복된다.
도 1은 본 발명에 따라 수소 소스들을 갖는 전계 방출 디스플레이(FED)(100)의 실시예의 횡단면도이다. FED(100)는 캐소드 플레이트(102)와 애노드 플레이트(104)를 포함한다. 캐소드 플레이트(102)는 프레임(108)에 의해 애노드 플레이트(104)로부터 이격된다. 초점 그리드(114)는 애노드 플레이트(104)와 캐소드 플레이트(102) 사이에 삽입된다. 백 플레이트(back plate)(106)는 캐소드 플레이트(102)에 부착된다.
캐소드 플레이트(102)는 유리, 실리콘, 세라믹, 등으로 이루어질 수 있는 기판(116)을 포함한다. 캐소드(118)는 기판(116) 상에 배치된다. 캐소드(118)는 제 1 전압 소스(140)에 접속된다. 유전체 층(120)은 캐소드(118) 상에 배치되고, 복수의 이미터 웰들(emitter wells)(116)을 규정한다. 또한, 유전체 층(120)은 기판(116)에 의해 규정된 복수의 홀들(128)과 각각 하나씩 겹치는 복수의 홀들(126)을 규정한다.
전자 이미터(124)는 각각의 이미터 웰들(122) 내에 배치된다. 도 1의 실시예에서, 전자 이미터(124)는 스핀드 팁 이미터(Spindt tip emitter)이다. 그러나, 본 발명은 표면 이미터들, 에지 이미터들, 탄소 나노튜브들을 이용하여 이루어진 구조들 등과 같은 스핀드 팁 이미터들 이외의 전자 이미터들을 갖는 전계 방출 장치에 의해 구현될 수 있다.
캐소드 플레이트(102)는 유전체 층(120) 상에 배치되고 제 2 전압 소스(도시 안됨)에 접속되는 복수의 게이트 추출 전극들을 더 포함한다. 캐소드(118) 및 게이트 에 대해 선택된 전위들의 응용은 전극 이미터들(124)로 하여금 전자들을 방출하게 할 수 있다.
애노드 플레이트(104)는 그들 사이의 사이공간 영역(131)을 규정하도록 캐소드 플레이트(102)로부터 이격된다. 애노드 플레이트(104)는 유리와 같은 고체의 투명 재료로 이루어진 투명 기판(130)을 포함한다. 블랙 매트릭스(134)는 투명 기판(130) 상에 배치되고, 바람직하게는 크롬 산화물로 이루어진다. 복수의 형광체들(136)은 블랙 매트릭스(134)에 의해 규정된 복수의 개구들(135) 내에 각각 하나씩 배치된다. 형광체들(136)은 캐소드 발광(cathodoluminescent)이고, 전자 이미터들(124)에 의해 발광된 전자들에 의한 활성화 시 광을 방출한다.
바람직하게는 알루미늄으로 이루어진 애노드(138)는 형광체들(136) 및 블랙 매트릭스(134) 위에 놓이는 블랭킷 층(blanket layer)을 규정한다. 애노드(138)는 제 3 전압 소스(142)에 접속된다. 매트릭스-어드레스 가능한 FED들을 위한 캐소드 플레이트들 및 애노드 플레이트들을 제조하기 위한 방법들은 당업자에게 공지되어 있다.
백 플레이트(106)는 유리, 실리콘, 세라믹 등과 같은 단단한 금속으로 이루어진다. 백 플레이트(106)는 그들 사이의 사이공간 영역(127)을 규정하도록 스페이서(110) 및 프레임(112)에 의해 캐소드 플레이트(102)로부터 이격된다. 유전체 층(120) 및 기판(116)에 의해 규정된 홀들(126, 128)은 각각 사이공간 영역들(131, 127) 사이의 통신을 허용한다.
FED(100)는 본 발명에 따라 수소 소스의 몇 가지 실시예들을 갖는다. 일반적으로, 각각의 수소 소스는 수소 소스로부터 전자 이미터들(124)까지 수소의 이동에 적합한 그들 사이의 사이공간 영역을 규정하도록 전자 이미터들(124)로부터 이격된다.
도 1에 도시된 수소 소스들은 분포된 수소 소스들이다. FED(100)의 제 1 수소 소스(146)는 애노드 플레이트(104) 위에 분포된다. 제 1 수소 소스(146)는 박막, 애노드(138)에 의해 규정된 표면 상에 배치되는 블랭킷 층을 규정한다. 제 1 수소 소스(146)와 형광체들(136) 사이의 애노드(138)의 삽입은 제 1 수소 소스(146)의 증착 동안 형광체들(136)을 보호한다. 제 1 수소 소스(146)의 두께는, 그들이 제 1 수소 소스(146)를 가로지르는 것과 같이, 전자들에 의한 에너지의 손실을 제어하도록 선택된다. 예컨대, 제 1 수소 소스(146)는 약 500 옹스트롬과 같은 두께를 가질 수 있다.
제 1 수소 소스(146)의 증착 이전에, 애노드(138)는 전형적으로 산화물 층을 갖는다. 이롭게, 산화물 층은 제 1 수소 소스(146)의 증착 동안 감소된다.
일반적으로, 본 발명에 따른 수소 소스는 수소 소스를 활성화하기 위한 활성화 수단에 실시 가능하게 접속된다. 수소 소스는, 예컨대, 수소 소스의 저항 가열(resistive heating) 및/또는 전자 충격(electron bombardment)에 의해 수소를 릴리즈(release)하도록 활성화된다. 예컨대, 제 1 수소 소스(146)는 형광체(136)의 전자 활성화 동안 수소를 릴리즈하게 된다.
또한, FED(100)는 초점 그리드(114) 상에 배치되는 제 2 수소 소스(148)를 갖는다. 초점 그리드(114)는 구리, 니켈, 등과 같은 도체로 이루어진다. 초점 그리드(114)는 복수의 홀들(144)을 규정하고, 전압 소스(도시 안됨)에 접속된다. 초점 그리드(114)는 그들이 홀들(144)을 통해 형광체들(136)을 향해 나아가는 것처럼 전자들을 포커싱하는 데 유용하다. 제 2 수소 소스(148)는 본 발명에 따라 금속 수소화물의 박막으로서 초점 그리드(114) 상에 증착된다. 제 2 수소 소스(148)는, 예컨대, 초점 그리드(114)의 저항 가열에 의해 활성화될 수 있다.
도 1의 실시예에서, 게이트 추출 전극들(129)은 본 발명에 따라 수소 소스들을 또한 규정한다. 도 1의 실시예에서, 따라서, 게이트 추출 전극들(129)은 티타늄 수소화물, 바나듐 수소화물, 지르코늄 수소화물, 하프늄 수소화물, 니오븀 수소화물, 및 탄탈륨 수소화물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 금속 수소화물로 이루어진다. 그들이 제 1 수소 소스(146)인 전계-방출된 전자들에 의해 횡단되지 않기 때문에, 게이트 추출 전극들(129)에 의해 규정된 수소 소스들은 제 1 수소 소스(146)보다 실질적으로 더 두껍게 만들어질 수 있다. 게이트 추출 전극들(129)은 저항 가열에 의해 수소를 릴리즈하도록 활성화될 수 있다. 또한, 그들은 전계-방출된 전자들로 하여금 게이트 추출 전극들(129)을 향하게 되게 함으로써 활성화될 수 있다. 또한, 이들 활성화 전자들은 방출된 수소의 전자-충격 이온화를 일으키는 데 유용하다.
또한, 백 플레이트(106)와 캐소드 플레이트(102) 사이의 사이공간 영역(127) 내에 배치되는 제 4 수소 소스(150)가 도 1에 예시된다. 제 4 수소 소스(150)는 백 플레이트(106)의 내부 표면 상에 배치되는 저항막(160) 상에 형성된다. 저항막(160)은 저항막(160)의 저항 가열에 의해 제 4 수소 소스(150)의 활성화를 일으키는 데 유용한 전압 소스(도시 안됨)에 접속된다. 제 4 수소 소스(150)로부터의 그 방출에 수반하여, 수소는 전자 이미터들(124)을 액세스하도록 홀들(128, 126)을 통해 이동한다.
도 2는 본 발명에 따른 전계 방출 디스플레이의 다른 실시예의 애노드 플레이트(204)의 횡단면도이다. 도 2의 실시예에서, 수소 소스(246)는 블랙 매트릭스(134) 상에 직접 증착된다. 애노드 플레이트(204)는 투명 기판(130) 상에 배치되는 애노드(132)를 더 포함하고, 인듐 주석 산화물과 같은 투명 도체로 이루어진다. 수소 소스(246)는, 그것이 전계-방출된 전자들에 의해 횡단되지 않기 때문에, 제 1 수소 소스(146)(도 1)의 그것보다 더 큰 두께를 가질 수 있다. 더욱이, 수소 소스(246)가 전계-방출된 전자들에 의해 횡단되지 않기 때문에, 그것은 형광체(136)을 활성화하기 위한 그들의 에너지를 감소시키지 않는다.
이는, 수소 소스(246)를 활성화하도록 전계-방출된 전자들을 이용하는 옵션을 배제하지 않는다. 예컨대, 수소 소스(246)의 전자 활성화는 형광체들(136) 중 하나의 영역보다 더 큰, 형광체들(136) 중 하나에 향해지는 전자 빔의 애노드 플레이트(204)에서 스폿 사이즈를 만듦으로써 달성될 수 있다. 이런 방식으로, 전자 빔의 부분은 수소 소스(246)의 활성화를 일으키는 반면, 나머지는 형광체(136)의 활성화를 일으킨다.
애노드 플레이트 상에 배치되는 수소 소스를 활성화하기 위한 다른 방법은 도 3에 예시된다. 도 3은, 본 발명에 따라 애노드 플레이트(304) 상에 패터닝되고 독립적으로 활성화될 수 있는 수소 소스(346)를 갖는 전계 방출 디스플레이(FED)(200)의 부가적인 실시예의 횡단면도이다. 수소 소스(346)는 수소 소스(346)에 인접하는 형광체들(136)이 활성화되지 않는 시간에 활성화될 수 있다.
도 3의 실시예에서, 수소 소스(346)는 반사층(139) 상에 배치된다. 반사층(139)은 알루미늄으로 이루어질 수 있고, FED(200)에 의해 생성된 이미지의 뷰어를 향해 광을 반사하는 데 유용하다. 도 3의 실시예에서, 반사층(139)은 애노드(132)와 구별된다.
FED(200)의 캐소드 플레이트(302)는 복수의 제 2 전자 이미터들(224)을 포함한다. 전자 이미터들(224)은 복수의 제 2 게이트 추출 전극들(229)을 이용하여 선택적으로 어드레스될 수 있다. 따라서, 전자 이미터들(124)은 형광체들(136)의 활성화를 위해 점선(250)에 의해 표현된 전극들을 제공하고, 전자 이미터들(224)은 수소 소스(346)의 활성화를 위해 점선(260)에 의해 표현된 전극들을 제공한다. 원한다면, 수소 소스(346)는 도 2를 참조하여 기술된 방식으로 형광체-활성화 전극들의 스폿 사이즈를 충분히 크게 함으로써 또한 활성화될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 수소 소스(270)의 부가적인 실시예를 예시한다. 도 3의 실시예에서, 게이트 추출 전극들(129)은 티타늄 수소화물로 이루어지지 않는다. 오히려, 그들은 알루미늄과 같은 도체로 이루어진다. 수소 소스(270)는 본 발명에 따라 금속 수소화물로 이루어지고, 캐소드 플레이트(302) 상에 블랭킷 층으로서 증착된다. 수소 소스(270)의 두께는 게이트 추출 전극들(129, 229)의 전기 쇼팅(electrical shorting)을 방지하도록 선택된다.
수소 소스(270)는 도전 경로를 약간 제공함으로써 캐소드 플레이트(302)의 내부 표면에 정적인 전기 충전(static electrical charge)의 축적을 방지하는 데 유용하다. 즉, 수소 소스(270)는 게터 및 수소의 소스뿐만 아니라 블리드-오프 층(bleed-off layer)으로서 기능한다.
요약하면, 본 발명은 티타늄 수소화물, 바나듐 수소화물, 지르코늄 수소화물, 하프늄 수소화물, 니오븀 수소화물, 및 탄탈륨 수소화물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 금속 수소화물로 이루어진 수소 소스를 갖는 전계 방출 장치를 위한 것이다. 본 발명의 수소 소스는 게터 및 수소 가스를 제공하는 분리된 엘리먼트들에 대한 요구를 해결한다. 본 발명의 수소 소스는 저가에 제공될 수 있고, 박막으로서 쉽게 증착될 수 있어, 그에 의해 분포된 구성을 용이하게 한다. 장치에 수소 소스의 통합은 본 발명의 수소 소스가 열적으로 안정하다는 사실에 의해 더 용이하게 된다. 즉, 본 발명의 수소 소스가 시일링 온도(sealing temperatures)에서 가열 시 실질적으로 고갈되지 않기 때문에, 그것은 패키지를 시일링하는 단계 이전에 장치에 통합될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예들이 도시되고 기술되었지만, 다른 변경들 및 개선들이 당업자들에 의해 이루어질 것이다. 예컨대, 본 발명은 장치의 활성 영역 상에 분포되지 않은 수소 소스를 갖는 전계 방출 장치에 의해 또한 구현된다. 이 실시예의 수소 소스는 스크린 영역 밖에서 장치의 주변 영역들에 위치될 수 있다. 다른 예로서, 본 발명은 장치에 포함되기 전에 만들어지는 수소 소스를 갖는 전계 방출 장치에 의해 구현된다. 이 실시예의 수소 소스는 바(bar) 내에 실행될 수 있고, 그 후에 장치의 내부 표면에 부착된다. 또 다른 예로서, 본 발명의 수소 소스는 수소 소스의 금속 수소화물과 구별되는 도전 재료로 이루어지는 게이트 추출 전극들의 각각을 캡핑(cap)하는 층에 의해 구현된다.
그러므로, 본 발명은 도시된 특정 형태들에 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않는 모든 변경들은 첨부된 청구항들에 포함된다.

Claims (12)

  1. 티타늄 수소화물, 바나듐 수소화물, 지르코늄 수소화물, 하프늄 수소화물, 니오븀 수소화물, 및 탄탈륨 수소화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 금속 수소화물을 포함하는 수소 소스를 포함하는 전계 방출 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 수소화물은 화학량적인, 전계 방출 장치.
  3. 전계 방출 장치에 있어서,
    복수의 전자 이미터들과;
    수소 소스로부터 상기 복수의 전자 이미터들로의 수소의 이동에 적합한 그들 사이의 사이공간 영역을 규정하도록 상기 복수의 전자 이미터들로부터 이격된 수소 소스로서, 티타늄 수소화물, 바나듐 수소화물, 지르코늄 수소화물, 하프늄 수소화물, 니오븀 수소화물, 및 탄탈륨 수소화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 금속 수소화물을 포함하는, 상기 수소 소스를 포함하는 전계 방출 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    애노드 플레이트를 더 포함하고,
    상기 수소 소스는 상기 애노드 플레이트 위에 분포되는, 전계 방출 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 애노드 플레이트는 상기 복수의 전자 이미터들에 대향하는 표면을 규정하고,
    상기 수소 소스는 상기 애노드 플레이트에 의해 규정된 상기 표면 상에 배치된 블랭킷 층을 규정하는, 전계 방출 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    애노드 플레이트와 초점 그리드를 더 포함하고,
    상기 초점 그리드는 상기 애노드 플레이트와 상기 복수의 전자 이미터들의 중간에 배치되며,
    상기 수소 소스는 상기 초점 그리드에 접속되는, 전계 방출 장치.
  7. 제 3 항에 있어서,
    백 플레이트와 애노드 플레이트를 더 포함하고,
    상기 복수의 전자 이미터들은 상기 백 플레이트와 상기 애노드 플레이트의 중간에 배치되며,
    상기 수소 소스는 상기 백 플레이트에 접속되는, 전계 방출 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    복수의 게이트 추출 전극들을 더 포함하고,
    상기 수소 소스는 상기 복수의 게이트 추출 전극들 상에 배치되는, 전계 방출 장치.
  9. 전계 방출 디스플레이에 있어서,
    복수의 전자 이미터들;
    상기 복수의 전자 이미터들에 의해 방출된 전자들을 수신하도록 배치된 복수의 형광체들과;
    수소 소스로부터 상기 복수의 전자 이미터들로의 이동에 적합한 그들 사이의 사이공간 영역을 규정하도록 상기 복수의 전자 이미터들로부터 이격된 수소 소스로서, 티타늄 수소화물, 바나듐 수소화물, 지르코늄 수소화물, 하프늄 수소화물, 니오븀 수소화물, 및 탄탈륨 수소화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 금속 수소화물을 포함하는, 상기 수소 소스를 포함하는 전계 방출 디스플레이.
  10. 제 9 항에 있어서,
    블랙 매트릭스를 더 포함하고,
    상기 블랙 매트릭스는 복수의 개구들을 규정하고,
    상기 복수의 형광체들은 상기 복수의 개구 내에 각각 하나씩 배치되며,
    상기 수소 소스는 상기 블랙 매트릭스 상에 배치되는, 전계 방출 디스플레이.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 형광체들에 의해 방출된 광을 반사하도록 배치된 반사층을 더 포함하는 전계 방출 디스플레이.
  12. 전계 방출 장치를 동작하는 방법에 있어서,
    티타늄 수소화물, 바나듐 수소화물, 지르코늄 수소화물, 하프늄 수소화물, 니오븀 수소화물, 및 탄탈륨 수소화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 금속 수소화물로 이루어진 수소 소스를 상기 전계 방출 장치 내에 제공하는 단계와;
    상기 수소 소스로 하여금 수소를 방출하게 하고, 그에 의해 게터링에 유용한 형태로 상기 금속 수소화물의 금속을 제공하는 단계를 포함하는 전계 방출 장치의 동작 방법.
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