KR20060124339A - 전자 방출 소자 - Google Patents

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KR20060124339A
KR20060124339A KR1020050046208A KR20050046208A KR20060124339A KR 20060124339 A KR20060124339 A KR 20060124339A KR 1020050046208 A KR1020050046208 A KR 1020050046208A KR 20050046208 A KR20050046208 A KR 20050046208A KR 20060124339 A KR20060124339 A KR 20060124339A
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Abstract

본 발명은 고진공을 유지하기 위하여 게터가 설치되는 전자 방출 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전자 방출 소자는, 서로 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판에 형성되는 전자 방출 유닛과, 상기 제2 기판에 형성되는 발광 유닛, 그리고 상기 진공 용기 내부의 진공을 위해 설치되는 적어도 하나의 증발형 게터 및 적어도 하나의 비증발형 게터를 포함한다.
전자 방출 소자, 게터, 증발형 게터, 비증발형 게터, 진공

Description

전자 방출 소자{ELECTRON EMISSION DEVICE}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자에서 표시 영역을 도시한 부분 분해 사시도이다.
도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 소자의 단면도이다.
본 발명은 전자 방출 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고진공을 유지하기 위하여 게터가 설치되는 전자 방출 소자에 관한 것이다.
일반적으로 전자 방출 소자는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.
여기서, 냉음극을 이용하는 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(field emitter array; FEA)형, 표면 전도 에미션(surface-conduction emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(metal-insulator-metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(metal-insulator-semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.
상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속 쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한다.
상기 SCE형 전자 방출 소자는 일측 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 형성하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
그리고 상기 FEA형 전자 방출 소자는 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비(aspect ratio)가 큰 물질을 전자원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로서, 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나, 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드상 카본과 같은 카본계 물질을 전자원으로 적용한 예가 개발되고 있다.
이와 같이 냉음극을 이용하는 전자 방출 소자는 서로 대향하는 두 기판 중 제1 기판에 전자 방출부와 더불어 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들을 구비하며, 제2 기판에 형광층과 더불어 제1 기판에서 방출된 전자들이 형광층을 향해 효율적으로 가속되도록 하는 애노드 전극을 구비하여 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.
상기의 전자 방출 소자는 전자를 방출 및 가속하여 형광층을 발광시키므로 내부를 고진공으로 유지하는 것이 요구된다. 따라서, 전자 방출 소자에 게터를 설치하고, 배기 및 봉입 후에 게터를 활성화(getter flashing)시켜 전자 방출 소자 내부의 잔류 기체들을 화학적으로 흡착한다.
이러한 게터는 게터 물질이 활성화되었을 때의 상태에 따라 비증발형 게터(non-evaporable getter; NEG)와 증발형 게터(evaporable getter; EG)로 구분된다.
종래에는 전자 방출 소자의 내부를 진공 상태로 유지하기 위해서 증발형 게터와 비증발형 게터 중 어느 하나를 선택하여 독립적으로 사용하였다. 그런데, 증발형 게터를 독립적으로 사용하는 경우에는 제1 기판과 제2 기판 사이의 거리가 작을 때 잔류 가스 흡착에 어려움이 있고, 비증발형 게터를 독립적으로 사용하는 경우에는 작용 표면적이 작은 문제가 있다. 따라서, 상기와 같이 비증발형 게터 또는 증발형 게터를 독립적으로 사용하는 경우에는 잔류 가스의 흡착 능력이 저하되어 전자 방출 소자의 내부를 고진공으로 유지하는 데 어려움이 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 잔류 가스 흡착 능력을 향상시켜 내부를 고진공으로 유지할 수 있는 전자 방출 소자를 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 전자 방출 소자는, 서로 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판에 형성되는 전자 방출 유닛과, 상기 제2 기판에 형성되는 발광 유닛, 그리고 상기 진공 용기 내부의 진공을 위해 설치되는 적어도 하나의 증발형 게터 및 적어도 하나의 비증발형 게터를 포함한다.
상기 제1 기판과 제2 기판에는 표시 영역과 비표시 영역이 설정될 수 있다.
이 때, 상기 증발형 게터는 상기 진공 용기 내의 비표시 영역에 위치할 수 있다. 상기 증발형 게터는 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 토륨(Th), 세륨(Ce), 인(P), 바륨(Ba)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 은(Ag)-티타늄(Ti) 합금, 및 지르코늄(Zr)-니켈(Ni) 합금 중에 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 비증발형 게터는 상기 진공 용기 내의 비표시 영역에 위치하거나, 상기 진공 용기의 외부에 고정되는 보조 용기 내에 설치될 수 있다. 상기 비증발형 게터는 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al)-바나듐(V) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 대하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 전자 방출 소자는 서로 대향 배치된 제1 기판(2)과 제2 기판(4)이 내부 공간부를 두고 배치되며, 제1 기판(2)과 제2 기판 (4)이 프릿(frit)과 같은 실링(sealing)재(6)에 의해 가장자리가 접합된다. 이러한 제1 기판(2)과 제2 기판(4)에는 임의의 표시를 구현하는 표시 영역(8) 및 이러한 표시 영역(8)의 외곽으로 형성되는 비표시 영역(10)이 설정된다.
표시 영역(8)은, 전자 방출을 위한 전자 방출 유닛이 제1 기판(2)에 제공되고 방출된 전자에 의해 가시광을 방출하는 발광 유닛이 제2 기판(4)에 제공되어 임의의 발광 또는 표시를 구현하는 영역이다.
비표시 영역(10)은, 상기 표시 영역(8)에 형성되는 전극들을 외부 단자와 연결하는 영역 및 내부 공간부의 진공을 유지하기 위한 게터(32, 34) 등이 형성되는 영역 등을 포괄하는 영역이다.
전술한 표시 영역(8)에 대해서 도 2를 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자에서 표시 영역(8)을 도시한 부분 분해 사시도이다.
도 2를 참조하면, 먼저 제1 기판(2) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(12)이 제1 기판(2)의 일 방향(도면의 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(12)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 제1 절연층(14)이 형성된다. 제1 절연층(14) 위에는 제2 전극인 게이트 전극들(16)이 캐소드 전극(12)과 직교하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.
본 실시예에서 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극(12) 위로 각 화소 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(18)가 형성되고, 제1 절연층(14)과 게이트 전극(16)에는 각 전자 방출부(18)에 대 응하는 개구부(14a, 16a)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(18)가 노출되도록 한다.
전자 방출부(18)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(18)로 사용 바람직한 물질로는 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질이 있으며, 전자 방출부(18)의 제조 방법으로는 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등이 있다.
도면에서는 전자 방출부들(18)이 원형으로 형성되고, 각 화소 영역에서 캐소드 전극(12)의 길이 방향(도면의 y축 방향)을 따라 일렬로 배열되는 구성을 도시하였다. 그러나 전자 방출부(18)의 평면 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.
한편, 상기에서는 제1 절연층(14)을 사이에 두고 게이트 전극(16)이 캐소드 전극(12) 상부에 위치하는 경우를 설명하였으나, 그 반대의 경우, 즉 캐소드 전극이 게이트 전극의 상부에 위치하는 경우도 가능하다. 이 경우에는 전자 방출부가 절연층 위에서 캐소드 전극의 측면과 접촉하여 위치할 수 있다.
그리고 게이트 전극(16) 위로 제2 절연층(20)과 집속 전극(22)이 형성될 수 있다. 제2 절연층(20)과 집속 전극(22)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(20a, 22a)가 마련되는데, 일례로 이 개구부(20a, 22a)는 화소 영역당 하나가 구비되어 집속 전극(22)이 한 화소에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하도록 한다. 이 때, 집속 전극(22)은 전자 방출부(18)와의 높이 차이가 클수록 우수한 집속 효과를 발휘하므로, 제2 절연층(20)의 두께를 제1 절연층(14)의 두께보다 크게 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 집속 전극(22)은 제1 기판(2)의 전체에 형성될 수 있으며, 또는 소정의 패턴으로 나뉘어서 복수 개로 형성될 수 있다. 후자의 경우에 대해서는 도시를 생략하였다. 또한, 집속 전극(22)은 제2 절연층(20) 위에 코팅된 도전막으로 이루어지거나 개구부(22a)를 구비한 금속 플레이트로 이루어질 수 있다.
다음으로, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(24), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(24R, 24G, 24B)이 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(24) 사이로 화면의 컨트라스트 향상을 위한 흑색층(26)이 형성된다. 도면에서는 형광층(24)과 흑색층(26)이 스트라이프 패턴으로 형성되는 경우를 도시하였으나, 형광층은 제1 기판 상에 설정되는 화소 영역들에 일대일로 대응되도록 위치할 수 있으며, 이 경우 흑색층은 형광층을 제외한 보든 비발광 영역 상에 형성된다.
형광층(24)과 흑색층(26) 위로 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어지는 애노드 전극(28)이 형성된다. 애노드 전극(28)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가 받으며, 형광층(24)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면 휘도를 높이는 역할을 한다.
한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명한 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판을 향한 형광층과 흑색층의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수 개 형성될 수 있다.
이러한 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 내부 공간부를 유지하기 위한 스페이서들(30)이 배치될 수 있다. 이 때, 스페이서들(30)은 흑색층(26)이 위치하는 비발광 영역에 대응하여 배치된다.
그러나, 본 발명에서 전자 방출 소자의 표시 영역은 상기의 구조에 한정되는 것이 아니며, 상기 전극 외에 별도의 전극을 구비하거나 집속 전극을 구비하지 않는 등으로 다양하게 변형될 수 있으며 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
또한, 상기에서는 일례로 FEA형 전자 방출 소자를 적용한 경우에 대하여 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 표시 영역이 FEA형 전자 방출 소자 이외의 냉음극 전자원을 구비하는 기타 전자 방출 소자의 구조를 가질 수 있으며 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
다음으로, 도 1과 함께 도 3을 참조하여 본 실시예에서 전자 방출 소자의 내부를 진공으로 유지하기 위하여 비표시 영역(10)에 설치되는 게터를 보다 상세하게 설명한다. 도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 잘라서 본 전자 방출 소자의 부분 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에서는 비표시 영역(10)에 증발형 게터(32)와 비증발형 게터(34)가 각각 설치된다. 이러한 증발형 게터(32) 및 비증발형 게터(34)는 각각 적어도 하나 설치되면 족하므로, 본 발명은 증발형 게터(32)의 개수 및 비증발형 게터(34)의 개수에 한정되지 않는다.
여기서, 증발형 게터(32)는 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 토륨(Th), 세륨(Ce), 인(P), 바륨(Ba)-알루미늄(Al) 합금, 지르코륨(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 은(Ag)-티타늄(Ti) 합금, 지르코늄(Zr)-니켈(Ni) 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 이 때, 증발형 게터(32)는 게터는 링(ring), 와이어(wire), 스트립(strip) 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.
이러한 증발형 게터(32)는 레이저, 고주파, 전류 등으로 게터 지지체(36)를 가열하여 게터를 증발시켜 제2 기판(4)에 게터막(32a)을 형성한다. 이렇게 형성된 게터막(32a)은 화학적 진공 펌프(chemical vacuum pump)로 작용하여 소자 내부의 잔류 기체들을 화학적으로 흡착하여 진공도를 향상시키는 역할을 한다. 이러한 증발형 게터(32)는 게터막(32a)을 형성함으로써 잔류 가스를 흡착하는 반응 속도가 빠르고 성능도 우수하다.
그리고, 비증발형 게터(34)는 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al)-바나듐(V) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 본 발명에서 비증발형 게터(34)는 링(ring), 와이어(wire), 필(pill) 등의 다양한 형상을 가지는 것이 가능하며 반응 면적을 증가시킬 수 있도록 다공성의 특성을 가지는 것도 가능하다.
이러한 비증발형 게터(34)는 이에 연결된 인출 전극(미도시)에 전류를 인가하거나 고주파 가열로 활성화 온도까지 가열되어 활성화된다. 그러나, 본 발명은 이러한 활성화 방법에 한정되는 것이 아니며 이 외에 다양한 방법으로 활성화될 수 있음은 물론이다. 이렇게 활성화된 비증발형 게터(34)는 화학적 진공 펌프로 작용하여 소자 내부의 잔류 기체들을 화학적으로 흡착하여 진공도를 향상시키는 역할을 한다. 이러한 비증발형 게터(34)는 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이 거리가 좁은 전자 방출 소자에서도 효과적으로 고진공을 유지할 수 있다.
본 실시예에서는 상기와 같은 증발형 게터(32)와 비증발형 게터(34)를 모두 사용함으로써 전자 방출 소자 내부의 잔류 가스를 효과적으로 흡착할 수 있어, 전자 방출 소자의 진공도를 향상시키면서 진공 유지 능력을 증대시킬 수 있다. 즉, 전자 방출 소자의 내부를 고진공으로 유지하여 전자 방출 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 전자 방출 소자의 작동 조건, 설치 환경 등을 고려하여 증발형 게터(32)와 비증발형 게터(34)를 적절하게 선택하여 활성화시킬 수 있는 장점이 있다.
이하에서는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 소자에 대하여 도 4를 참조하여 상세하게 설명한다. 제2 실시예는 제1 실시예와 기본적인 구성이 동일 또는 유사하므로, 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 제1 실시예와 다른 부분에 대해서 상세하게 설명한다. 그리고, 제1 실시예와 동일 또는 유사한 구성 요소는 제1 실시예와 동일한 참조부호를 사용한다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 소자의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에서는 증발형 게터(32)는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 사이 공간, 즉 진공 용기 내부에서 비표시 영역(10)에 설치하며, 비증발형 게터(42)는 진공 용기의 외부에 고정되는 보조 용기(44) 내에 설치한다. 이러한 보조 용기(44)는 비표시 영역(10) 상에 형성되는 게터 홀(46)에 의해 전자 방출 소자의 내부에 연결되어, 비증발형 게터(42)가 잔류 가스를 흡착할 수 있도록 한다.
본 실시예에서 증발형 게터(32) 및 비증발형 게터(42) 각각을 이루는 물질 및 형태 등은 제1 실시예에서 설명한 물질 및 형태를 가질 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
본 실시예에서는 상기와 같이 증발형 게터(32)와 비증발형 게터(42)를 모두 설치함으로써 전자 방출 소자 내부를 고진공으로 유지시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실험예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 이러한 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자의 흡착 능력, 비증발형 게터만이 설치된 전자 방출 소자(이하 "비교예 1에 따른 전자 방출 소자"라 함)의 흡착 능력, 그리고 증발형 게터만이 설치된 전자 방출 소자(이하 "비교예 2에 따른 전자 방출 소자"라 함)의 흡착 능력을 측정하였다.
이 결과, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자의 흡착 능력은 4.27 cc·torr인 반면, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 전자 방출 소자의 흡착 능력은 각각 3.7 cc·torr, 3.18 cc·torr 인 것으로 측정되었다. 여기서, 상기의 전자 방출 소자의 흡착 능력은 최종 진공도와 체적의 곱과 최초 진공도와 체적의 곱의 차이로 정의된다.
즉, 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 비증발형 게터 및 증발형 게터 중 어느 하나만 설치된 전자 방출 소자보다 진공도가 더 우수한 것을 알 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 소자는 증발형 게터와 비증발형 게터를 모두 설치하여 전자 방출 소자 내부의 잔류 가스를 효과적으로 흡착할 수 있고, 이에 따라 고진공 상태를 유지할 수 있다. 또한, 전자 방출 소자의 작동 조건, 설치 환경 등을 고려하여 증발형 게터와 비증발형 게터를 적절하게 선택하여 활성화시킬 수 있는 장점이 있다.

Claims (6)

  1. 서로 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판;
    상기 제1 기판에 형성되는 전자 방출 유닛;
    상기 제2 기판에 형성되는 발광 유닛; 및
    상기 진공 용기 내부의 진공을 위해 설치되는 적어도 하나의 증발형 게터 및 적어도 하나의 비증발형 게터
    를 포함하는 전자 방출 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판과 제2 기판에 표시 영역과 비표시 영역이 설정되며,
    상기 증발형 게터는 상기 진공 용기 내의 비표시 영역에 위치하는 전자 방출 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 증발형 게터는 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 토륨(Th), 세륨(Ce), 인(P), 바륨(Ba)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 은(Ag)-티타늄(Ti) 합금, 및 지르코늄(Zr)-니켈(Ni) 합금 중에 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판과 제2 기판에 표시 영역과 비표시 영역이 설정되며,
    상기 비증발형 게터는 상기 진공 용기 내의 비표시 영역에 위치하는 전자 방출 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 비증발형 게터는 상기 진공 용기의 외부에 고정되는 보조 용기 내에 설치되는 전자 방출 소자.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 비증발형 게터는 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al)-바나듐(V) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 소자.
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