KR20030030714A - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 기판 상에 형성되는 게이트라인과,상기 게이트라인 상에 형성되는 게이트절연막과,상기 게이트절연막 상에 소정간격을 두고 인접하는 다수의 반도체층과,상기 다수의 반도체층 상에 형성되는 스토리지전극과,상기 스토리지전극과 게이트절연막 상에 형성되는 보호층과,상기 보호층 상에 형성되는 화소전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 스토리지전극은상기 반도체층 각각에 대응하는 볼록부와,상기 반도체층 사이의 오목한 부분에 위치하는 오목부를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 반도체층은상기 게이트절연막 상에 형성되는 활성층과,상기 활성층과 동일패턴으로 형성되는 오믹접촉층을 구비하는 것을 특징으로하는 액정표시소자.
- 기판 상에 다층구조로 형성되는 요철형태의 신호라인과,상기 신호라인 상에 형성되는 게이트절연막과,상기 게이트절연막 상에 형성되는 스토리지전극과,상기 게이트절연막과 상기 스토리지전극 상에 형성되는 보호층과,상기 보호층 상에 형성되는 화소전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제 4 항에 있어서,상기 신호라인은 게이트라인인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제 4 항에 있어서,상기 신호라인은 공통라인인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제 4 항에 있어서,상기 요철형태의 볼록부는 상기 다층 구조의 금속층 중 상층의 금속으로 형성되며, 상기 요철형태의 오목부는 상층의 금속 이외의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 기판 상에 게이트라인을 형성하는 단계와,상기 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와,상기 게이트절연막 상에 소정간격을 두고 인접하는 다수의 반도체층을 형성하는 단계와,상기 게이트절연막 상에 상기 반도체층을 덮도록 스토리지전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 스토리지전극을 덮도록 보호층을 형성하는 단계와,상기 보호층 상에 화소전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 반도체층은상기 게이트절연막 상에 활성층을 형성하는 단계와,상기 활성층과 동일패턴으로 오믹접촉층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 기판 상에 다층구조로 형성되는 요철형태의 신호라인을 형성하는 단계와,상기 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와,상기 게이트절연막 상에 스토리지전극을 형성하는 단계와,상기 게이트절연막과 상기 스토리지전극 상에 보호층을 형성하는 단계와,상기 보호층 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 요철형태의 볼록부는 상기 다층 구조의 금속층 중 상층의 금속으로 형성되며, 상기 요철형태의 오목부는 상층의 금속 이외의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 다층구조의 금속층은 Mo/Al, Mo/Cu/Ti, Cr/Al/Mo 또는 Ti/Al/Ti로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
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