KR20030024576A

KR20030024576A - Peripheral exposing device

Info

Publication number: KR20030024576A
Application number: KR1020020053183A
Authority: KR
Inventors: 나가이요시노리; 도치하라가즈모토
Original assignee: 우시오덴키 가부시키가이샤
Priority date: 2001-09-17
Filing date: 2002-09-04
Publication date: 2003-03-26
Also published as: US6721037B2; JP3820946B2; JP2003092243A; US20030053039A1; TW556267B; EP1293829A3; KR100591677B1; EP1293829A2

Abstract

PURPOSE: To provide a peripheral projection aligner for preventing a region that does not require exposure inside a wafer from being exposed even if the wafer with a notch is placed on a rotary stage in any direction. CONSTITUTION: An exposure light irradiation section 2 is integrated with a wafer edge detection means 4 and a notch detection means 9. The wafer edge detection means 4 follows the edge of a wafer W for moving, and exposes the peripheral section of the edge of the wafer W by exposure light being irradiated from the exposure light irradiation section 2. In the start of exposure, even if the wafer edge detection means 4 detects the wafer edge, the exposure light is not immediately irradiated, and the exposure is started after the wafer W is rotated by a specified amount. Additionally, when the output signal of the notch detection means 9 changes during rotation, exposure is started from a preset exposure start position according to the changing state, the following operation of the wafer edge detection means 4 is stopped until the end position of the notch is reached when the irradiation region of the exposure light reaches the notch start position; and control is conducted so that the exposure is not made to a region that does not require exposure inside the wafer.

Description

Peripheral Exposure Device {PERIPHERAL EXPOSING DEVICE}

본 발명은 외주부에 V자형의 노치가 형성된 반도체 웨이퍼의 주변부에 도포된 포토 레지스트를 제거하기 위해 웨이퍼의 주변부를 노광하는 노치 부착 웨이퍼의 주변 노광 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a peripheral exposure apparatus of a notched wafer that exposes a peripheral portion of the wafer to remove photoresist applied to the peripheral portion of the semiconductor wafer having a V-shaped notch formed on the outer peripheral portion.

종래로부터, 도 13(a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 에지(E)에 추종시켜 노광광의 조사 영역(S)을 이동시켜, 포토 레지스트(R)가 도포된 웨이퍼(W)의 주변부를 소정의 노광폭(A)으로 노광하는 주변 노광 장치가 알려져 있다.Conventionally, as shown in Fig. 13A, the irradiation area S of exposure light is moved by following the edge E of the wafer W, so that the photoresist R is coated with the wafer W. As shown in FIG. BACKGROUND A peripheral exposure apparatus that exposes a peripheral portion at a predetermined exposure width A is known.

상기 종래의 주변 노광 장치는 웨이퍼(W)의 에지(E)를 항상 포착하면서, 웨이퍼(W)의 주변을 노광해 가므로, 외주부에 V자형의 노치(N)가 형성되어 포토 레지스트(R)가 도포된 웨이퍼(W)를 노광 처리하면, 노광광의 조사 영역(S)도 노치(N) 부분에서 V자 형상으로 이동한다. 이 때문에, 도 13(b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W) 내부의 노광이 불필요한 영역(UE)까지 노광해 버리는 현상이 발생했다.The conventional peripheral exposure apparatus exposes the periphery of the wafer W while always capturing the edge E of the wafer W. Therefore, a V-shaped notch N is formed in the outer circumferential portion to form the photoresist R. When the wafer W to which the has been applied is subjected to exposure treatment, the irradiation area S of the exposure light also moves in a V shape at the notch N portion. For this reason, as shown to FIG. 13 (b), the phenomenon which exposes to the area | region UE where the exposure inside the wafer W is unnecessary is generated.

따라서, 상기 영역(UE) 부근에는 반도체 소자 형성 영역(회로 등의 패턴)을 설치할 수 없어, 반도체 소자의 생산성 향상을 방해하는 원인이 되어 왔다.Therefore, the semiconductor element formation region (pattern, such as a circuit) cannot be provided near the said area | region UE, and it has become a cause which hinders the productivity improvement of a semiconductor element.

따라서, 본 출원인은 먼저 웨이퍼의 노치 부분에서 조사 영역이 V자 형상으로 이동하지 않는 즉, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 부분까지 노광해 버리지 않는 주변 노광 장치를 제안했다(일본국 특원 2001-151037호).Therefore, the present applicant first proposed a peripheral exposure apparatus in which the irradiation region does not move to a V shape in the notched portion of the wafer, that is, does not expose to the portion where the exposure inside the wafer is unnecessary (Japanese Patent Application No. 2001-151037). .

이하, 상기 특원 2001-151037호에서 개시한 주변 노광 장치에서 웨이퍼 주변부의 노광 처리의 개요를 도 14에 의해 설명한다.Hereinafter, the outline | summary of the exposure process of the peripheral part of a wafer in the peripheral exposure apparatus disclosed by the said patent application 2001-151037 is demonstrated by FIG.

상기 주변 노광 장치에 있어서, 웨이퍼 주변부를 노광하는 노광광 조사부는, 웨이퍼의 에지(E)를 검출하기 위한 웨이퍼 에지 검지 수단과 일체로 설치되고, 웨이퍼 에지 검지 수단은 웨이퍼(W)의 에지(E)에 추종하여 웨이퍼(W)의 에지의 접선에 대하여 대략 직각 방향으로 이동한다. 따라서, 상기 노광광 조사부로부터 조사되는 조사 영역(S)을 가지는 노광광은 웨이퍼 에지 검지 수단과 동일 방향으로 동일 양만큼 이동하여, 웨이퍼 에지(E)의 주변부를 노광한다.In the peripheral exposure apparatus, an exposure light irradiation unit for exposing a wafer peripheral portion is provided integrally with wafer edge detection means for detecting the edge E of the wafer, and the wafer edge detection means is an edge E of the wafer W. ) Moves in a direction substantially perpendicular to the tangent of the edge of the wafer W. Therefore, the exposure light having the irradiation area S irradiated from the exposure light irradiation part moves in the same direction as the wafer edge detection means by the same amount to expose the peripheral portion of the wafer edge E. FIG.

또, 웨이퍼 에지 검지 수단의 상류측에 웨이퍼의 노치를 검출하기 위한 노치 검지 수단이 설치된다. 또, 이하에서는 웨이퍼가 회전할 때, 웨이퍼 에지 검지 수단에 근접해 가는 쪽의 웨이퍼 주변부를 상류, 웨이퍼 에지 검지 수단으로부터 멀어지는 쪽의 웨이퍼 주변부를 하류라 한다.Moreover, notch detecting means for detecting the notch of the wafer is provided on the upstream side of the wafer edge detecting means. In the following description, the wafer peripheral portion closer to the wafer edge detection means is upstream and the wafer peripheral portion away from the wafer edge detection means is called downstream when the wafer rotates.

상기 노치 검지 수단은 웨이퍼 에지 검지 수단 및 노광광 조사부와 일체로 설치되고, 상기 웨이퍼 에지 검지 수단과 동기하여, 웨이퍼(W)의 에지 접선에 대해 대략 직각 방향으로 이동한다.The notch detecting means is provided integrally with the wafer edge detecting means and the exposure light irradiation part, and moves in a direction substantially perpendicular to the edge tangent of the wafer W in synchronization with the wafer edge detecting means.

이하에서는, 상기 주변 노광 장치에 의해, 외주부에 노치가 형성되어, 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼의 에지를 검지하면서, 웨이퍼의 주변부를 노광해가는 양태를 설명한다. 또, 도 14는 웨이퍼의 노치 부분을 확대하여 도시하고 있다.Below, the aspect which exposes the periphery of a wafer is formed by the said peripheral exposure apparatus, the notch is formed in the outer peripheral part, and detects the edge of the wafer to which the photoresist was apply | coated. 14 shows an enlarged notch portion of the wafer.

처리 스테이지상에 놓인 웨이퍼(W)는 도 14에 도시한 바와 같이 시계 방향으로 회전하고, 웨이퍼 에지 검지 수단은 ○의 위치에서 웨이퍼(W)의 에지(E)를 검지하고 있다. 노광광 조사부로부터 출사되는 노광광의 조사 영역(S)은 웨이퍼(W) 표면상에서 상기 ○의 위치와 거의 동일 위치에 있다.The wafer W placed on the processing stage rotates in the clockwise direction as shown in FIG. 14, and the wafer edge detecting means detects the edge E of the wafer W at the position of ○. The irradiation area S of the exposure light emitted from the exposure light irradiation part is almost at the same position as the above ○ position on the wafer W surface.

또, 노치 검지 수단은 웨이퍼(W)의 상류측, 즉 ◎의 위치에서 웨이퍼(W)의 에지(E)를 검지하고 있다.In addition, the notch detecting means detects the edge E of the wafer W at an upstream side of the wafer W, that is, at a position of?.

(1) 도 14(a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼의 노치 이외의 에지 부분을 노치 검지 수단이 검지하고 있는 경우.(1) As shown in Fig. 14A, when the notch detecting means detects edge portions other than the notch of the wafer.

웨이퍼 에지 검지 수단은 웨이퍼 에지(E)에 추종하여 웨이퍼(W)의 에지의 접선에 대해 대략 직각 방향으로 이동하고, 이것과 일체로 설치된 노광광 조사부는 웨이퍼 에지 검지 수단과 함께 이동한다. 따라서, 노광광 조사부로부터 조사되는 노광광의 조사 영역(S)은 웨이퍼 에지(E)에 추종하여 이동하여, 동 도면에 도시한 바와 같이 웨이퍼 주변부가 노광된다.The wafer edge detection means follows the wafer edge E and moves in a direction substantially perpendicular to the tangent of the edge of the wafer W, and the exposure light irradiation part integrally provided therewith moves with the wafer edge detection means. Therefore, the irradiation area S of exposure light irradiated from the exposure light irradiation part follows the wafer edge E, and moves, and the wafer peripheral part is exposed as shown in the figure.

(2) 도 14(b)에 도시한 바와 같이, 노치 검지 수단이 웨이퍼의 노치의 시작부에 도달한 경우.(2) As shown in Fig. 14B, when the notch detecting means reaches the beginning of the notch of the wafer.

웨이퍼(W)가 시계 방향으로 회전하여, 웨이퍼(W)의 노치(N)의 시작부(Ns)가 노치 검지 수단(9)의 검지 위치(◎)에 도달하면, 노치 검지 수단이 온 신호를 출력한다. 이에 따라, 도시하지 않은 제어부가 웨이퍼(W)의 회전 속도와, 노치 검지 수단의 검지 위치(◎)와 웨이퍼 에지 검지 수단의 검지 위치(○)의 간격(이 예의 경우, 5mm)으로부터 노광광의 조사 영역(S)이 노치(N)의 시작부(Ns)에 도달하기까지의 시간(T1)을 산출한다.When the wafer W rotates in the clockwise direction and the start portion Ns of the notch N of the wafer W reaches the detection position ◎ of the notch detection means 9, the notch detection means generates an on signal. Output As a result, the control unit (not shown) irradiates the exposure light from the rotational speed of the wafer W, the detection position (◎) of the notch detection means and the detection position (○) of the wafer edge detection means (5 mm in this example). The time T1 until the area S reaches the start portion Ns of the notch N is calculated.

(3) 도 14(c)에 도시한 바와 같이, 노치 검지 수단이 노치의 시작부에 도달한 후, 시간(T1)을 경과한 경우.(3) As shown in Fig. 14C, when the notch detecting means has elapsed time T1 after reaching the start of the notch.

노치 검지 수단이 노치(N)의 시작부(Ns)에 도달한 후, 시간(T1)을 경과하면, 노광광의 조사 영역(S)이 노치(N)의 시작부(Ns)에 도달한다. 이에 따라, 도시하지 않은 제어부는 웨이퍼 에지 검지 수단의 웨이퍼(W)의 에지(E)로의 추종 동작을 정지시킨다. 이 때문에, 웨이퍼 에지 검지 수단 및 노광광의 조사 영역(S)은 노치(N)에 추종하지 않고, 웨이퍼(W)의 노치(N)의 직전 부분의 에지(E)의 접선을 따라 이동하게 된다.After the notch detecting means reaches the start portion Ns of the notch N, when the time T1 elapses, the irradiation area S of the exposure light reaches the start portion Ns of the notch N. Thereby, the control part which is not shown in figure stops the tracking operation | movement to the edge E of the wafer W of the wafer edge detection means. For this reason, the wafer edge detection means and the exposure area S of the exposure light do not follow the notch N, but move along the tangent of the edge E of the portion immediately before the notch N of the wafer W. FIG.

또, 상기 제어부는 웨이퍼 에지 검지 수단의 추종 동작을 정지하고 나서 재개하는 시간(T2)을 연산한다. 예컨대, 노치(N)의 절결 치수와, 웨이퍼(W)의 회전 속도에 따라, 노광광의 조사 영역(S)이 노치(N)의 시작부(Ns)에서 종료부(Ne)에 이르기까지의 시간(T2)을 구한다.Moreover, the said control part calculates time T2 which restarts after stopping the tracking operation of the wafer edge detection means. For example, the time from the start portion Ns of the notch N to the end portion Ne of the notched light N depending on the cutout dimension of the notch N and the rotational speed of the wafer W. Find (T2).

(4) 도 14(d)에 도시한 바와 같이, 노광광의 조사 영역이 노치의 시작부에 도달한 후, 시간(T2)을 경과한 경우.(4) As shown in Fig. 14 (d), when the time T2 elapses after the irradiation area of the exposure light reaches the start of the notch.

노광광의 조사 영역(S)이 N의 시작부에 이른 후, 시간(T2)을 경과하면, 노광광의 조사 영역(S)은 노치(N)의 종료부(Ne)에 도달한다.After the time T2 passes after the irradiation area S of the exposure light reaches the beginning of N, the irradiation area S of the exposure light reaches the end Ne of the notch N.

도시하지 않은 제어부는 웨이퍼 에지 검지 수단의 추종 동작을 재개시킨다. 이에 따라, 웨이퍼 에지 검지 수단은 웨이퍼 에지(E)에 추종하여 이동하고, 상기 도 14(a)에 도시한 바와 같이, 노광광 조사부로부터 조사되는 노광광의 조사 영역(S)은 웨이퍼 에지(E)에 추종하여 이동하여, 동 도면에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 주변부가 노광된다.The control unit (not shown) resumes the tracking operation of the wafer edge detection means. As a result, the wafer edge detecting means follows the wafer edge E, and moves, and as shown in FIG. 14A, the irradiation area S of the exposure light irradiated from the exposure light irradiation unit is the wafer edge E. As shown in FIG. The wafer periphery is exposed as shown in the figure.

상기와 같이, 노치의 시작를 나타내는 신호를 받아 소정 시간 경과한 후, 즉 노광광의 조사 영역(S)이 노치(N)의 시작부(Ns)에 도달했을 때, 웨이퍼 에지 검지 수단의 추종 동작을 정지시키고, 또 소정 시간 경과 후, 즉 노광광의 조사 영역(S)이 노치(N)의 종료부(Ne)에 도달했을 때, 웨이퍼 에지 검지 수단의 추종 동작을 재개시킴으로써, 웨이퍼의 노치 부분에서 조사 영역이 노치에 추종하여 V자 형상으로 이동하지 않아, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리지 않는다.As described above, after the predetermined time has elapsed after receiving the signal indicating the start of the notch, that is, when the exposure area S of the exposure light reaches the start portion Ns of the notch N, the following operation of the wafer edge detection means is stopped. Further, after a predetermined time elapses, that is, when the exposure area S of the exposure light reaches the end portion Ne of the notch N, the following operation of the wafer edge detection means is resumed, whereby the irradiation area at the notched portion of the wafer is resumed. It follows this notch and does not move to a V shape, and does not expose to the area | region where the exposure inside a wafer is unnecessary.

상기 주변 노광 장치에서는, 주변 노광 처리를 개시할 때, 웨이퍼 에지 검지 수단이 웨이퍼의 직경 방향으로 이동한다. 웨이퍼 에지 검지 수단이 웨이퍼 에지를 검출하면, 웨이퍼 에지 검지 수단은 웨이퍼의 직경 방향으로의 이동을 정지한다. 그리고, 에지의 검출이 가능했던 위치에서 노광광의 조사를 개시하여, 주변노광 처리를 개시한다.In the peripheral exposure apparatus, when starting the peripheral exposure processing, the wafer edge detection means moves in the radial direction of the wafer. When the wafer edge detection means detects the wafer edge, the wafer edge detection means stops the movement in the radial direction of the wafer. Then, irradiation of exposure light is started at the position where the edge can be detected, and the peripheral exposure process is started.

그러나, 통상, 주변 노광 장치의 회전 처리 스테이지에 노치 부착 웨이퍼(W)가 놓였을 때, 노치(N)의 위치(노치를 어느 방향을 향해 재치하는가)는 결정되지 않는다.However, when the notched wafer W is placed on the rotational stage of the peripheral exposure apparatus, the position of the notch N (in which direction the notch is placed) is not determined.

따라서, 노광 처리의 개시시, 웨이퍼 에지를 검출한 위치에서, 이하의 (a)∼(c)와 같이, 웨이퍼 에지 검지 수단 또는 노치 검지 수단이 노치(N)의 근방에 있는 상태인 경우에는, 노치 검지 수단이 웨이퍼 에지 검지 수단에 앞서 노치의 시작 위치를 검출할 수 없으므로, 웨이퍼 에지 검지 수단의 추종 동작의 정지 제어를 할 수 없다. 즉, 상기한 노치를 따르지 않는(이하, 「노치를 무시한」이라 부르는 경우가 있다) 주변 노광을 할 수 없다.Accordingly, when the wafer edge detection means or the notch detection means is in the vicinity of the notch N at the position where the wafer edge is detected at the start of the exposure process, as shown below (a) to (c), Since the notch detecting means cannot detect the start position of the notch prior to the wafer edge detecting means, the stop control of the following operation of the wafer edge detecting means cannot be performed. In other words, peripheral exposure that does not follow the above notch (hereinafter sometimes referred to as "ignoring the notch") cannot be performed.

(a) 웨이퍼 에지 검지 수단의 위치와 노치의 위치가 일치하는 경우.(a) When the position of the wafer edge detection means and the position of the notch coincide.

(b) 노치 검지 수단과 웨이퍼 에지 검지 수단과의 사이에 노치가 있는 경우.(b) When there is a notch between the notch detecting means and the wafer edge detecting means.

(c) 노치 검지 수단의 위치와 노치의 위치가 일치하는 경우.(c) the position of the notch detecting means coincides with the position of the notch.

또, 상기에서는 상기한 바와 같이 웨이퍼 에지 검지 수단이 웨이퍼 에지를 검출하는 위치와, 웨이퍼의 주변부를 노광하는 노광광이 조사되는 위치는 일치하는 것으로 한다.In addition, as mentioned above, the position where a wafer edge detection means detects a wafer edge, and the position to which the exposure light which exposes the periphery part of a wafer are irradiated shall agree.

이상과 같이, 상기한 종래의 주변 노광 처리에서는, 상기 (a)∼(c)의 경우에 노치를 무시한 주변 노광을 할 수 없어, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리는 현상이 발생한다.As described above, in the above-described conventional peripheral exposure processing, in the case of the above (a) to (c), the peripheral exposure ignoring the notch cannot be performed, and the phenomenon of exposing to an area where the exposure inside the wafer is unnecessary occurs.

본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 본발명의 목적은 상기 (a)∼(c)와 같이 웨이퍼 에지 검지 수단 또는 노치 검지 수단이 노치 근방에 있는 경우에서도, 노치를 무시한 주변 노광을 행할 수 있어, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리지 않는 주변 노광 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the problems of the prior art, and an object of the present invention is to ignore the notch even when the wafer edge detecting means or the notch detecting means is near the notch as in (a) to (c). The peripheral exposure apparatus which can perform exposure and does not expose to the area | region where exposure inside a wafer is unnecessary is provided.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서는 웨이퍼 에지 검지 수단이 웨이퍼 에지를 검지 후, 바로 노광광을 조사시키지 않고, 소정량 웨이퍼를 회전하여, 그 후 노광을 개시한다. 또, 상기 회전중에 상기 노치 검지 수단의 출력 신호가 변화한 경우에는, 노치 검지 수단의 출력 변화의 타이밍으로부터 노치의 개시 위치를 검지할 수 있으므로, 이 출력 신호의 변화 상태에 따라 미리 설정한 노광 개시 위치에서 웨이퍼 노광광의 조사를 개시시켜, 조사 영역이 노치 개시 위치에 도달하면, 상기한 노치 무시 제어를 행한다.In order to solve the said subject, in this invention, after a wafer edge detection means detects a wafer edge, a predetermined amount of wafers are rotated without irradiating exposure light immediately, and exposure is started after that. When the output signal of the notch detecting means changes during the rotation, the start position of the notch can be detected from the timing of the output change of the notch detecting means, so that the exposure start set in advance in accordance with the change state of this output signal. Irradiation of the wafer exposure light is started at the position, and the above-mentioned notch disregard control is performed when the irradiation region reaches the notch starting position.

또, 상기 소정량은 적어도 웨이퍼 에지 검지 수단과 노치 검지 수단과의 간격에 상당하는 거리(D1)보다도 크지 않으면 안된다.The predetermined amount must be at least greater than the distance D1 corresponding to the distance between the wafer edge detection means and the notch detection means.

상기와 같이 하면, 상기 (a)∼(c)의 상태에서도 다음과 같이 하여, 노치를 무시한 주변 노광을 행하는 것이 가능하게 되어, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리는 경우가 없다.In this manner, even in the above-mentioned states (a) to (c), it is possible to perform the peripheral exposure ignoring the notch as follows, so that the exposure inside the wafer is not exposed to an area where unnecessary exposure is required.

(1) 상기 (a)와 같이 웨이퍼 에지 검지 수단의 위치와 노치의 위치가 일치하고 있는 경우.(1) When the position of the wafer edge detection means and the position of the notch coincide as in (a) above.

웨이퍼 에지 검지 수단이 웨이퍼 에지를 검출한 위치에서 소정량((D1 + α)(여기에서 α는 조립이나 제어의 오차를 흡수하기 위해, 실험 등에 의해 구한 여유도이다))만큼 웨이퍼를 회전함으로써, 웨이퍼 에지 검지 수단이 노치에서 어긋난다. 여기에서 노광을 개시한다. 노광 개시 후, 웨이퍼가 거의 1회전할 무렵에 노치 검지 수단이 노치를 검출하므로, 상기한 바와 같이 노광광 조사부의 이동을 정지하여, 노치부를 따르지 않고 노광을 행한다.The wafer edge detection means rotates the wafer by a predetermined amount ((D1 + α) (where α is a margin obtained by experiment or the like to absorb the error of assembly or control) at the position where the wafer edge is detected. The wafer edge detection means is shifted from the notch. Here, exposure is started. Since the notch detecting means detects the notch at about one rotation of the wafer after the start of exposure, the movement of the exposure light irradiating portion is stopped as described above, and exposure is performed without following the notch portion.

(2) 상기 (b)와 같이 노치 검지 수단과 웨이퍼 에지 검지 수단과의 사이에 노치가 있는 경우(2) When there is a notch between the notch detecting means and the wafer edge detecting means as in (b) above

소정량(D1 + α)만큼 웨이퍼를 회전함으로써, (1)의 경우와 마찬가지로, 노치가 웨이퍼 에지 검지 수단의 위치를 통과하여 웨이퍼 에지 검지 수단은 노치 이외의 위치에 온다. 여기에서 노광을 개시한다. 노광 개시 후, 웨이퍼가 거의 1회전할 무렵에 노치 검지 수단이 노치를 검출하므로, 상기한 바와 같이 노광광 조사부의 이동을 정지하여 노치부를 따르지 않고 노광을 행한다.By rotating the wafer by the predetermined amount D1 + α, the notch passes through the position of the wafer edge detecting means as in the case of (1), and the wafer edge detecting means comes to a position other than the notch. Here, exposure is started. Since the notch detecting means detects the notch at about one rotation of the wafer after the start of exposure, the movement of the exposure light irradiating portion is stopped as described above and exposure is performed without following the notch portion.

(3) 상기 (c)와 같이, 노치 검지 수단의 위치와 노치의 위치가 일치하는 경우.(3) When the position of the notch detecting means coincides with the position of the notch as in (c) above.

이 경우, 웨이퍼 에지 검지 수단이 웨이퍼 에지를 검출한 시점에서, 노치 검지 수단은 노치 검출 신호를 출력한다. 그러나, 노치의 개지점은 알 수 없으므로, 노광광 조사부의 이동을 정지할 타이밍이 불명확하다.In this case, at the time when the wafer edge detection means detects the wafer edge, the notch detection means outputs a notch detection signal. However, since the opening point of a notch is unknown, the timing to stop the movement of an exposure light irradiation part is unclear.

따라서, 상기한 바와 같이 소정량(D1 + α)만큼 웨이퍼를 회전시킨 후, 또 적어도 노치의 폭에 상당하는 양(D2 + α)만큼 웨이퍼를 회전시킨다. 이에 따라, 노치가 웨이퍼 에지 검지 수단의 위치를 통과하여 웨이퍼 에지 검지 수단은 노치 이외의 위치에 오므로, 이 위치에서 노광을 개시한다. 그리고, 노광 개시 후, 웨이퍼가 거의 1회전할 무렵에 노치 검지 수단이 노치를 검출하므로, 상기한 바와 같이 노광광 조사부의 이동을 정지하여 노치 무시 제어를 행한다.Therefore, the wafer is rotated by the predetermined amount D1 + α as described above, and then the wafer is rotated at least by the amount D2 + α corresponding to the width of the notch. As a result, the notch passes through the position of the wafer edge detection means, and the wafer edge detection means comes to a position other than the notch, so that exposure is started at this position. Since the notch detecting means detects the notch at about one rotation of the wafer after the start of exposure, the movement of the exposure light irradiation unit is stopped as described above, and the notch disregard control is performed.

또, 이 경우에는 상기 소정량 (D1 + α)만큼 웨이퍼를 회전시키는 사이에 노치 검지 수단의 출력이 오프가 되어, 이 타이밍과 노치 폭 등으로부터 노치의 개시 위치를 알 수 있다. 따라서, 상기한 바와 같이 웨이퍼를 적어로 노치의 폭에 상당하는 양(D2 + α)만큼 회전시키는 대신에, 상기와 같이 하여 구한 노치 개시 위치에 노광광의 조사 영역이 왔을 때에, 상기 노치 무시 제어를 개시하도록 해도 좋다.In this case, the output of the notch detecting means is turned off while the wafer is rotated by the predetermined amount (D1 + α), and the start position of the notch can be known from the timing and the notch width. Therefore, instead of rotating the wafer by the amount D2 + α corresponding to the width of the notch as described above, the notch disregard control is performed when the exposure area of the exposure light comes to the notch start position determined as described above. You may start.

상기 (a)∼(c)의 상태는 웨이퍼 에지를 검출했을 때의 상태이지만, 웨이퍼를 소정량 회전시킨 시점에서 상기 (a)∼(c)의 상태가 되는 경우도 있다. 그러나, 이 경우에는 웨이퍼가 소정량 회전하는 사이에 노치 검지 수단의 출력 상태가 변화하므로, 이 출력의 변화로부터 노광광의 조사 영역과 노치의 상대위치를 구할 수 있다. 따라서, 상기 구한 노광광의 조사 영역과 노치의 상대 위치에 따라 노광 개시 시점을 구하여, 상기한 노치 무시 제어를 행함으로써, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리는 문제를 회피할 수 있다.Although the state of said (a)-(c) is a state at the time of detecting a wafer edge, it may be in the state of said (a)-(c) at the time of rotating a predetermined amount of wafers. In this case, however, the output state of the notch detecting means changes while the wafer is rotated by a predetermined amount, so that the relative position of the exposure area of the exposure light and the notch can be obtained from the change of this output. Therefore, the problem of exposing the exposure not only to the area | region which does not require exposure inside a wafer can be avoided by obtaining the exposure start time point according to the calculated | required exposure position of the exposure light, and the notch relative position.

구체적으로는, 노광 개시시 이하와 같이 제어하면 된다.Specifically, what is necessary is just to control as follows at the time of exposure start.

(A) 웨이퍼 에지 검출 후, 웨이퍼를 소정량(D1 + α) 회전시키는 사이에 노치 검지 수단의 출력이 변화하지 않는 경우.(A) When the output of the notch detecting means does not change after the wafer edge detection, the wafer is rotated by a predetermined amount (D1 + α).

이 경우, (1) 노치부가 전혀 관여하지 않는 경우, (2) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단과 웨이퍼 에지 검지 수단과의 사이에 노치가 있는 경우, (3) 웨이퍼 에지 검출시, 웨이퍼 에지 검지 수단의 위치와 노치의 위치가 일치하는 경우 중 어느 하나이고, 상기 (1)의 경우는 노치부가 전혀 관여하지 않으므로, 웨이퍼를 소정량(D1 + α) 회전시킨 후, 바로 노광을 개시해도 문제는 발생하지 않는다.In this case, (1) when the notch is not involved at all, (2) when there is a notch between the notch detection means and the wafer edge detection means at the time of wafer edge detection, and (3) the wafer edge detection at the time of wafer edge detection. The position of the means coincides with the position of the notch, and in the case of (1), since the notch is not involved at all, even if the exposure is started immediately after rotating the wafer by a predetermined amount (D1 + α), the problem is Does not occur.

또, 상기 (2), (3)은 각각 상기 (a), (b)의 상태의 경우이므로, 마찬가지로 웨이퍼를 소정량(D1 + α) 회전시킨 후, 노광을 개시해도 문제는 발생하지 않는다.Moreover, since said (2) and (3) are the cases of said (a) and (b), respectively, similarly, even if exposure starts after rotating a predetermined amount (D1 + (alpha)), a problem does not arise.

(B) 웨이퍼 에지 검출 후, 웨이퍼를 소정량(D1 + α) 회전시키는 사이에 노치 검지 수단의 출력이 변화하는 경우.(B) In the case where the output of the notch detecting means changes while the wafer is rotated by a predetermined amount (D1 + α) after wafer edge detection.

이 경우는 노치 검지 수단의 출력으로부터 조사 영역과 노치 개시 위치와의 상대 거리를 구할 수 있으므로, 노치 검지 수단이 출력을 발생했을 때에 바로 노광을 개시해도 상기한 노치 무시 제어를 행할 수 있어, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리는 문제를 회피할 수 있다.In this case, since the relative distance between the irradiated area and the notch starting position can be determined from the output of the notch detecting means, the above-mentioned notch disregard control can be performed even if the notch detecting means immediately starts exposure when the output is generated. The problem of exposing to an area where exposure is unnecessary can be avoided.

그러나, 제어 시퀀스의 간단화를 고려하여, 실용적으로는 이하와 같이 노광을 개시하는 시점을 설정할 수 있다.However, in consideration of the simplification of the control sequence, it is practically possible to set a time point at which exposure is started as follows.

(1) 상기 (A)와 마찬가지로, 웨이퍼를 소정량 (D1 + α) 회전시킨 후, 노광을 개시한다. 그리고, 상기 회전 중에 노치 검지 수단이 출력을 발생하면, 그 출력으로부터 조사 영역과 노치 개시 위치와의 상대 위치를 구한다. 그리고, 조사 영역이 노치 개시 위치에 도달하면 상기한 노치 무시 제어를 행한다.(1) Similarly to the above (A), exposure is started after the wafer is rotated by a predetermined amount (D1 + α). And when the notch detection means produces an output during the said rotation, the relative position of a irradiation area and a notch starting position is calculated | required from the output. When the irradiation area reaches the notch start position, the above-described notch disregard control is performed.

이 경우는 상기 (3)의 경우(노치 검지 수단의 위치와 노치의 위치가 일치하는 경우)를 제외하고, 웨이퍼를 소정량(D1 + α) 회전시킨 후, 노광을 개시하도록 하고 있으므로, 비교적 제어 시퀀스가 간단해진다.In this case, except that in the case of (3) above (when the position of the notch detecting means coincides with the position of the notch), exposure is started after the wafer is rotated by a predetermined amount (D1 + α), and therefore, relatively controlled. The sequence is simplified.

(2) 상기 (A)와 마찬가지로, 웨이퍼를 소정량 (D1 + α) 회전시킨 후, 또 웨이퍼를 상기한 노치의 폭에 상당하는 양(D2 + α)만큼 회전시킨 후, 노광을 개시한다. 그리고, 조사 영역이 노치 개시 위치에 이르면, 상기한 노치 무시 제어를 행한다.(2) Similarly to the above (A), after the wafer is rotated by a predetermined amount (D1 + α), and after the wafer is rotated by an amount (D2 + α) corresponding to the width of the notch described above, exposure is started. When the irradiation area reaches the notch starting position, the above-described notch disregard control is performed.

이 경우는 모든 케이스에서 웨이퍼를 소정량(D1 + α) 회전시키고, 또 상기한 노치의 폭에 상당하는 양(D2 + α) 회전시킨 후, 노광을 개시하고 있으므로, 제어 시퀀스가 가장 간단해진다. 단, 노광 개시하는 시점이 늦어지므로 생산성은 저하한다.In this case, since the wafer is rotated by a predetermined amount (D1 + α) in all cases and rotated by an amount (D2 + α) corresponding to the width of the notch, the control sequence is the simplest. However, since the starting point of exposure is delayed, productivity is lowered.

(3) 노치 검지 수단의 출력 신호가 변화했을 때에 바로 노광을 개시한다.(3) Exposure immediately starts when the output signal of the notch detecting means changes.

이것은 상기한 노치 검지 수단이 출력을 발생했을 때에 바로 노광을 개시하는 경우로, 상기 (1), (2)에 비해, 노광 개시의 시점을 빨리 할 수 있으므로, 스풀 업은 향상한다. 그러나, 제어 시퀀스는 상기 (1), (2)와 비교하여 복잡해진다.This is a case where exposure starts immediately when the above-mentioned notch detecting means generates an output, and compared with said (1) and (2), the time of an exposure start can be made earlier, and a spool up improves. However, the control sequence is complicated compared with the above (1) and (2).

도 1은 본 발명의 전제가 되는 주변 노광 장치의 개략 구성을 도시한 도면,1 is a diagram showing a schematic configuration of a peripheral exposure apparatus that is a premise of the present invention;

도 2는 본 발명의 주변 노광 장치의 제어부의 개략 구성을 도시한 도면,2 is a diagram showing a schematic configuration of a control unit of the peripheral exposure apparatus of the present invention;

도 3은 웨이퍼 에지 검지 수단과 노치 검지 수단의 구성예를 도시한 도면,3 is a diagram showing a configuration example of a wafer edge detecting means and a notch detecting means;

도 4는 본 발명의 제1 실시예의 웨이퍼 에지 검출시의 동작을 설명하는 도면,4 is a diagram for explaining an operation during wafer edge detection in the first embodiment of the present invention;

도 5는 제1 실시예의 변형예를 설명하는 도면,5 is a view for explaining a modification of the first embodiment;

도 6은 제1 실시예의 연산 처리부의 처리를 도시하는 플로우챠트(1),6 is a flowchart 1 showing the processing of the arithmetic processing unit in the first embodiment,

도 7은 제1 실시예의 연산 처리부의 처리를 도시하는 플로우챠트(2),7 is a flowchart 2 showing the processing of the arithmetic processing unit in the first embodiment,

도 8은 본 발명의 제2 실시예의 웨이퍼 에지 검출시의 동작을 설명하는 도면,8 is a view for explaining an operation during wafer edge detection in the second embodiment of the present invention;

도 9는 제2 실시예의 연산 처리부의 처리를 도시하는 플로우챠트,9 is a flowchart showing processing of the arithmetic processing unit in the second embodiment;

도 10은 본 발명의 제3 실시예의 웨이퍼 에지 검출시의 동작을 설명하는 도면,FIG. 10 is a diagram for explaining an operation during wafer edge detection of the third embodiment of the present invention; FIG.

도 11은 제3 실시예의 연산 처리부의 처리를 도시하는 플로우챠트(1),11 is a flowchart 1 showing the processing of the arithmetic processing unit in the third embodiment,

도 12는 제3 실시예의 연산 처리부의 처리를 도시하는 플로우챠트(2),12 is a flowchart 2 showing the processing of the arithmetic processing unit in the third embodiment,

도 13은 종래의 주변 노광 장치에 의해 웨이퍼의 주변이 노광되는 양태를 도시하는 도면,FIG. 13 is a diagram showing an aspect in which the periphery of a wafer is exposed by a conventional peripheral exposure apparatus; FIG.

도 14는 노치 부분에서 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 부분까지 노광해 버리지 않는 종래의 주변 노광 장치에 의해 웨이퍼 주변이 노광되는 양태를 도시한 도면이다.FIG. 14 is a diagram showing an aspect in which the periphery of the wafer is exposed by a conventional peripheral exposure apparatus that does not expose the notched portion to an unnecessary portion of the wafer.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1 : 광원부 11 : 램프1 light source 11 lamp

12 : 집광경 13 : 라이트 가이드 화이버12: condenser 13: light guide fiber

13a : 라이트 가이드 화이버의 입사 단면13a: Incident cross section of the light guide fiber

13b : 라이트 가이드 화이버의 출사 단면13b: exit section of the light guide fiber

14 : 셔터 15 : 셔터 구동 기구14: shutter 15: shutter drive mechanism

2 : 노광광 조사부2: exposure light irradiation part

3 : 웨이퍼 에지 검지 수단의 구동 기구3: drive mechanism of wafer edge detection means

4 : 웨이퍼 에지 검지 수단4: wafer edge detection means

41, 91 : 투광부 42, 92 : 수광부41, 91: light transmitting portion 42, 92: light receiving portion

50 : 제어부 6 : 처리 스테이지50 control part 6: processing stage

61 : 처리 스테이지 회전 기구 7 : 입력부61 processing stage rotation mechanism 7 input unit

8 : 노광폭 설정 기구 9 : 노치 검지 수단8: exposure width setting mechanism 9: notch detecting means

A : 노광폭 AC1, AC2 : 증폭기A: exposure width AC1, AC2: amplifier

CC1 : 비교 회로 CPU : 연산 처리부CC1: comparison circuit CPU: arithmetic processing unit

D : 노광광 조사부의 이동 방향 E : 에지D: direction of movement of the exposure light irradiation portion E: edge

I1 : 설정값 L : 노치의 절결 치수I1: setting value L: cutout dimension of notch

MD1 : 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구 구동부MD1: wafer edge detection means moving mechanism drive unit

MD2 : 노광폭 설정 기구 구동부MD2: Exposure Width Setting Mechanism Driver

MD3 : 셔터 구동 기구 구동부MD3: Shutter Drive Mechanism Driver

MD4 : 처리 스테이지 회전 기구 구동부MD4: Processing Stage Rotating Mechanism Drive Part

N : 노치 Ne : 노치의 종료부N: notch Ne: end of notch

Ns : 노치의 시작부 O : 웨이퍼의 중심Ns: beginning of notch O: center of wafer

PC : PID 회로 R : 포토 레지스트PC: PID Circuit R: Photoresist

S : 조사 영역 UE : 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역S: Irradiation area UE: Area where the exposure inside the wafer is unnecessary

W : 웨이퍼W: Wafer

도 1에 본 발명의 전제가 되는 주변 노광 장치의 개략 구성을 나타내고, 도 2에 본 발명의 주변 노광 장치의 제어부의 개략 구성을 나타낸다.The schematic structure of the peripheral exposure apparatus which becomes the premise of this invention in FIG. 1 is shown, and the schematic structure of the control part of the peripheral exposure apparatus of this invention is shown in FIG.

도 1, 도 2에 있어서, 광원부(1)에는 자외선을 포함하는 광을 방사하는 램프(11), 예컨대 정격 전력 250W의 초고압 수은 램프가 배치되고, 이 램프(11)로부터 방사광은 집광경(12)에 의해 라이트 가이드 화이버(13)의 입사 단면(13a)에 집광된다.1 and 2, the light source unit 1 is provided with a lamp 11 for emitting light containing ultraviolet rays, for example, an ultra-high pressure mercury lamp with a rated power of 250 W, and the emitted light from the lamp 11 is collected through a condenser 12. The light is focused on the incident end face 13a of the light guide fiber 13 by the light.

램프(11)와 라이트 가이드 화이버(13)의 입사 단면(13a)의 사이에는 셔터 구동 기구(15)의 구동에 의해 개폐되는 셔터(14)가 배치되어 있다.Between the lamp 11 and the incident end surface 13a of the light guide fiber 13, the shutter 14 which opens and closes by the drive of the shutter drive mechanism 15 is arrange | positioned.

그리고, 제어부(50) 내의 연산 처리부(CPU)로부터 셔터 구동 기구 구동부(MD3)에 셔터 오픈 신호가 송신되면, 셔터 구동 기구 구동부(MD3)가 셔터 구동 기구(15)를 구동하여, 셔터(14)를 연다.When the shutter open signal is transmitted from the arithmetic processing unit CPU in the control unit 50 to the shutter drive mechanism drive unit MD3, the shutter drive mechanism drive unit MD3 drives the shutter drive mechanism 15 to release the shutter 14. Open

이에 따라, 집광경(12)에 의해 집광된 광이 라이트 가이드 화이버(13)의 입사 단면(13a)에 입사하여 이 라이트 가이드 화이버(13)의 출사 단면(13b)에 부착된 노광광 조사부(2)에서 소정의 조사 영역(S)을 가지는 노광광이 되어 조사된다.As a result, the light collected by the condenser 12 enters the incident end face 13a of the light guide fiber 13 and is exposed to the exposure end face 13b attached to the exit end face 13b of the light guide fiber 13. Is irradiated with exposure light having a predetermined irradiation area (S).

노광광 조사부(2)는 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 일체로 설치되어, 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)에 의해 웨이퍼(W)의 에지(E)의 접선에 대해 대략 직각 방향, 즉 웨이퍼의 대략 중심 방향(O)을 향해(도 1 중의 양 화살표(D) 방향) 이동 가능하게 지지되어 있다.The exposure light irradiation part 2 is provided integrally with the wafer edge detection means 4, and the wafer edge detection means movement mechanism 3 is substantially perpendicular to the tangent of the edge E of the wafer W, that is, the wafer. It is supported so that a movement is possible toward the substantially center direction O (both arrows D direction in FIG. 1).

따라서, 노광광 조사부(2)로부터 조사되는 소정의 조사 영역(S)을 가지는 노광광은 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 동일 방향으로 동일 양만큼 이동한다.Therefore, the exposure light having the predetermined irradiation area S irradiated from the exposure light irradiation part 2 moves by the same amount in the same direction as the wafer edge detection means 4.

또, 상기 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 일체로 노치(N)의 검지만을 행하는 노치 검지 수단(9)이 설치되고 있다.Moreover, the notch detection means 9 which detects only the notch N integrally with the said wafer edge detection means 4 is provided.

한편, 처리 스테이지(6)상에는 외주부에 노치가 형성되어, 포토 레지스트(R)가 도포된 웨이퍼(W)가 놓여, 도시하지 않은 고정 수단 예컨대 진공 흡착에 의해 고정된다. 또, 처리 스테이지(6)는 처리 스테이지 회전 기구(61)에 의해 회전가능하게 지지되어 있다.On the other hand, a notch is formed on the outer periphery on the processing stage 6, and the wafer W coated with the photoresist R is placed, and is fixed by fixing means, for example, vacuum suction, not shown. In addition, the processing stage 6 is rotatably supported by the processing stage rotating mechanism 61.

그리고, 제어부(50) 내의 연산 처리부(CPU)로부터 처리 스테이지 회전 기구구동부(MD4)에 스테이지 회전 개시 신호가 송신되면, 처리 스테이지 회전 기구 구동부(MD4)는 처리 스테이지 회전 기구(61)를 구동하여, 입력부(7)에 입력된 회전 속도, 회전 각도 또는 회전 횟수 등의 데이터에 따라 처리 스테이지(6)의 회전을 개시한다.When the stage rotation start signal is transmitted from the processing unit CPU in the control unit 50 to the processing stage rotation mechanism drive unit MD4, the processing stage rotation mechanism drive unit MD4 drives the processing stage rotation mechanism 61. The rotation of the processing stage 6 is started in accordance with data such as the rotation speed, the rotation angle or the number of rotations input to the input unit 7.

도 3에 상기 웨이퍼 에지 검지 수단과 노치 검지 수단의 구성예를 도시한다.3 shows an example of the configuration of the wafer edge detecting means and the notch detecting means.

웨이퍼 에지 검지 수단(4)은 센서광을 투광하는 투광부(41)와, 이 센서광을 수광하는 수광부(42)로 구성되고, 투광부(41)로부터 수광부(42)에 투광되는 센서광의 광량에 따라 증감하는 아날로그 신호를 제어부(50)에 출력한다.The wafer edge detecting means 4 is composed of a light transmitting portion 41 which transmits the sensor light, and a light receiving portion 42 which receives the sensor light, and the light amount of the sensor light which is transmitted from the light transmitting portion 41 to the light receiving portion 42. The analog signal which increases or decreases according to the above is output to the controller 50.

그리고, 도 2에 도시한 제어부(50)는 수광부(42)로부터의 상기 아날로그 신호를 증폭기(AC1)에 의해 예컨대 처리 스테이지(6)상에 놓인 웨이퍼(W)에 의해 완전히 차광된 경우에 얻어진 신호를 -5V, 완전히 차광되지 않은 경우에 얻어진 신호를 +5V로 증폭한다.And the control part 50 shown in FIG. 2 is a signal obtained when the said analog signal from the light receiving part 42 was completely shielded by the amplifier AC1, for example by the wafer W placed on the processing stage 6. Amplify the signal obtained at -5V and not completely shielded to + 5V.

상기 증폭기(AC1)에서 증폭된 상기 전압 신호는, PID 회로(PC)에서 연산처리되어, 상기 전압 신호를 일정 전압으로 하기 위한 제어 신호가 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구 구동부(MD1)에 출력된다.The voltage signal amplified by the amplifier AC1 is arithmetic processed by the PID circuit PC, and a control signal for setting the voltage signal to a constant voltage is output to the wafer edge detection means moving mechanism driver MD1.

제어부(50) 내의 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구 구동부(MD1)는 수광부(42)로부터의 신호가 예컨대 0V가 되는 위치, 즉 투광부(41)로부터의 센서광이 절반 차광되고, 나머지의 절반이 수광부(42)에 수광된 위치에 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 위치하도록 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)를 구동한다.In the wafer edge detection means moving mechanism drive unit MD1 in the control unit 50, a position where the signal from the light receiving unit 42 becomes 0V, that is, the sensor light from the light transmitting unit 41 is half-shielded, and the other half is the light receiving unit. The wafer edge detection means moving mechanism 3 is driven so that the wafer edge detection means 4 is located at the position received at 42.

따라서, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)은 항상 상술한 위치, 즉 웨이퍼(W)의 에지(E) 위치에 이동한다.Therefore, the wafer edge detecting means 4 always moves to the above-described position, that is, the position of the edge E of the wafer W. As shown in FIG.

또, 노치 검지 수단(9)은 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 마찬가지로, 센서광을 투광하는 투광부(91)와, 이 센서광을 수광하는 수광부(92)로 이루어진다. 그리고, 웨이퍼(W) 회전시, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)보다 먼저 웨이퍼(W)의 노치(N)를 검지할 수 있어, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 노치 검지 수단(9)의 간격이 노치(N)의 폭(Ф300mm 웨이퍼의 경우, 약 3.5mm, Ф200mm 웨이퍼의 경우, 약 3mm)보다도 넓어지는 위치, 예컨대 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 5mm정도 상류측으로 노치 검지 수단(9)은 설치된다. 여기에서, 노치 검지 수단(9)은 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 일체로 설치되므로, 웨이퍼 에지 근방에 센서광을 투광할 수 있다.In addition, the notch detecting means 9 includes a light transmitting portion 91 for transmitting sensor light and a light receiving portion 92 for receiving the sensor light, similarly to the wafer edge detecting means 4. At the time of rotation of the wafer W, the notch N of the wafer W can be detected before the wafer edge detection means 4, so that the gap between the wafer edge detection means 4 and the notch detection means 9 is reduced. A position wider than the width of the notch N (about 3.5 mm in the case of the Ф300mm wafer and about 3 mm in the case of the Ф200mm wafer), for example, as shown in FIG. The notch detecting means 9 is provided. Here, since the notch detecting means 9 is provided integrally with the wafer edge detecting means 4, the sensor light can be projected near the wafer edge.

도 2에 도시한 주변 노광 장치의 제어부(50)에는, 상기 노치 검지 수단(9)의 수광부(92)로부터의 신호를 처리하기 위한 증폭기(AC2), 비교 회로(CC1)가 설치된다. 비교 회로(CC1)는 입력된 신호값을 미리 설정된 설정값과 비교하여 설정값보다도 크면 노치(N)가 검지되었다고 하여 온 신호를, 작으면 오프 신호를 연산 처리부(CPU)에 출력하는 것이다.In the control unit 50 of the peripheral exposure apparatus shown in FIG. 2, an amplifier AC2 and a comparison circuit CC1 for processing a signal from the light receiving unit 92 of the notch detecting unit 9 are provided. The comparison circuit CC1 compares the input signal value with a preset setting value and outputs an on signal that the notch N is detected when it is larger than the set value and an off signal to the calculation processing unit CPU when it is small.

웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 수광부(42)로부터의 아날로그 신호와 마찬가지로, 노치 검지 수단(9)의 수광부(92)로부터의 아날로그 신호는 제어부(50) 내의 증폭기(AC2)에 의해 증폭되어, 비교 회로(CC1)에 입력된다.Similar to the analog signal from the light receiving portion 42 of the wafer edge detecting means 4, the analog signal from the light receiving portion 92 of the notch detecting means 9 is amplified by the amplifier AC2 in the control portion 50 and compared. It is input to the circuit CC1.

비교 회로(CC1)는 입력된 상기 신호의 값을 미리 설정된 설정값(I1)과 비교하여 설정값(I1)보다도 크면 온 신호를 연산 처리부(CPU)에 출력한다.The comparison circuit CC1 compares the value of the input signal with a preset setting value I1 and outputs an ON signal to the arithmetic processing unit CPU when it is larger than the setting value I1.

연산 처리부(CPU)는 온 신호가 입력되면 후술하는 계산을 행하여, 소정 시간 후에 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구 구동부(MD1)에 대하여, 동작 정지 신호를 출력하여, 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)의 동작을 정지시키고, 또 소정 시간 경과 후, 동작 재개 신호를 출력하여 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)의 동작을 재개한다.The arithmetic processing unit CPU performs the calculation described later when the ON signal is input, and outputs an operation stop signal to the wafer edge detecting means moving mechanism driving unit MD1 after a predetermined time, so that the wafer edge detecting means moving mechanism 3 The operation is stopped, and after a predetermined time elapses, an operation resume signal is output to resume the operation of the wafer edge detection means moving mechanism 3.

또, 연산 처리부(CPU)에는 상기 증폭기(AC1)의 출력이 입력되고, 연산 처리부(CPU)는 노광 처리의 개시시, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)에 의해 웨이퍼 에지가 검출되면, 후술하는 바와 같이 회전 스테이지를 소정량(상기 D1 + α) 회전시킨다. 그리고, 상기 소정량 회전 중에 노치 검지 수단(9)의 출력 신호가 변화하지 않는 경우, 회전 종료 후, 노광 처리를 개시시킨다. 또, 상기 소정량 회전 중에 노치 검지 수단(9)의 출력이 변화하면, 후술하는 바와 같이 노치 검지 수단의 출력의 변화 상태에 따른 타이밍에서 노광 처리를 개시시킨다.When the output of the amplifier AC1 is input to the arithmetic processing unit CPU, and the arithmetic processing unit CPU detects a wafer edge by the wafer edge detecting means 4 at the start of the exposure process, as described later. The rotation stage is rotated by a predetermined amount (the D1 + α). And if the output signal of the notch detection means 9 does not change during the said predetermined amount rotation, exposure processing is started after completion | finish of rotation. When the output of the notch detecting means 9 changes during the rotation of the predetermined amount, the exposure process is started at a timing corresponding to the change state of the output of the notch detecting means, as described later.

다음에, 상기 주변 노광 장치에 의한 웨이퍼 주변부의 노광 순서에 대해서 설명한다.Next, the exposure procedure of the peripheral part of a wafer by the said peripheral exposure apparatus is demonstrated.

(1) 처음에 웨이퍼 반송 및 재치 수단(도시하지 않음)에 의해, 외주부에 노치(N)가 형성되고, 포토 레지스트(R)가 도포된 웨이퍼(W)가 반송되어, 웨이퍼(W)의 중심(O)과 처리 스테이지(6)의 회전 중심이 대략 일치한 상태에서 처리 스테이지(6)상에 재치된다.(1) First, the notch N is formed in the outer peripheral portion by the wafer conveyance and placing means (not shown), and the wafer W to which the photoresist R is applied is conveyed, and the center of the wafer W is conveyed. It is mounted on the processing stage 6 in the state in which (O) and the rotation center of the processing stage 6 corresponded substantially.

(2) 다음에, 제어부(50) 내의 연산 처리부(CPU)로부터 노광폭 설정 기구 구동부(MD2)에, 노광폭 설정 개시 신호가 송신되면, 노광폭 설정 기구 구동부(MD2)는입력부(7)에 미리 입력되어 있던 노광폭(A)(노광을 행하는 웨이퍼(W)의 에지(E)로부터의 폭) 데이터에 따라 노광폭 설정 기구(8)를 구동하여 노광광의 조사 영역(S)을 원하는 위치(후술하는 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 웨이퍼(W)의 에지(E)를 포착했을 때에 웨이퍼(W)의 에지(E)로부터 폭(A)의 영역을 노광할 수 있는 위치)로 이동한다.(2) Next, when the exposure width setting start signal is transmitted from the arithmetic processing unit CPU in the control unit 50 to the exposure width setting mechanism driver MD2, the exposure width setting mechanism driver MD2 is sent to the input unit 7. The exposure width setting mechanism 8 is driven in accordance with the exposure width A (the width from the edge E of the wafer W to be exposed) which has been input in advance, so that the irradiation area S of the exposure light is desired. When the wafer edge detection means 4 mentioned later captures the edge E of the wafer W, it moves to the position which can expose the area | region of the width A from the edge E of the wafer W).

(3) 이어서, 제어부(50) 내의 연산 처리부(CPU)로부터 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구 구동부(MD1)에 웨이퍼 에지 검지 개시 신호가 송신되면, 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구 구동부(MD1)는 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)를 구동하여, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)을 웨이퍼(W)를 향해 이동시켜, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)에 의해 웨이퍼(W)의 에지(E) 위치의 검지를 개시한다.(3) Then, when a wafer edge detection start signal is transmitted from the arithmetic processing unit CPU in the control unit 50 to the wafer edge detection means moving mechanism driver MD1, the wafer edge detection means moving mechanism driver MD1 detects the wafer edge. By driving the means moving mechanism 3, the wafer edge detecting means 4 is moved toward the wafer W, and the wafer edge detecting means 4 starts detecting the position of the edge E of the wafer W. As shown in FIG. do.

(4) 제어부(50)는 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 수광부(42)로부터 웨이퍼(W)의 에지(E)를 포착하는 것을 나타내는 신호를 받으면, 상기한 바와 같이 회전 스테이지를 소정량 회전시킨다. 이 회전량은 적어도 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 노치 검지 수단(9)과의 간격(D1)(상기 도 14에서는 5mm)보다 큰 양이다.(4) When the control part 50 receives a signal indicating that the edge E of the wafer W is captured from the light receiving portion 42 of the wafer edge detection means 4, the controller 50 rotates the rotation stage by a predetermined amount. . This amount of rotation is an amount larger than at least the distance D1 (5 mm in FIG. 14) between the wafer edge detection means 4 and the notch detection means 9.

상기와 같이 웨이퍼 에지(E)를 검출하고 나서, 상기 소정량 회전 스테이지(6)를 회전시키고, 그 동안에 노치 검지 수단(9)의 출력이 변화하지 않은 경우에는, 회전을 종료시킨 후, 노광 처리를 개시시킨다.After detecting the wafer edge E as described above, the predetermined amount rotation stage 6 is rotated, and if the output of the notch detecting means 9 does not change in the meantime, the rotation is terminated, followed by exposure processing. Initiate.

또, 회전 스테이지(6)를 상기 소정량 회전시키는 동안에, 노치 검지 수단(9)의 출력이 변화한 경우에는 그 변화 상태로부터 웨이퍼 에지 검지 수단(4)에 대한 노치(N)의 상대 위치를 연산하여 노광 개시 위치를 결정하여, 노광 처리를 개시시킨다.In addition, when the output of the notch detecting means 9 changes while the rotation stage 6 is rotated by the predetermined amount, the relative position of the notch N with respect to the wafer edge detecting means 4 is calculated from the changed state. The exposure start position is determined to start the exposure process.

이에 따라, 노광 처리의 개시시 상기 (a)∼(c)의 상태에 있는 경우에서도, 노치 검지 수단(9)에 의해 노치가 검출되지 않은 채, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)에 의해 노치를 추종한 노광 처리를 행하지 않고, 상기한 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리는 문제를 회피할 수 있다. 또, 상기 노광 처리 개시시의 제어에 대해서는 후술한다.Accordingly, even in the state of (a) to (c) at the start of the exposure process, the notch is detected by the notch detecting means 9, and the notch is followed by the wafer edge detecting means 4. The problem of exposing to the area | region to which unnecessary exposure of the inside of a wafer is unnecessary can be avoided without performing an exposure process. In addition, the control at the time of starting the said exposure process is mentioned later.

노광을 개시하는 데는, 셔터 구동 기구(15)를 구동하여 셔터(14)를 열어, 노광광 조사부(2)를 통해 소정의 조사 영역(S)을 가지는 노광광을 웨이퍼(W)의 주변부에 조사한다.To start the exposure, the shutter driving mechanism 15 is driven to open the shutter 14, and the exposure light having the predetermined irradiation area S is exposed to the peripheral portion of the wafer W through the exposure light irradiation unit 2. do.

또, 제어부(50)는 셔터(14)를 열면 거의 동시에, 처리 스테이지 회전 기구(61)를 구동하여, 입력부(7)에 미리 입력되어 있던 회전 속도, 각도 범위에서 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 그 주변부를 노광해 간다.Moreover, the control part 50 drives the process stage rotation mechanism 61 at about the same time as opening the shutter 14, and rotates the wafer W in the rotational speed and angle range previously input to the input part 7, The peripheral part is exposed.

이 때, 제어부(50)는 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)를 제어하여, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 항상 웨이퍼(W)의 에지(E)를 포착하는 것을 나타내는 신호를 제어부(50)에 출력하는 위치에 웨이퍼 에지 검지 수단(4)을 이동시키고 있다. 또, 상술한 바와 같이 노광 처리 전에 노광광의 조사 영역(S)은 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 웨이퍼(W)의 에지(E)를 포착했을 때에, 웨이퍼(W)의 에지(E)로부터 폭(A)의 영역을 노광할 수 있는 위치로 이동되고, 또 노광 처리시에는 이 조사 영역(S)은 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 동기하여 동일 방향으로 동일 양만큼 이동하므로, 웨이퍼(W)의 에지(E)로부터 일정한 노광폭(A)으로 웨이퍼(W)의 주변부를 노광할 수 있다.At this time, the control part 50 controls the wafer edge detection means moving mechanism 3, and the control part 50 receives the signal which shows that the wafer edge detection means 4 always captures the edge E of the wafer W. As shown in FIG. The wafer edge detection means 4 is moved to the position to output to. In addition, as described above, the exposure area S of the exposure light is exposed from the edge E of the wafer W when the wafer edge detection means 4 captures the edge E of the wafer W before the exposure process. Since the irradiation area S is moved to the position where the area of (A) can be exposed, and during the exposure process, the irradiation area S moves in the same direction in the same direction in synchronization with the wafer edge detecting means 4, the wafer W The peripheral portion of the wafer W can be exposed at a constant exposure width A from the edge E of.

(5) 웨이퍼(W)의 주변부의 노광 처리가 완료하면, 제어부(50)는 셔터(14)를 닫아, 처리 스테이지(6)의 회전을 종료하고, 다시 노광광 조사부(2)를 초기의 위치로 되돌린다.(5) When the exposure process of the peripheral part of the wafer W is completed, the control part 50 closes the shutter 14, complete | finishes rotation of the processing stage 6, and returns the exposure light irradiation part 2 to an initial position again. Return to.

다음에, 도 1 내지 도 3에 도시한 주변 노광 장치에 의해, 외주부에 노치가 형성되어, 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼의 에지를 검지하면서 웨이퍼의 주변부를 노광하는 경우의 제어에 대해서 설명한다.Next, the control in the case of exposing the peripheral part of a wafer while detecting the edge of the wafer by which the notch was formed in the outer peripheral part by the peripheral exposure apparatus shown in FIGS. 1-3 is demonstrated.

먼저, 본 발명의 전제인 노광 처리가 개시되어, 노광 처리의 도중에서 노치 검지 수단(9)에 의해 노치가 검출된 경우의 제어에 대해서 설명한다.First, the exposure process which is a premise of this invention is started, and the control in the case where a notch is detected by the notch detection means 9 in the middle of an exposure process is demonstrated.

이 경우의 노광 처리는 상기한 특원 2001-151037호에 기재된 상기 도 14에서 개요를 설명한 노광 처리와 동일하며, 상기 도 14를 참조하면서 설명한다.The exposure process in this case is the same as the exposure process outlined in the above-mentioned FIG. 14 described in the aforementioned patent application 2001-151037, and will be described with reference to FIG.

상기한 바와 같이, 처리 스테이지(6)상에 재치된 웨이퍼(W)는 처리 스테이지 구동 기구(61)의 구동에 의해, 시계 방향으로 회전하고, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)은 도 14의 ○의 위치에서 웨이퍼(W)의 에지(E)를 검지하고 있다. 노광광 조사부(2)로부터 출사된 노광광의 조사 영역(S)은 웨이퍼(W) 표면상에서 투광부(41)로부터의 센서광이 웨이퍼(W)의 주변부에 조사되고 있는 위치, 즉 ○의 위치와 거의 동일한 위치에 있다.As described above, the wafer W placed on the processing stage 6 is rotated in the clockwise direction by the driving of the processing stage driving mechanism 61, and the wafer edge detecting means 4 is shown in FIG. The edge E of the wafer W is detected at the position. The irradiation area S of the exposure light emitted from the exposure light irradiation part 2 has a position where the sensor light from the light projection part 41 is irradiated to the periphery of the wafer W on the surface of the wafer W, that is, the position of ○. It's about the same location.

또, 노치 검지 수단(9)은 웨이퍼(W)의 상류측, 즉 상기 도 14의 ◎의 위치에서 웨이퍼(W)의 에지(E)를 검지하고 있다.In addition, the notch detecting means 9 detects the edge E of the wafer W at the upstream side of the wafer W, that is, at the position of? In FIG.

(1) 웨이퍼의 노치 이외의 에지 부분을 노치 검지 수단이 검지하고 있는 경우[도 14(a)].(1) When notch detection means detects edge portions of the wafer other than the notch (Fig. 14 (a)).

제어부(52)는 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)를 제어하여 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 항상 웨이퍼(W)의 에지(E)를 포착하는 것을 나타내는 신호, 즉 어느 일정한 아날로그 신호를 제어부(52)에 출력하는 위치에 웨이퍼 에지 검지 수단(4)을 이동시키므로, 수광부(42)에 투광되는 투광부(41)로부터 센서광의 광량은 거의 변화하지 않는다. 또, 웨이퍼(W)의 중심(○)과 처리 스테이지(6)의 회전중심은 일치하지 않아, 웨이퍼(W)가 편심하여 회전하고 있다고 해도, 에지(E)는 완만한 원호이므로, 수광부(42)로부터의 신호에 큰 변화가 나타나지 않는다.The controller 52 controls the wafer edge detecting means moving mechanism 3 to control a signal indicating that the wafer edge detecting means 4 always captures the edge E of the wafer W, that is, a certain analog signal. Since the wafer edge detecting means 4 is moved to the position output to 52, the amount of light of the sensor light from the light transmitting portion 41 that is projected to the light receiving portion 42 hardly changes. Moreover, even if the center (circle) of the wafer W and the rotation center of the processing stage 6 do not correspond, even if the wafer W is eccentrically rotating, since the edge E is a gentle circular arc, the light-receiving part 42 There is no significant change in the signal from).

또, 노치 검지 수단(9)은 웨이퍼(W)의 에지(E)를 검지하는 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 근방에 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 일체로 설치되어 있으므로, 노치 검지 수단(9)의 수광부(92)에 입력되는 센서광의 광량은 웨이퍼(W)가 편심하여 회전하고 있다고 해도, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 수광부(42)에 수광되는 광량과 거의 동일한 값이다.In addition, since the notch detecting means 9 is provided integrally with the wafer edge detecting means 4 in the vicinity of the wafer edge detecting means 4 for detecting the edge E of the wafer W, the notch detecting means 9 The amount of light of the sensor light input to the light receiving portion 92 of () is almost the same as the amount of light received by the light receiving portion 42 of the wafer edge detection means 4 even if the wafer W is eccentrically rotated.

따라서, 제어부(52)의 비교 회로(CC1)에는 수광부(42)와 동일한 아날로그 신호가 출력된다.Therefore, the analog signal similar to the light receiving part 42 is output to the comparison circuit CC1 of the control part 52.

즉, 비교 회로(CC1)에 입력되는 상기 신호값은 설정값(I1)보다도 작고, 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)는 노광광 조사부(2)로부터 조사되는 노광광의 조사 영역(S)의 이동을 행하면서, 주변부의 노광을 행한다.That is, the signal value input to the comparison circuit CC1 is smaller than the set value I1, and the wafer edge detecting means moving mechanism 3 moves the irradiation area S of the exposure light irradiated from the exposure light irradiation unit 2. The peripheral portion is exposed while performing.

여기에서, 설정값(I1)은 아날로그 신호의 노이즈를 커트하기 위해 설치되는 것으로, 예컨대 제어부(52)가 웨이퍼(W)의 에지(E)의 흠집 등을 노치(N)라고 오인식하지 않도록 설치된 임계값이다.Here, the set value I1 is provided to cut the noise of the analog signal, for example, a threshold provided so that the controller 52 does not mistake the notch N for scratches or the like of the edge E of the wafer W. Value.

(2) 노치 검지 수단이 웨이퍼의 노치의 시작부에 도달한 경우[도 14(b)].(2) When the notch detecting means reaches the beginning of the notch of the wafer (Fig. 14 (b)).

웨이퍼(W)가 시계 방향으로 회전하여, 웨이퍼(W)의 노치(N)의 시작부(Ns)가 노치 검지 수단(9)의 검지 위치(◎)에 도달하면, 노치(N) 부분에서는 광을 차단하고 있던 웨이퍼(W)가 절결되어 없어지게 되기 때문에, 수광부(92)에 투광되는 투광부(91)로부터의 센서광의 광량이 급격하게 증가한다.When the wafer W rotates in the clockwise direction and the start portion Ns of the notch N of the wafer W reaches the detection position ◎ of the notch detecting means 9, the light is notched in the notch N portion. Since the wafer W, which has been blocked, is cut off and disappears, the amount of light of the sensor light from the light transmitting portion 91 that is projected to the light receiving portion 92 increases rapidly.

그 결과, 제어부(52)의 비교 회로(CC1)에 출력되는 아날로그 신호는 설정값(I1)보다도 커지게 되어, 비교 회로(CC1)로부터 연산 처리부(CPU)에 ON 신호가 출력된다.As a result, the analog signal output to the comparison circuit CC1 of the control unit 52 becomes larger than the set value I1, and the ON signal is output from the comparison circuit CC1 to the arithmetic processing unit CPU.

연산 처리부(CPU)는 상기 온 신호에 따라 처리 스테이지(6)의 회전 속도와, 노치 검지 수단(9)의 검지 위치(◎)와 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 검지 위치(○)의 간격(본 실시예의 경우, 5mm)으로부터 노광광의 조사 영역(S)이 노치(N)의 시작 부(Ns)에 도달하기까지의 시간(T1)을 산출한다.The arithmetic processing unit CPU determines the interval between the rotational speed of the processing stage 6 and the detection position (◎) of the notch detection means 9 and the detection position (○) of the wafer edge detection means 4 according to the ON signal. In the case of the present embodiment, the time T1 from 5 mm) until the irradiation area S of the exposure light reaches the start portion Ns of the notch N is calculated.

(3) 노치 검지 수단이 노치의 시작부에 도달한 후, 시간(T1)을 경과한 경우[도 14(c)],(3) When the notch detecting means has elapsed time T1 after reaching the start of the notch (Fig. 14 (c)),

노치 검지 수단(9)이 노치(N)의 시작부(Ns)에 도달한 후, 시간(T1)을 초과하면 노광광의 조사 영역(S)이 노치(N)의 시작부(Ns)에 도달한다. 연산 처리부(CPU)는 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구 구동부(MD1)에 동작 정지 신호를 출력하여, 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구 구동부(MD1)는 이 신호에 따라 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)의 동작을 정지한다.After the notch detecting means 9 reaches the start portion Ns of the notch N, if the time T1 is exceeded, the irradiation area S of the exposure light reaches the start portion Ns of the notch N. . The arithmetic processing unit CPU outputs an operation stop signal to the wafer edge detecting means moving mechanism driving unit MD1, and the wafer edge detecting means moving mechanism driving unit MD1 operates the wafer edge detecting means moving mechanism 3 according to this signal. Stop.

또, 연산 처리부(CPU)는 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)의 동작을 정지하고 나서 재개하는 시간(T2)을 연산한다.Moreover, the arithmetic processing unit CPU calculates the time T2 to restart after stopping the operation of the wafer edge detection means moving mechanism 3.

연산 방법으로서는 여러 방법이 있는데, 예컨대 SEMI 규격에 의해 정해지는 노치(N)의 절결 치수와, 입력부(7)에 입력된 처리 스테이지(6)의 회전 속도 데이터에 따라 노광광의 조사 영역(S)이 노치(N)의 시작부(Ns)로부터 종료부(Ne)에 이르기까지의 시간(T2)을 구한다.There are various methods as the calculation method. For example, the irradiation area S of the exposure light is determined according to the cutout dimension of the notch N determined by the SEMI standard and the rotational speed data of the processing stage 6 input to the input unit 7. The time T2 from the start portion Ns of the notch N to the end portion Ne is obtained.

또, 노치 검지 수단(9)으로부터 온 신호가 출력되고 나서, 다시 상기 오프 신호가 출력되기까지의 시간에 따라, 노광광의 조사 영역(S)이 노치(N)의 시작 부(Ns)로부터 종료부(Ne)에 이르기까지의 시간(T2)을 산출하도록 해도 좋다.Moreover, the irradiation area S of exposure light is terminated from the start portion Ns of the notch N in accordance with the time from when the signal on which the notch detection means 9 is output, until the off signal is output again. The time T2 to reach Ne may be calculated.

(4) 노광광의 조사 영역이 노치의 시작부에 도달한 후, 시간(T2)을 경과한 경우[도 14(d)].(4) When time T2 has passed after the irradiation area of exposure light reached the start of a notch (FIG. 14 (d)).

노광광의 조사 영역(S)이 N의 시작부에 도달한 후, 시간(T2)을 경과하면 노광광의 조사 영역(S)은 노치(N)의 종료부(Ne)에 도달한다. 제어부(50) 내의 연산 처리부(CPU)로부터는 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구 구동부(MD1)에 대해, 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)의 동작을 재개하는 신호가 출력된다.After the irradiation area S of exposure light reaches the beginning of N, when time T2 passes, the irradiation area S of exposure light reaches the end Ne of the notch N. The arithmetic process part CPU in the control part 50 outputs the signal which resumes the operation | movement of the wafer edge detection means movement mechanism 3 to the wafer edge detection means movement mechanism drive part MD1.

웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)의 동작은 재개되고, 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)는 노광광 조사부(2)로부터 조사되는 노광광의 조사 영역(S)의 이동을 행하면서, 주변부의 노광을 행한다.The operation of the wafer edge detecting means moving mechanism 3 is resumed, and the wafer edge detecting means moving mechanism 3 moves the irradiation area S of the exposure light irradiated from the exposure light irradiation part 2 while exposing the peripheral portion. Is done.

상기와 같이 노광 처리를 제어함으로써, 상기한 바와 같이 노광 개시 후, 웨이퍼의 노치 부분에서 조사 영역이 V자 형상으로 이동하여, 웨이퍼 내부의 노광이불필요한 영역까지 노광해 버리지는 않는다.By controlling the exposure process as described above, after the start of the exposure as described above, the irradiation area moves in a V shape in the notched portion of the wafer and does not expose to the area where the exposure inside the wafer is unnecessary.

또, 상기에서는 노광광의 조사 영역(S)이 노치(N)의 시작부(Ns)에 도달하기까지의 시간(T1)을 산출하고 있지만, 노치 검지 수단(9)과 노광광의 조사 영역(S)의 거리는 알 수 있으므로, 노치 검지 신호로부터 그 시점의 노광광의 조사 영역(S)과 노치의 시작부(Ns)와의 상대 위치를 구할 수 있다. 따라서, 상기와 같이 T1을 산출하는 대신에, 노치 검지 수단(9)이 검지 신호를 출력하고 나서, 웨이퍼가 상기 상대 거리만큼 회전했을 때에, 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)의 동작을 정지하도록 해도 좋다.In addition, although the time T1 until the irradiation area S of exposure light reaches the start part Ns of the notch N is calculated above, the notch detection means 9 and the irradiation area S of exposure light are calculated. Since the distance can be known, the relative position between the irradiation area S of the exposure light at that time and the start portion Ns of the notch can be obtained from the notch detection signal. Therefore, instead of calculating T1 as described above, after the notch detecting means 9 outputs a detection signal, the wafer edge detecting means moving mechanism 3 is stopped when the wafer is rotated by the relative distance. You may also

또, 상기 시간(T2)을 구하는 대신에 노광광의 조사 영역(S)이 노치(N)의 시작부(Ns)에 도달한 후, 노치 폭에 상당한 거리만큼 웨이퍼를 회전시켜, 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구(3)의 동작을 재개하도록 해도 좋다.Further, instead of obtaining the time T2, after the exposure area S of the exposure light reaches the start portion Ns of the notch N, the wafer is rotated by a distance corresponding to the notch width to move the wafer edge detection means. The operation of the mechanism 3 may be resumed.

다음에, 노광 처리의 개시시의 처리에 대해서 본 발명의 실시예를 설명한다.Next, the Example of this invention is described about the process at the start of an exposure process.

본 발명에서는 상기한 바와 같이 노광 처리의 개시시, 웨이퍼(W)의 에지(E)를 검출하면 회전 스테이지(6)를 소정량 회전시키는(웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 노치 검지 수단(9)과의 간격을 D1로 했을 때, 이 소정량을 이하에서는 D1+α로 한다).In the present invention, as described above, when the edge E of the wafer W is detected at the start of the exposure process, the rotation stage 6 is rotated by a predetermined amount (the wafer edge detecting means 4 and the notch detecting means 9). When the interval between is set to D1, this predetermined amount is hereinafter referred to as D1 + α).

그리고, 노광을 개시한 위치를 기억해 두고, 웨이퍼의 주변부를 노광하면서 웨이퍼를 적어도 1회전시켜, 상기 노광을 개시한 위치까지 노광을 행하면 노광을 종료한다. 또, 노광의 도중에서 노치가 검출되면 상기 도 14에서 설명한 바와 같은 노치 무시의 제어를 행한다.The position at which the exposure is started is stored, and the exposure is terminated when the wafer is exposed to the position at which the exposure is started by rotating the wafer at least one rotation while exposing the peripheral portion of the wafer. If a notch is detected in the middle of the exposure, control of disregarding the notch as described in FIG. 14 is performed.

따라서, 노광 처리의 개시시에 웨이퍼(W)의 에지(E)를 검지했을 때, 상기 (a) ∼ (c)의 상태에서 없는 경우에는 웨이퍼 에지를 검출했을 때, 각별한 처리를 행하지 않고 상기 도 14에서 설명한 바와 같이, 노치를 무시한 제어를 행할 수 있어, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리지 않는다.Therefore, when the edge E of the wafer W is detected at the start of the exposure process, when there is no state in the above (a) to (c), when the wafer edge is detected, the figure is not performed without special processing. As described at 14, control can be performed in which notches are ignored, so that the exposure inside the wafer is not exposed to an area where unnecessary exposure is required.

또, 웨이퍼 에지를 검출했을 때, 상기 (a) ∼ (c)의 상태에 있는 경우에서도, 상기한 바와 같이 웨이퍼 에지를 검출하고 나서 소정량 회전 스테이지(6)를 회전시켜, 그 사이에 노치 검지 수단(9)의 출력이 변화하지 않는 경우에는 회전 종료 후, 노광 처리를 개시시키고, 또 소정량 회전시키고 있는 사이에 노치 검지 수단(9)의 출력이 변화한 경우에는 그 변화 상태에 따라 노광 개시 위치를 결정하여, 노광 처리를 개시시킴으로써, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리는 문제를 회피할 수 있다.Moreover, when detecting a wafer edge, even if it is in the state of said (a)-(c), after detecting a wafer edge as mentioned above, the predetermined stage rotation stage 6 is rotated and a notch is detected between them. When the output of the means 9 does not change, when the output of the notch detecting means 9 changes while the exposure process is started after the end of rotation and the predetermined amount is rotated, exposure starts according to the change state. By determining the position and starting the exposure process, it is possible to avoid the problem of exposing to an area where the exposure inside the wafer is unnecessary.

이하, 본 발명의 실시예에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, the Example of this invention is described in detail.

(1) 실시예 1(1) Example 1

도 4는 본 발명의 제1 실시예의 웨이퍼 에지 검출시의 동작을 설명하는 도면, 도 5는 제1 실시예의 변형예를 설명하는 도면, 도 6, 도 7은 본 실시예에서 상기 연산 처리부(CPU)에서 행해지는 처리를 나타내는 플로우챠트이다.4 is a view for explaining the operation at the time of wafer edge detection of the first embodiment of the present invention, FIG. 5 is a view for explaining a modification of the first embodiment, and FIGS. 6 and 7 are the arithmetic processing unit (CPU) in this embodiment Is a flow chart showing the processing performed in ()).

도 4는 노치의 근방을 확대하여 도시한 도면으로, 동 도면의 A∼D는 웨이퍼 에지 검출시 및 회전 스테이지를 소정량(D1 + α) 회전시켰을 때의 노치 검지 수단(9), 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과, 노치(N)의 상대 위치 관계를 도시하고 있고, 동 도면의 부호(4)를 붙인 둥근 표시는 웨이퍼 에지 검지 수단(4)을 도시하고,둥근 검은 표시는 노광 개시 시점을 도시하고 있다. 또, 부호(9)를 붙인 둥근 표시는 노치 검지 수단(9)을 도시하고 있다. 노치 검출 수단(9)이 웨이퍼 에지 검출 수단(4)보다도 웨이퍼에 대해 다소 내측에 위치하고 있는 것은 웨이퍼의 중심이 회전의 중심에 대해, 편심하고 있어도 확실하게 노치(N)만을 검출하기 위한 것으로, 다른 실시예의 경우도 동일하다. 노치 검지 수단(9)은 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 상류측에 설치되고, 이 예에서는 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 거리(D1)는 5mm이다. 또, 노치폭(노치 개구 길이)은 약 3mm이다.Fig. 4 is an enlarged view of the vicinity of the notch, wherein A to D in the drawing show notch detecting means 9 and wafer edge detection when the wafer edge is detected and when the rotation stage is rotated by a predetermined amount (D1 + α). The relative positional relationship between the means 4 and the notches N is shown, and the round marks with reference numerals 4 in the same figure show the wafer edge detection means 4, and the round black marks indicate the exposure starting point. It is shown. In addition, the round mark with the code | symbol 9 has shown the notch detection means 9. As shown in FIG. The notch detecting means 9 is located somewhat inward of the wafer than the wafer edge detecting means 4 so as to reliably detect only the notch N even if the center of the wafer is eccentric with respect to the center of rotation. The same applies to the embodiment. The notch detecting means 9 is provided upstream of the wafer edge detecting means 4, and in this example, the distance D1 of the wafer edge detecting means 4 is 5 mm. In addition, the notch width (notch opening length) is about 3 mm.

또, 동 도면에서 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 노치 검지 수단(9)의 사이를 연결하는 선을 점선으로 나타낸 것은 웨이퍼 에지 검출시의 노치 검지 수단(9) 및 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 위치를 나타내고, 굵은 실선으로 나타낸 것은 웨이퍼 에지를 검출하고 나서, 상기한 소정량(D1 + α)만큼 회전 스테이지를 회전시킨 후의 노치 검지 수단(9) 및 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 위치를 나타내고, 이중선으로 나타낸 것은 소정량(D1 + α) 회전시킨 후, 다시 D2 + α회전시켰을 때의 노치 검지 수단(9) 및 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 위치를 나타내고 있다. 또, 도 4 중의 (가)∼(다)는 에지 검출시에 웨이퍼 에지 검지 수단과 노치 검지 수단이 다른 위치에 있는 경우의 각각의 상태를 나타내고 있다. 또, 상기 도 14와 마찬가지로, 웨이퍼 에지 검출 센서의 위치와 노광광 조사 위치는 일치하고 있다.In the same figure, the dotted line connecting the wafer edge detecting means 4 and the notch detecting means 9 is indicated by the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 at the time of wafer edge detection. The position, indicated by the bold solid line, indicates the position of the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 after detecting the wafer edge and rotating the rotating stage by the predetermined amount D1 + α. Denoted by a double line indicates the positions of the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 when the predetermined amount D1 + alpha is rotated and then D2 + alpha is rotated again. 4A to 4C show respective states when the wafer edge detection means and the notch detection means are at different positions at the time of edge detection. 14, the position of the wafer edge detection sensor and the exposure light irradiation position coincide with each other.

다음에 도 4에 의해 A∼D의 경우의 웨이퍼 에지 검출시의 동작에 대해서 본 발명의 제1 실시예를 설명한다.Next, the first embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. 4 for the operation at the time of wafer edge detection in the case of A to D.

(1) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단(9)과 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이도 4의 A의 점선의 상태에 있고, 소정량 (D1 + α) 회전 중의 노치 검지 수단(9)이 오프의 상태인 채로 변화하지 않는 경우.(1) At the time of wafer edge detection, the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are in the dotted line of A of FIG. 4, and the notch detecting means 9 during the predetermined amount (D1 + alpha) rotation is turned off. When we do not change with state of.

이 경우에는 도 4의 A에 도시한 바와 같이 이하의 세 가지의 경우를 생각할 수 있다.In this case, the following three cases can be considered as shown in FIG.

(가) 노치부가 전혀 관여하지 않는 경우.(A) Notch not involved at all.

(나) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단과 웨이퍼 에지 검지 수단과의 사이에 노치가 있는 경우(상기 (b)의 상태의 경우).(B) In the case of wafer edge detection, when there is a notch between the notch detecting means and the wafer edge detecting means (in the state of (b) above).

(다) 웨이퍼 에지 검출시, 웨이퍼 에지 검지 수단의 위치와 노치의 위치가 일치하는 경우(상기 (a)의 상태에 있는 경우).(C) When wafer edge detection, the position of the wafer edge detection means and the position of the notch coincide (in the state of (a) above).

상기 (가)의 경우에는 소정량 회전하여 노광을 개시한다. 그리고, 노광 개시 후에 노치 검지 수단(9)에 의해 노치가 검출되면, 상기 도 14에서 설명한 노치 무시 제어를 행한다.In the case of (a), exposure is started by rotating a predetermined amount. When the notch is detected by the notch detecting means 9 after the exposure start, the notch ignore control described in FIG. 14 is performed.

상기 (나)의 경우에도 소정량 회전한 후 노광을 개시한다. 이 회전하는 소정량(5mm + α)은 노치 폭(D2(3mm))보다도 크므로, 도 4의 A(나)에 도시한 바와 같이 노치를 지난 위치에서 노광이 개시되게 된다. 따라서, 노광 개시 후 웨이퍼를 거의 1회전시켰을 때에, 노치(N)가 노치 검지 수단(9)에 의해 검지되어, 상기 도 14에서 설명한 노치 무시 제어를 행함으로써, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리는 문제를 회피할 수 있다.Also in the case of (b), exposure is started after rotating a predetermined amount. Since the predetermined amount of rotation (5 mm + alpha) is larger than the notch width D2 (3 mm), exposure is started at the position past the notch as shown in Fig. 4A (b). Therefore, when the wafer is rotated almost once after the start of exposure, the notch N is detected by the notch detecting means 9, and the notch ignore control described in FIG. 14 is performed, thereby exposing to the area where the exposure inside the wafer is unnecessary. The problem of doing so can be avoided.

상기 (다)의 경우는 상기 (나)의 경우와 마찬가지로, 소정량 회전한 후, 노광을 개시한다. 이 경우도 도 4의 A(다)에 도시한 바와 같이 노치를 지난 위치에서 노광이 개시된다.In the case of (c), exposure is started after the predetermined amount is rotated in the same manner as in the case of (b). Also in this case, exposure is started at the position which passed the notch, as shown to A (C) of FIG.

이상과 같이 도 4의 A의 상태인 경우에는 (가)(나)(다) 중 어떤 경우에서도 소정량 회전 후, 노광을 개시하여 노치가 검출되는 것을 기다리고, 상기 도 14에서 설명한 바와 같이 노치 무시 제어를 행함으로써, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리는 문제를 회피할 수 있다.As described above, in the state of A of FIG. 4, in any of cases (A) and (C), the exposure is started after the predetermined amount is rotated and the notch is detected, and the notch is ignored as described with reference to FIG. 14. By performing the control, the problem of exposing to an area where the exposure inside the wafer is unnecessary can be avoided.

상기 A는 웨이퍼를 소정량 회전시켰을 때에, 회전 중에 노치 검지 수단(9)의 출력이 변화하지 않는 경우이지만, 상기 회전 중에 노치 검지 수단(9)의 출력이 변화하는 경우에는 이하의 (2)∼(4)와 같은 방법으로 하여 노광 개시 시점을 정한다. 즉, B, C의 경우에는 상기 A와 마찬가지로, 소정량(D1 + α) 회전 후 노광을 개시한다. 또, D의 노치 검지 수단이 온에서 오프로 변화하는 경우에는 다시 D2 + α회전을 추가하여 그 후 노광을 개시한다.A is a case where the output of the notch detecting means 9 does not change during rotation when the wafer is rotated by a predetermined amount, but when the output of the notch detecting means 9 changes during the rotation, the following (2) to An exposure start time is determined in the same manner as in (4). That is, in the case of B and C, exposure after rotation of predetermined amount (D1 + (alpha)) is started similarly to said A. Moreover, when D notch detection means changes from ON to OFF, D2 + (alpha) rotation is added again and exposure exposure is started after that.

(2) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단(9)과 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 도 4의 B의 점선의 상태에 있고, 소정량(D1 + α) 회전 중에 노치 검지 수단(9)이 오프에서 온으로 변화하는 경우.(2) At the time of wafer edge detection, the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are in the dotted line of FIG. 4B, and the notch detecting means 9 is rotated during the predetermined amount D1 + alpha rotation. When changing from off to on.

이 경우는, 상기 소정량 회전 중에 노치 검지 수단(9)으로부터 노치 개시점을 나타내는 온 신호가 상기한 제어부(50)에 출력된다. 제어부(50)는 상기 온 신호에 따라 노치의 개시 위치를 구한다. 그리고, 웨이퍼를 소정량 회전시켜, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 노치 검지 수단(9)이 도 4의 B의 굵은 실선 위치에 도달하면 노광을 개시한다. 그리고, 조사 영역이 상기 노치 개시 위치에 도달하면, 상기한 노치 무시 제어(노광광 조사부에 따르는 이동의 정지)를 행한다.In this case, the ON signal indicating the notch starting point is output from the notch detecting means 9 to the controller 50 during the predetermined amount of rotation. The controller 50 obtains the start position of the notch according to the on signal. Then, the wafer is rotated by a predetermined amount and the exposure is started when the wafer edge detection means 4 and the notch detection means 9 reach the thick solid line position of B in FIG. 4. When the irradiation area reaches the notch starting position, the above-described notch disregard control (stopping of movement along the exposure light irradiation unit) is performed.

즉, 이 경우에는 노치의 바로앞 근방에서 노광이 개시되는데, 상기와 같이 온 신호가 검출되면 상기한 노치 무시 제어를 행하므로, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리지는 않는다.That is, in this case, exposure starts in the immediate vicinity of the notch. When the on signal is detected as described above, the above-described notch disregard control is performed, so that the exposure inside the wafer is not exposed to an area where unnecessary exposure is required.

(3) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단(9)과 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 도 4의 C의 점선의 상태에 있고, 소정량(D1 + α) 회전 중에 노치 검지 수단(9)이 오프→온→오프로 변화하는 경우.(3) At the time of wafer edge detection, the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are in the dotted line of FIG. 4C, and the notch detecting means 9 is rotated during the predetermined amount D1 + alpha rotation. When changing from off to on to off.

이 경우도, 상기 (2)와 마찬가지로, 상기 소정량 회전 중에 노치 검지 수단(9)으로부터 노치 개시점을 나타내는 온 신호가 제어부(50)에 출력되므로, 제어부(50)는 이 온 신호에 따라 노치 개시 위치를 구한다. 그리고, 웨이퍼를 소정량 회전시켜, 웨이퍼 에지 검지 수단(4)과 노치 검지 수단(9)이 도 4의 C의 굵은 실선 위치에 도달하면 노광을 개시하는 동시에, 상기 조사 영역이 노치 개시 위치에 도달하면 상기한 노치 무시 제어(노광광 조사부에 따르는 이동의 정지)를 행한다.Also in this case, like the above (2), since the ON signal indicating the notch starting point is output from the notch detecting means 9 to the controller 50 during the predetermined amount rotation, the controller 50 notches in accordance with the ON signal. Find the starting position. Then, the wafer is rotated by a predetermined amount, and when the wafer edge detecting means 4 and the notch detecting means reach the thick solid line position in FIG. 4C, exposure is started, and the irradiation area reaches the notch starting position. The above-described notch disregard control (stopping of movement according to the exposure light irradiation section) is performed.

또, 이 경우 노광 개시 위치가 도 4의 B에 도시한 바와 같이 노치 부분이 되는 경우가 있는데, 노광광 조사부에 따르는 이동은 노치 무시 제어에 의해 정지하므로 문제없다.In this case, the exposure start position may be a notched portion as shown in FIG. 4B, but the movement along the exposure light irradiation unit is stopped by the notch disregard control.

(4) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단(9)과 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 도 4의 D의 점선의 상태에 있고, 소정량(D1 + α) 회전 중에 노치 검지 수단(9)이 온에서 오프로 변화하는 경우(상기 (c)의 상태의 경우).(4) At the time of wafer edge detection, the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are in the dotted lines of FIG. 4D, and the notch detecting means 9 is rotated during the predetermined amount D1 + alpha rotation. When changing from on to off (in the state of (c) above).

이 경우는 웨이퍼 에지 검출 시점에서 노치 검지 수단(9)이 온이 되므로, 거기에 노치가 있다는 것은 알 수 있지만, 노치 개시점이 어딘인지는 알 수 없다. 이 때문에 상기한 바와 같이 노치 검지 수단(9)의 온 신호에서 노치 개시 위치를 구할 수는 없다. 따라서, 웨이퍼를 소정량 회전한 후 노광 개시할 때, 도 4의 D와 같이 노치 부분과 일치한다고 해도 노치 무시 제어를 할 수는 없다.In this case, since the notch detecting means 9 is turned on at the time of wafer edge detection, it can be seen that there is a notch, but it is not known where the notch starting point is. For this reason, as described above, the notch starting position cannot be determined from the on signal of the notch detecting means 9. Therefore, when the exposure is started after the wafer is rotated by a predetermined amount, the notch ignore control cannot be performed even if it coincides with the notch portion as shown in FIG.

따라서, 이 경우는 상기 제어부(50)는, 또 노치의 폭(D2(3mm + α))만큼 웨이퍼를 더 회전시켜, 도 4의 D의 이중선으로 나타내는 위치까지 이동시킨 후에 노광을 개시한다.Therefore, in this case, the said control part 50 further rotates a wafer by the width | variety D2 (3mm + (alpha)) of a notch, and moves to the position shown by the double line of D of FIG. 4, and starts exposure.

이에 따라, 노치를 지난 위치에서 노광이 개시되게 되어, 노광 개시 후 웨이퍼를 거의 1회전시킨 후, 노치가 검출되면 상기 도 14에서 설명한 노치 무시 제어를 행한다.Accordingly, the exposure is started at the position beyond the notch. After the exposure is started, the wafer is rotated almost once, and when the notch is detected, the notch ignore control described in FIG. 14 is performed.

또, 상기 (4)에서는 D1 + α 회전시킨 후, 다시 D2 + α회전시키고 있는데, 노치 검지 수단(9)에 의한 검출 신호가 온에서 오프로 변화하는 타이밍으로부터 노치 위치를 구하여, 노치 무시 제어를 행하도록 해도 좋다.In the above (4), D1 + α is rotated, and then D2 + α is rotated again. The notch override control is performed by finding the notch position from the timing at which the detection signal by the notch detecting means 9 changes from on to off. It may be done.

즉, 도 5에 도시한 바와 같이 노치 검지 수단(9)의 출력이 온에서 오프하면 제어부(50)에서 웨이퍼의 회전 속도와 노치폭(D2)으로부터 노치의 개시 위치를 연산한다.That is, as shown in Fig. 5, when the output of the notch detecting means 9 is turned on and off, the controller 50 calculates the start position of the notch from the rotational speed of the wafer and the notch width D2.

그리고, 조사 영역이 노치 개시 위치에 도달하면, 상기한 바와 같이 노치 무시 제어를 행하여, 노광광 조사부에 따르는 이동을 정지한다. 제어부(50)는 노치가 검출되고 나서 웨이퍼를 소정량(D1 + α) 회전시킨 후 노광을 개시하는데, 이 시점에서는 노광광 조사부에 따르는 이동을 정지하므로, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리지 않는다.Then, when the irradiation area reaches the notch start position, the notch disregard control is performed as described above, and the movement along the exposure light irradiation unit is stopped. After the notch is detected, the controller 50 starts exposure after rotating the wafer by a predetermined amount (D1 + α). At this point, the control unit 50 stops the movement according to the exposure light irradiation unit. Do not throw away.

다음에, 도 6, 도 7에 의해 본 실시예의 제어부(50)의 연산 처리부(CPU)의 처리를 설명한다.Next, the processing of the arithmetic processing unit CPU of the control unit 50 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7.

먼저, 도 6에 도시한 바와 같이 변수의 초기화를 행한다. 즉, 예비 회전 플래그(F1g)를 오프로 하고, 검출 노치 위치를 나타내는 변수(Ln)를 미정의로 설정한다(단계(S1)).First, a variable is initialized as shown in FIG. That is, the preliminary rotation flag F1g is turned off and the variable Ln indicating the detection notch position is set undefined (step S1).

다음에, 웨이퍼 에지 검지 수단에 의한 웨이퍼 에지의 검출 동작을 개시시킨다(단계(S2)). 그리고, 이 때의 노치 검지 수단의 검출 결과를 웨이퍼 회전 전의 노치 검지 수단의 출력을 나타내는 변수(Sini)에 넣는다(단계 (S3)).Next, the wafer edge detection means by the wafer edge detection means is started (step S2). And the detection result of the notch detection means at this time is put into the variable Sini which shows the output of the notch detection means before wafer rotation (step S3).

이어서 웨이퍼를 미소량 회전시키는(실제로는, 연속하여 웨이퍼를 회전시켜, 정기적으로 노치 검지 수단의 출력을 연산 처리 장치(CPU)에 취입하고 있지만, 여기에서는 설명을 위해 웨이퍼를 미소량 회전시키는 동작을 반복하여 노치 검지 수단의 출력을 넣도록 하여 설명한다)(단계(S4)).Subsequently, the wafer is rotated by a small amount (actually, the wafer is continuously rotated, and the output of the notch detecting means is periodically fed into the arithmetic processing unit (CPU). The output of the notch detecting means is repeatedly described) (step S4).

그리고, 회전 후의 노치 검지 수단의 출력을 연산 처리 장치(CPU)에 취입하여 노치 검지 수단에 의한 검출 결과를 최신의 노치 검지 수단의 출력을 나타내는 변수(S)에 넣는다 (단계(S5)).Then, the output of the notch detecting means after rotation is blown into the arithmetic processing unit CPU, and the detection result by the notch detecting means is put into a variable S indicating the output of the latest notch detecting means (step S5).

이어서 상기 변수(Sini)가 오프이고, 또 변수(S)가 온인지를 조사한다(단계 S6). 그리고, 변수(Sini)가 오프이고, 또 변수(S)가 온인 경우는 단계(S11)로 간다. 또, 변수(Sini)가 오프이고, 또 변수(S)가 온인 경우는 상기 도 4의 B 또는 C의 경우이다.Then, it is checked whether the variable Sini is off and the variable S is on (step S6). If the variable Sini is off and the variable S is on, the process goes to step S11. In addition, the case where the variable Sini is off and the variable S is on is the case of B or C of FIG.

또, 상기 변수(Sini)가 오프이고, 또 변수(S)가 온이 아닌 경우에는, 단계(S7)로 가서, 상기 변수(Sini)가 온이고, 또 변수(S)가 오프인지를 조사한다. 그리고, 변수(Sini)가 온이고, 또 변수(S)가 오프인 경우는 단계(S13)로 간다. 또, 변수(Sini)가 온이고, 또 변수(S)가 오프인 경우는 상기 도 4의 D의 경우이다.If the variable Sini is off and the variable S is not on, the flow goes to step S7 to check whether the variable Sini is on and the variable S is off. . If the variable Sini is on and the variable S is off, the flow goes to step S13. In addition, the case where the variable Sini is on and the variable S is off is the case of D of FIG.

또, 단계(S7)에서 변수(Sini)가 온이고, 또 변수(S)가 오프가 아닌 경우에는, 웨이퍼가 D1 + α 회전했는지를 판정하여(단계(S8)), 웨이퍼가 (D1 + α) 회전하지 않은 경우에는 단계(S4)로 되돌아가 상기 처리를 반복한다.If the variable Sini is on in step S7 and the variable S is not off, it is determined whether the wafer is rotated by D1 + α (step S8), and the wafer is (D1 + α). In the case of not rotating, the process returns to step S4 and the above process is repeated.

그리고, 웨이퍼가 D1 + α 회전하면 단계(S9)로 간다.Then, when the wafer is rotated by D1 + α, the process goes to step S9.

또, 상기 변수(Sini)가 오프이고, 또 변수(S)가 온인 경우(상기 도 4의 B, C인 경우)에는, 단계(S11)에서 Ln이 미정의인지를 조사하여, Ln이 이미 정의되어 있는 경우에는 단계(S8)로 간다. 또, Ln이 미정의인 경우에는 단계(S12)에서 현재(변수(S)가 온이 된 시점)의 웨이퍼 회전 위치로부터 노치 위치를 구한다. 즉, 그 시점에서 노치 검지 수단이 노치의 개시 위치에 있다고 하여, 현재의 조사 영역과 노치와의 상대 위치를 구하여, 이것을 검출 노치 위치를 나타내는 변수(Ln)에 넣어 단계(S8)로 간다.If the variable Sini is off and the variable S is on (in the case of B and C in Fig. 4), it is checked in step S11 whether Ln is undefined and Ln is already defined. If yes, go to step S8. In addition, when Ln is undefined, the notch position is calculated | required from the wafer rotation position of the present (time when the variable S was turned on) in step S12. In other words, assuming that the notch detecting means is at the start position of the notch at that time, the relative position between the current irradiation area and the notch is obtained, and this is put into a variable Ln indicating the detection notch position, and the flow proceeds to step S8.

또, 상기 변수(Sini)가 온이고, 또 변수(S)가 오프인 경우(상기 도 4의 D의 경우)에는 단계(S13)에서 예비 회전 연장 플래그(Flg)를 온으로 하여 단계(S8)로 간다.If the variable Sini is on and the variable S is off (in the case of D in FIG. 4), the preliminary rotation extension flag Flg is turned on in step S13 to step S8. Go to

웨이퍼가 D1 + α 회전하면, 단계(S9)에서 예비 회전 연장 플래그(Flg)가 온인지를 조사하여, 예비 회전 연장 플래그(Flg)가 온이면 상기 D의 경우이므로 다시웨이퍼를 D2 + α 회전시켜 단계(S10)으로 간다.When the wafer is rotated D1 + α, it is checked in step S9 whether the preliminary rotation extension flag Flg is on. If the preliminary rotation extension flag Flg is on, the wafer is rotated again by D2 + α. Go to step S10.

이상의 처리가 종료하면, 단계(S10)에서 노광을 개시하여 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼의 주변부의 노광을 행한다.When the above process is complete | finished, exposure is started in step S10 and exposure of the peripheral part of a wafer is performed, rotating a wafer.

그리고, 노광광의 조사 영역(S)이 상기 단계(S12)에서 구한 노치 개시 위치에 도달하면, 노광광 조사부의 웨이퍼 에지로의 추종 제어를 정지시켜 노치 무시 제어를 행한다. 또, 그 후의 노광 처리 중에 상기한 바와 같이 노치가 검출되면, 상기 도 14에서 설명한 바와 같이, 노치 개시 위치에서 노광광 조사부의 웨이퍼 에지로의 추종 제어를 정지시켜 노치 무시 제어를 행한다.When the exposure area S of the exposure light reaches the notch start position determined in the step S12, the tracking control to the wafer edge of the exposure light irradiation unit is stopped to perform the notch disregard control. When the notch is detected as described above during the subsequent exposure processing, as described above with reference to FIG. 14, the tracking control to the wafer edge of the exposure light irradiation unit is stopped at the notch start position to perform notch ignore control.

또, 상기 도 5에서 설명한 제어를 행하는 경우에는, 단계(S13)에서 웨이퍼의 회전 위치와 노치폭(D2)으로부터 노치의 개시 위치를 연산하여 노치 개시 위치를 변수(Ln)에 넣어 두고, 이 Ln에 의해 단계(S10)에서 노치 무시 제어를 행하면 된다. 이 경우에는 단계(S9), 단계(S14)의 처리는 불필요하다.In the case of performing the control described with reference to Fig. 5, the start position of the notch is calculated from the rotational position of the wafer and the notch width D2 in step S13, and the notch starting position is put in the variable Ln, and this Ln By the step S10, notch ignore control can be performed. In this case, the processing of steps S9 and S14 is unnecessary.

(2) 실시예 2(2) Example 2

도 8은 본 발명의 제2 실시예의 웨이퍼 에지 검출시의 동작을 설명하는 도면, 도 9는 본 실시예에서 상기 연산 처리부(CPU)에서 행해지는 처리를 도시하는 플로우챠트이다. 본 실시예는 상기 도 4의 B, C, D의 경우( D1 + α 회전 중에 노치 검지 신호가 변화하는 경우)에, 다시 D2 + α 회전을 추가하고, 그 후 노광을 개시하도록 한 것이다. 또, 상기 도 4의 A의 경우는, 상기 도 4에서 설명한 것과 동일하며, 웨이퍼를 D1 + α 회전시킨 후, 바로 노광을 개시한다.FIG. 8 is a view for explaining the operation at the time of wafer edge detection in the second embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a flowchart showing the processing performed by the arithmetic processing unit CPU in this embodiment. In this embodiment, in the case of B, C, and D of FIG. 4 (when the notch detection signal changes during D1 + alpha rotation), D2 + alpha rotation is added again, and then the exposure is started. In addition, in the case of A of FIG. 4, it is the same as that described with reference to FIG. 4, and the exposure is started immediately after the wafer is rotated by D1 + alpha.

본 실시예는 상기와 같이 B, C, D의 경우, D2 + α 회전을 추가할 뿐, 노치검출 신호의 변화 상태에 따라 다른 제어를 할 필요가 없으므로, 상기 제1 실시예에 비해, 제어 시퀀스가 간략해진다. 단, D2 + α 회전시킨 후 노광을 개시하므로, 제1 실시예에 비해 노광시키지 않고 웨이퍼를 회전하는 시간이 길어지게 되어, 생산성이 약간 저하한다.As described above, in the case of B, C, and D, the present embodiment adds only D2 + α rotation, and does not need to perform other control according to the change state of the notch detection signal. Is simplified. However, since exposure is started after rotating D2 + alpha, the time for rotating the wafer without exposure is longer than in the first embodiment, and the productivity is slightly reduced.

도 8은 상기 도 4와 마찬가지로, 노치의 근방을 확대하여 도시한 도면으로, 도 4와 마찬가지로 부호(4)를 붙인 둥근 표시는 웨이퍼 에지 검지 수단(4)을 나타내고, 부호(9)를 붙인 둥근 표시는 노치 검지 수단(9)을 나타내고, 검은 둥근 표시는 노광 개시 위치를 나타내고 있다. 또, 노치 검지 수단(9)은 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 5mm 상류측에 설치되며, 노치 폭(노치 개구 길이)은 약 3mm이다.FIG. 8 is an enlarged view of the vicinity of the notch as in FIG. 4, and the rounded mark denoted by the symbol 4 as in FIG. 4 indicates the wafer edge detecting means 4 and the rounded symbol 9. The mark indicates the notch detecting means 9, and the black round mark indicates the exposure start position. The notch detecting means 9 is provided 5 mm upstream of the wafer edge detecting means 4, and the notch width (notch opening length) is about 3 mm.

또, 상기와 마찬가지로, 동 도면의 점선은 웨이퍼 에지 검출시의 노치 검지 수단(9) 및 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 위치를 나타내고, 굵은 실선은 웨이퍼 에지를 검출하고 나서 상기한 소정량(D1 + α)만큼 회전 스테이지를 회전시킨 후의 노치 검지 수단(9) 및 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 위치를 나타내고, 이중선은 소정량 (D1 + α) 회전시킨 후, 다시 (D2 + α) 회전시킨 후의 노치 검지 수단(9) 및 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 위치를 나타내고 있다. 또, 도 8 중의 (가)∼(다)는 에지 검출시에 웨이퍼 에지 검지 수단과 노치 검지 수단이 다른 위치에 있는 경우의 각각의 상태를 도시하고 있다. 또, 상기 도 14와 마찬가지로, 웨이퍼 에지 검출 센서의 위치와 노광광 조사 위치와는 일치하고 있다.In addition, similarly to the above, the dotted line in the same figure shows the positions of the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 at the time of wafer edge detection, and the thick solid line indicates the predetermined amount (D1) after detecting the wafer edge. position of the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 after the rotation stage is rotated by + α), and the double line is rotated again by (D2 + α) after the predetermined amount (D1 + α) is rotated. The positions of the following notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are shown. 8A to 8C show respective states when the wafer edge detection means and the notch detection means are at different positions at the time of edge detection. 14, the position of the wafer edge detection sensor and the exposure light irradiation position coincide with each other.

다음에 도 8에 의해 A∼D의 경우의 웨이퍼 에지 검출시의 동작에 대해서 설명한다.8, the operation at the time of wafer edge detection in the case of A to D will be described.

(1) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단(9)과 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 도 8의 A의 점선의 상태에 있고, 소정량(D1 + α) 회전 중에 노치 검지 수단(9)이 오프 상태로 변화하지 않는 경우.(1) At the time of wafer edge detection, the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are in a dotted line in Fig. 8A, and the notch detecting means 9 is rotated during the predetermined amount D1 + alpha rotation. If it does not change to the off state.

이 경우에는 상기 도 4에서 설명한 것과 동일하며, 상기 (가)의 경우에는 소정량 회전하여 노광을 개시한다. 그리고, 노광 개시 후에 노치 검지 수단(9)에 의해 노치가 검출되면, 상기 도 14에서 설명한 노치 무시 제어를 행한다.In this case, it is the same as that described with reference to FIG. 4, and in the case of (a), exposure is started by rotating a predetermined amount. When the notch is detected by the notch detecting means 9 after the exposure start, the notch ignore control described in FIG. 14 is performed.

상기 (나)의 경우에도 소정량 회전한 후, 노광을 개시한다. 이 회전하는 소정량(5mm + α)은 노치폭(D2(3mm))보다도 크므로, 도 8의 A(나)에 도시한 바와 같이 노치를 지난 위치에서 노광이 개시되게 된다.Also in the case of (b), exposure is started after rotating a predetermined amount. Since the predetermined amount of rotation (5 mm + alpha) is larger than the notch width D2 (3 mm), exposure is started at the position past the notch as shown in Fig. 8A (b).

상기 (다)의 경우는 상기 (나)의 경우와 마찬가지로, 소정량 회전한 후, 노광을 개시한다. 이 경우도 도 8의 A(다)에 도시한 바와 같이 노치를 지난 위치에서 노광이 개시된다.In the case of (c), exposure is started after the predetermined amount is rotated in the same manner as in the case of (b). Also in this case, exposure is started at the position which passed the notch, as shown to A (C) of FIG.

또, 웨이퍼를 소정량 회전시켰을 때, 회전 중에 노치 검지 수단(9)의 출력이 변화하는 경우에는, 이하에 설명한 바와 같이 다시 D2 + α회전을 추가하여, 그 후 노광을 개시한다.When the wafer is rotated by a predetermined amount and the output of the notch detecting means 9 changes during the rotation, as described below, D2 + alpha rotation is added again to start exposure thereafter.

(2) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단(9)과 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 도 8의 B의 점선의 상태에 있고, 소정량(D1 + α) 회전 중에 노치 검지 수단(9)이 오프에서 온으로 변화하는 경우.(2) At the time of wafer edge detection, the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are in the dotted lines of FIG. 8B, and the notch detecting means 9 is rotated during the predetermined amount D1 + alpha rotation. When changing from off to on.

이 경우는 상기 소정량 회전 중에 노치 검지 수단(9)으로부터 노치 개시점을 나타내는 온 신호가 상기한 제어부(50)에 출력된다. 상기 제어부(50)는 다시 노치의 폭(D2(3mm) + α)만큼 웨이퍼를 더 회전시켜, 도 8의 B의 굵은 파선으로 도시한 위치까지 이동시킨 후에 노광을 개시한다.In this case, the ON signal indicating the notch starting point is output from the notch detecting means 9 to the controller 50 during the predetermined amount rotation. The controller 50 further rotates the wafer by the width D2 (3 mm) + α of the notch, moves to the position shown by the thick dashed line in FIG. 8B and starts exposure.

또, 제어부(50)는 노치 검지 수단의 온 신호에 따라 노치의 개시 위치를 구한다. 그리고, 상기 조사 영역이 노치 개시 위치에 도달하면, 상기한 노치 무시 제어(노광광 조사부에 따르는 이동의 정지)를 행한다.Moreover, the control part 50 obtains the starting position of a notch according to the ON signal of a notch detection means. And when the said irradiation area | region reaches the notch start position, the above-mentioned notch disregard control (stop of the movement by an exposure light irradiation part) is performed.

즉, 이 경우에는 노치의 바로 앞 근방에서 노광이 개시되지만, 상기와 같이 노치 무시 제어를 행하므로, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리지는 않는다.That is, in this case, exposure is started in the immediate vicinity of the notch. However, since the notch ignore control is performed as described above, the exposure inside the wafer is not exposed to an area where unnecessary exposure is required.

(3) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단(9)과 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 도 8의 C의 점선의 상태에 있고, 소정량(D1 + α) 회전 중에 노치 검지 수단(9)이 오프→온→오프로 변화하는 경우.(3) At the time of wafer edge detection, the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are in the dotted line of FIG. 8C, and the notch detecting means 9 is rotated during the predetermined amount D1 + alpha rotation. When changing from off to on to off.

이 경우도, 상기 (2)와 마찬가지로, 상기 소정량 회전중에 노치 검지 수단(9)에서 노치 개시점을 나타내는 온 신호가 제어부(50)에 출력되므로, 상기 제어부(50)는 다시 노치의 폭(D2(3mm) + α)만큼 웨이퍼를 더 회전시켜, 도 8의 C의 굵은 파선으로 나타내는 위치까지 이동시킨 후에, 노광을 개시한다.Also in this case, like the above (2), the on-signal indicating the notch starting point is output from the notch detecting means 9 to the controller 50 during the rotation of the predetermined amount, so that the controller 50 again has the width of the notch ( After the wafer is further rotated by D2 (3 mm) + alpha) and moved to the position indicated by the thick broken line in FIG. 8C, exposure is started.

그리고, 상기 (2)와 마찬가지로, 제어부(50)는 노치 검지 수단의 온 신호에 따라 노치 개시 위치를 구한다. 그리고, 조사 영역이 노치 개시 위치에 도달하면 상기한 노치 무시 제어(노광광 조사부에 따르는 이동의 정지)를 행한다.And similarly to said (2), the control part 50 calculate | requires a notch start position according to the ON signal of a notch detection means. When the irradiation area reaches the notch start position, the above-described notch disregard control (stopping of movement along the exposure light irradiation unit) is performed.

또, 도 8의 C의 (나)의 경우에는 소정량(D1 + α)회전시킨 후, 다시 D2 + α 회전시킴으로써, 노광광의 조사 영역(S)(웨이퍼 에지 검지 수단)이 노치 위치를 넘기 때문에, 여기에서의 노치 무시 제어는 행해지지 않고, 웨이퍼가 거의 1회전한 후 상기 도 14에서 설명한 노치 무시 제어가 행해진다.In addition, in the case of (b) of FIG. 8C, after rotating the predetermined amount (D1 + α) and rotating D2 + α again, the irradiation area S (wafer edge detecting means) of the exposure light exceeds the notch position. The notch ignore control here is not performed, and the notch ignore control described in FIG. 14 is performed after the wafer has rotated almost once.

(4) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단(9)과 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 도 8의 D의 점선의 상태에 있고, 소정량(D1 + α)회전 중에 노치 검지 수단(9)이 온에서 오프로 변화하는 경우(상기 (c)의 상태의 경우).(4) At the time of wafer edge detection, the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are in the dotted lines of FIG. 8D, and the notch detecting means 9 is rotated during the predetermined amount D1 + alpha rotation. When changing from on to off (in the state of (c) above).

이 경우는 상기 소정량 회전 중에 노치 검지 수단(9)에서 노치의 종료점을 나타내는 오프 신호가 제어부(50)에 출력되므로, 상기 제어부(50)는 다시 노치의 폭(D2 + α)만큼 웨이퍼를 회전시켜, 도 8의 D의 굵은 파선으로 나타내는 위치까지 이동시킨 후에 노광을 개시한다.In this case, since the off signal indicating the end point of the notch is output from the notch detecting means 9 to the controller 50 during the predetermined amount of rotation, the controller 50 again rotates the wafer by the width D2 + α of the notch. The exposure is started after moving to the position shown by the thick broken line in FIG.

상기와 같이 웨이퍼를 D1 + α 회전시킨 후, 다시 D2 + α만큼 웨이퍼를 회전시킨 후 노광을 개시함으로써, 상기 도 4와 마찬가지로 도 8에 도시한 바와 같이 노광 개시 위치가 노치를 넘기 때문에, 노치를 지난 위치에서 노광이 개시된다. 또, 노광 개시 후 웨이퍼를 거의 1회전시킨 후 노치가 검출되면 상기 도 14에서 설명한 노치 무시 제어를 행한다.After the wafer is rotated by D1 + α as described above, the wafer is rotated by D2 + α again, and the exposure is started. As shown in FIG. 4, the exposure start position exceeds the notch, as shown in FIG. 4. The exposure is started at the last position. In addition, when the notch is detected after the wafer is rotated almost once after the exposure starts, the notch ignore control described in FIG. 14 is performed.

다음에, 도 9에 의해 본 실시예의 제어부(50)의 연산 처리부(CPU)의 처리를 설명한다.Next, the processing of the arithmetic processing unit CPU of the control unit 50 of the present embodiment will be described with reference to FIG. 9.

먼저, 도 9에 도시한 바와 같이 예비 회전 플래그(Flg)를 오프로 한다(단계 (S1)).First, as shown in Fig. 9, the preliminary rotation flag Flg is turned off (step S1).

다음에, 웨이퍼 에지 검지 수단에 의한 웨이퍼 에지의 검출 동작을 개시시킨다(단계(S2)). 그리고, 이 때의 노치 검지 수단의 검출 결과를 웨이퍼 회전 전의노치 검지 수단의 출력을 나타내는 변수(Sini)에 넣는다(단계(S3)).Next, the wafer edge detection means by the wafer edge detection means is started (step S2). And the detection result of the notch detection means at this time is put into the variable Sini which shows the output of the notch detection means before wafer rotation (step S3).

이어서 상기한 바와 같이 웨이퍼를 미소량 회전시킨다(단계(S4)).Subsequently, the wafer is rotated by a small amount as described above (step S4).

그리고, 회전 후의 노치 검지 수단의 출력을 연산 처리 장치(CPU)에 취입하여, 노치 검지 수단에 의한 검출 결과를 최신의 노치 검지 수단의 출력을 나타내는 변수(S)에 넣는다(단계(S5)).Then, the output of the notch detecting means after rotation is blown into the arithmetic processing unit CPU, and the detection result by the notch detecting means is put into a variable S indicating the output of the latest notch detecting means (step S5).

이어서 상기 변수(Sini) ≠변수(S)인지를 조사한다(단계(S6)). 그리고, Sini ≠S가 아닌 경우에는 웨이퍼가 D1 + α회전했는지를 판정하여(단계(S7)), 웨이퍼가 D1 + α회전하지 않은 경우에는 단계(S4)로 되돌아가 상기 처리를 반복한다. 또, Sini ≠S인 경우에는 단계(S8)에서 상기 예비 회전 플래그(Flg)를 온으로 한다. 이 경우는 상기 도 8의 B, C, D의 경우이다.Then it is checked whether the variable Sini? Variable S (step S6). If Sini? S is not determined, it is determined whether the wafer is rotated by D1 + alpha (step S7). If the wafer is not rotated by D1 + alpha, the process returns to step S4 and the above process is repeated. If Sini? S, the preliminary rotation flag Flg is turned on in step S8. This case is the case of B, C, and D of FIG.

웨이퍼가 D1 + α회전하면 단계(S9)에서 예비 회전 연장 플래그(Flg)가 온인지 여부를 조사하여, 예비 회전 연장 플래그(Flg)가 온이 아니면 단계(S10)으로 간다. 이 경우는 상기 도 8의 A의 경우이다.When the wafer is rotated by D1 + α, it is checked in step S9 whether the preliminary rotation extension flag Flg is on, and if the preliminary rotation extension flag Flg is not on, the process goes to step S10. This case is the case of A of FIG.

또, 예비 회전 연장 플래그(Flg)가 온이면, 단계(S11)에서 다시 웨이퍼를 D2+α 회전시켜, 단계(S10)으로 간다.If the preliminary rotation extension flag Flg is on, the wafer is rotated again by D2 + alpha in step S11 to go to step S10.

이상의 처리가 종료되면, 단계(S10)에서 노광을 개시하여, 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼의 주변부의 노광을 행한다.When the above process is complete | finished, exposure is started in step S10 and exposure of the peripheral part of a wafer is performed, rotating a wafer.

그리고, 그 후 상기한 바와 같이 노치가 검출되면, 노치 위치에서 노광광 조사부의 웨이퍼 에지로의 추종 제어를 정지시켜 노치 무시 제어를 행한다.Then, after that, when a notch is detected as mentioned above, following control to the wafer edge of an exposure light irradiation part is stopped at a notch position, and a notch override control is performed.

이상과 같이 본 실시예에서는, 도 8의 B, C, D의 경우 D2 + α 회전을 추가함으로써 노치 검출 신호의 변화 상태에 따라 다른 제어를 할 필요가 없으므로, 도 9에 도시한 바와 같이 제어부(50)의 처리를 현저히 간단하게 할 수 있다.As described above, in the present embodiment, in the case of B, C, and D of FIG. 8, since the D2 + α rotation is not required, different control is not required according to the change state of the notch detection signal. As shown in FIG. 50) can be made significantly simpler.

(2) 실시예 3(2) Example 3

도 10은 본 발명의 제3 실시예의 웨이퍼 에지 검출시의 동작을 설명하는 도면, 도 11, 도 12는 본 실시예에서 상기 연산 처리부(CPU)에서 행해지는 처리를 나타내는 플로우챠트이다.Fig. 10 is a view for explaining the operation during wafer edge detection in the third embodiment of the present invention. Figs. 11 and 12 are flowcharts showing the processing performed by the arithmetic processing unit CPU in this embodiment.

본 실시예는 상기 도 4의 B, C, D의 경우에서 노치 검지 신호가 출력되었을 때, 웨이퍼가 D1 +α회전하는 것을 기다리지 않고 바로 노광을 개시함으로써, 노광시키지 않고 웨이퍼를 회전하는 시간을 짧게 하여 생산성 향상시킨 것이다.In this embodiment, when the notch detection signal is output in the case of B, C, and D of FIG. 4, the exposure is started immediately without waiting for the wafer to rotate D1 + α, thereby shortening the time for rotating the wafer without exposure. Productivity will be improved.

도 10은 상기 도 4, 도 8과 마찬가지로, 노치의 근방을 확대하여 도시한 도면으로, 도 4, 도 8과 마찬가지로 부호(4)를 붙인 둥근 표시는 웨이퍼 에지 검지 수단(4)을 도시하고, 부호(9)를 붙인 둥근 표시는 노치 검지 수단(9)을 도시하고 있고, 검은 둥근 표시는 노광 개시 위치를 도시하고 있다. 또, 노치 검지 수단(9)은 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 5mm 상류측에 설치되며, 노치폭(노치 개구 길이)은 약 3mm이다.FIG. 10 is an enlarged view of the vicinity of the notch, similarly to FIGS. 4 and 8, wherein the rounded mark denoted by the symbol 4 as in FIGS. 4 and 8 shows the wafer edge detecting means 4, The round sign with the symbol 9 shows the notch detecting means 9, and the black round sign shows the exposure start position. The notch detecting means 9 is provided 5 mm upstream of the wafer edge detecting means 4, and the notch width (notch opening length) is about 3 mm.

또, 상기한 바와 같이 동 도면의 점선은, 웨이퍼 에지 검출시의 노치 검지 수단(9) 및 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 위치를 나타내고, 굵은 실선은 웨이퍼 에지를 검출하고 나서, 상기한 소정량(D1 + α)만큼 회전 스테이지를 회전시킨 후의 노치 검지 수단(9) 및 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 위치를 나타내고, 실선은 노광 개시시의 노치 검지 수단(9) 및 웨이퍼 에지 검지 수단(4)의 위치를 나타내고 있다. 또, 도 10 중의 (가) ∼ (다)는 에지 검출시에 웨이퍼 에지 검지 수단과 노치 검지 수단이 다른 위치에 있는 경우의 각각의 상태를 도시하고 있다. 또, 상기 도 14와 마찬가지로, 웨이퍼 에지 검출 센서의 위치와 노광광 조사 위치는 일치하고 있다.In addition, as mentioned above, the dotted line of the same figure shows the position of the notch detection means 9 and the wafer edge detection means 4 at the time of wafer edge detection, and the thick solid line detects a wafer edge, and then the said predetermined amount The positions of the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 after rotating the rotation stage by (D1 + α) are shown, and the solid lines indicate the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 at the start of exposure. ) Position. 10A to 10C show respective states when the wafer edge detection means and the notch detection means are at different positions at the time of edge detection. 14, the position of the wafer edge detection sensor and the exposure light irradiation position coincide with each other.

다음에 도 10에 의해 A∼D의 경우의 웨이퍼 에지 검출시의 동작에 대해서 설명한다.Next, the operation at the time of wafer edge detection in the case of A to D will be described with reference to FIG.

(1) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단(9)과 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 도 10의 A의 점선의 상태에 있고, 소정량 (D1 + α) 회전 중에 노치 검지 수단(9)이 오프의 상태인 채 변화하지 않는 경우.(1) At the time of wafer edge detection, the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are in the dotted lines of FIG. 10A, and the notch detecting means 9 is rotated during the predetermined amount (D1 + α) rotation. If it does not change while in the off state.

이 경우에는 도 4, 도 8에서 설명한 것과 동일하며, 상기 (가)의 경우에는 소정량 회전하여 노광을 개시한다. 그리고, 노광 개시 후에 노치 검지 수단(9)에 의해 노치가 검출되면, 상기 도 14에서 설명한 노치 무시 제어를 행한다. 상기 (나)의 경우에도 소정량 회전한 후, 노광을 개시한다. 이 회전하는 소정량(5mm + α)은 노치폭(D2(3mm))보다도 크므로, 도 10의 A(나)에 도시한 바와 같이 노치를 지난 위치에서 노광이 개시되게 된다.In this case, it is the same as that described with reference to Figs. 4 and 8, and in the case of (a), the exposure is started by rotating a predetermined amount. When the notch is detected by the notch detecting means 9 after the exposure start, the notch ignore control described in FIG. 14 is performed. Also in the case of (b), exposure is started after rotating a predetermined amount. Since the predetermined amount of rotation (5 mm + alpha) is larger than the notch width D2 (3 mm), exposure is started at the position past the notch as shown in A (b) of FIG.

상기 (다)의 경우는 상기 (나)의 경우와 마찬가지로, 소정량 회전한 후, 노광을 개시한다. 이 경우도 도 10의 A(다)에 도시한 바와 같이 노치를 지난 위치에서 노광이 개시된다.In the case of (c), exposure is started after the predetermined amount is rotated in the same manner as in the case of (b). Also in this case, exposure is started at the position which passed the notch, as shown to A (C) of FIG.

또, 웨이퍼를 소정량 회전시켰을 때, 회전 중에 노치 검지 수단(9)의 출력이 변화하는 경우에는 노치 검지 신호가 변화한 타이밍에 의해 노치 개시 위치를 알수 있으므로, 이하에 설명하는 바와 같이 바로 노광을 개시하여 노광광 조사부(웨이퍼 에지 검지 수단)가 노치 개시 위치에 오면, 상기한 노치 무시 제어를 행한다.When the output of the notch detecting means 9 changes during rotation when the wafer is rotated by a predetermined amount, the notch starting position can be known by the timing at which the notch detecting signal is changed. When it starts and an exposure light irradiation part (wafer edge detection means) reaches a notch start position, the above-mentioned notch disregard control is performed.

(2) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단(9)과 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 도 10의 B의 점선의 상태에 있고, 소정량(D1 + α) 회전 중에 노치 검지 수단(9)이 오프에서 온으로 변화하는 경우.(2) At the time of wafer edge detection, the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are in the dotted line of FIG. 10B, and the notch detecting means 9 is rotated during the predetermined amount D1 + alpha rotation. When changing from off to on.

이 경우는 상기 소정량 회전 중에 노치 검지 수단(9)으로부터 노치 개시점을 나타내는 온 신호가 상기한 제어부(50)에 출력된다. 상기 제어부(50)는 노치 검지 수단의 온 신호에 따라 노치의 개시 위치를 구하는 동시에, 바로 노광을 개시한다. 그리고, 조사 영역이 노치 개시 위치에 도달하면, 상기한 노치 무시 제어(노광광 조사부에 따르는 이동의 정지)를 행한다.In this case, the ON signal indicating the notch starting point is output from the notch detecting means 9 to the controller 50 during the predetermined amount rotation. The control section 50 obtains the start position of the notch in accordance with the ON signal of the notch detecting means, and immediately starts exposure. When the irradiation area reaches the notch start position, the above-described notch disregard control (stopping of movement along the exposure light irradiation unit) is performed.

즉, 이 경우에는 노치 검지 수단의 온 신호가 출력되었을 때, 바로 노광을 개시하는데, 상기한 바와 같이 노치 무시 제어를 행하므로, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리지는 않는다.That is, in this case, when the ON signal of the notch detecting means is output, exposure starts immediately, but the notch ignore control is performed as described above, so that the exposure inside the wafer is not exposed to an area where unnecessary exposure is required.

(3) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단(9)과 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 도 10의 C의 점선의 상태에 있어, 소정량(D1 + α) 회전 중에 검지 수단(9)이 오프→온 →오프로 변화하는 경우.(3) At the time of wafer edge detection, the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are in the dotted lines of FIG. 10C, and the detecting means 9 is turned off during a predetermined amount D1 + alpha rotation. → On → Off.

이 경우도, 상기 (2)와 마찬가지로, 상기 소정량 회전 중에 노치 검지 수단(9)으로부터 노치 개시점을 나타내는 온 신호가 제어부(50)에 출력되므로, 상기 제어부(50)는 노치 검지 수단의 온 신호에 따라 노치 개시 위치를 구하는 동시에, 바로 노광을 개시한다. 그리고, 조사 영역이 노치 개시 위치에 도달하면, 상기한 노치 무시 제어(노광광 조사부에 따르는 이동의 정지)를 행한다.Also in this case, since the ON signal indicating the notch starting point is output from the notch detecting means 9 to the controller 50 during the predetermined amount rotation, the controller 50 turns on the notch detecting means. The notch starting position is determined in accordance with the signal, and the exposure is immediately started. When the irradiation area reaches the notch start position, the above-described notch disregard control (stopping of movement along the exposure light irradiation unit) is performed.

(4) 웨이퍼 에지 검출시, 노치 검지 수단(9)과 웨이퍼 에지 검지 수단(4)이 도 10의 D의 점선의 상태에 있고, 소정량(D1 + α) 회전 중에 노치 검지 수단(9)이 온에서 오프로 변화하는 경우(상기 (c)의 상태의 경우).(4) At the time of wafer edge detection, the notch detecting means 9 and the wafer edge detecting means 4 are in the dotted line of FIG. 10D, and the notch detecting means 9 is rotated during the predetermined amount D1 + alpha rotation. When changing from on to off (in the state of (c) above).

이 경우는 상기 소정량 회전 중에 노치 검지 수단(9)으로부터 노치 종료점을 나타내는 오프 신호가 제어부(50)에 출력되므로, 상기 제어부(50)는 상기 오프 신호가 입력된 시점에서 바로 노광을 개시한다. 또, 이것과 동시에 상기 도 5에서 설명한 바와 마찬가지로, 노치 검지 수단(9)의 출력이 온에서 오프한 타이밍과, 웨이퍼의 회전 속도와 노치 폭(D2)으로부터 노치의 개시 위치를 연산한다. 그리고, 노광광의 조사 영역(S)이 노치 개시 위치에 도달하면, 상기한 바와 같이 노치 무시 제어(노광광 조사부에 따르는 이동의 정지)를 행한다.In this case, since the off signal indicating the notch end point is output from the notch detecting means 9 to the controller 50 during the predetermined amount rotation, the controller 50 immediately starts exposure at the time when the off signal is input. At the same time, the start position of the notch is calculated from the timing at which the output of the notch detecting means 9 is turned on and off, the rotational speed of the wafer, and the notch width D2. Then, when the exposure area S of the exposure light reaches the notch start position, the notch disregard control (stopping of movement along the exposure light irradiation unit) is performed as described above.

다음에, 도 11, 도 12에 의해 본 실시예의 제어부(50)의 연산 처리부(CPU)의 처리를 설명한다.Next, with reference to FIG. 11, FIG. 12, the process of the arithmetic processing unit CPU of the control part 50 of a present Example is demonstrated.

먼저, 도 11에 도시한 바와 같이 검출 노치 위치를 나타내는 변수(Ln)를 미정의로 설정한다(단계(S1)).First, as shown in FIG. 11, the variable Ln indicating a detection notch position is set undefined (step S1).

이어서, 상기한 바와 같이 웨이퍼를 미소량 회전시킨다(단계 S4). 그리고 회전 후의 노치 검지 수단의 출력을 연산 처리 장치(CPU)에 취입하여, 노치 검지수단에 의한 검출 결과를 최신의 노치 검지 수단의 출력을 나타내는 변수(S)에 넣는다 (단계 S5).Subsequently, the wafer is rotated by a small amount as described above (step S4). Then, the output of the notch detecting means after rotation is taken into the arithmetic processing unit CPU, and the detection result by the notch detecting means is put into a variable S indicating the output of the latest notch detecting means (step S5).

이어서, 상기 변수(Sini)가 오프이고, 또 변수(S)가 온인지를 조사한다(단계 (S6)). 그리고, 변수(Sini)가 오프이고, 또 변수(S)가 온인 경우는 단계(S10)에서 노광을 바로 개시하여, 단계(S11)로 간다. 또, 변수(Sini)가 오프이고, 또 변수(S)가 온인 경우는, 상기 도 10의 B 또는 C의 경우이다.Then, it is checked whether the variable Sini is off and whether the variable S is on (step S6). If the variable Sini is off and the variable S is on, the exposure is immediately started in step S10, and the flow goes to step S11. In addition, when the variable Sini is off and the variable S is on, this is the case of B or C of FIG.

또, 상기 변수(Sini)가 오프이고, 또 변수(S)가 온이 아닌 경우에는, 단계(S7)로 가서, 상기 변수(Sini)가 온이고, 또 변수(S)가 오프인지를 조사한다. 그리고, 변수(Sini)가 온이고, 또 변수(S)가 오프인 경우는 단계(S13)에서 노광을 바로 개시하여 단계(S14)로 간다. 또, 변수(Sini)가 온이고, 또 변수(S)가 오프인 경우는, 상기 도 4의 D의 경우이다.If the variable Sini is off and the variable S is not on, the flow goes to step S7 to check whether the variable Sini is on and the variable S is off. . When the variable Sini is on and the variable S is off, the exposure is immediately started in step S13, and the flow goes to step S14. In addition, the case where the variable Sini is on and the variable S is off is the case of D of FIG.

단계(S11)에서는 Ln이 미정의인지를 조사하여, Ln이 이미 정의되어 있는 경우에는 단계(S8)로 간다. 또, Ln이 미정의인 경우에는 단계(S12)에서 현재(변수(S)가 온이 된 시점)의 웨이퍼 회전 위치에서 노치 위치를 구한다. 즉, 그 시점에서 노치 검지 수단이 노치 개시 위치에 있다고 하여, 현재의 조사 영역(S)과 노치와의 상대 위치를 구하여, 이것을 검출 노치 위치를 나타내는 변수(Ln)에 넣어 단계(S8)로 간다.In step S11, it is checked whether Ln is undefined, and if Ln is already defined, step S8 is reached. In addition, when Ln is undefined, the notch position is calculated | required from the wafer rotation position of the present (time when the variable S was turned on) in step S12. That is, assuming that the notch detecting means is at the notch starting position at that time, the relative position between the current irradiation area S and the notch is obtained, and the result is put into the variable Ln indicating the detection notch position, and the flow goes to step S8. .

또, 단계(S14)에서는 Ln이 미정의인지를 조사하여 Ln이 이미 정의되어 있는 경우에는, 단계(S8)로 간다. 또, Ln이 미정의인 경우에는 단계(S14)에서 현재(변수(S)가 오프가 된 시점)의 웨이퍼 회전 위치에서 노치 위치를 구한다. 즉, 그 시점에서 노치 검지 수단이 노치의 종료 위치에 있다고 하여 현재의 조사 영역(S)과 노치와의 상대 위치를 구하여, 이것을 검출 노치 위치를 나타내는 변수(Ln)에 넣어 단계(S8)로 간다.In step S14, it is checked whether Ln is undefined, and if Ln is already defined, step S8 is reached. In addition, when Ln is undefined, the notch position is calculated | required from the wafer rotation position of the present (time when variable S is turned off) in step S14. That is, at that point, the notch detecting means is at the end position of the notch, and the relative position between the present irradiation area S and the notch is obtained, and it is put into the variable Ln indicating the detected notch position, and the flow proceeds to step S8. .

또, 단계(S7)에서 변수(Sini)가 온이고, 또 변수(S)가 오프가 아닌 경우에는 단계(S8)로 가서, 상기 Ln의 값으로부터 조사 영역이 노치 위치에 있는지를 판정하여, 노치 위치에 있는 경우에는, 모방 제어를 정지한다(단계(S9)). 그리고, 웨이퍼가 D1 + α회전했는지를 판정하여(단계(S16)), 웨이퍼가 D1 + α회전하지 않은 경우에는 단계(S4)로 되돌아가 상기 처리를 반복한다. 그리고, 웨이퍼가 D1 + α회전한 경우에는 단계(S17)로 간다.If the variable Sini is on in step S7 and the variable S is not off, go to step S8 to determine whether the irradiation area is at the notch position from the value of Ln, If it is in the position, the copying control is stopped (step S9). Then, it is determined whether the wafer is rotated by D1 + alpha (step S16). If the wafer is not rotated by D1 + alpha, the process returns to step S4 and the above process is repeated. When the wafer is rotated by D1 + alpha, the process goes to step S17.

웨이퍼가 D1 + α회전하면 아직 노광이 개시되지 않은 경우에는 단계(S17)에서 노광을 개시하여, 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼의 주변부의 노광을 행한다. 그리고, 노광광의 조사 영역(S)이 노치 개시 위치에 도달하면, 노광광 조사부의 웨이퍼 에지로의 추종 제어를 정지시켜 노치 무시 제어를 행한다. 또, 그 후의 노광 처리 중에 상기한 바와 같이 노치가 검출되면, 상기 도 14에서 설명한 바와 같이 노치 위치에서 노광광 조사부의 웨이퍼 에지로의 추종 제어를 정지시켜 노치 무시 제어를 행한다.If exposure has not yet started when the wafer is rotated by D1 + alpha, the exposure is started in step S17, and the peripheral portion of the wafer is exposed while rotating the wafer. When the irradiation area S of the exposure light reaches the notch starting position, the tracking control to the wafer edge of the exposure light irradiation part is stopped to perform the notch disregard control. When the notch is detected as described above during the subsequent exposure processing, as described above with reference to FIG. 14, the tracking control to the wafer edge of the exposure light irradiation unit is stopped at the notched position to perform notch ignore control.

또, 상기 설명에서는 노치 검지 수단(9)의 수광부(92)로부터의 아날로그 신호를 제어부(52) 내의 증폭기(AC2)에 의해 증폭하여, 비교 회로(CC1)에 미리 설정된 설정값(I1)과 비교하여, 설정값(I1)보다도 큰 경우, 온 신호를 연산 처리부(CPU)에 출력했지만, 이것에 한하지 않고, 증폭 회로(AC2)와 비교 회로(CC1)의 사이에 미분 회로를 설치하여, 미분 데이터와 비교 회로(CC1)에 미리 설정된 설정값을 비교하여 설정값보다도 큰 경우, 온 신호를 연산 처리부(CPU)에 출력하도록 해도 좋다.In the above description, the analog signal from the light receiving unit 92 of the notch detecting means 9 is amplified by the amplifier AC2 in the control unit 52 and compared with the preset value I1 set in the comparison circuit CC1. When the signal is larger than the set value I1, the ON signal is output to the calculation processing unit CPU. However, the differential signal is provided between the amplifier circuit AC2 and the comparison circuit CC1, and the derivative is not limited to this. When the data is compared with the preset value set in the comparison circuit CC1 and is larger than the set value, the ON signal may be output to the arithmetic processing unit CPU.

또, 상술한 주변 노광 장치에서는 노광광 조사부와 웨이퍼 에지 검지 수단이 일체로 설치되어 있고, 노광광 조사부로부터 조사되는 노광광의 조사 영역의 이동은 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구에 의해 노광광 조사부를 이동시킴으로써 행했지만, 이것에 한하지 않고, 노광광 조사부로부터 조사되는 노광광의 조사 영역을 이동시키는 조사 영역 이동 기구와, 웨이퍼 에지 검지 수단을 이동시키는 웨이퍼 에지 검지 수단 이동 기구를 각각 설치하여, 이 웨이퍼 에지 검지 수단의 이동 방향 및 이동량과 동일 방향으로 동일 양만큼 이 조사 영역이 이동하도록 구성해도 좋다.Moreover, in the above-mentioned peripheral exposure apparatus, the exposure light irradiation part and the wafer edge detection means are integrally provided, and the movement of the irradiation area of the exposure light irradiated from the exposure light irradiation part is moved by moving the exposure light irradiation part by the wafer edge detection means moving mechanism. Although not limited to this, an irradiation region moving mechanism for moving the irradiation region of the exposure light irradiated from the exposure light irradiation unit and a wafer edge detecting means moving mechanism for moving the wafer edge detecting means are provided, respectively, and the wafer edge detection is performed. The irradiation area may be moved by the same amount in the same direction as the moving direction and the moving amount of the means.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 웨이퍼의 주변 노광을 개시하는 데 있어 웨이퍼의 에지를 검출시, 웨이퍼를 적어도 웨이퍼 에지 검지 수단과 노치 검지 수단과의 간격만큼 회전시키고 나서 웨이퍼 노광광의 조사를 개시하여, 상기 회전 중에 상기 노치 검지 수단의 출력 신호가 변화했을 때, 이 출력 신호의 변화 상태에 따라 미리 설정된 노광 개시 위치에서 웨이퍼 노광광의 조사를 개시시켜, 상기 노치 검지 수단의 출력 신호의 변화 상태에서 노치가 시작되는 위치를 구하고, 상기 조사 영역이 노치의 시작부에 이르렀을 때, 상기 노광광 조사 영역 이동 기구의 동작을 정지시키고, 상기 조사 영역이 노치의 종료부에 이르렀을 때, 상기 조사영역 이동 기구의 동작을 재개시키고, 상기 회전 중에 상기 노치 검지 수단의 출력 신호가 변화하지 않을 때에는 상기 회전 종료 후 노광광의 조사를 개시시키고, 상기 노치 검지 수단에 의해 노치 시작을 나타내는 신호를 받았을 때, 상기 노치의 시작을 나타내는 신호에 따라, 노치가 시작되는 위치를 구하여, 상기 조사 영역이 노치의 시작부에 도달했을 때, 상기 조사 영역 이동 기구의 동작을 정지시키고, 상기 조사 영역이 노치의 종료부에 이르렀을 때, 상기 조사 영역 이동 기구의 동작을 재개시키도록 했으므로, 주변 노광을 개시할 때, 노치의 위치가 어디라도, 노치를 무시한 제어를 행할 수 있어, 웨이퍼 내부의 노광이 불필요한 영역까지 노광해 버리는 문제를 회피할 수 있다.As described above, in the present invention, when the edge of the wafer is detected in starting the peripheral exposure of the wafer, the wafer is rotated at least by the interval between the wafer edge detecting means and the notch detecting means, and then irradiation of the wafer exposure light is started. When the output signal of the notch detecting means changes during the rotation, the irradiation of the wafer exposure light is started at the exposure start position set in advance according to the change state of the output signal, and the notch is changed in the change state of the output signal of the notch detecting means. The irradiation area moving mechanism is obtained when a position to be started is obtained, and when the irradiation area reaches the start of the notch, the operation of the exposure light irradiation area moving mechanism is stopped, and when the irradiation area reaches the end of the notch. Operation of the notch detecting means does not change during the rotation. When the irradiation of exposure light is started after the end of the rotation, when the notch detecting means receives a signal indicating the start of notch, the position at which the notch starts is determined according to the signal indicating the start of the notch, and the irradiation area is notched. Since the operation of the irradiation area moving mechanism is stopped when reaching the beginning of the operation, and the operation of the irradiation area moving mechanism is restarted when the irradiation area reaches the end of the notch, the peripheral exposure is started. At this time, even where the notch is located, control that ignores the notch can be performed, and the problem of exposing to an area where the exposure inside the wafer is unnecessary can be avoided.

Claims

As a peripheral exposure apparatus which exposes this photoresist by irradiating exposure light to the photoresist of the peripheral part of this wafer, rotating the wafer in which the notch was formed in the outer peripheral part, and the photoresist was apply | coated,

A wafer edge detecting means comprising a light transmitting portion for transmitting a sensor, a light receiving portion for receiving the sensor light,

A wafer edge detecting means moving mechanism for moving the wafer edge detecting means in a direction approximately center of the wafer;

Notch detecting means provided on an upstream side of said wafer edge detecting means and detecting said notch integrally formed with said wafer edge detecting means;

An irradiation area moving mechanism for moving the irradiation area of the exposure light;

The sensor light is projected from the light projecting portion to the periphery of the wafer, the sensor light irradiated to the edge portion of the wafer is received at the light receiving portion, and the wafer edge detecting means moving mechanism is controlled to make the light receiving portion constant. A peripheral exposure apparatus having a control unit for controlling the irradiation area moving mechanism to move the irradiation area by the same amount in the same direction as the moving direction and the moving amount of the wafer edge detecting means,

The control unit rotates the wafer such that when the edge of the wafer is detected by the wafer edge detecting means when the peripheral exposure of the wafer is started, the outer circumferential portion of the wafer moves at least by the distance between the wafer edge detecting means and the notch detecting means, When the output signal of the notch detecting means changes during the rotation, irradiation of exposure light is started at an exposure start position preset according to the change state of the output signal, and the notch starts from the change state of the output signal of the notch detecting means. When the irradiation area reaches the start of the notch, the operation of the exposure light irradiation area moving mechanism is stopped, and when the irradiation area reaches the end of the notch, Resume operation, and the output signal of the notch detecting means does not change during the rotation. When the irradiation of the exposure light is started after the end of the rotation, when the signal indicating the start of the notch is received by the notch detecting means, the position at which the notch starts is determined in accordance with the signal indicating the start of the notch. When the area reaches the start of the notch, the operation of the irradiation area moving mechanism is stopped, and when the irradiation area reaches the end of the notch, the operation of the irradiation area moving mechanism is resumed. Exposure apparatus.