KR20030001879A

KR20030001879A - 아연 인듐 산화막의 식각용액 및 그 식각방법

Info

Publication number: KR20030001879A
Application number: KR1020010037739A
Authority: KR
Inventors: 송형수; 김기섭; 박민춘; 김성수
Original assignee: 동우 화인켐 주식회사
Priority date: 2001-06-28
Filing date: 2001-06-28
Publication date: 2003-01-08
Also published as: KR100424946B1

Abstract

옥살산 계열, 인산염 계열 화합물, 탄화수소 계열 화합물 및 탈이온수를 포함하는 IZO 막 식각용액을 제공한다. 바람직하게는, 전체 조성물 총중량에 대하여 2 내지 8 중량% 의 옥살산 계열; 0.5 내지 4 중량% 의 인산염 계열 화합물; 0.0005 내지 0.05 중량% 의 탄화수소 계열 화합물; 및 조성물 총중량이 100 중량% 가 되도록 탈이온수를 포함하는 IZO 막 식각용액을 제공한다. 이러한 식각용액은 식각공정시 광반응물질의 어택을 감소시키고, 식각후 잔사를 남기지 않는 이점이 있다.

또한, 본 발명에 따른 식각용액을 이용하여 종래의 IZO 식각용액의 문제점으로 알려져 있는 0 도 이하에서의 옥살산 결정화 현상을 개선하여 약 -5 에서도 결정이 석출되지 않게 할 수 있다. 따라서, IZO 막을 이용하는 표시장치의 제조 공정등에 있어서, 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

아연 인듐 산화막의 식각용액 및 그 식각방법 {ETCHANT FOR IZO LAYER AND ETCHING METHOD THEREOF}

본 발명은 식각용액 및 그 식각방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 LCD (liquid crystal display) 등과 같은 표시장치에 사용되는 아연 인듐 산화막 (Indium Zinc Oxide, 이하 'IZO' 라 함) 막을 식각하기 위한 식각용액 및 이를 이용한 식각방법에 관한 것이다.

예를 들어, LCD 의 단위 픽셀은 게이트전극, 반도체층, 절연층, 소오스/드레인전극, 보호막, 투명전극 등으로 형성되어 있으며, 이와 같은 구조에서 투명전극은 백라이트에 의해 조사되는 광을 투과하고 축적 커패시터의 전극으로서 기능할 수 있도록 도전성 있는 투명물질을 사용해야 한다.

이러한 투명전극의 형성 방법은, 먼저 임의의 표시장치 구조물 상에 ITO 또는 IZO 막 등의 도전성 투명물질막 위에 광반응물질을 도포한다. 그런 다음, 통상적인 포토리소그래피 방법에 따라서, 포토마스크를 통해 선택적인 부위에 노광하고, 현상하여 선택적인 부위의 광반응물질을 제거한다. 다음으로, 식각공정을 통해 불필요한 부위의 도전성 투명물질의 막을 제거한다. 마지막으로 광반응물질을 제거하여 투명 전극을 완성한다.

ITO 막의 식각용액과 식각방법에 대해서는 종래에 알려진 것들이 있으며, 특히 공개특허공보 제 96-2903 호는 염산, 질산등으로 구성되는 ITO 용 식각용액에 대해서 개시하고 있다. 이러한 ITO 막의 식각용액은 다른 금속들과의 어택이 매우 빈번하게 발생하여, 크랙 부위에 침투하여 단선 등의 불량을 유발하는 주요한 원인이 되고 있다. 따라서, 결정형을 갖는 ITO 막 대신 비결정형 ITO 막 또는 IZO 막과 같은 신소재의 개발이 활발하게 진행되고 있다.

한편, ITO 막 또는 IZO 막에 대한 식각용액으로 종래에 알려진 것으로 옥살산 (oxalic acid) 이 있다. 공개특허공보 제 2000-17470 호는 옥살산 및 그 염으로 구성되고, 필요에 따라 과황산염 또는 계면활성제를 더 포함하는 ITO 에칭액을 개시하고 있다. 그러나, 여기에서 IZO 막에 대해서는 전혀 언급하지 않고 있으므로 ITO 막 식각용액을 IZO 막에 그대로 적용하는 것은 어려움이 많다. 실제로, 옥살산 및 초순수로 구성된 식각용액으로 IZO 막 식각공정을 진행할 경우, 식각속도가 낮고 (대략적으로 10 Å/sec), 패턴 주위에 미세한 잔사가 남으며, 테이프각 (taper angle) 이 20 내지 30 도 정도로 매우 불량한 현상들이 발견되었다. 또한, 온도가 낮아지거나 초순수 (ultra pure water) 가 증발하면, 옥살산이 결정형태로 석출되는 문제점이 발생하였다. 이에 대해서는 후술한다.

상기에서와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명의 목적은 식각속도가 빠르고, 잔사가 남지 않으며 테이프각도 양호한 IZO 막 식각용액을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 종래의 IZO 식각용액이 0 도 이하에서 옥살산이 결정화되어 석출되어 나오는 성질을 개선하여 약 - 5 도이하에서도 결정이 석출되지 않은 식각용액을 제공하는 것이다. 이와 같은 식각용액에 의해 생산성 향상에 유리한 효과를 가져 올 수 있다.

도 1a 내지 도 1d 는 본 발명에 따른 식각공정의 일 예를 도시한 도면.

도 2 는 종래 기술에 따른 식각공정후 프로파일을 SEM 사진으로 도시한 도면.

도 3 은 본 발명에 따른 식각공정후 프로파일을 SEM 사진으로 도시한 도면.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명.

10 : 기판 11 : IZO 막

12 : 포토레지스트

이와 같은 본 발명의 목적을 실현하기 위한 기술적 수단으로, 옥살산 계열, 인산염 계열 화합물, 탄화수소 계열 화합물 및 탈이온수를 포함하는 IZO 막 식각용액을 제공한다. 또한, 바람직하게는, 전체 조성물 총중량에 대하여 2 내지 8 중량% 의 옥살산 계열; 0.5 내지 4 중량% 의 인산염 계열 화합물; 0.0005 내지 0.05 중량% 의 탄화수소 계열 화합물; 및 조성물 총중량이 100 중량% 가 되도록 탈이온수를 포함하는 IZO 막 식각용액을 제공한다.

이러한 조성비의 한정에 대해서는 후술할 실시예를 통해서 더욱 잘 이해되며, 예를 들어, 2/0.5/0.0005 의 옥살산/인산염화합물/탄화수소화합물 중량비로 혼합되고, 잔여량은 탈이온수로 희석된다.

옥살산 계열, 인산염 계열 화합물, 탄화수소 계열 화합물 및 탈이온수는 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조가능하고, 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하며, 탈이온수는 반도체 공정용을 사용하고 바람직하게는 18 MΩ/cm 이상의 물을 사용한다.

또한, 식각용액에는 통상적으로 들어가는 다른 첨가제를 사용할 수 있다. 본 발명의 실시에 사용되는 첨가제는 특별히 한정되는 것은 아니며, 일반적으로 계면활성제, 금속이온 봉쇄제 등을 사용할 수 있으며, 계면활성제는 표면장력을 저하시켜 식각 균일성을 증가시키기 위해 첨가되며, 식각용액에 견딜 수 있고 상용성이 있는 종류이면 임의의 음이온성, 양이온성, 양쪽이온성 또는 비이온 계면활성제 등을 사용할 수 있다.

옥살산 계열은 특별히 한정되지 않고 다양한 종류의 옥살산 계열이 사용가능하며, 구체적으로는 옥살산, 옥살산-디메틸, 옥살산-디에틸, 옥살산-메틸, 옥살산-모노에틸, 옥살산-바륨, 옥살산-세륨, 옥살산-스트론튬, 옥살산-아미드, 옥살산-암모늄, 옥살산-에틸, 옥살산-철, 옥살산-칼륨, 옥살산-칼슘, 옥살산-토륨, 옥살아세트산 등이 있다. 바람직하게는 옥살산이다.

그러나, 옥살산 계열으로만 이루어진 IZO 막 식각용액은 종래의 강산계 식각액과 비교하여 식각율이 1/10 에서 1/100 의 수준을 갖기 때문에, 식각 시간이 10 배에서 100 배까지 길어지게 된다. 식각 시간이 길어지면, 최초 고안한 패턴의 형상의 가장자리 부분에서 과식각이 발생하여 원래 고안된 형상에서 많이 틀어지는 씨디로스(CD loss) 문제가 발생할 수 있다.

따라서, 이와 같은 문제점을 보완하고자, 인산염 계열 화합물을 첨가할 수 있다. 인산염 계열 화합물은 식각속도를 높여주고 테이프각을 크게하며 패턴 주위에 잔사를 없애주는 역할을 하는 성분으로서, 특별히 한정되지 않고 다양한 종류의 인산염 계열 화합물이 사용가능하며, 바람직하게는, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함한 인산염이다. 또한, 더욱 바람직하게는, Na₃PO₄, Na₂HPO₄, K₃PO₄, K₂HPO₄, KH₂PO₄등이다.

탄화수소 계열의 화합물은 잔사를 없애주고 결정 석출을 막아주기 위해서 첨가되는 성분으로서, 특별히 한정되지 않고 다양한 종류의 탄화수소 계열 화합물이 사용가능하며, 바람직하게는 식각용액의 표면장력을 70 % 이상 감소시키면서 옥살산에 의해 분해되지 않는다. 바람직하게는, 폴리옥시에틸렌 에테르 (polyoxyethylene ether), 알킬 설페이트 (alkyl sulfate), 플루오르 알킬 설폰아미드 (fluoro alkyl sulphonamide), 퍼플루오르 알킬 설포네이트 (perfluoro alkyl sulfonate), 플루오르 알킬 암모늄 요드 (fluoro alkyl ammonium iodide), 플루오르 알킬 폴리 에톡실레이트 (fluoro alkyl poly ethoxylate) 등이다.

또한, 본 발명의 목적을 실현하기 위한 식각방법은, 기판 상에 IZO 막을 형성하는 제 1 단계; 상기 IZO 막 상에 선택적으로 포토레지스트를 남기는 제 2 단계; 및 옥살산 계열 화합물, 인산염 계열 화합물, 탄화수소 계열 화합물 및 탈이온수를 구비하는 식각용액을 사용하여 식각하는 제 3 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법 중에서 제 1 단계는 기판 상에 반도체 구조물을 제조하는 제 4 단계와 상기 반도체 구조물 상에 IZO 막을 증착하는 제 5 단계를 포함할 수 있다.

기판은 통상적으로는 주로 표시장치에 사용되는 유리기판, 석영기판, 플라스틱 기판 등이고, 바람직하게는 유리기판이다. 상술한 제 1 단계의 IZO 막은 통상적으로 당업계에서 사용하는 막을 이용가능하고, 주로 스퍼터링 등에 의해 도포된다. 제 2 단계는 IZO 막 상에 전체적으로 포토레지스트를 코팅하고, 포토마스크를 이용하여 소정의 영역에 조사한 다음, 현상을 실시하여 포토레지스트를 남기는 공정을 의미하는 것으로, 포토레지스트는 선택된 영역에 식각용 패턴을 형성할 수 있는 물질을 의미한다. 또한, 반도체 구조물은 LCD, PDP 등의 표시장치용 반도체 구조물을 포함하는 것으로 화학기상증착 등의 방법에 의한 유전막, 스퍼터링등의 방법에 의한 도전성물질, 비정질 또는 다결정등의 실리콘막 등의 반도체막 등에서 하나 이상의 막을 포함하여 포토공정, 식각공정등으로 제조한 구조물을 의미한다.

예를 들어, bottom gate 구조의 단위 픽셀을 갖는 TFT LCD 공정에서는 유리기판 상에 게이트 전극을 포함하는 제 1 도전층을 형성하고, 그 위에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막 등의 제 1 절연층을 도포한다. 이러한 제 1 절연층은 통상적으로 게이트 절연막으로 불려진다. 그 후, 비정질 실리콘 또는 폴리실리콘 등의 반도체층을 형성하고, 그 위에 오믹 컨택을 형성하기 위한 도핑된 반도체층을 형성하고, 소오스/드레인 배선으로 사용되는 제 2 도전층을 형성한다. 이와 같은 공정에서, 단위 픽셀에서 빛이 투과하는 영역은 불투과성 도전체를 사용할 수 없으므로, 액정에 전압을 인가하고 광을 투과시킬 수 있도록 투과성인 IZO 막을 이용할 수 있다. 즉, 상술한 제 2 도전층 상에 제 2 절연층을 형성하여 컨택홀을 만들고, 그 제 2 절연층 상에 IZO 막을 부분적으로 형성한다. 이와 같은 IZO 막의 이용은 단지 예를 들어 설명하였고, IZO 막의 위치는 top gate 구조 등과 같은 구체적인 구조에서 변형가능하다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인하여 한정되는 식으로 해석되어 져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되어 지는 것이다. 따라서, 도면에서의 막두께 등은 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되어진 것이다. 또한, 어떤 막이 다른 막 또는 기판 "상" 에 있다고 기재된 경우, 상기 어떤 막은 상기 다른 막 또는 기판상에 직접 접촉하여 존재 할 수 있고, 또는 그 사이에 제 3 막이 게재 될 수도 있다.

(실시예1)

이하, 도 1a 내지 도 1d 를 참조하여 본 발명에 따른 일 실시예를 설명한다. 유리 기판 (10) 상에 일반적으로 당업자에게 알려진 방법에 의해, 예를 들어 스퍼터링에 의해, IZO 막 (11) 이 제조되며, 두께는 대략 500 내지 1500 Å 로 증착된다. 한편, 기판 (10) 과 ITO 막 (11) 사이에는 표시장치용 구조물(미도시) 이 부가될 수 있다. 표시장치용 구조물은 화학기상증착등의 방법에 의한 유전막, 스퍼터링등의 방법에 의한 도전성 물질, 비정질 또는 다결정 등의 실리콘막 등의 반도체막 등에서 하나 이상의 막을 포함하여 포토공정, 식각공정등으로 제조한 구조물을 의미한다. 또한, 기판 (10) 상에 통상적인 세정공정을 수행하고, IZO 막을 증착할 수도 있다.

다음, IZO 막을 선택적인 부위에 형성하기 위하여, 포토레지스트 (12) 를 도포하고 (도 1a), 마스크를 이용하여 선택적으로 노광하며, 현상액에 의해 부분적으로 광반응물질을 제거한다 (도 1b). 예를 들어, DFR 의 경우는 고체상태이므로 스핀코터로 도포하지 않고 인쇄식으로 대략 20 내지 30 ㎛ 두께로 코팅하게 된다. 광반응물질은 음극형 또는 양극형 반응물질일 수 있다. 이와 같은 공정에는 에싱 (ashing), 열처리 등의 통상적으로 진행되는 과정도 첨가될 수 있다.

다음, IZO 막 식각공정을 수행한다. IZO 막 식각용액은 4 중량% 의 옥살산, 2 중량% 의 인산염 계열 화합물, 0.05 중량% 의 탄화수소 계열 화합물, 및 93.95 중량% 의 탈이온수을 포함하여 제조된다. IZO 막 식각공정은 당업계 주지의 방법에 따라 수행될 수 있으며, 침지, 스프레이 등을 예시 할 수 있으며, 바람직하게는 스프레이 방식으로 수행한다. 식각공정시 식각용액의 온도는 일반적으로 30 ℃ 내외이며, 적정온도는 다른 공정조건과 기타요인으로 필요에 따라 변경할 수 있으며, 식각 시간은 대략 60 내지 70 초 이다. 도 1c 에는 IZO 막 식각 공정이 수행된 후의 프로파일을 도시하고 있다. 마지막으로, 도 1d 에 도시하고 있는 바와 같이, 마스크로 이용된 포토레지스트를 완전히 제거한다.

이러한 공정에 의하여 식각된 IZO 막의 프로파일을 단면 SEM (Hitachi사 제품, 모델명 S-4200)을 사용하여 검사하였다. 도 3 는 이와 같은 단면 프로파일을 도시하고 있다. 이러한 식각 프로파일의 특성을 측정한 결과에 의하면, 식각 속도는 약 13.4 Å/sec 이며, 테이프각은 약 45°이었다. 이는 후술할 종래 기술에 의한 식각속도, 테이프 프로파일과 비교할 때, 우수한 테이프 프로파일과 식각속도를 나타낸다. 참고로 도 2 에 나타낸 바와 같은 종래 기술에 의한 식각공정에서의 식각속도는 10 Å/sec 이하이고, 테이프각은 20°미만으로 실시예 1 에서의 결과와 비교할 때, 현저히 열악한 특성을 나타낸다. 이는 비교예에서 다시 설명한다.

(실시예 2 내지 14)

실시예 1 에서의 경우와 유사한 방식으로, 식각용액의 조성비 만을 변화시켜 동일한 방법으로 식각 공정을 수행한다. 표 1 의 각각 실시예에서 총조성물이 100 중량% 가 되도록 탈이온수로 희석한다. 설명의 간략화를 위해서 상세한 공정진행은 다시 기술하지 않는다. 표 1 은 실시예 2 내지 14 의 조성비와 이에 따른 식각속도와 테이프 프로파일을 나타낸다.

실시예	화학 조성비 (중량%)	식각 속도(Å/sec)	테이프각(°)
실시예	옥살산	식각 속도(Å/sec)	테이프각(°)	인산염 화합물	탄화수소 화합물
2	2	0.5	0.0005	9.2	30
3	2	1	0.005	10.1	45
4	2	2	0.005	11.4	45
5	4	0.5	0.05	11.6	30
6	4	2	0.005	13.3	45
7	4	2	0.05	13.4	45
8	4	4	0.005	15.3	60
9	6	0.5	0.005	12.6	30
10	6	1	0.005	13.8	45
11	6	2	0.005	14.9	45
12	8	0.5	0.005	13.2	30
13	8	1	0.005	14.7	45
14	8	1	0.005	14.8	45

이와 겉은 결과는 실시예 1 에서 식각속도 및 테이프각과 유사한 우수한 특성을 나타낸다. 이하, 비교예에 대해서 설명한다.

(비교예 1 내지 6)

상술한 실시예와의 비교를 위하여, 종래 기술에 의해 IZO 막을 식각하는 공정을 수행하였다. 세부적인 공정 수행은 실시예 1 내지 13 의 경우와 거의 유사하지만, 실시예 1 내지 13 은 옥살산, 인산염 화합물, 탄화수소 화합물, 및 탈이온수를 포함하는 식각용액을 사용한 반면, 비교예에서는 종래 기술에 해당하는 옥살산 및 탈이온수로 구성된 식각용액을 이용하여 식각공정을 수행한다.

표 2 에서는 비교예 1 내지 6 의 조성물의 성분함량, 식각속도 및 테이프각을 나타낸다. 식각속도는 대체적으로 10 Å/sec 미만이고, 테이프각 또한 20°이하로 형성되어 실시예들과 비교하여 현저히 나쁜 특성을 나타낸다. 비교예에 의한 IZO 막의 식각사진을 도 2 에 나타내었다.

비교예	화학 조성비 (중량%)	식각속도 (Å/sec)	테이프각 (°)
비교예	옥살산	식각속도 (Å/sec)	테이프각 (°)	탈이온수
1	1	99	6.7	< 20
2	2	98	7.4	< 20
3	5	95	8.3	< 20
4	10	90	9.1	< 20
5	12	88	9.3	< 20
6	15	85	9.5	< 20

이하, 실시예 1 내지 13 의 조성범위 이외에서의 식각공정의 테스트를 통하여 본 발명의 바람직한 조성범위의 한정에 대해 설명한다.

첫째로, 옥살산은 IZO 막을 식각하는 주요 성분으로서 2 중량% 미만일 경우에는 식각속도가 너무 느려 안정된 공정에 적용하는데 어려움이 있다. 또한, 옥살산이 8 중량% 을 초과하는 경우에는 용해도가 좋지 않아 온도가 조금만 떨어져도 옥살산 결정이 석출되는 문제점이 발생하게 된다. 실제로, 8 중량% 를 옥살산을 용해시키려면 가열 또는 초음파 처리에 의해서만 가능하다. 따라서, 바람직한 옥살산의 조성범위는 2 중량% 내지 8 중량% 이다.

둘째로, 인산염 계열 화합물은 식각속도를 증가시키고 잔사를 없애주며 테이프각을 높여주는 역할을 주로 한다. 이때 농도가 0.5 중량% 미만인 경우에는 식각속도 및 테이프각을 개선하는 효과가 매우 미흡하고, 4 중량% 이상인 경우에는 옥살산에 비교해 인산염 계열 화합물을 잘 용해되지만 상대적으로 용해도가 나쁜 옥살산이 결정으로 석출되는 현상이 발생한다. 따라서, 바람직한 인산염 계열의 조성범위는 0. 내지 4 중량% 이다.

세째로, 탄화수소 화합물은 옥살산의 결정 석출을 막아주고 식각 후 잔사를 없애주는 역할을 하는 것으로 농도가 증가할수록 효과가 뛰어나다. 그러나 0.05 중량% 를 초과하면 그러한 효과의 상승이 크지 않고 식각용액의 표면장력이 지나치게 낮아져 기표가 매우 많이 발생하는 문제점이 발생할 수 있다. 기포가 너무 많게 되면 공정상에서 순환 제어가 안되는 경우가 발생할 수 있다. 한편, 탄화수소 화합물이 너무 적어 0.0005 중량% 미만인 경우에는 결정이 석출되기 쉽고, 잔사가 발생할 수 있다. 잔사는 편평도 저하, 오정렬 (misalignment) 등을 유발하여 공정 안정성을 저해할 뿐 아니라, 배선의 단락 등으로 소자의 특성에 치명적인 문제점을 발생하게 할 수 있다. 따라서, 바람직한 탄화수소 화합물의 조성범위는 0.0005 내지 0.05 중량% 이다.

본 발명의 실제 실현화에서, 본 발명에 따른 식각공정 후에는 기포발생량이 매우 적은 수준으로 침지방법에 의한 식각 뿐아니라 스프레이 방식의 식각도 가능하다. 또한, 상술한 식각용액에 첨가제를 투입함으로써, 대형기판의 식각 균일성을 개선 가능하다.

상기에서 본 발명의 특정한 실시예가 설명 및 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.

따라서, 본 발명의 청구범위의 사상이나 범위를 일탈하지 않는 범위내에서 다양한 변형 실시예들과 균등물등이 가능하므로, 이와 같은 것들은 본 발명의 청구범위 안에 속한다고 해야 할 것이다.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 식각용액 및 그 식각방법에 의해서, 식각속도가 빠르고, 잔사가 남지 않으며 테이프각도 양호한 IZO 막 식각공정을 수행할 수 있는 효과가 있다.

또한, 약 - 5 도이하의 온도에서도 결정이 석출되지 않은 식각용액을 제공하여 생산성 향상에 유리한 효과를 가져 올 수 있다.

Claims

전체 조성물 총중량에 대하여 2 내지 8 중량% 의 옥살산 계열;

전체 조성물 총중량에 대하여 0.5 내지 4 중량% 의 인산염 계열 화합물;

전체 조성물 총중량에 대하여 0.0005 내지 0.05 중량% 의 탄화수소 계열 화합물; 및

전체 조성물 총중량이 100 중량% 가 되도록 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 IZO 막 식각용액.
제 1 항에 있어서, 상기 옥살산 계열은 옥살산인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 IZO 막 식각용액.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 인산염 계열 화합물은 Na₃PO₄, Na₂HPO₄, K₃PO₄, K₂HPO₄, 및 KH₂PO₄으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 IZO 막 식각용액.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 탄화수소 계열 화합물은 폴리옥시에틸렌 에테르, 알킬 설페이트, 플루오르 알킬 설폰아미드, 퍼플루오르 알킬 설포네이트, 플루오르 알킬 암모늄 요드, 및 플루오르 알킬 폴리 에톡실레이트로 구성된그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 IZO 막 식각용액.
기판 상에 IZO 막을 증착하는 제 1 단계;

상기 IZO 막 상에 선택적으로 포토레지스트를 남기는 제 2 단계; 및

제 1 항 에 따른 식각용액을 사용하여 식각하는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 IZO 식각방법.
제 5 항에 있어서, 상기 제 1 단계는, 상기 기판 상에 반도체 구조물을 형성하는 제 4 단계; 및 상기 반도체 구조물 상에 IZO 막을 증착하는 제 5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 IZO 막 식각방법.
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 기판은 LCD 용 유리기판인 것을 특징으로 하는 식각방법.
제 6 항에 있어서, 상기 반도체 구조물은 TFT LCD 용 구조물인 것을 특징으로 하는 식각방법.