KR20030000770A - 반도체장치 제조설비 - Google Patents

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KR20030000770A
KR20030000770A KR1020010036889A KR20010036889A KR20030000770A KR 20030000770 A KR20030000770 A KR 20030000770A KR 1020010036889 A KR1020010036889 A KR 1020010036889A KR 20010036889 A KR20010036889 A KR 20010036889A KR 20030000770 A KR20030000770 A KR 20030000770A
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract

본 발명은 웨이퍼에 대한 식각 과정에서 인가되는 고주파파워의 영역을 넓은 범위로 균일하게 형성토록 함으로써 공정가스가 웨이퍼 상에 균일하게 반응할 수 있도록 하는 반도체장치 식각설비의 척 조립체에 관한 것으로서, 이에 대한 구성은, 웨이퍼 저면 중심 부위를 밀착 지지하며, 상면 가장자리 부위가 웨이퍼 저면에 이격 대향하도록 단차지게 형성된 척 본체와; 내측 저면이 상기 척 본체의 단차진 면에 밀착 지지되고, 내측 상면 부위는 웨이퍼 저면이 상측으로부터 삽입되게 안착되도록 단차지게 형성된 포커스링과; 척 본체의 측부 외측으로 연장된 상기 포커스링 저면 부위를 밀착 지지하도록 설치되는 절연링;을 포함하여 구성된 척 조립체에 있어서, 상기 절연링의 내측 상면 부위는 상기 포커스링의 저면 주연 부위가 상측으로부터 삽입되게 안착되도록 단차지게 형성됨을 특징으로 한다. 이에 따르면, 포커스링이 외측 부위가 절연링의 단차진 부위에 의해 소정 범위 가려짐에 따라 포커스링의 외측 가장자리 부위는 공정가스에 의한 식각 정도가 미비하게 되어 포커스링의 수명이 연장되고, 장시간 플라즈마 영역을 균일하게 형성하게 되며, 그에 따른 공정이 균일하게 이루어지는 등의 효과가 있게 된다.

Description

반도체장치 제조설비{semiconductor device manufacturing equipment}
본 발명은 반도체장치 제조설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체장치를 제조하기 위하여 공증을 수행하는 챔버 외측에 결로에 의해 구성의 오동작 등을 방지하도록 하는 반도체장치 제조설비에 관한 것이다.
일반적으로 반도체장치는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행하게 됨으로써 이루어진다. 이러한 각 공정을 수행하기 위한 제조설비 중에는 웨이퍼를 일 매씩 순차적으로 이송하여 그 공정에 따른 일련의 작업이 동시에 이루어지도록 각 기능 구성이 연이어 연결된 멀티챔버 구조의 제조설비가 있으며, 이러한 멀티챔버 구조를 이루는 제조설비의 구성에 대한 종래 기술 구성을 첨부된 도면으로 참조하여 설명하기로 한다.
도 1에 도시된 멀티챔버 구조의 제조설비(10)는, 그 주된 공정이 플라즈마 상태의 공정가스를 이용하는 설비로서, 식각, 확산 화학기상증착 등의 공정을 수행하는 일반적인 멀티챔버 구조의 제조설비(10)이다. 이러한 제조설비(10)의 도 1에 도시된 바와 같이, 생산라인으로부터 카세트에 복수개 탑재된 웨이퍼가 투입 가능하도록 형성된 로드락챔버(12a, 12b)가 있고, 이 로드락챔버(12a, 12b)의 상대측 부위에는 로드락챔버(12a, 12b) 내부에 위치되는 웨이퍼를 선택적으로 일 배씩 이송시키기 위한 로봇(도면의 단순화를 위하여 생략함)이 설치된 트랜스퍼챔버(14)가 상호 선택적으로 연통하도록 연결된다. 또한 트랜스퍼챔버(14)의 다른 측부에는 웨이퍼에 대하여 공정을 수행하는 공정챔버(16a, 16)가 선택적으로 연통하게 설치되고, 또 다른 측부에는 상술한 공정챔버(16a, 16b)에서의 공정 수행 전·후에 대하여 선·후 처리 과정을 수행하는 다른 구성들이 설치된다.
이러한 구성에 있어서, 상술한 공정챔버(16a, 16b)의 하우징(18) 내부에는 웨이퍼에 대하여 플라즈마 상태의 공정가스를 공급함에 따른 가열됨을 방지하기 위한 냉매를 유동 공급하는 부위가 있게 되며, 이렇게 냉매가 공급되는 부위의 외측 커버(20) 부위에는 상대적으로 저온을 이루게 되어 그 부위에서 결로가 생성된다.
상술한 바와 같이, 냉매 공급에 따라 외측 커버(20) 부위에 생성되는 결로는 계속적인 공정 진행 과정에서 그 표면에 매치는 결로가 더욱 확대되어 그 표면을 따라 하측으로 유동하게 되고, 이렇게 하측으로 유동한 물은 커버(20) 내부로부터 연장 연결되는 각종 센서 등의 전기 부품의 전기적 접속 부위로 유동할 수 있으며, 이것은 공정 수행의 불량을 초래하게 되고, 각 구성의 수명을 단축시키는 등의 문제를 야기하게 된다. 또한 제조설비를 이루는 각 구성의 수명 단축은 제조설비의 분해 조립에 따른 설비 복원의 주기와 그 회수를 늘리는 결과를 초래하며, 이것은 설비의 가동률과 그에 따른 생산성을 저하시키는 문제를 야기하게 된다.
본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 냉매의 공급에 따른 결로가 생성되는 전체 부위에 대하여 결로의 생성을 억제하도록 함과 동시에 생성되는 결로를 강제적으로 증발시키도록 하여 그에 따른 공정 불량이나 제조설비의 각 구성의 수명을 연장하도록 하는 반도체장치 제조설비를 제공함에 있다.
또한, 상술한 문제 해결을 통해 제조설비의 분해 조립 및 세정 주기를 연장하도록 하여 설비의 가동 효율과 그에 따른 생산성을 향상시키도록 하는 반도체장치 제조설비를 제공함에 있다.
도 1은 종래의 반도체장치 제조설비의 설치 구성을 개략적으로 나타낸 부분 절취 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치 제조설비의 설치 구성을 개략적으로 나타낸 부분 절취 사시도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10: 제조설비 12a, 12b: 로드락챔버
14: 트랜스퍼챔버16a, 16b: 공정챔버
18: 하우징20: 커버
22: 건조수단
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 특징적 구성은, 공정이 이루어지는 부위를 덮고, 그 내벽과 외벽 사이에 냉매의 유동통로가 형성된 커버와; 상기 커버 외측을 덮는 하우징;을 포함하여 이루어진 반도체장치 제조설비에 있어서, 상기 커버의 외측 부위에 대향하는 상기 하우징 내벽 소정 위치에 상기 커버 외측 표면에 생성되는 결로를 강제 증발시키도록 하는 건조수단이 설치되어 이루어짐을 특징으로 한다. 또한 상기 건조수단은 상기 커버의 외측 표면 전체에 대하여 건조 가스를 소정의 압력으로 분사 공급는 가스 공급부로 구성될 수 있으며, 또는 상기 커버 외측 표면에 대향하여 공기를 강제적으로 유동시키도록 하는 팬이 설치되어 이루어질 수도 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치 제조설비의 구성 및 이들 구성의 결합 관계에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치 제조설비의 구성 및 이들 구성의 결합 관계를 개략적으로 나타낸 부분 절취 사시도로서, 종래와 동일한 부분에 대하여 동일한 부호를 부여하고, 그에 따른 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 반도체장치 제조설비의 구성은, 도 2에 도시된 바와 같이,멀티챔버 구조의 제조설비(10)에 있어서, 공정이 이루어지는 공정챔버(16a, 16b)가 있고, 이 공정챔버(16a, 16b)는 공정이 이루어지는 부위로부터 가열됨을 방지하기 위한 냉매가 공급되도록 연결되는 부위를 덮는 커버(20)와 이 커버(20)를 포함한 공정챔버(16a, 16b)의 외측 부위를 커버하는 하우징(18)이 설치된 구성을 이룬다.
또한, 상술한 하우징(18)의 내벽 소정 위치에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 냉매의 공급에 따라 그 외측을 덮는 커버(20)의 전면에 대하여 냉매의 공급에 의한 결로의 생성을 억제함과 동시에 생성되는 결로를 강제적으로 증발시키도록 하는 건조수단(22)이 설치된다.
이러한 건조수단(22)으로는 커버(20)의 외측 표면에 대하여 커버(20)의 외측 표면 전체에 대하여 외부로부터 연장된 건조가스 유동라인(도면의 단순화를 위하여 생략함)과 연통 연결되어 건조 가스를 소정의 압력으로 분사 공급는 가스공급부로 구성될 수 있고, 또는 커버(20)의 외측 표면에 대향하여 공기를 강제적으로 유동시키도록 하는 팬이 설치된 구성으로 이루어질 수 있다.
이러한 구성에 의하면, 하우징(18) 내벽 소정 위치에 설치되는 건조수단(22)이 냉매 공급에 의해 결로가 생성되는 부위를 덮는 커버(20)의 외측 표면 전체에 대향하여 계속적인 건조가스를 공급하거나 팬의 구동에 의한 공기의 강제 유동을 유도하게 됨으로써 커버(20) 표면의 냉각으로 결로가 생성되는 것이 억제되고, 또 동시에 생성된 결로의 경우에 있어서도 그 주위 공기의 유동에 의해 강제적으로 기화되게 된다.
그리고, 상술한 바와 같이, 커버(20)의 표면에 대하여 분사 공급되는 건조가스는 생산라인에 설치되는 질소가스 공급라인으로부터 공급되는 질소가스를 사용함이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 의하면, 냉매가 공급됨에 의해 그 외측을 덮는 커버의 외측 표면 전체에 대하여 건조수단에 의한 건조가스의 분사 공급 또는 강제 기화시키기 위해 공기의 유동을 유도하는 팬에 의해 그 커버의 표면에 대한 결로의 생성이 억제되고, 동시에 건조가스의 분사 공급 및 팬에 의한 공기의 유동으로 생성되는 결로는 건조가스 및 공기의 유동에 의해 강제적으로 기화되며, 이를 통해 공정챔버에 각 구성이 결로에 의한 손상이나 파손이 방지되어 그 수명이 연장되며, 또 설비의 분해 조립에 다른 설비 복원 주기가 연장되어 설비의 가동효율과 생산성이 증대되는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.

Claims (3)

  1. 공정이 이루어지는 부위를 덮고, 그 내벽과 외벽 사이에 냉매의 유동통로가 형성된 커버와; 상기 커버 외측을 덮는 하우징;을 포함하여 이루어진 반도체장치 제조설비에 있어서,
    상기 커버의 외측 부위에 대향하는 상기 하우징 내벽 소정 위치에 상기 커버 외측 표면에 생성되는 결로를 강제 증발시키도록 하는 건조수단이 설치되어 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치 제조설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 건조수단은 상기 커버의 외측 표면 전체에 대하여 건조 가스를 소정의 압력으로 분사 공급는 가스 공급부로 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조설비.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 건조수단은 상기 커버 외측 표면에 대향하여 공기를 강제적으로 유동시키도록 하는 팬으로 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조설비.
KR1020010036889A 2001-06-27 2001-06-27 반도체장치 제조설비 KR20030000770A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100725564B1 (ko) * 2005-07-20 2007-06-12 이송자 Lllt를 위한 범용 패치

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