KR200226351Y1 - 반도체 제조를 위한 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스 구조 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 제조를 위한 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스(furnace) 구조에 관한 것으로서, 보호막 형성을 위한 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스의 구조 개선을 통해 튜브홀더 내에 카본 화합물이 증착되는 것을 방지하여, 퍼니스 수명 연장 및 생산성 향상을 도모할 수 있도록 한 것이다. 본 고안은 중공 실린더형의 인너튜브(1)와, 상기 인너튜브(1)를 감싸는 아웃터튜브(2)와, 상기 아웃터튜브(2)를 감싸는 히터(3)와, 상기 인너튜브(1) 내측에 삽입되는 보우트(4)와, 상기 보우트(4)를 지지하는 보우트 스탠드(5)와, 튜브를 지지하는 튜브홀더(6)와, 아웃터튜브(2) 하단부 일측에 구비되는 배기포트(7)를 구비한 반도체 제조 공정용 퍼니스에 있어서; 상기 튜브홀더(6) 내측면에 보호용 석영커버(8)를 착탈가능하게 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스(furnace) 구조를 제공한다.

Description

반도체 제조를 위한 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스 구조{STRUCTURE OF FURNACE FOR ANNEALING WAFER IN FABRICATION SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 고안은 반도체 제조를 위한 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스(furnace) 구조에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 보호막 형성을 위한 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스의 구조 개선을 통해 튜브홀더 내에 카본 화합물이 증착되는 것을 방지하므로써, 퍼니스 수명 연장 및 생산성 향상을 도모할 수 있도록 한 것이다.

종래의 웨이퍼 어닐릴 공정용 퍼니스는 도 1에 나타낸 바와 같이, 중공 실린더형의 인너튜브(1)와, 상기 인너튜브(1)를 감싸는 아웃터튜브(2)와, 상기 아웃터튜브(2)를 감싸는 히터(3)와, 상기 인너튜브(1) 내측에 삽입되는 보우트(4)와, 상기 보우트(4)를 지지하는 보우트 스탠드(5)와, 튜브를 지지하는 스테인레스 재질의 튜브홀더(6)와, 아웃터튜브(2) 하단부 일측에 구비되는 배기포트(7)를 구비하고 있다.

이와 같은 종래의 퍼니스는 인너튜브(1) 내측 하단부로 공급된 공정가스가 인너튜브(1) 상단부측으로 유동하게 되며, 상기 인너튜브(1)와 그 외측에 이격 설치된 아웃터튜브(2)(도시는 생략함) 사이의 갭을 통해 다시 아래쪽으로 유동한 다음, 아웃터튜브(2) 하단부에 연결된 배기포트(7)를 통해 배출된다.

그러나, 이와 같은 종래의 퍼니스를 이용하여 웨이퍼 어닐링 공정을 진행시에는, 현공정 특성상 폴리아미드막을 형성하기 위하여 350℃의 공정온도에서 가열하여 휘발성의 포토레지스트나 수분을 연소시키는 과정에서, 홀더 챔버내 열손실이 가장 심한 하단부의 튜브홀더(6) 표면에 변질된 카본 화합물(9)이 증착되는 문제점이 있었다.

즉, 350℃의 공정온도로 액체의 폴리아미드가 가열되어 휘발되어야 하나, 튜브홀더(6) 부분이 열손실이 가장 많아 200℃ 이하의 온도를 유지함에 따라, 폴리아미드가 변질되어 카본 화합물(9)을 이루어 상기 튜브홀더(6) 표면에 증착되어 튜브홀더(6)를 오염시키는 문제점이 있었다.

이 경우, 퍼니스의 보수유지를 위해 화학적 세정이 이루어져야 하며, 이러한 화학적 세정이 잦아질 경우에는 튜브홀더(6) 표면의 코팅 상태가 나빠져 퍼니스의 수명이 단축된다.

또한, 유지보수를 위한 장비 다운 시간이 증가되어 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.

본 고안은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 보호막 형성을 위한 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스의 구조 개선을 통해 튜브홀더 내에 카본 화합물이 증착되는 것을 방지하여 퍼니스의 수명 연장 및 보수유지 시간의 단축을 도모할 수 있도록 한 반도체 제조를 위한 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스(furnace) 구조를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래의 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스 구조를 나타낸 종단면도.

도 2는 본 고안에 따른 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스 구조를 나타낸 종단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

1:인너튜브 2:아웃터튜브

3:히터 4:보우트

5:보오트 스탠드 6:튜브홀더

7:배기포트 8:석영커버

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 고안은 중공 실린더형의 인너튜브와, 상기 인너튜브를 감싸는 아웃터튜브와, 상기 아웃터튜브를 감싸는 히터와, 상기 인너튜브 내측에 삽입되는 보우트와, 상기 보우트를 지지하는 보우트 스탠드와, 튜브를 지지하는 튜브홀더와, 아웃터튜브 하단부 일측에 구비되는 배기포트를 구비한 반도체 제조 공정용 퍼니스에 있어서; 상기 튜브홀더 내측면에 보호용 석영 커버를 착탈가능하게 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스(furnace) 구조를 제공한다.

이하, 본 고안의 일실시예를 첨부도면 도 2를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 고안에 따른 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스 구조를 나타낸 종단면도로서, 중공 실린더형의 인너튜브(1)와, 상기 인너튜브(1)를 감싸는 아웃터튜브(2)와, 상기 아웃터튜브(2)를 감싸는 히터(3)와, 상기 인너튜브(1) 내측에 삽입되는 보우트(4)와, 상기 보우트(4)를 지지하는 보우트 스탠드(5)와, 튜브를 지지하는 튜브홀더(6)와, 아웃터튜브(2) 하단부 일측에 구비되는 배기포트(7)를 구비한 반도체 제조 공정용 퍼니스에 있어서; 상기 튜브홀더(6) 내측면에 보호용 석영커버(8)를 착탈가능하게 설치한 것이다.

이와 같이 구성된 본 고안의 작용은 다음과 같다.

보호막 형성을 위한 웨이퍼 어닐링 공정 진행시, 인너튜브(1) 내측 하단부로 공급된 공정가스인 질소는 인너튜브(1) 상단부측으로 유동한 후, 상기 인너튜브(1)와 그 외측에 이격 설치된 아웃터튜브(2)(도시는 생략함) 사이의 갭(gap)을 통해 다시 아래쪽으로 유동한 다음, 아웃터튜브(2) 하단부에 연결된 배기포트(7)를 통해 배출된다.

이 때, 폴리아미드막을 형성하기 위하여 350℃의 공정온도에서 가열하여 휘발성의 포토레지스트나 수분을 연소시키게 되는데, 이 과정에서 퍼니스내의 열손실이 가장 심한 부분인 퍼니스 하단부의 튜브홀더(6) 표면에 변질된 카본 화합물(9)이 증착되게 되는데, 종래와는 달리 본 고안에서는 석영커버(8)에 의해 스텐인레스 재질인 튜브홀더(6)가 보호된다.

즉, 350℃의 공정온도로 액체의 폴리아미드가 가열되어 휘발되어야 하나, 튜브홀더(6) 부분이 열손실이 가장 많아 200℃ 이하의 온도를 유지함에 따라, 폴리아미드가 변질되어 카본 화합물(9)이 발생할 경우, 본 고안의 퍼니스에서는 상기 카본 화합물(9)이 튜브홀더(6) 내측에 구비된 석영커버(8) 표면에 증착된다.

요컨대, 본 고안에서는 스테인레스인 튜브홀더(6) 대신 그 내측에 설치된 석영커버(8)에 카본 화합물(9)이 증착되게 된다.

이에 따라, 본 고안에서는, 유지보수시, 케미컬의 영향을 받지 않는 석영커버(8)를 세정하므로써 튜브홀더(6)의 표면을 보호할 수 있게 된다.

또한, 유지보수를 위한 장비 다운(down) 시간이 줄어들고, 대신 장비 가동시간이 증가되어 생산성 향상을 도모할 수 있게 된다.

이와 같이, 본 고안은 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스의 구조 개선을 통해 튜브홀더(6) 표면에 부착되는 카본 화합물(9)로부터 튜브홀더(6)를 보호하여, 퍼니스의 수명을 연장시킬 수 있으며, 유지보수에 소요되는 시간을 줄여 공정의 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.

이상에서와 같이, 본 고안은 반도체 제조를 위한 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스(furnace) 구조를 개선한 것이다.

이에 따라, 본 고안은 튜브홀더 내에 카본 화합물이 증착되는 것을 방지하므로써, 퍼니스의 수명을 연장시킬 수 있으며, 퍼니스의 유지보수에 소요되는 시간을 줄여 공정의 생산성을 향상시킬 수 있게 되는 등 많은 효과를 가져오게 된다.

Claims (1)

1. 중공 실린더형의 인너튜브와, 상기 인너튜브를 감싸는 아웃터튜브와, 상기 아웃터튜브를 감싸는 히터와, 상기 인너튜브 내측에 삽입되는 보우트와, 상기 보우트를 지지하는 보우트 스탠드와, 튜브를 지지하는 튜브홀더와, 아웃터튜브 하단부 일측에 구비되는 배기포트를 구비한 반도체 제조 공정용 퍼니스에 있어서,

   상기 튜브홀더 내측면에 보호용 석영 커버를 착탈가능하게 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 웨이퍼 어닐링 공정용 퍼니스(furnace) 구조.