KR20030000709A - 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막 - Google Patents

유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막 Download PDF

Info

Publication number
KR20030000709A
KR20030000709A KR1020010036783A KR20010036783A KR20030000709A KR 20030000709 A KR20030000709 A KR 20030000709A KR 1020010036783 A KR1020010036783 A KR 1020010036783A KR 20010036783 A KR20010036783 A KR 20010036783A KR 20030000709 A KR20030000709 A KR 20030000709A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
straight
carbon atoms
substituted
fluorine
Prior art date
Application number
KR1020010036783A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100422916B1 (ko
Inventor
고민진
문명선
남혜영
신동석
강정원
김영득
강귀권
최범규
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR10-2001-0036783A priority Critical patent/KR100422916B1/ko
Publication of KR20030000709A publication Critical patent/KR20030000709A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100422916B1 publication Critical patent/KR100422916B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/02—Polysilicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

본 발명은 유기실리케이트 중합체에 관한 것으로, 특히 열적으로 안정한 동시에 성막성이 양호하고, 기계적 특성과 유전특성이 우수한 1 종 이상의 하이드리드 실란화합물과 일반 실란화합물의 가수분해 축중합물의 유기실리케이트 중합체, 및 이의 제조방법과 이를 이용하는 반도체 소자의 절연막 형성용 조성물, 및 이를 적용한 절연막, 및 그의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 유기실리케이트 중합체를 절연막에 적용하면 얻어지는 막은 절연성, 탄성률이 우수하고, 또한 도막의 기계적 특성이 우수하다.

Description

유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막{ORGANIC SILICATE POLYMER AND LOW DIELECTRIC INSULATION FILM COMPRISING THE SAME}
본 발명은 유기실리케이트 중합체에 관한 것으로, 특히 열적으로 안정한 동시에 성막성이 양호하고, 기계적 특성과 유전 특성이 우수한 저유전 유기실리케이트 중합체, 및 이의 제조방법과 이를 이용하는 반도체 소자의 절연막 형성용 조성물, 및 이를 적용한 절연막, 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
최근 반도체 소자의 집적도가 증가하면서 소자 내부를 연결하는 도선의 선폭이 급속하게 줄어들고 있으며, 2003년경에는 0.1 ㎛의 회로 선 폭을 이용한 고밀도의 소자가 개발될 것으로 예상된다. 일반적으로 반도체 소자의 속도는 트랜지스터의 스위칭 속도와 시그널(signal)의 전달 속도에 비례하고, 시그널의 전달 속도는 배선물질의 저항과 층간 절연막의 정전용량의 곱으로 표시되는 RC 지연(delay)에 의하여 결정된다. 반도체 소자의 집적도가 높아지면 소자내부를 연결하는 금속선간의 폭이 좁아지고, 굵기는 가늘어짐과 동시에 길이는 기하급수적으로 증가하여, 고밀도 칩상의 속도는 스위칭 속도보다는 고밀도 칩상의, RC 지연에 의하여 결정된다. 따라서 고속의 칩을 제조하기 위해서는 저항이 작은 도체와 유전율이 낮은 절연물질을 사용하여야 한다. 또한 저 유전 물질의 사용은 반도체 소자의 속도 증가 뿐만 아니라, 소비전력을 낮출 수 있고, 금속 배선 간의 상호 간섭(cross-talk) 현상을 현저히 감소시킬 수 있는 이점이 있다.
최근 IBM에서 종래의 알루미늄 배선을 사용하지 않고, 전기 전도도가 높은 구리 배선을 사용하여 30 % 이상의 성능 향상을 보인 반도체 시제품을 출시한 바 있다. 반면에 저유전 물질을 적용한 반도체 소자는 적절한 소재 개발의 미비로 상업화에 어려움을 겪고 있다.
종래의 IC, LSI 등의 반도체 소자의 층간 절연 재료는 유전상수가 4.0인 SiO2가 대부분이며, 저유전 물질로 플로린이 도핑된 실리케이트(F-SiO2)가 일부 소자에 적용되고 있다. 그러나 F-SiO2의 경우 플로린의 함량이 6 % 이상일 경우 열적으로 불안정한 상태가 되어 이 방법으로는 유전상수를 3.5 이하로 낮추기 어려운 문제점이 있다. 최근에 이러한 문제점을 해결하기 위하여 극성이 낮고 열적으로 안정한 여러 가지 유기 및 무기 고분자들이 제시되고 있다.
저유전 상수를 갖는 유기 고분자는 플로린을 함유하거나 또는 함유하지 않은 폴리 이미드 수지, 폴리 아릴렌 에테르 수지, 및 퍼플로로 사이클로 부탄 함유 수지 등이 알려져 있다. 이들 유기 고분자들은 대부분 유전상수가 3.0 이하이지만 일반적으로 유리 전이 온도가 낮아서 고온에서의 탄성률이 현저히 떨어지고 선팽창 계수가 매우 높은 문제점이 있다. 또한 플로린을 함유한 유기 고분자는 이러한 물성들이 더욱 저하된다. 반도체 제조 공정 및 패키징 공정은 공정 중에 200 내지450 ℃의 높은 온도까지 올라갈 수 있다. 그러므로 이와 같이 낮은 열적 안정성과 탄성률 및 높은 선팽창 계수를 가지는 유기 고분자는 소자 또는 배선판의 신뢰성을 저하시킬 수가 있다.
상기에서 설명한 유기 고분자의 열적 안정성 문제를 해결하기 위하여 솔-젤(sol-gel) 공정을 이용한 유기실리케이트 고분자 개발이 최근에 진행중이다. 이 방법은 유기 실란을 가수분해, 축합반응 후 경화 공정을 통하여 유기 실리케이트 막을 형성하는 방법이다. 이러한 방법으로 실세스 퀴옥산은 3.0 이하의 낮은 유전 상수를 갖고 450 ℃에서 열적으로 안정하다. 그러나 상기 유기실리케이트 고분자는 경화 공정 중에 발생하는 수축 응력이 매우 커서 1 ㎛ 이상의 두께에서 크랙이 발생하기 쉽고, 알킬기의 도입으로 기계적 강도가 낮고, 최종 경화 후 미 반응 관능기가 잔존하는 경우가 있다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 고려하여, 반도체 소자의 고속화와 소비 전력량 감소가 가능하며, 금속 배선의 상호 간섭 현상을 현저히 줄일 수 있는 초저유전 배선 층간 절연막으로 사용될 수 있는 저유전 물질을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 성막 특성이 양호하고, 기계적 특성 및 유전 특성이 우수한 실리카계 중합체와 그의 제조방법, 및 이 중합체를 함유하는 절연막, 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 유기 실리케이트 중합체에 있어서,
a) 1 종 이상의 하기 화학식 1로 표시되는 하이드리드 실란화합물; 및
b) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물,
및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물의 군으로부터 1 종 이상 선택되는
실란화합물
의 가수분해 축합물의 유기실리케이트 중합체를 제공한다:
[화학식 1]
상기 화학식 1의 식에서,
R1은 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이며,
R2는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이며, p는 0 내지 2의 정수이다.
[화학식 2]
상기 화학식 2의 식에서,
R3는 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이며,
R4는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이며, q는 0 내지 3의 정수이다.
[화학식 3]
상기 화학식 3의 식에서,
R5및 R7은 각각 독립적으로 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이며,
R6및 R8은 각각 독립적으로 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이며,
r, 및 s는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다.
[화학식 4]
상기 화학식 4의 식에서,
R9은 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이며,
R10는이고, 여기에서, R10의 R11은 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1내지 4의 알킬이고, R12는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, a는 1 내지 6의 정수이고, b는 0 내지 2의 정수이며,
n, 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이다.
또한 본 발명은 유기실리케이트 중합체의 제조방법에 있어서,
a) 유기용매에
ⅰ) 1 종 이상의 상기 화학식 1로 표시되는 하이드리드 실란화합물; 및
ⅱ) 상기 화학식 2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3으로 표시되는
화합물, 및 상기 화학식 4로 표시되는 화합물의 군으로부터 1 종
이상 선택되는 실란화합물
을 혼합하는 단계;
b) 상기 혼합물에 촉매 및 물을 가하고 가수분해 및 축합반응을 시키는 단계
를 포함하는 유기실리케이트 중합체의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 반도체 소자의 절연막 형성용 조성물에 있어서,
a) ⅰ) 1 종 이상의 상기 화학식 1로 표시되는 하이드리드 실란화합물; 및
ⅱ) 상기 화학식 2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3으로 표시되는
화합물, 및 상기 화학식 4로 표시되는 화합물의 군으로부터 1 종
이상 선택되는 실란화합물
의 가수분해 축합물의 유기실리케이트 중합체; 및
b) 유기 용매
를 포함하는 절연막 형성용 조성물을 제공한다.
상기 절연막 형성용 조성물에 있어서,
c) 유기 분자, 유기폴리머, 유기 덴드리머, 콜로이드상 실리카, 에어로졸, 지오로졸, 및 계면활성제로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 첨가제를 그 목적에 맞게 더욱 포함할 수 있다.
또한 본 발명은 반도체 소자의 절연막의 제조방법에 있어서,
a) ⅰ) ㄱ) 1 종 이상의 상기 화학식 1로 표시되는 하이드리드 실란화합물;
및
ㄴ) 상기 화학식 2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3으로 표시되는
화합물, 및 상기 화학식 4로 표시되는 화합물의 군으로부터 1 종
이상 선택되는 실란화합물
의 가수분해 축합물의 유기실리케이트 중합체;
ⅱ) 유기 용매; 및
ⅲ) 필요시, 유기 분자, 유기폴리머, 유기 덴드리머, 콜로이드상 실리카,
에어로졸, 지오로졸, 및 계면활성제로 이루어진 군으로부터 1 종
이상 선택되는 첨가제
를 포함하는 절연막 형성용 조성물 용액을 제공하는 단계:
b) 상기 a)단계의 용액을 반도체 소자의 기재에 도포하여 절연막을 형성시
키는 단계;
c) 상기 b)단계에서 형성되는 절연막을 건조, 및 소성하는 단계; 및
d) 필요시 상기 절연막을 표면 처리하는 단계
를 포함하는 절연막의 제조방법을 제공한다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 유기 실리케이트 중합체로 1 종 이상의 상기 화학식 1로 표시되는 하이드리드 실란화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 상기 화학식 4로 표시되는 화합물의 군으로부터 1 종 이상 선택되는 실란화합물을 일정 비율로 혼합하여 제조되는 가수분해 축합물 및 이의 제조방법, 이를 함유하는 막 형성용 조성물 및 이 조성물로 제조되는 공중합 유기실리케이트 고분자 층간 절연막 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 유기실리케이트 중합체는 절연막에 적용하면 저 유전율 특성을 나타내면서 기계적 물성이 우수하다.
본 발명의 상기 화학식 1의 하이드리드 실란화합물과 상기 화학식 2, 3, 또는 4의 실란화합물군으로 구성된 실란 조성물은 용매의 존재 하에서 물과 촉매를 첨가하고 가수분해 및 축합 반응을 시켜서 일정한 분자량의 유기 실리케이트 고분자를 얻어 절연막 형성용 조성물을 얻는다. 상기 화학식 1의 하이드리드 실란화합물군과 상기 화학식 2, 3, 또는 4의 실란화합물군의 혼합 순서에는 특정한 제한이 없다. 이를테면, 전체 사용량을 처음부터 모두 혼합한 후 가수분해 축합 반응을 하여도 좋고, 전체 사용량 중 일정량을 먼저 가수 분해 축합 반응시켜 일정 분자량으로 키우고 나머지를 후 첨가하여 더욱 반응시켜도 좋다.
상기 화학식 1의 하이드리드 실란화합물의 사용량은 전체 사용한 실란화합물의 실리콘 원자 1 몰당 실리콘에 붙은 수소원자의 수가 0.001 몰에서 0.5 몰, 바람직하게는 0.005 몰에서 0.2 몰이 되도록 혼합한다.
상기 유기실리케이트 중합체를 제조함에 있어서, 상기 화학식 2로 표기된 화합물 중에서 q가 2 또는 3인 화합물을 사용하는 경우에는 총 실란화합물에 대하여 70 중량% 미만, 바람직하게는 40 중량% 미만을 사용하는 것이 바람직하다. 그 이상 사용할 경우에는 막강도의 저하를 가져올 수 있다.
본 발명의 중합 또는 절연막 형성용 조성물에 사용된 용매는, 예를 들면 n-펜탄, i-펜탄, n-헥산, i-헥산, 2,2,4-트리메틸펜탄, 시클로 헥산, 메틸시클로 헥산 등의 지방족 탄화 수소계 용매; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 트리메틸 벤젠, 에틸 벤젠, 메틸 에틸 벤젠 등의 방향족 탄화 수소계 용매; 메틸알콜, 에틸알콜, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, 시클로 헥사놀, 메틸사이클로 헥사놀, 글리세롤 등의 알코올계 용매; 테트라하이드로퓨란, 2-메틸 테트라하이드로 퓨란, 에틸에테르, n-프로필에테르, 이소프로필에테르, 디글라임, 디옥신, 디메틸 디옥신, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 디메틸 에테르 등의 에테르계 용매; 디에틸카보네이트, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 에틸락테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜디아세테이트 등의 에스테르계 용매; N-메틸피롤리돈, 포름아마이드, N-메틸포름아마이드, N-에틸포름아마이드, N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디에틸아세트아마이드 등의 아마이드계 용매 등이 있다.
가수분해 및 축합반응에 사용된 용매들은 반응 후 모두 제거하여 유기실리케이트 고분자 오일 또는 분말을 얻고, 다시 이 유기실리케이트 고분자를 막 형성용 유기 용매에 녹여 사용하거나, 또는 가수분해 및 축합반응에 사용된 유기 용매 중 코팅성에 나쁜 영향을 주는 특정 용매를 일정량 제거한 후 직접 막형성에 사용할 수 있다. 상기 유기 용매들은 1 종 또는 2 종 이상 혼합하여 사용하는 것이 가능하다.
본 발명에서는 가수 분해 축합반응을 촉진시키기 위하여 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 가수분해 축합반응에 사용되는 촉매는 산 촉매, 염기 촉매, 금속킬레이트화합물 등이 가능하고 바람직하게는 산 촉매가 적당하다. 예를 들면, 산촉매는 염산, 질산, 황산, 인산, 포름산, 벤젠술폰산, 톨루엔술폰산, 아세트산, 옥살산, 말론산, 말레산, 푸마르산, 구연산, 프로피온산 등이 가능하고, 염기촉매는 암모니아, 수산화나트륨, 수산화칼슘, 수산화칼륨, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디메틸 에틸알콜 아민, 모노메틸 디에탄올 아민디아자비시클로운데센, 피리딘,피롤피페리딘, 콜린, 피롤리딘, 피페라진 등이 가능하다. 금속킬레이트 화합물은 알루미늄, 티탄, 지르코늄, 주석, 탄타륨 등의 금속으로 이루어진 유기금속 화합물을 들 수 있다. 상기 산, 염기 및 금속킬레이트 화합물은 단독 또는 조합하여 사용할 수 있다. 또한 2 종 이상을 단계적으로 사용하는 것도 가능하다.
이러한 촉매의 첨가량은 사용된 총 실란화합물 1 몰에 대하여 0.0001 내지 1몰을 사용하고, 바람직하게는 0.5 몰 이하를 사용한다. 촉매의 양이 실란화합물 1 몰당 1 몰 이상일 경우에는 반응 속도가 매우 빨라 분자량 조절이 어렵고, 쉽게 겔이 발생할 우려가 있다.
본 발명에서는 실란화합물의 가수 분해를 위하여 물을 첨가한다. 실란화합물의 가수분해에 적합한 물의 양은 사용된 총 실란화합물의 실리콘 원자 1 몰당 0.1 내지 20 몰이 적당하고, 바람직하기로는 1 내지 10 몰이 적당하다. 물의 첨가 방법은 단속적 또는 연속적으로 첨가가 가능하다. 이때 촉매는 유기 용매 중에 미리 첨가해 있어도 좋고, 수 첨가시 용해 또는 분산시키고 있어도 좋다. 이때 반응 온도는, 통상 0 내지 100 ℃에서 반응시키고, 바람직하게는 15 내지 80 ℃에서 반응시키는 것이 바람직하다. 이때 얻어지는 가수분해 축합물의 중량 평균 분자량은 통상 500 내지 1,000,000, 바람직하게는 1000 내지 1,000,000 이다.
본 발명에서 얻어지는 막형성용 조성물에는 절연막의 밀도를 더욱 낮추기 위하여 유기분자, 유기폴리머, 덴드리머를 일정량 첨가해도 좋다. 유기물의 종류에는 큰 제한은 없으며, 200 내지 450 ℃에서 열분해가 가능한 물질로, 예를 들면 알리파틱 하이드로 카본, 아로마틱 하이드로카본, 에테르 관능기 분자, 에스테르 관능기 분자, 안하이드라이드 관능기 분자, 카보네이드 관능기 분자, 아크릴 관능기 분자, 사이오 에테르 관능기 분자, 아이소시아네이트 관능기 분자, 아이소 시아누레이트 관능기 분자, 설폰 관능기 분자, 및 설폭사이드 관능기 분자 등으로 구성된 유기분자 또는 고분자 등이 가능하다. 위의 유기분자 또는 유기 고분자는 유기 실리케이트와 반응할 수 있는 알콕시 실란 관능기를 분자 말단 또는 분자내에 함유하여도 좋다. 유기폴리머, 덴드리머는 유기실리케이트 중합체 제조 후 막형성 조성물에 첨가하여 사용하거나 유기실리케이트 중합체 제조시 첨가 할 수 있다.
본 발명에서 얻어지는 막형성용 조성물에는 그 밖의 첨가제로 콜로이드 상태의 실리카, 에어로졸, 지오로졸, 계면활성제 등의 성분을 그 목적에 맞게 일정량 첨가해도 좋다.
본 발명의 조성물의 전 고형분의 농도는 2 내지 60 중량%, 바람직하게는 5 내지 40 중량%가 절연막의 막 두께와 보전 안정성을 고려하여 적당하다. 여기에서 고형분 농도는 상기 유기용매의 사용량에 의하여 조절이 가능하다.
절연막은 본 발명의 조성물을 발명의 실리콘 웨이퍼, SiO2웨이퍼, SiN 웨이퍼, 화합물 반도체 등의 기재에 도포함으로서 형성된다. 절연막의 형성 방법은 스핀코트법, 침지법, 롤 코트법, 스프레이법 등을 사용할 수 있으며, 이들의 방법을 사용하여 일정 두께의 막을 형성하는 것이 가능하다. 그 중에서도 반도체 장치의 다층회로 층간 절연막 제조가 목적일 경우에는 스핀 코트법이 적합하다.
막의 두께는 조성물의 점도와 스핀코우터의 회전 속도를 변화시켜 조절할 수 있으며, 통상적으로 반도체 장치의 다층회로구조의 층간 절연막으로 사용하는 경우에 있어서는 0.2 내지 2 ㎛ 이 적당하다.
코팅 후에는 건조공정과 소성(경화)공정을 거쳐 3차원 구조의 유기실리케이트 고분자 절연막을 형성할 수 있다. 건조 공정은 통상적으로 프리베이크(pre-bake) 공정과 소프트베이크(soft-bake) 공정을 포함하는 것을 의미한다. 프리베이크 공정 중 사용한 유기용매를 서서히 증발시키고, 소프트베이크 공정 중에 관능기의 일정량을 가교 시킨 다음 소성 공정 중 잔류 관능기를 최종적으로 반응시킨다. 건조온도와 소성온도는 각각 30 내지 350 ℃와 350 내지 600 ℃에서 실시하는 것이고, 특히 소성온도는 350 내지 500 ℃에서 실시하는 것이 바람직하다. 소성온도가 600 ℃ 이상인 경우에는 유기실리케이트 고분자의 열정안정성이 떨어지고, 반면에 350 ℃ 이하일 경우에는, 유리실리케이트 고분자의 축중합이 완전히 일어나지 않아, 막의 강도가 저하되고, 잔류관능기의 존재로 인하여 유전 특성이 저하될 가능성이 있다.
건조공정과 소성공정은 연속적으로 일정한 속도로 승온시키면서 할 수 있고 또한, 단속적으로 실시할 수 있다. 단속적으로 실시할 경우, 건조 및 소성 공정을 각각 1 분 내지 5 시간 동안 수행하는 것이 적당하다. 가열방법은 핫플레이트, 오븐, 퍼니스 등을 사용하는 것이 가능하고, 가열분위기는 질소, 아르곤, 헬륨 등과 같은 불활성 기체분위기에서, 산소함유 기체(예를 들면 공기 등) 분위기 같은 산소분위기, 진공상태 또는 암모니아 및 수소를 함유하는 기체 분위기 하에서 수행하는 것이 가능하다. 상기 가열방법은 건조공정과 소성공정이 모두 같은 가열방법으로 행하여도 좋고, 각각 다른 방법으로 행하는 것도 가능하다.
건조공정과 소성공정을 거친 후 필요에 따라서 절연막 내부의 하이드록시기 양을 최소화하기 위하여 표면처리를 한다. 표면처리 방법은 일반적으로 알려진 헥사메틸디실라잔, 알킬클로로실란, 알킬알콕시실란, 알킬아세톡시실란과 같은 실릴화 화합물 사용하거나 또는 수소와 같은 환원 분위기 또는 플러린 함유 가스하에서소성하여 표면처리가 가능하다. 절연막의 실릴화 처리 방법은 실릴화 화합물 또는 용매에 희석한 실릴화 화합물에 침지 또는 스핀 코팅시키거나, 실릴화 화합물의 증기 분위기에서 행하는 것이 가능하고, 실릴화 처리 후, 절연막을 100 내지 400 ℃에 가열하는 것이 바람직하다.
이처럼 하여 얻어지는 막은 절연성이 우수하고, 도막의 균일성, 유전율 특성, 도막의 내크랙성, 도막의 표면 강도가 모두 우수하기 때문에, LSI, 시스템 LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, D-RDRAM 등의 반도체 소자용 층간 절연막, 반도체 소자의 표면 코팅막 등의 보호막, 다층배선 기판의 층간 절연막, 액정표시 소자용의 보호막이나 절연 방지막 등의 용도로 사용하기에 좋다.
이하의 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이지 이들만으로 한정하는 것이 아니다.
[실시예]
실시예 1
(유기실리케이트 축합물의 제조)
25 ㎖의 테트라하이드로퓨란 용매에 메틸트리메톡시실란 13.6 g, 테트라 에톡시 실란 6.78 g과 메틸디메톡시 실란 0.55 g을 가하고 질소분위기에서 온도를 0 ℃로 낮춘 후 충분히 섞어주었다. 이 혼합용액에 0.78 ㎖의 5.0 N 하이드로 클로린산과 7.74 ㎖의 고순도 수를 천천히 첨가해 준 후, 온도를 70 ℃까지 서서히 올리고 가열환류시켜서 밤새(overnight) 반응시켰다. 반응 후 에테르로 희석시킨 후 물로 pH가 중성이 될 때까지 씻어주고, 얻어진 유기 층은 건조제로 물을 제거한 후에 유기용매를 진공에서 완전히 제거하여 파우더상태로 생성물을 얻었다.
(절연막 제조)
상기에서 얻어진 파우더 300 ㎎을 메틸이소부틸 케톤에 녹여 전체 용액이 1.5 g이 되게 하였다. 얻어진 용액은 필터를 통하여 불순물을 제거한 후 스핀 코팅하여 박막을 얻고, 질소 분위기 하에서 건조 공정 및 경화 공정을 거쳐 절연막을 제조하였다.
비교예 1
(유기실리케이트 축합물의 제조)
25 ㎖의 테트라하이드로퓨란 용매에 메틸트리메톡시실란 13.6 g과 테트라 에톡시 실란 6.78 g을 가하고 질소분위기에서 온도를 0 ℃로 낮춘 후 충분히 섞어주었다. 이 혼합용액에 0.78 ㎖의 5.0 N 하이드로 클로린산과 7.74 ㎖의 고순도 수를 천천히 첨가해 준 후, 온도를 70 ℃까지 서서히 올리고 가열 환류시켜서 밤새(overnight) 반응시켰다. 반응 후 에테르로 희석시킨 후 물로 pH가 중성이 될 때까지 씻어준다. 얻어진 유기 층은 건조제로 물을 제거한 후에 유기용매를 진공에서 완전히 제거하여 파우더상태로 생성물을 얻었다.
(절연막 제조)
상기에서 얻어진 파우더는 실시예 1의 방법과 마찬가지로 건조 및 경화 공정을 거처 절연막을 제조하였다.
비교예 2
(유기실리케이트 축합물의 제조)
15 ㎖의 테트라하이드로퓨란 용매에 메틸트리메톡시 실란 7.5 g와 4.05 ㎖의 고순도 수를 넣고 온도를 0 ℃로 낮춘 후 충분히 섞어주었다. 이 혼합용액에 2 N 농도의 하이드로클로린산 0.80 ㎖를 천천히 첨가하면서 교반시켰다. 이들을 30 분간 실온에서 반응시킨 후, 온도를 70 ℃까지 서서히 올리고 가열환류시켜서 밤새(overnight) 반응시켰다. 반응 후 에테르로 희석시킨 후 물로 pH가 중성이 될 때까지 씻어주고, 얻어진 유기 층은 건조제로 물을 제거한 후에 유기용매를 진공에서 완전히 제거하여 파우더상태로 생성물을 얻었다.
(절연막 제조)
상기에서 얻어진 파우더는 실시예 1의 방법과 같은 방법으로 건조 및 경화 공정을 거쳐서 절연막을 제조하였다.
(물성 측정)
도막의 유전특성은 MIM(metal/insulator/semiconductor) 소자를 Si 웨이퍼 위에 제작하고 HP사의 LCR 미터를 이용하여 1 Mhz에서 측정하였다.
절연 박막의 기계적 물성은 2x2 인치 Si 웨이퍼(wafer)에 스핀 코팅한 다음, N2조건 하에 430 ℃에서 1 시간 동안 경화시킨 후 측정하였다.
절연막의 탄성률은 하지트론(Hysitron Inc.)의 트리보인덴터(TriboIndenter)를 사용하여 측정하였다.
절연막의 내크랙 특성은 1 ㎛ 두께의 박막을 제작하여 크랙을 내고 크랙의 진행 속도를 측정하여 관찰하였다.
상기 각각의 실험 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
구 분 실시예 1 비교예 1 비교예 2
유전상수 2.71 2.87 2.69
탄성률 6.8 6.7 3.0
크랙속도(crak velocity) 4.8e-12 3.4e-12 9.4e-9
상기 표 1에서 알 수 있듯이, 본 발명에 의하여 제조되는 유기실리케이트 고분자로 박막을 제조한 경우 절연막의 강도가 높고, 탄성률이 높으며, 절연성이 우수함을 알 수 있다.
본 발명의 유기실리케이트 중합체는 이를 절연막에 적용하면 얻어지는 막은 절연성, 탄성률이 우수하고, 또한 도막의 기계적 특성이 우수하다.

Claims (14)

  1. 유기 실리케이트 중합체에 있어서,
    a) 1 종 이상의 하기 화학식 1로 표시되는 하이드리드 실란화합물; 및
    b) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물,
    및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물의 군으로부터 1 종 이상 선택되는
    실란화합물
    의 가수분해 축합물의 유기실리케이트 중합체:
    [화학식 1]
    상기 화학식 1의 식에서,
    R1은 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R2는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, p는 0 내지 2의 정수이며,
    [화학식 2]
    상기 화학식 2의 식에서,
    R3는 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R4는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, q는 0 내지 3의 정수이며,
    [화학식 3]
    상기 화학식 3의 식에서,
    R5및 R7은 각각 독립적으로 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R6및 R8은 각각 독립적으로 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
    r, 및 s는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
    [화학식 4]
    상기 화학식 4의 식에서,
    R9은 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R10는이고, 여기에서, R10의 R11은 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1내지 4의 알킬이고, R12는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, a는 1 내지 6의 정수이고, b는 0 내지 2의 정수이며,
    n, 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 a)의 하이드리드 실란화합물은 전체 실란화합물의 실리콘 원자 1 몰당 실리콘에 붙은 수소원자의 수 0.001 몰 내지 0.5의 양으로 함유되는 유기실리케이트 중합체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 중합체의 중량 평균 분자량이 500 내지 1,000,000인 유기실리케이트 중합체.
  4. 유기실리케이트 중합체의 제조방법에 있어서,
    a) 유기용매에
    ⅰ) 1 종 이상의 하기 화학식 1로 표시되는 하이드리드 실란화합물; 및
    ⅱ) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는
    화합물, 및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물의 군으로부터 1 종
    이상 선택되는 실란화합물
    을 혼합하는 단계;
    b) 상기 혼합물에 촉매 및 물을 가하고 가수분해 및 축합반응을 시키는 단계
    를 포함하는 유기실리케이트 중합체의 제조방법:
    [화학식 1]
    상기 화학식 1의 식에서,
    R1은 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R2는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, p는 0 내지 2의 정수이며,
    [화학식 2]
    상기 화학식 2의 식에서,
    R3는 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R4는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, q는 0 내지 3의 정수이며,
    [화학식 3]
    상기 화학식 3의 식에서,
    R5및 R7은 각각 독립적으로 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R6및 R8은 각각 독립적으로 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
    r, 및 s는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
    [화학식 4]
    상기 화학식 4의 식에서,
    R9은 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R10는이고, 여기에서, R10의 R11은 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1내지 4의알킬이고, R12는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, a는 1 내지 6의 정수이고, b는 0 내지 2의 정수이며,
    n, 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이다.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 a)단계의 혼합물은 상기 ⅰ)의 하이드리드 실란화합물이 전체 실란화합물의 실리콘 원자 1 몰당 실리콘에 붙은 수소원자의 수 0.001 몰 내지 0.5의 양으로 함유되는 유기실리케이트 중합체의 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 b)단계의 촉매가 축중합되는 총 실란 화합물 1 몰에 대하여 0.0001 내지 1 몰이 가해지는 유기실리케이트 중합체의 제조방법.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 b)단계의 물이 축중합되는 총 실란 화합물의 실리콘 원자 1 몰에 대하여 0.1 내지 20 몰이 가해지는 유기실리케이트 중합체의 제조방법.
  8. 반도체 소자의 절연막 형성용 조성물에 있어서,
    a) ⅰ) 1 종 이상의 하기 화학식 1로 표시되는 하이드리드 실란화합물; 및
    ⅱ) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는
    화합물, 및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물의 군으로부터 1 종
    이상 선택되는 실란화합물
    의 가수분해 축합물의 유기실리케이트 중합체; 및
    b) 유기 용매
    를 포함하는 절연막 형성용 조성물:
    [화학식 1]
    상기 화학식 1의 식에서,
    R1은 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R2는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, p는 0 내지 2의 정수이며,
    [화학식 2]
    상기 화학식 2의 식에서,
    R3는 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R4는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, q는 0 내지 3의 정수이며,
    [화학식 3]
    상기 화학식 3의 식에서,
    R5및 R7은 각각 독립적으로 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R6및 R8은 각각 독립적으로 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
    r, 및 s는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
    [화학식 4]
    상기 화학식 4의 식에서,
    R9은 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R10는이고, 여기에서, R10의 R11은 수소, 아릴, 비닐,알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1내지 4의 알킬이고, R12는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, a는 1 내지 6의 정수이고, b는 0 내지 2의 정수이며,
    n, 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이다.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 조성물이
    c) 유기분자, 유기폴리머, 유기덴드리머, 콜로이드상 실리카, 에어로졸, 지오로졸, 및 계면활성제로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 첨가제를 더욱 포함하는 반도체 소자의 절연막 형성용 조성물.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 조성물은 고형분 농도가 2 내지 60 중량%인 반도체 소자의 절연막 형성용 조성물.
  11. 반도체 소자의 절연막의 제조방법에 있어서,
    a) ⅰ) ㄱ) 1 종 이상의 하기 화학식 1로 표시되는 하이드리드 실란화합물;
    및
    ㄴ) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는
    화합물, 및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물의 군으로부터 1 종
    이상 선택되는 실란화합물
    의 가수분해 축합물의 유기실리케이트 중합체; 및
    ⅱ) 유기 용매
    를 포함하는 절연막 형성용 조성물 용액을 제공하는 단계:
    b) 상기 a)단계의 용액을 반도체 소자의 기재에 도포하여 절연막을 형성시
    키는 단계; 및
    c) 상기 b)단계에서 형성되는 절연막을 건조, 및 소성하는 단계
    를 포함하는 절연막의 제조방법:
    [화학식 1]
    상기 화학식 1의 식에서,
    R1은 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R2는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, p는 0 내지 2의 정수이며,
    [화학식 2]
    상기 화학식 2의 식에서,
    R3는 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R4는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, q는 0 내지 3의 정수이며,
    [화학식 3]
    상기 화학식 3의 식에서,
    R5및 R7은 각각 독립적으로 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R6및 R8은 각각 독립적으로 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
    r, 및 s는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
    [화학식 4]
    상기 화학식 4의 식에서,
    R9은 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R10는이고, 여기에서, R10의 R11은 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1내지 4의 알킬이고, R12는 염소, 아세톡시, 하이드록시, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고, a는 1 내지 6의 정수이고, b는 0 내지 2의 정수이며,
    n, 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이다.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 b)단계의 건조는 30 내지 350 ℃의 온도에서 실시되고, 소성은 350 내지 600 ℃의 온도에서 실시되는 절연막의 제조방법.
  13. 제 11 항 기재의 방법으로 제조되는 반도체 소자의 절연막.
  14. 제 11 항 기재의 방법으로 제조되는 절연막을 포함하는 반도체 소자.
KR10-2001-0036783A 2001-06-26 2001-06-26 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막 KR100422916B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0036783A KR100422916B1 (ko) 2001-06-26 2001-06-26 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0036783A KR100422916B1 (ko) 2001-06-26 2001-06-26 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030000709A true KR20030000709A (ko) 2003-01-06
KR100422916B1 KR100422916B1 (ko) 2004-03-12

Family

ID=27711310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0036783A KR100422916B1 (ko) 2001-06-26 2001-06-26 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100422916B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450257B1 (ko) * 2001-10-12 2004-09-30 주식회사 엘지화학 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막
WO2004092252A1 (en) * 2003-04-17 2004-10-28 Lg Chem Ltd Organic siloxane resins and insulating film using the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100508902B1 (ko) * 2002-05-06 2005-08-17 주식회사 엘지화학 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막
KR100488347B1 (ko) * 2002-10-31 2005-05-10 삼성전자주식회사 실록산계 수지 및 이를 이용한 반도체 층간 절연막의형성방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242136A (ja) * 1997-02-26 1998-09-11 Jsr Corp 絶縁膜および半導体装置
US6054379A (en) * 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
JP2000021872A (ja) * 1998-04-28 2000-01-21 Sony Corp 低誘電率樹脂組成物、低誘電率絶縁膜形成方法および半導体装置の製造方法
KR100383103B1 (ko) * 2000-04-28 2003-05-12 주식회사 엘지화학 저유전 절연재료의 제조방법
KR100373215B1 (ko) * 2001-02-01 2003-02-25 주식회사 엘지화학 반도체 소자용 저 유전 절연재료의 제조방법
KR100451044B1 (ko) * 2001-06-07 2004-10-02 주식회사 엘지화학 유기실리케이트 중합체의 제조방법, 및 이를 이용한절연막의 제조방법
KR100419069B1 (ko) * 2001-06-21 2004-02-19 주식회사 엘지화학 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450257B1 (ko) * 2001-10-12 2004-09-30 주식회사 엘지화학 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막
WO2004092252A1 (en) * 2003-04-17 2004-10-28 Lg Chem Ltd Organic siloxane resins and insulating film using the same
EP1613686A1 (en) * 2003-04-17 2006-01-11 LG Chem. Ltd. Organic siloxane resins and insulating film using the same
US7744946B2 (en) 2003-04-17 2010-06-29 Lg Chem, Ltd. Organic siloxane resins and insulating film using the same
CN1759135B (zh) * 2003-04-17 2010-10-06 Lg化学株式会社 有机硅氧烷树脂以及使用该有机硅氧烷树脂的绝缘膜

Also Published As

Publication number Publication date
KR100422916B1 (ko) 2004-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6743471B2 (en) Process for preparing insulating material having low dielectric constant
US7238627B2 (en) Organosilicate polymer and insulating film therefrom
EP1328571B1 (en) A process for preparing organic silicate polymer
KR100515583B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막
US20070088144A1 (en) Organic silicate polymer and insulation film comprising the same
KR100645682B1 (ko) 유기실록산 수지 및 이를 이용한 절연막
KR100419069B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막
KR100405312B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막
KR100422916B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막
KR100508901B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막
KR100450257B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막
KR100508903B1 (ko) 저유전 절연막 형성용 조성물 및 절연막 제조 방법
US7091287B2 (en) Nanopore forming material for forming insulating film for semiconductors and low dielectric insulating film comprising the same
KR100440488B1 (ko) 반도체의 절연막 형성용 유기실리케이트 고분자 및 이를포함하는 저유전 절연막
KR100508902B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막
KR100515584B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막
KR100553203B1 (ko) 유기실록산 수지 및 이를 함유한 막
KR100508900B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막
KR100490853B1 (ko) 반도체의 절연막 형성용 나노 기공 형성 물질 및 이를포함하는 저유전 절연막
KR20040018710A (ko) 유기실리케이트 중합체의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130111

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150119

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160216

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170216

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180116

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190116

Year of fee payment: 16