KR200297907Y1 - Electrostatic chuck of a plasma etcher - Google Patents
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Abstract
본 고안은 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척에 관한 것으로서, 플라즈마 에칭 장비에서 웨이퍼(W)를 정전기로 척킹하는 정전기 척(100)에 있어서, 하측이 지지부재(110)에 의해 지지되는 페데스탈(120)과; 페데스탈(120) 상면에 위치하고, 표면에 유전체가 형성되며, 정전기로 웨이퍼(W)를 척킹하는 전극(130)과; 전극(130)의 상측 가장자리에 결합되고, 내주면을 따라 슬라이드면(141)이 경사지게 형성되며, 슬라이드면(141)의 아래에 웨이퍼(W)의 가장자리를 가이드하는 가이드면(142)이 연장 형성되는 슬라이드 가이드링(140)을 포함하는 것으로서, 웨이퍼 이송아암에 의해 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척에 웨이퍼가 로딩시 웨이퍼가 정전기 척의 정상위치에 제대로 척킹되도록 함으로써 에칭 공정 진행시 냉각가스가 웨이퍼 백면에 제대로 공급되도록 하여 웨이퍼가 열로 인해 손상되는 것을 방지하며, 웨이퍼의 정렬불량에 따른 에러발생률을 감소시켜 플라즈마 에칭 장비의 가동률을 향상시키는 효과를 가진다.The present invention relates to an electrostatic chuck of the plasma etching equipment, in the electrostatic chuck 100 for chucking the wafer (W) by electrostatic in the plasma etching equipment, the lower side and the pedestal (120) supported by the support member 110 and ; An electrode 130 positioned on an upper surface of the pedestal 120, having a dielectric formed on the surface thereof, and chucking the wafer W with static electricity; Is coupled to the upper edge of the electrode 130, the slide surface 141 is formed to be inclined along the inner circumferential surface, the guide surface 142 for guiding the edge of the wafer (W) below the slide surface 141 is formed to extend It includes a slide guide ring 140, the wafer is transferred to the electrostatic chuck of the plasma etching equipment by the wafer transfer arm so that the wafer is properly chucked to the normal position of the electrostatic chuck when the wafer is loaded, the cooling gas is properly supplied to the wafer back surface during the etching process It is possible to prevent the wafer from being damaged due to heat, and to reduce the error occurrence rate due to misalignment of the wafer, thereby improving the operation rate of the plasma etching equipment.
Description
본 고안은 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 이송아암에 의해 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척에 웨이퍼가 로딩시 웨이퍼가 정전기 척의 정상위치에 제대로 척킹되도록 하는 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus, and more particularly, to an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus to allow the wafer to be properly chucked to a normal position of the electrostatic chuck when the wafer is loaded into the electrostatic chuck of the plasma etching apparatus by the wafer transfer arm. It is about.
일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위한 공정중 플라즈마(plasma)를 이용하는 건식 식각(dry etching)공정에서는 반도체 소자의 고집적화에 따라 기존의 클램프(clamp)를 이용에서 웨이퍼를 물리적으로 척킹(chucking)하던 기계적인 척(mechanical chuck) 대신에 웨이퍼의 정전기를 이용하여 웨이퍼를 효과적으로 척킹하는 정전기 척(electrostatic chuck)이 주로 사용된다.In general, in a dry etching process using plasma during the manufacturing process of a semiconductor device, a machine that physically chucks a wafer using a conventional clamp according to high integration of semiconductor devices. Instead of a mechanical chuck, an electrostatic chuck is mainly used which effectively chucks the wafer using the static electricity of the wafer.
즉, 기계적인 척(mechanical chuck)은 클램프(clamp)를 이용해서 웨이퍼를 위에서 눌러서 척킹하기 때문에 웨이퍼의 에지(edge)부위의 다이(die)가 손상되거나 웨이퍼가 휘어짐에 따라 수율이 떨어지는 현상이 발생하거나 혹은 포토레지스트(photo resist)가 떨어져 나가서 파티클이 발생하므로 물리적인 힘을 사용하지 않고 웨이퍼를 척킹하는 정전기 척이 사용된다.In other words, the mechanical chuck presses the wafer and clamps the wafer using a clamp, so that the die at the edge portion of the wafer is damaged or the yield decreases as the wafer is bent. In addition, since particles are generated due to the photo resist falling off, an electrostatic chuck that chucks a wafer without using a physical force is used.
종래의 플라즈마 에칭 장비에 구비되어 웨이퍼를 척킹하는 정전기 척을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The electrostatic chuck provided in the conventional plasma etching equipment and chucking the wafer will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척을 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 정전기 척(10)은 하측면이 지지부재(11)에 의해 지지되는 페데스탈(pedestal;12)과, 페데스탈(12) 위에 위치하는 전극(electrode;13)을 포함한다.1 is a view showing an electrostatic chuck of a conventional plasma etching equipment. As shown, the electrostatic chuck 10 includes a pedestal 12 whose lower side is supported by the support member 11, and an electrode 13 positioned on the pedestal 12.
페데스탈(12)은 에칭 공정시 사용되는 플라즈마를 형성시키기 위한 고주파 전원이 걸리는 부재이고, 전극(13)의 지지역할을 하며, 그 중심에는 미도시된 구리봉이 있어서 전극(13)에 전압을 인가한다.The pedestal 12 is a member to which a high frequency power source is applied to form a plasma used in an etching process, and serves as a supporting region of the electrode 13, and at the center thereof, a copper rod (not shown) applies a voltage to the electrode 13. .
전극(13)은 그 표면에 정전력을 발생시키기 위한 유전체(dielectric)가 형성되며, 건식 식각공정에서 많이 사용되는 유전체로는 폴리마이드(polymide)와 아노다이징 필름(anodizing film) 등의 전기적인 절연막이 사용된다.A dielectric is formed on the surface of the electrode 13 to generate an electrostatic force, and a dielectric commonly used in a dry etching process includes an electrical insulating film such as polymide and anodizing film. Used.
폴리마이드는 가공되어 성장한 막을 전극(13)에 붙이는 방법을 취하는 반면, 아노다이징 필름은 알루미늄을 산화시켜서 전극(13)의 표면에서 성장시키는 방법을 취한다.The polyamide takes a method of attaching the processed and grown film to the electrode 13, while the anodizing film takes a method of oxidizing aluminum to grow on the surface of the electrode 13.
전극(13)은 페데스탈(12)로부터 전원을 공급받아 정전력을 유도함으로써 웨이퍼(W)를 흡착하며, 전극(13) 표면에 형성된 유전체는 정전역할을 하게 된다.The electrode 13 receives power from the pedestal 12 to induce electrostatic power to adsorb the wafer W, and the dielectric formed on the surface of the electrode 13 plays an electrostatic role.
이와 같은 종래의 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척은 정전기 척(10) 상에 척킹된 웨이퍼(W)의 에칭 공정이 제대로 실시되기 위해서는 정전기 척(10)상에 웨이퍼(W)가 정확하게 정렬되어야 하는데, 이를 위해 정전기 척(10)의 상측에는 척킹된 웨이퍼(W)의 노치(notch)를 감지하는 노치 파인더(notch finder;1)가 설치되며, 노치 파인더(1)로부터 출력되는 감지신호로부터 웨이퍼(W)의 정확한 위치를 산출하게 된다.In the electrostatic chuck of the conventional plasma etching equipment, the wafer W must be accurately aligned on the electrostatic chuck 10 in order for the etching process of the wafer W chucked on the electrostatic chuck 10 to be properly performed. In order to prevent the notch of the chucked wafer W, a notch finder 1 is installed on the upper side of the electrostatic chuck 10, and the wafer W is detected from a detection signal output from the notch finder 1. It will calculate the exact position of.
웨이퍼(W)가 정전기 척(10)에 로딩시 웨이퍼 이송아암 또는 웨이퍼 카세트에 이상이 발생하여 정전기 척(10)상에 웨이퍼(W)가 정확하게 정렬되지 않게 되면 노치 파인더(1)는 역할을 제대로 수행하지 못하여 계속적으로 에러를 발생시킨다.When the wafer W is loaded onto the electrostatic chuck 10 and an abnormality occurs in the wafer transfer arm or the wafer cassette, the notch finder 1 functions properly when the wafer W is not aligned correctly on the electrostatic chuck 10. It can't be executed and it generates an error continuously.
따라서, 정전기 척(10)상에 웨이퍼(W)가 제대로 정렬되지 않게 되어 에러가 발생함으로써 플라즈마 에칭 장비의 가동률이 현저하게 저하되는 문제점을 가지고 있었다.Therefore, the wafer W is not properly aligned on the electrostatic chuck 10 and an error occurs, thereby causing a problem that the operation rate of the plasma etching equipment is significantly reduced.
특히, 에칭 공정 진행시 웨이퍼(W)가 열에 의해 손상되는 것을 최소화하기 위하여 정전기 척(10)의 상면으로부터 웨이퍼(W)의 백면(back side)에 냉각을 위한 헬륨(He)가스를 분사하는데, 웨이퍼(W)가 정전기 척(10)에 제대로 정렬되어 척킹되지 못할 경우 헬륨가스가 웨이퍼(W)의 냉각에 사용되지 않고 누출됨으로써 웨이퍼(W)가 열에 의해 손상되는 문제점을 가지고 있었다.In particular, in order to minimize damage to the wafer W by heat during the etching process, helium (He) gas for cooling is injected from the upper surface of the electrostatic chuck 10 to the back side of the wafer W, When the wafer W is not properly aligned and chucked to the electrostatic chuck 10, helium gas is leaked without being used for cooling the wafer W, and thus the wafer W has a problem of being damaged by heat.
본 고안은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안의 목적은 웨이퍼 이송아암에 의해 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척에 웨이퍼가 로딩시 웨이퍼가 정전기 척의 정상위치에 제대로 척킹되도록 함으로써 에칭 공정 진행시 냉각가스가 웨이퍼 백면에 제대로 공급되도록 하여 웨이퍼가 열로 인해 손상되는 것을 방지하며, 웨이퍼의 정렬불량에 따른 에러발생률을 감소시켜 플라즈마 에칭 장비의 가동률을 향상시키는 효과를 가진다.The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to ensure that the wafer is properly chucked to the normal position of the electrostatic chuck when the wafer is loaded on the electrostatic chuck of the plasma etching equipment by the wafer transfer arm during the etching process The cooling gas is properly supplied to the back surface of the wafer to prevent the wafer from being damaged by heat and to reduce the error rate due to misalignment of the wafer, thereby improving the operation rate of the plasma etching equipment.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 고안은, 플라즈마 에칭 장비에서 웨이퍼를 정전기로 척킹하는 정전기 척에 있어서, 하측이 지지부재에 의해 지지되는 페데스탈과; 페데스탈 상면에 위치하고, 표면에 유전체가 형성되며, 정전기로 웨이퍼를 척킹하는 전극과; 전극의 상측 가장자리에 결합되고, 내주면을 따라 슬라이드면이 경사지게 형성되며, 슬라이드면의 아래에 웨이퍼의 가장자리를 가이드하는 가이드면이 연장 형성되는 슬라이딩 가이드링을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for realizing the above object, the electrostatic chuck for chucking the wafer electrostatically in the plasma etching equipment, the lower side is supported by the support member; An electrode disposed on an upper surface of the pedestal, a dielectric formed on the surface, and chucking the wafer with static electricity; It is coupled to the upper edge of the electrode, characterized in that it comprises a sliding guide ring is formed inclined along the inner peripheral surface, the guide surface for guiding the edge of the wafer is formed below the slide surface.
도 1은 종래의 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척을 도시한 도면이고,1 is a view showing an electrostatic chuck of a conventional plasma etching equipment,
도 2는 본 고안에 따른 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척을 도시한 도면이다.2 is a view showing an electrostatic chuck of the plasma etching equipment according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
110 ; 지지부재 120 ; 페데스탈110; Support member 120; Pedestal
130 ; 전극 140 ; 슬라이드 가이드링130; Electrode 140; Slide guide ring
141 ; 슬라이드면 142 ; 가이드면141; Slide surface 142; Guide surface
143 ; 결합홈143; Combined groove
이하, 본 고안의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the most preferred embodiment of the present invention will be described in more detail so that those skilled in the art can easily practice.
도 2는 본 고안에 따른 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척을 도시한 도면이다.도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척은 크게, 하측이 지지부재(110))에 의해 지지되는 페데스탈(pedestal;120)과, 페데스탈(120) 상면에 위치하는 전극(electrode;130)과, 전극(130)의 상측 가장자리에 결합되는 슬라이드 가이드링(140)을 포함한다.2 is a view showing an electrostatic chuck of the plasma etching equipment according to the present invention. As shown, the electrostatic chuck of the plasma etching equipment according to the present invention is large, the pedestal is supported by the support member 110, the lower side (pedestal; 120), an electrode (130) positioned on the upper surface of the pedestal 120, and a slide guide ring 140 coupled to the upper edge of the electrode (130).
페데스탈(120)은 에칭 공정시 사용되는 플라즈마를 형성시키기 위한 고주파 전원이 걸리는 부재이고, 전극(130)의 지지역할을 하며, 그 중심에는 미도시된 구리봉이 있어서 전극(130)에 전압을 인가한다.The pedestal 120 is a member to which a high frequency power is applied to form a plasma used in an etching process, and serves as a supporting region of the electrode 130, and a copper rod (not shown) is applied at the center thereof to apply a voltage to the electrode 130. .
전극(130)은 그 표면에 정전력을 발생시키기 위한 유전체(dielectric)가 형성되며, 건식 식각공정에서 유전체로는 폴리마이드(polymide)와 아노다이징 필름(anodizing film) 등의 전기적인 절연막이 많이 사용된다.A dielectric is formed on the surface of the electrode 130 to generate an electrostatic force. In the dry etching process, a dielectric film such as polymide and anodizing film is used as the dielectric. .
폴리마이드는 가공되어 성장한 막을 전극(130)에 붙이는 방법을 취하는 반면, 아노다이징 필름은 알루미늄(Al)을 산화시켜서 전극(130) 표면에서 성장시키는 방법을 취한다.The polyamide takes a method of attaching the processed and grown film to the electrode 130, while the anodizing film oxidizes aluminum (Al) to grow on the surface of the electrode 130.
전극(130)은 페데스탈(120)로부터 전원을 공급받아 정전력을 유도함으로써 웨이퍼(W)를 흡착하며, 이 때, 전극(130) 표면에 형성된 유전체는 정전역할을 하게 되며, 상측 가장자리에 슬라이드 가이드링(140)이 결합된다.The electrode 130 receives power from the pedestal 120 and induces electrostatic power to adsorb the wafer W. At this time, the dielectric formed on the surface of the electrode 130 plays an electrostatic role, and a slide guide is provided at the upper edge. Ring 140 is coupled.
슬라이드 가이드링(140)은 내주면을 따라 일정 각도로 경사지도록 슬라이드면(141)이 형성되고, 슬라이드면(141)의 아래에 웨이퍼(W)의 가장자리를 가이드하는 가이드면(142)이 수직되게 연장 형성되며, 하측에 전극(130)의 상측 가장자리가 끼워지는 결합홈(143)이 형성된다.Slide guide ring 140 has a slide surface 141 is formed to be inclined at an angle along the inner circumferential surface, the guide surface 142 for guiding the edge of the wafer (W) below the slide surface 141 extends vertically It is formed, the coupling groove 143 is formed in which the upper edge of the electrode 130 is fitted.
슬라이드면(141)은 수평에 대하여 10。 ∼ 60。의 경사를 이루는 것이 바람직하다. 슬라이드면(141)이 10。미만의 경사각을 이루면 웨이퍼(W)가 슬라이딩되기 어려우며, 60。를 초과하는 경사각을 이루면 웨이퍼(W)가 무리하게 슬라이딩되어 충격에 의해 손상되기 때문이다.The slide surface 141 preferably forms an inclination of 10 ° to 60 ° with respect to the horizontal. This is because when the slide surface 141 forms an inclination angle of less than 10 degrees, the wafer W is difficult to slide, and when the inclination angle exceeds 60 degrees, the wafer W is excessively slid and damaged by an impact.
한편, 슬라이드 가이드링(140)의 가이드면(142)은 곡률반경이 웨이퍼(W)의 반경에 비해 0.3mm ∼ 0.7mm 만큼 크게 형성됨이 바람직하다. 따라서, 웨이퍼(W)가 웨이퍼 이송아암(미도시)에 의해 슬라이드 가이드링(140)에 로딩되어 슬라이드면(141)을 따라 슬라이딩시 가이드면(142)의 내측으로 용이하게 삽입된다.On the other hand, the guide surface 142 of the slide guide ring 140 is preferably a radius of curvature is formed by 0.3mm ~ 0.7mm larger than the radius of the wafer (W). Accordingly, the wafer W is loaded into the slide guide ring 140 by a wafer transfer arm (not shown) and is easily inserted into the guide surface 142 when sliding along the slide surface 141.
웨이퍼(W)의 반경과 가이드면(142)의 곡률반경이 0.3mm 미만이면 웨이퍼(W)가 슬라이드면(141)을 따라 슬라이딩되어 가이드면(142) 내측으로 삽입되기 어려우며, 0.7mm를 초과하는 경우 가이드면(142)에 의해 가이드되는 웨이퍼(W)의 위치에 대한 변화가 커서 웨이퍼(W)가 제대로 정렬되기 어렵다.When the radius of the wafer W and the radius of curvature of the guide surface 142 are less than 0.3 mm, the wafer W may slide along the slide surface 141 to be difficult to be inserted into the guide surface 142 and exceed 0.7 mm. In this case, since the change of the position of the wafer W guided by the guide surface 142 is large, it is difficult to properly align the wafer W.
이와 같은 본 고안에 따른 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척(100)은 웨이퍼 이송아암(미도시)에 의해 로딩되는 웨이퍼(W)를 페데스탈(120)로부터 전원을 공급받아 정전력을 유도하는 전극(130)에 척킹시킨다. 이 때, 웨이퍼(W)가 전극(130)상의 소정의 위치에 척킹되지 못하는 경우 슬라이드 가이드링(140)의 슬라이드면(141)을 따라 슬라이딩되어 가이드면(142)의 내측에 삽입되어져 전극(130)상의 소정의 위치에 척킹됨으로써 정렬된다.The electrostatic chuck 100 of the plasma etching equipment according to the present invention is the electrode (130) for inducing electrostatic power by receiving power from the pedestal 120 to the wafer (W) loaded by a wafer transfer arm (not shown) Chuck on. At this time, when the wafer W is not chucked at a predetermined position on the electrode 130, the wafer W is slid along the slide surface 141 of the slide guide ring 140 and inserted into the guide surface 142 to be inserted into the electrode 130. Aligned by chucking to a predetermined position on
따라서, 웨이퍼(W)가 정전기 척(100)에 정렬되어 척킹됨으로써 노치 파인더(1)가 그 역할을 제대로 수행하여 에러의 발생으로 인해 에칭 장비가 정지되는 것을 방지하여 에칭 장비의 가동률을 향상시킨다.Therefore, the wafer W is aligned with the electrostatic chuck 100 and chucked so that the notch finder 1 performs its role properly, thereby preventing the etching equipment from being stopped due to an error, thereby improving the operation rate of the etching equipment.
또한, 에칭 공정 진행시 웨이퍼(W)가 열에 의해 손상되는 것을 최소화하기 위하여 정전기 척(100)의 상면으로부터 웨이퍼(W)의 백면(back side)에 냉각을 위한 헬륨(He) 가스를 분사시 정전기 척(100)의 전극(130)에 웨이퍼(W)가 제대로 놓여짐으로써 헬륨가스의 누출없이 웨이퍼(W)가 정상적으로 냉각된다.In addition, in order to minimize the damage of the wafer W by heat during the etching process, the electrostatic when spraying helium (He) gas for cooling from the top surface of the electrostatic chuck 100 to the back side of the wafer (W) By properly placing the wafer W on the electrode 130 of the chuck 100, the wafer W is cooled normally without leaking helium gas.
한편, 슬라이드 가이드링(140)의 가이드면(142)의 곡률반경이 웨이퍼(W)의 반경에 비해 0.3mm ∼ 0.7mm 만큼 크게 형성됨으로써 웨이퍼(W)가 슬라이드면(141)을 따라 슬라이딩시 가이드면(142)의 내측으로 용이하게 삽입된다.On the other hand, the radius of curvature of the guide surface 142 of the slide guide ring 140 is formed by 0.3mm ~ 0.7mm larger than the radius of the wafer W to guide the wafer W sliding along the slide surface 141. It is easily inserted into the inside of the face 142.
이상과 같이 본 고안의 바람직한 실시예에 따르면, 웨이퍼 이송아암에 의해 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척에 웨이퍼가 로딩시 웨이퍼가 정전기 척의 정상위치에 제대로 척킹되도록 함으로써 에칭 공정 진행시 냉각가스가 웨이퍼 백면에 제대로 공급되도록 하여 웨이퍼가 열로 인해 손상되는 것을 방지하며, 웨이퍼의 정렬불량에 따른 에러발생률을 감소시켜 플라즈마 에칭 장비의 가동률을 향상시킨다.According to the preferred embodiment of the present invention as described above, when the wafer is loaded on the electrostatic chuck of the plasma etching equipment by the wafer transfer arm, the wafer is properly chucked to the normal position of the electrostatic chuck so that the cooling gas is properly applied to the back surface of the wafer during the etching process. It can be supplied to prevent the wafer from being damaged by heat and to reduce the error rate caused by the misalignment of the wafer to improve the operation rate of the plasma etching equipment.
상술한 바와 같이, 본 고안에 따른 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척은 웨이퍼 이송아암에 의해 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척에 웨이퍼가 로딩시 웨이퍼가 정전기 척의 정상위치에 제대로 척킹되도록 함으로써 에칭 공정 진행시 냉각가스가 웨이퍼 백면에 제대로 공급되도록 하여 웨이퍼가 열로 인해 손상되는 것을 방지하며, 웨이퍼의 정렬불량에 따른 에러발생률을 감소시켜 플라즈마 에칭 장비의 가동률을 향상시키는 효과를 가지고 있다.As described above, the electrostatic chuck of the plasma etching equipment according to the present invention allows the wafer to be properly chucked to the normal position of the electrostatic chuck when the wafer is loaded onto the electrostatic chuck of the plasma etching equipment by the wafer transfer arm, so that the cooling gas is maintained during the etching process. It can be properly supplied to the wafer back surface to prevent the wafer from being damaged by heat, and has an effect of improving the operation rate of the plasma etching equipment by reducing the error occurrence rate due to misalignment of the wafer.
이상에서 설명한 것은 본 고안에 따른 플라즈마 에칭 장비의 정전기 척을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 고안은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 실용신안등록청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 고안의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is just one embodiment for performing the electrostatic chuck of the plasma etching equipment according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, as claimed in the utility model registration claims below Without departing from the gist of the present invention, anyone with ordinary knowledge in the field to which the present invention belongs will have a technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.
Claims (2)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080930 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |