KR200273208Y1 - Chemical vapor deposition apparatus - Google Patents
Chemical vapor deposition apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR200273208Y1 KR200273208Y1 KR2020020002623U KR20020002623U KR200273208Y1 KR 200273208 Y1 KR200273208 Y1 KR 200273208Y1 KR 2020020002623 U KR2020020002623 U KR 2020020002623U KR 20020002623 U KR20020002623 U KR 20020002623U KR 200273208 Y1 KR200273208 Y1 KR 200273208Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- power supply
- heater
- pedestal
- unit
- uninterruptible power
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 고안은 CVD 장치에 관한 것으로서, CVD 공정이 실시되는 반응챔버(100)와, 반응챔버(100)의 내측에 설치되어 웨이퍼(W)를 지지함과 아울러 상부면에 에지링(210)이 결합되는 페데스탈(200)과, 페데스탈(200)의 상측에 설치되며 반응챔버(100)내에 반응가스를 공급하는 가스공급플레이트(300)와, 페데스탈(300)의 상부에 설치되며 전원공급부(600)로부터 전원을 공급받아 페데스탈(200) 및 웨이퍼(W)를 일정 온도로 가열하는 히터(400)와, 히터(400)를 제어하기 위해 제어신호를 출력하는 제어부(500)를 구비한 CVD 장치에 있어서, 전원공급부(600)로부터 전원을 공급받아 충전되어서 무정전 전원을 제공하는 무정전 전원공급부(700)와; 전원공급부(600) 또는 무정전 전원공급부(700)로부터 인가된 전원을 선택적으로 히터(400)로 인가하되, 전원공급부(600)의 전원이 오프되었을 경우 무정전 전원공급부(700)의 무정전 전원을 히터(400)로 공급하도록 스위칭하는 스위칭부(800)와; 제어부(500)로부터 출력되는 제어신호에 따라 스위칭부(800)를 구동시키는 히터드라이버(900)를 포함하는 것으로서, CVD 공정 진행중에 소프트웨어의 버그나 충돌, 정전 등으로 인해 히터로 공급되는 전원이 오프(off)시 무정전 전원을 계속적으로 공급함으로써 히터의 가동중지로 인한 에지링의 수축에 의해 웨이퍼가 파손됨을 방지하는 효과를 가진다.The present invention relates to a CVD apparatus, wherein the reaction chamber 100 in which the CVD process is performed and the inside of the reaction chamber 100 are supported inside the wafer W to support the wafer W, and the edge ring 210 is coupled to the upper surface. Pedestal 200, which is installed on the upper side of the pedestal 200, the gas supply plate 300 for supplying the reaction gas in the reaction chamber 100, and the upper portion of the pedestal 300 is installed from the power supply unit 600 In the CVD apparatus having a heater 400 for heating the pedestal 200 and the wafer (W) to a predetermined temperature by receiving power, and a control unit 500 for outputting a control signal to control the heater 400, An uninterruptible power supply 700 that receives power from the power supply 600 and is charged to provide uninterruptible power; The power applied from the power supply unit 600 or the uninterruptible power supply unit 700 is selectively applied to the heater 400, but when the power supply unit 600 is turned off, the uninterruptible power supply of the uninterruptible power supply unit 700 is applied to the heater ( A switching unit 800 for switching to supply to 400; It includes a heater driver 900 for driving the switching unit 800 according to the control signal output from the control unit 500, the power supplied to the heater is turned off due to a bug, crash, power failure, etc. of the software during the CVD process By continuously supplying an uninterruptible power supply during (off), the wafer is prevented from being damaged by shrinkage of the edge ring due to the failure of the heater.
Description
본 고안은 CVD 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 CVD 공정 진행중에 소프트웨어의 버그나 충돌, 정전 등으로 인해 히터로 공급되는 전원이 오프(off)시 무정전 전원을 계속적으로 공급함으로써 히터의 가동중지로 인한 에지링의 수축을방지하는 CVD 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a CVD apparatus, and more particularly, to stop the heater by continuously supplying uninterrupted power when the power supplied to the heater is turned off due to a bug, crash, or power failure of the software during the CVD process. It relates to a CVD apparatus that prevents shrinkage of the edge ring due to.
일반적으로, 반도체 소자를 제조하는 공정중에서 대부분의 공정이 반도체 소자 형성을 위한 물질층 형성공정과 형성된 물질층을 원하는 형태로 패터닝하는 공정으로 이루어진다.In general, most of the processes for manufacturing a semiconductor device include a material layer forming process for forming a semiconductor device and a process of patterning the formed material layer in a desired form.
반도체 소자의 제조공정에서 물질층을 형성시키기 위한 장치의 하나로서 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; 이하 "CVD"라 함) 장치를 들 수 있으며, CVD 장치는 기체 상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 반도체 기판 위에 박막을 형성하는 장치이다.One device for forming a material layer in a semiconductor device manufacturing process is a chemical vapor deposition (hereinafter referred to as a "CVD") device, the CVD device is a chemical reaction after decomposing a gaseous compound Is a device for forming a thin film on a semiconductor substrate.
종래의 CVD 장치를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A conventional CVD apparatus is described below with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 CVD 장치를 도시한 구성도이다. 도시된 바와 같이, CVD 공정이 실시되는 반응챔버(10) 일측에는 진공밀폐가 가능한 개구부(11)가 형성되며, 반응챔버(10) 내측에는 웨이퍼 이송로봇(도시 안됨)에 의해 개구부(11)를 통해 로딩되어 안착된 웨이퍼(W)를 공정이 진행되는 위치로 상승시키는 페데스탈(20)이 구비된다.1 is a block diagram showing a conventional CVD apparatus. As shown, an opening 11 capable of vacuum sealing is formed at one side of the reaction chamber 10 where the CVD process is performed, and the opening 11 is formed inside the reaction chamber 10 by a wafer transfer robot (not shown). Pedestal 20 is provided to raise the wafer (W) loaded and seated through the process proceeds.
페데스탈(20)은 상부면에 에지링(edge ring;21)이 설치됨으로써 에지링(21)에 의해 CVD 공정시 페데스탈(20)의 상부면과 반응챔버(10)의 하부에 증착되는 것을 방지하고, 상부에 복수의 리프트핀(22)이 슬라이딩 결합되며, 하부에 리프트핀(22)의 하단을 지지하여 리프트핀(22)을 페데스탈(20)의 표면위로 들어올리는 리프트링(23)이 수직방향으로 이동 가능하도록 결합되어 있다.The pedestal 20 is provided with an edge ring 21 on the upper surface to prevent the edge ring 21 from being deposited on the upper surface of the pedestal 20 and the lower portion of the reaction chamber 10 during the CVD process. A plurality of lift pins 22 are slidably coupled to the upper portion, and a lift ring 23 for lifting the lift pins 22 onto the surface of the pedestal 20 by supporting the lower ends of the lift pins 22 at the bottom thereof in a vertical direction. It is coupled to move to.
따라서, 리프트핀(22)이 웨이퍼 이송로봇(미도시)에 의해 개구부(11)로 삽입된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 이송로봇으로부터 떼어내어 상승시키며, 상승된 웨이퍼(W)는 페데스탈(20)의 상승에 의해 페데스탈(20)의 상부면의 에지링(21) 내측에 위치된다.Accordingly, the lift pin 22 detaches and lifts the wafer W inserted into the opening 11 by the wafer transfer robot (not shown) from the wafer transfer robot, and the raised wafer W of the pedestal 20 Ascending, it is located inside the edge ring 21 of the upper surface of the pedestal 20.
또한, 페드스탈(20)의 상측에는 가스공급플레이트(30)가, 상부에는 히터(40)가 각각 설치된다.In addition, a gas supply plate 30 is provided above the pedestal 20 and a heater 40 is provided above.
가스공급플레이트(30)는 반응챔버(10)내에 반응가스를 공급하기 위하여 중앙에 가스유입구(31)가 형성되며, 그 하측에 다수의 홀 또는 통로(32a)를 형성한 가스 분배 면판인 샤워헤드(32)가 구비된다. 따라서, 가스유입구(31)를 통해 주입된 반응가스는 샤워헤드(32)를 통해 반응챔버(10) 내부, 즉 공정위치의 영역에 분사된다.The gas supply plate 30 has a gas inlet 31 formed at the center for supplying the reaction gas into the reaction chamber 10, and a shower head which is a gas distribution face plate having a plurality of holes or passages 32a formed at a lower side thereof. 32 is provided. Therefore, the reaction gas injected through the gas inlet 31 is injected into the reaction chamber 10, that is, the region of the process position, through the shower head 32.
히터(40)는 작동이 제어부(50)에 의해 제어되며 전원공급부(60)로부터 전원을 인가받아 페데스탈(20) 및 웨이퍼(W)를 가열시킨다. 히터(40)에 인가되는 전원공급부(60)의 전원은 제어부(50)로부터 출력되는 제어신호를 수신받아 구동하는 히터드라이버(70)에 의해 공급 및 차단된다.The heater 40 is controlled by the control unit 50 and receives power from the power supply unit 60 to heat the pedestal 20 and the wafer W. Power of the power supply unit 60 applied to the heater 40 is supplied and cut off by the heater driver 70 which receives and drives the control signal output from the controller 50.
이러한 종래의 CVD 장치는 CVD 공정 진행시 소프트웨어의 버그나 소프트웨어의 충돌, 정전 등으로 인해 전원공급부로부터 히터로 공급되던 전원이 오프(off)됨으로써 히터의 가동이 중지되어 반응챔버 내측의 온도를 강하시키고, 이로 인해 수축하는 에지링이 그 내측에 위치한 웨이퍼의 가장자리를 압박하여 웨이퍼를 파손시키며, 파손된 웨이퍼의 파편으로 인해 반응챔버 내부를 오염시키는 등 심각한 문제를 초래하였다.In the conventional CVD apparatus, the power supplied from the power supply unit to the heater is turned off due to a software bug, a software crash, or a power failure during the CVD process, so that the heater is stopped and the temperature inside the reaction chamber is lowered. As a result, the shrinking edge ring squeezes the edge of the wafer located therein, causing the wafer to be broken, and the broken wafer fragments contaminate the inside of the reaction chamber.
본 고안은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안의 목적은 CVD 공정 진행중에 소프트웨어의 버그나 충돌, 정전 등으로 인해 히터로 공급되는 전원이 오프(off)시 무정전 전원을 계속적으로 공급함으로써 히터의 가동중지로 인한 에지링의 수축에 의해 웨이퍼가 파손됨을 방지하는 CVD 장치를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to continuously supply uninterruptible power when the power supplied to the heater is turned off due to a bug, crash, power failure, etc. of the software during the CVD process The present invention provides a CVD apparatus that prevents a wafer from being broken by shrinkage of an edge ring due to a shutdown of a heater.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 고안은, CVD 공정이 실시되는 반응챔버와, 반응챔버의 내측에 설치되어 웨이퍼를 지지함과 아울러 상부면에 에지링이 결합되는 페데스탈과, 페데스탈의 상측에 설치되며 반응챔버내에 반응가스를 공급하는 가스공급플레이트와, 페데스탈의 상부에 설치되며 전원공급부로부터 전원을 공급받아 페데스탈 및 웨이퍼를 일정 온도로 가열하는 히터와, 히터를 제어하기 위해 제어신호를 출력하는 제어부를 구비한 CVD 장치에 있어서, 전원공급부로부터 전원을 공급받아 충전되어서 무정전 전원을 제공하는 무정전 전원공급부와; 전원공급부 또는 무정전 전원공급부로부터 인가된 전원을 선택적으로 히터로 인가하되, 전원공급부의 전원이 오프되었을 경우 무정전 전원공급부의 무정전 전원을 히터로 공급하도록 스위칭하는 스위칭부와; 제어부로부터 출력되는 제어신호에 따라 스위칭부를 구동시키는 히터드라이버를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for realizing the above object is a reaction chamber in which a CVD process is performed, a pedestal which is installed inside the reaction chamber to support a wafer and is coupled with an edge ring on an upper surface thereof, and is installed above the pedestal. A gas supply plate for supplying a reaction gas into the reaction chamber, a heater installed on the pedestal and receiving power from a power supply, and heating the pedestal and the wafer to a predetermined temperature, and a controller for outputting a control signal to control the heater. A CVD apparatus comprising: an uninterruptible power supply unit that receives power from a power supply unit and is charged to provide an uninterruptible power supply; A switching unit for selectively applying power applied from the power supply unit or the uninterruptible power supply unit to the heater, and switching the uninterruptible power supply unit to supply the uninterruptible power supply to the heater when the power supply unit is turned off; It characterized in that it comprises a heater driver for driving the switching unit in accordance with the control signal output from the control unit.
스위칭부는 히터에 전원공급부의 전원이 인가되도록 스위칭하는 제 1 릴레이와, 히터에 무정전 전원공급부의 전원이 인가되도록 스위칭하는 제 2 릴레이를 포함하는 것을 특징으로 한다.The switching unit includes a first relay for switching the power supply of the power supply unit to the heater and a second relay for switching the power supply of the uninterruptible power supply unit to the heater.
제 2 릴레이와 히터 사이에 연결되어 무정전 전원공급부의 무정전 전원을 차단하도록 스위칭하는 제 3 릴레이를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And a third relay connected between the second relay and the heater to switch to cut off the uninterruptible power supply of the uninterruptible power supply.
도 1은 종래의 CVD 장치를 도시한 구성도이고,1 is a block diagram showing a conventional CVD apparatus,
도 2는 본 고안에 따른 CVD 장치를 도시한 구성도이다.Figure 2 is a block diagram showing a CVD apparatus according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
100 ; 반응챔버 110 ; 개구부100; Reaction chamber 110; Opening
200 ; 페데스탈 210 ; 에지링200; Pedestal 210; Edge ring
300 ; 가스공급플레이트 400 ; 히터300; Gas supply plate 400; heater
500 ; 제어부 600 ; 전원공급부500; Control unit 600; Power supply
700 ; 무정전 전원공급부 800 ; 스위칭부700; Uninterruptible power supply 800; Switching unit
810 ; 제 1 릴레이 820 ; 제 2 릴레이810; First relay 820; 2nd relay
830 ; 제 3 릴레이 900 ; 히터드라이버830; Third relay 900; Heater Driver
이하, 본 고안의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the most preferred embodiment of the present invention will be described in more detail so that those skilled in the art can easily practice.
도 2는 본 고안에 따른 CVD 장치를 도시한 구성도이다. 도시된 바와 같이, 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 CVD 장치는 CVD 공정이 실시되는 반응챔버(100)와, 반응챔버(100)의 내측에 설치되어 웨이퍼(W)를 지지함과 아울러 상부면에 에지링(210)이 결합되는 페데스탈(200)과, 페데스탈(200)의 상측에 설치되며 반응챔버(100)내에 반응가스를 공급하는 가스공급플레이트(300)와, 페데스탈(200)의 상부에 설치되며 페데스탈(200) 및 웨이퍼(W)를 일정 온도로 가열하는 히터(400)와, 히터(400)를 제어하기 위해 제어신호를 출력하는 제어부(500)와, 히터(400)에 전원을 공급하는 전원공급부(600)와, 전원공급부(600)로부터 전원을 공급받아 충전되어서 무정전 전원을 제공하는 무정전 전원공급부(700)와, 전원공급부(600) 또는 무정전 전원공급부(700)로부터 인가된 전원을 선택적으로 히터(400)로 인가하는 스위칭부(800)와, 제어부(500)로부터 출력되는 제어신호에 따라 스위칭부(800)를 구동시키는 히터드라이버(900)를 포함한다.Figure 2 is a block diagram showing a CVD apparatus according to the present invention. As shown, the CVD apparatus according to the preferred embodiment of the present invention is installed inside the reaction chamber 100 and the reaction chamber 100 in which the CVD process is carried out to support the wafer W and to the upper surface. Pedestal 200 to which the edge ring 210 is coupled, installed on the pedestal 200, the gas supply plate 300 for supplying the reaction gas in the reaction chamber 100, and installed on the pedestal 200 And a heater 400 for heating the pedestal 200 and the wafer W to a predetermined temperature, a controller 500 for outputting a control signal to control the heater 400, and supplying power to the heater 400. The power supply unit 600, an uninterruptible power supply 700 that is charged by receiving power from the power supply unit 600 to provide uninterruptible power, and selects the power applied from the power supply unit 600 or the uninterruptible power supply 700 By the switching unit 800 and the control unit 500 to be applied to the heater 400 And a heater driver 900 for driving the switching unit 800 according to the control signal output from the controller.
반응챔버(100)는 일측에 진공밀폐가 가능하며 웨이퍼 이송로봇(미도시)에 의해 웨이퍼(W)가 로딩/언로딩되는 개구부(110)를 형성하며, 내측에 페데스탈(200)이설치된다.The reaction chamber 100 is capable of vacuum sealing at one side and forms an opening 110 in which the wafer W is loaded / unloaded by a wafer transfer robot (not shown), and a pedestal 200 is installed inside.
페데스탈(200)은 상부면에 에지링(210)이 설치되고, 상부에 복수의 리프트핀(220)이 슬라이딩 결합되며, 하부에 리프트링(230)이 수직방향으로 이동가능하도록 결합된다.The pedestal 200 has an edge ring 210 is installed on the upper surface, a plurality of lift pins 220 are slidingly coupled to the upper side, and the lift ring 230 is coupled to the lower side to be movable in the vertical direction.
에지링(210)은 페데스탈(200)의 상부면 가장자리를 덮음으로써 CVD 공정시 페데스탈(200)의 상부면과 반응챔버(100)의 하부에 증착되는 것을 방지하며, 리프트핀(220)은 그 하단이 리프트링(230)에 의해 지지되어 페데스탈(200)의 표면위로 들어올려져서 웨이퍼 이송로봇(미도시)에 의해 개구부(110)로 삽입된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 이송로봇으로부터 떼어내어 상승시키며, 리프트핀(220)에 의해 상승된 웨이퍼(W)는 페데스탈(200)의 상승에 의해 페데스탈(200)의 상부면 위의 에지링(210) 내측에 위치된다.The edge ring 210 covers the upper edge of the pedestal 200 to prevent deposition on the upper surface of the pedestal 200 and the lower portion of the reaction chamber 100 during the CVD process, the lift pin 220 is lower The wafer W supported by the lift ring 230 and lifted onto the surface of the pedestal 200 and inserted into the opening 110 by a wafer transfer robot (not shown) is lifted off the wafer transfer robot, The wafer W lifted by the lift pin 220 is positioned inside the edge ring 210 on the upper surface of the pedestal 200 by the lift of the pedestal 200.
가스공급플레이트(300)는 반응가스 공급라인(미도시)을 통해 반응가스가 유입되는 가스유입구(310)가 형성되며, 그 하측에 다수의 홀 또는 통로(321)를 형성하여 반응챔버(100) 내부 즉, 반응영역에 반응가스를 분출하는 가스 분배 면판인 샤워헤드(320)가 구비된다.The gas supply plate 300 has a gas inlet 310 through which a reaction gas is introduced through a reaction gas supply line (not shown), and a plurality of holes or passages 321 are formed at a lower side of the reaction chamber 100. Inside, that is, the shower head 320 that is a gas distribution face plate for ejecting the reaction gas is provided.
히터(400)는 페데스탈(200)의 상부에 설치되고, 전원공급부(600) 또는 무정전 전원공급부(700)로부터 전원을 인가받아 페데스탈(200) 및 웨이퍼(W)를 가열하며, 이러한 히터(400)의 작동 및 정지는 제어부(500)에 의해 제어되며, 제어부(500)는 히터(400)를 제어하기 위해 제어신호를 히터드라이버(900)로 출력한다.The heater 400 is installed above the pedestal 200, receives power from the power supply unit 600 or the uninterruptible power supply 700, and heats the pedestal 200 and the wafer W. The heater 400 The operation and stop of the control is controlled by the control unit 500, the control unit 500 outputs a control signal to the heater driver 900 to control the heater 400.
무정전 전원공급부(700)는 평상시에는 전원공급부(600)로부터 전원을 공급받아 축전지(미도시)에 전원을 충전시키며, CVD 공정진행중에 전원공급부(600)의 전원 오프시에는 스위칭부(800)에 의해 히터(400)에 무정전 전원을 공급한다.The uninterruptible power supply unit 700 receives power from the power supply unit 600 to charge power to a storage battery (not shown), and to the switching unit 800 when the power supply unit 600 is turned off during the CVD process. Thereby supplying uninterruptible power to the heater 400.
스위칭부(800)는 CVD 공정이 실시되면 전원공급부(600)로부터 히터(400)로 전원을 인가하며, CVD 공정 진행중에 전원공급부(600)의 전원이 오프되었을 경우 무정전 전원공급부(700)의 무정전 전원을 히터(400)로 공급하도록 스위칭한다.The switching unit 800 applies power from the power supply unit 600 to the heater 400 when the CVD process is performed, and when the power supply unit 600 is turned off during the CVD process, the uninterruptible power supply unit 700 uninterrupted. The power is switched to supply the heater 400.
한편, 스위칭부(800)는 히터(400)에 전원공급부(600)의 전원이 인가되도록 스위칭하는 제 1 릴레이(810)와, 히터(400)에 무정전 전원공급부(700)의 전원이 인가되도록 스위칭하는 제 2 릴레이(820)를 포함하는 것이 바람직하다.Meanwhile, the switching unit 800 switches the first relay 810 for switching the power of the power supply unit 600 to be applied to the heater 400 and the power for the uninterruptible power supply 700 to the heater 400. It is preferable to include a second relay 820.
제 1 및 제 2 릴레이(810,820)는 히터(400)에 전원공급부(600)와 무정전 전원공급부(700)의 전원을 선택적으로 공급하기 위하여 각각 별개의 상시개로형 릴레이와 상시개방형 릴레이로 구성할 수 있으며, 바람직하게는 이들의 혼합형으로서 전기신호 인가시 접점이 바뀌는 절환형 릴레이임이 바람직하다.The first and second relays 810 and 820 may be configured as separate normally open relays and normally open relays to selectively supply power to the heater 400 to the power supply unit 600 and the uninterruptible power supply unit 700. Preferably, the mixed type thereof is a switch type relay in which a contact is changed when an electric signal is applied.
또한, 스위칭부(800)는 제 2 릴레이(820)와 히터(400) 사이에 연결되어 무정전 전원공급부(700)의 무정전 전원을 차단하도록 스위칭하는 제 3 릴레이(830)를 를 포함할 수 있다. 따라서, CVD 공정의 종료, 장치의 유지 및 보수를 위해 히터(400)로 공급되는 전원을 차단하고자 하는 경우 제 3 릴레이(830)에 의해 무정전 전원공급부(700)로부터 히터(400)로 인가되는 전원을 차단시킨다.In addition, the switching unit 800 may include a third relay 830 connected between the second relay 820 and the heater 400 to switch to cut off the uninterruptible power supply of the uninterruptible power supply 700. Therefore, when the power supply to the heater 400 is to be cut off for the termination of the CVD process, the maintenance and repair of the device, the power applied to the heater 400 from the uninterruptible power supply 700 by the third relay 830. To block.
제 3 릴레이(830)는 소프트웨어의 버그나 충돌, 정전 등으로 인해 히터드라이버(900)로부터 전기신호가 인가되지 않더라도 무정전 전원공급부(700)의 무정전전원을 히터(400)로 공급시켜야 하므로 전기신호의 인가시 절점을 오프시키는 상시폐로형 릴레이가 사용된다.Since the third relay 830 is required to supply the uninterruptible power of the uninterruptible power supply 700 to the heater 400 even though the electric signal is not applied from the heater driver 900 due to a bug, a collision, a power failure, or the like of the software. Normally closed relays are used to switch off the nodes when applied.
히터드라이버(900)는 제어부(500)로부터 출력되는 제어신호에 따라 스위칭부(800), 즉 제 1 및 제 2 릴레이(810,820)와 제 3 릴레이(830)로 전기신호를 인가함으로써 이들을 구동시킨다.The heater driver 900 drives them by applying electrical signals to the switching unit 800, that is, the first and second relays 810 and 820 and the third relay 830 according to the control signal output from the control unit 500.
이와 같은 구조로 이루어진 본 고안에 따른 CVD 장치의 동작은 다음과 같다.The operation of the CVD apparatus according to the present invention having such a structure is as follows.
CVD 공정을 실시를 위해 페데스탈(200) 상부면에 위치한 웨이퍼(W)를 가열하기 위하여 제어부(500)는 히터드라이버(900)로 제어신호를 출력하고, 제어신호를 수신한 히터드라이버(900)는 스위칭부(800)의 제 1 및 제 2 릴레이(810,820)로 전기신호를 출력한다.The controller 500 outputs a control signal to the heater driver 900 in order to heat the wafer W located on the upper surface of the pedestal 200 to perform the CVD process, and the heater driver 900 receiving the control signal is The electrical signal is output to the first and second relays 810 and 820 of the switching unit 800.
제 1 및 제 2 릴레이(810,820)는 히터드라이버(900)의 전기신호에 의해 제 1 릴레이(810)는 온(on)되며, 제 2 릴레이(820)는 오프됨으로써 전원공급부(600)의 전원을 히터(400)로 인가되도록 한다.The first and second relays 810 and 820 are turned on by the electrical signal of the heater driver 900, and the second relay 820 is turned off to turn off the power of the power supply unit 600. To be applied to the heater 400.
이 때, 소프트 웨어의 버그나 충돌, 정전 등으로 인해 전원공급부(600)의 전원이 오프시 히터드라이버(900)에 의해 제 1 및 제 2 릴레이(810,820)로 인가되는 전기신호는 차단되며, 이로 인해 제 1 릴레이(810)는 오프되며, 제 2 릴레이(820)는 온됨으로써 무정전 전원공급부(700)에 충전된 무정전 전원이 히터(400)로 공급된다. 따라서, 히터(400)는 전원의 차단없이 계속적으로 전원이 인가됨으로써 CVD 공정 진행중에 히터(400)의 가동중지로 인해 수축하는 에지링(210)에 의해 웨이퍼(W)가 파손됨을 방지하게 된다.At this time, when the power of the power supply unit 600 is turned off due to a bug, a collision, a power failure, or the like, the electric signals applied to the first and second relays 810 and 820 by the heater driver 900 are blocked. Due to this, the first relay 810 is turned off, and the second relay 820 is turned on so that the uninterruptible power charged in the uninterruptible power supply 700 is supplied to the heater 400. Accordingly, since the heater 400 is continuously applied without shutting off the power, the heater 400 is prevented from being damaged by the edge ring 210 that contracts due to the shutdown of the heater 400 during the CVD process.
또한, CVD 공정의 완료 또는 장치의 유지나 보수를 위해 히터(400)의 가동을 중지할 경우 제어부(500)는 히터(400)의 가동을 중지시키는 제어신호를 출력하고 이를 수신한 히터드라이버(900)는 스위칭부(800)의 제 1 및 제 2 릴레이(810,820)로 인가되는 신호를 차단함과 아울러 제 3 릴레이(830)로 전기신호를 인가함으로써 제 1 릴레이(810)가 전원공급부(600)로부터 히터(400)로 공급되는 전원을 오프시킴과 동시에 제 3 릴레이(830)가 무정전 전원공급부(700)로부터 히터(400)로 공급되는 무정전 전원을 오프시킴으로써 히터(400)는 가동을 중지하게 된다.In addition, when the operation of the heater 400 is stopped for the completion of the CVD process or the maintenance or repair of the apparatus, the controller 500 outputs a control signal for stopping the operation of the heater 400 and receives the heater driver 900. Block the signals applied to the first and second relays 810 and 820 of the switching unit 800, and also apply an electrical signal to the third relay 830 so that the first relay 810 is removed from the power supply unit 600. The heater 400 is stopped by turning off the power supplied to the heater 400 and simultaneously turning off the uninterruptible power supplied from the uninterruptible power supply 700 to the heater 400 by the third relay 830.
따라서, 본 고안의 가장 바람직한 실시예에 따른 CVD 장치는 CVD 공정 진행중에 소프트웨어의 버그나 충돌, 정전 등으로 인해 히터로 공급되는 전원이 오프시 무정전 전원을 계속적으로 공급함으로써 히터의 가동중지로 인한 에지링의 수축에 의해 웨이퍼가 파손됨을 방지한다.Therefore, the CVD apparatus according to the most preferred embodiment of the present invention has an edge due to the shutdown of the heater by continuously supplying uninterrupted power when the power supplied to the heater is turned off due to a bug, crash, or power failure of software during the CVD process. The shrinkage of the ring prevents the wafer from breaking.
상술한 바와 같이, 본 고안에 따른 CVD 장치는 CVD 공정 진행중에 소프트웨어의 버그나 충돌, 정전 등으로 인해 히터로 공급되는 전원이 오프(off)시 무정전 전원을 계속적으로 공급함으로써 히터의 가동중지로 인한 에지링의 수축에 의해 웨이퍼가 파손됨을 방지하는 효과를 가지고 있다.As described above, the CVD apparatus according to the present invention continuously supplies uninterrupted power when the power supplied to the heater is turned off due to a bug, crash, or power failure of the software during the CVD process. It has an effect of preventing the wafer from being broken by shrinkage of the edge ring.
이상에서 설명한 것은 본 고안에 따른 CVD 장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 고안은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 실용신안등록청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가가능한 범위까지 본 고안의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for implementing the CVD apparatus according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, the subject matter of the present invention as claimed in the utility model registration claims below Without departing from the technical spirit of the present invention to the extent that any person of ordinary skill in the art to which the present invention pertains various modifications can be made.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020020002623U KR200273208Y1 (en) | 2002-01-28 | 2002-01-28 | Chemical vapor deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020020002623U KR200273208Y1 (en) | 2002-01-28 | 2002-01-28 | Chemical vapor deposition apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR200273208Y1 true KR200273208Y1 (en) | 2002-04-20 |
Family
ID=73055355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2020020002623U KR200273208Y1 (en) | 2002-01-28 | 2002-01-28 | Chemical vapor deposition apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200273208Y1 (en) |
-
2002
- 2002-01-28 KR KR2020020002623U patent/KR200273208Y1/en not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8845810B2 (en) | Substrate damage prevention system and method | |
| JP4790458B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| EP2282326A2 (en) | Substrate mounting mechanism and substrate processing apparatus using same | |
| KR20060050004A (en) | Independently moving substrate supports | |
| KR100842739B1 (en) | Electrostatic chuck of high density plasma deposition apparatus | |
| US20230402269A1 (en) | Cleaning method and plasma processing apparatus | |
| KR20180045588A (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
| KR20210111162A (en) | Cleaning method and plasma processing apparatus | |
| KR101987959B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
| KR20090013552A (en) | Method of de-chucking a wafer using a direct voltage and a alternating voltage alternately and apparatus for fabricating a semiconductor device employing the same | |
| KR200273208Y1 (en) | Chemical vapor deposition apparatus | |
| KR20060000008A (en) | Glass support system and support pin structure | |
| KR20050045360A (en) | Appararus for treatment works under vacuum | |
| KR101935957B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
| KR102318392B1 (en) | Apparatus for treating substrate and method for treating substrate | |
| JP6814560B2 (en) | Board processing equipment | |
| CN205014998U (en) | Sample test processing apparatus | |
| WO2024071074A1 (en) | Substrate treatment system | |
| KR100542629B1 (en) | Apparatus and method for manufacturing semiconductor devices | |
| KR100684901B1 (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
| CN105180986B (en) | A kind of sample test/processing unit | |
| CN105174161B (en) | A kind of specimen holder turning device | |
| JP7320369B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP3964539B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| KR100436478B1 (en) | Spin Type Apparatus For Cleaning Wafers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080401 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |