KR200252071Y1 - Etching chamber for wafer - Google Patents
Etching chamber for wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR200252071Y1 KR200252071Y1 KR2020010022720U KR20010022720U KR200252071Y1 KR 200252071 Y1 KR200252071 Y1 KR 200252071Y1 KR 2020010022720 U KR2020010022720 U KR 2020010022720U KR 20010022720 U KR20010022720 U KR 20010022720U KR 200252071 Y1 KR200252071 Y1 KR 200252071Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas injection
- wafer
- gas
- etching
- chamber
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
개시된 본 고안에 의한 웨이퍼 에칭챔버는, 밀폐공간을 제공하는 챔버몸체와, 챔버몸체의 내부 하측에 구비되는 웨이퍼고정수단과, 이 웨이퍼고정수단에 안착된 웨이퍼에 에칭가스를 분사하도록 챔버몸체의 내부 상측에 구비된 가스분사수단을 구비한다. 가스분사수단은 내부가 빈 원판형 몸체의 일측면에 다수의 가스분사공이 형성되어 구성되며, 이 가스분사수단은 모터에 연결되어 회전하도록 구성된다. 이에 의하면, 가스분사수단이 회전하면서 그 전체면에 걸쳐 형성된 다수의 가스분사공을 통해 가스를 분사하기 때문에, 웨이퍼에서의 가스 분포가 균일하게 되며, 따라서, 에칭의 정밀도를 한층 높일 수 있다. 본 고안의 바람직한 실시예에 의하면 가스분사수단의 가스분사공들은 원판형 몸체의 일부분, 예컨대, 원판형 몸체에 +자 방향으로 형성될 수 있다. 이 때, +자 방향으로 배치된 가스분사공들의 가로방향 또는 세로방향 중 어느 한 방향에는 그 양측부에 웨이퍼 가장자리로 보다 많은 양의 가스가 분사되도록 하기 위해 가스분사공의 수가 증대될 수 있다.The wafer etching chamber according to the present invention includes a chamber body providing a closed space, wafer holding means provided on the lower side of the inside of the chamber body, and an inside of the chamber body to spray etching gas to the wafer seated on the wafer holding means. Gas injection means provided on the upper side is provided. Gas injection means is composed of a plurality of gas injection holes are formed on one side of the disk-shaped hollow body, the gas injection means is configured to be connected to the motor to rotate. According to this, since the gas injection means rotates and injects gas through a plurality of gas injection holes formed over its entire surface, the gas distribution on the wafer becomes uniform, and therefore the accuracy of etching can be further improved. According to a preferred embodiment of the present invention, the gas injection holes of the gas injection means may be formed in a part of the disc-shaped body, for example, the disc-shaped body in the + shape. At this time, the number of gas injection holes may be increased in one of the horizontal or longitudinal directions of the gas injection holes arranged in the + -shaped direction so that a larger amount of gas is injected to the edge of the wafer at both sides thereof.
Description
본 고안은 반도체 제조장비 중의 하나인 웨이퍼 에칭챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer etching chamber which is one of semiconductor manufacturing equipment.
반도체 제조의 주요 공정 중의 하나인 에칭방법은, 크게 건식에칭과 습식에칭으로 대별된다. 그외에도 플라즈마 에칭방법 등이 있으나, 이 역시 건식에칭에 속한다고 볼 수 있다. 건식에칭방법은, 밀폐공간을 제공하는 챔버내에 웨이퍼를 위치시키고 챔버내에 에칭가스를 주입하는 것으로 이루어진다. 이러한 에칭공정은 반도체 수율 및 집적도에 상당한 영향을 끼치기 때문에, 정밀하게 관리되어야 한다.Etching methods, which are one of the main processes of semiconductor manufacturing, are roughly classified into dry etching and wet etching. In addition, there is a plasma etching method, but this can also be regarded as belonging to dry etching. The dry etching method consists of placing a wafer in a chamber providing a closed space and injecting etching gas into the chamber. This etching process has a significant effect on semiconductor yield and integration and therefore must be managed precisely.
도 1에는 상술한 바와 같은 건식에칭에 사용되는 에칭챔버의 전형적인 한 예가 도시되어 있다. 도면에서 참조부호 10은 챔버몸체, 20는 웨이퍼 고정수단, 30은 가스분사수단, 그리고, 40은 배기계이다.Figure 1 shows a typical example of an etching chamber used for dry etching as described above. In the drawings, reference numeral 10 is a chamber body, 20 is a wafer holding means, 30 is a gas injection means, and 40 is an exhaust system.
도시된 바와 같이, 챔버몸체(10)는 내부에 밀폐공간을 제공하며, 이 챔버몸체(10)의 내부 하측에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 고정수단(20)이 설치된다. 가스분사수단(30)은 챔버몸체(10)의 내부 상측에 설치되어, 공정가스를 샤워식으로 웨이퍼에 분사하도록 되어 있다. 배기계(40)는 공정가스를 배기시키기 위한 것이다.As shown, the chamber body 10 provides a sealed space therein, and the wafer fixing means 20 is installed on the lower side of the chamber body 10 to seat the wafer. The gas injection means 30 is provided above the inside of the chamber body 10 to inject the process gas onto the wafer in a shower manner. The exhaust system 40 is for exhausting the process gas.
상기 챔버몸체(10)에는 도시되지 않았으나, 웨이퍼를 출입시키기 위한 도어가 구비된다.Although not shown, the chamber body 10 is provided with a door for entering and exiting the wafer.
그리고, 상기 웨이퍼 고정수단(20)은 웨이퍼를 클램핑하는 수단과 챔버내에서의 웨이퍼의 높낮이를 조절하기 위한 수단들이 구성되나 도면에서는 도시를 생략하였다.The wafer holding means 20 includes means for clamping the wafer and means for adjusting the height of the wafer in the chamber, but are not shown in the drawings.
상기 가스분사수단(30)은 외부로부터 공급되는 공정가스를 챔버내부에서 하측의 웨이퍼 쪽으로 분사하는 것으로써, 도 2에서 도시된 바와 같이, 링형상의 몸체(31)에 다수의 가스분사공(32)이 형성된 구조로 이루어진다.The gas injection means 30 injects a process gas supplied from the outside into the lower wafer from the inside of the chamber, and as shown in FIG. 2, a plurality of gas injection holes 32 in the ring-shaped body 31. ) Is formed.
이와 같이 된 종래의 웨이퍼 에칭챔버에서, 웨이퍼는 앞서도 설명한 바와 같이, 챔버몸체(10) 내부의 웨이퍼 고정수단(20)에 안착되며, 이 웨이퍼에 가스분사수단(30)으로부터 공정가스가 분사되면서 에칭이 진행된다.In the conventional wafer etching chamber as described above, the wafer is seated on the wafer holding means 20 inside the chamber body 10 as described above, and the wafer is etched while the process gas is injected from the gas injection means 30. This is going on.
그러나, 상기한 바와 같은 종래의 웨이퍼 에칭챔버에 있어서는, 링형태로 이루어지는 가스분사수단의 분사공을 통해 웨이퍼로 에칭가스가 분사되는 바, 이로 인해 웨이퍼 중앙부분과 가장자리부분의 에칭정도가 달라지게 된다. 즉, 웨이퍼에서의 에칭가스 분포가 균일하지 못함으로써 에칭 정밀도가 떨어지는 문제가 있다. 이는 반도체 수율 저하를 초래하므로 이를 개선할 필요가 있다.However, in the conventional wafer etching chamber as described above, the etching gas is injected to the wafer through the injection hole of the gas injection means formed in a ring shape, and thus the etching degree of the center portion and the edge portion of the wafer is changed. . That is, there is a problem that the etching accuracy is lowered because the etching gas distribution on the wafer is not uniform. This results in a decrease in semiconductor yield and therefore needs to be improved.
본 고안은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로, 웨이퍼에서의 에칭가스 분포를 균일하게 유지시킴으로써 에칭 정밀도를 높일 수 있는 웨이퍼 에칭챔버를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide a wafer etching chamber capable of increasing etching accuracy by keeping the etching gas distribution on the wafer uniform.
도 1은 일반적인 웨이퍼 에칭챔버를 개략적으로 나타낸 도면,1 is a schematic view showing a typical wafer etching chamber;
도 2는 종래 에칭챔버에 적용된 가스분사링을 나타낸 평면도,2 is a plan view showing a gas injection ring applied to a conventional etching chamber;
도 3은 본 고안의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에칭챔버를 개략적으로 나타낸 도면, 그리고,3 is a view schematically showing a wafer etching chamber according to an embodiment of the present invention, and
도 4는 본 고안의 에칭챔버에 적용된 가스분사판을 나타낸 평면도이다.Figure 4 is a plan view showing a gas injection plate applied to the etching chamber of the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
10;챔버몸체 20;웨이퍼 고정수단10; chamber body 20; wafer fixing means
40;배기계 50;가스분사수단40; exhaust machine 50; gas injection means
51;원판형 몸체 52;가스분사공51; disc body 52; gas injection hole
60;모터 61;모터축60; motor 61; motor shaft
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안에 의한 웨이퍼 에칭챔버는, 소정의 밀폐공간을 제공하는 챔버몸체와, 이 챔버몸체의 내부 하측에 설치되는 웨이퍼고정수단과, 챔버몸체의 내부 상측에 설치되는 가스분사수단을 구비하며, 상기 가스분사수단은 원판체의 하면에 복수의 가스분사공이 배열 형성된 것을 특징으로 한다.The wafer etching chamber according to the present invention for achieving the above object, the chamber body providing a predetermined sealed space, the wafer fixing means is provided on the lower side of the inside of the chamber body, the gas injection is provided on the inside of the chamber body The gas injection means is characterized in that a plurality of gas injection holes are arranged on the lower surface of the disc body.
또한, 본 고안에 의한 웨이퍼 에칭챔버는 상기 가스분사수단을 회전시키기 위한 수단을 더욱 구비하며, 이 회전수단으로는 모터가 사용될 수 있다. 이러한 회전수단을 채용하는 경우, 상기 가스분사수단의 가스분사공은 원판체의 전체면에 형성되지 않고 +자형 배열을 가지도록 형성되어도 균일한 가스 분포를 이룰 수 있다. 이 때, 상기 +자형 배열의 가스분사공 중 가로방향이나 세로방향 배열 중 어느 한 방향 배열의 양측에는 보다 많은 수의 가스분사공이 형성될 수 있다.In addition, the wafer etching chamber according to the present invention further includes a means for rotating the gas injection means, the motor may be used as the rotation means. In the case of employing such a rotation means, the gas injection hole of the gas injection means can achieve a uniform gas distribution even if it is formed to have a + -shaped arrangement rather than being formed on the entire surface of the disc body. In this case, a larger number of gas injection holes may be formed on both sides of either the horizontal direction or the vertical direction of the gas injection holes of the + -shaped arrangement.
이에 의하면, 가스분사수단의 원판형몸체의 일측면 전체에 형성된 다수의 가스분사공을 통하여 에칭가스가 웨이퍼의 전체면에 걸쳐 고르게 분사되기 때문에, 웨이퍼에서의 가스 분포를 균일하게 유지시킬 수 있다. 이에 더하여 가스분사수단이 회전하면서 가스를 분사하기 때문에, 웨이퍼의 가스 분포를 더욱 균일하게 유지시킬 수 있으며, 따라서, 에칭 정밀도를 한층 높일 수 있어, 제품의 수율 향상을 도모할 수 있다.According to this, since the etching gas is sprayed evenly over the whole surface of the wafer through the many gas injection holes formed in the whole one side surface of the disk-shaped body of a gas injection means, the gas distribution in a wafer can be maintained uniformly. In addition, since the gas injection means rotates to inject gas, the gas distribution of the wafer can be maintained more uniformly, and thus the etching accuracy can be further improved, and the yield of the product can be improved.
이하, 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
첨부한 도 3은 본 고안의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에칭챔버를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4는 본 고안의 에칭챔버에 적용된 가스분사판을 나타낸 평면도이다. 참고로 도면에서 종래 구성과 동일한 구성 및 작용에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하여 설명하며, 본 고안과 큰 관계가 없는 구성품에 대해서는 설명을 생략한다.FIG. 3 is a view schematically showing a wafer etching chamber according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view showing a gas injection plate applied to the etching chamber of the present invention. For reference, the same configuration and operation as the conventional configuration in the drawings will be described with the same reference numerals, and description of components that do not have a large relationship with the present invention will be omitted.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 웨이퍼 에칭챔버는,챔버몸체(10), 웨이퍼 고정수단(20), 가스분사수단(50), 그리고, 회전수단으로써의 모터(60)을 구비한다.As shown in FIG. 3, the wafer etching chamber according to the present invention includes a chamber body 10, a wafer fixing means 20, a gas injection means 50, and a motor 60 as a rotating means. .
상기 챔버몸체(10)는 내부에 밀폐공간을 제공한다. 또한, 챔버몸체(10)는 도시되지 않았으나, 웨이퍼를 출입시키기 위한 도어를 아울러 구비한다.The chamber body 10 provides a sealed space therein. In addition, although not shown, the chamber body 10 is provided with a door for entering and exiting the wafer.
상기 웨이퍼 고정수단(20)은, 상기한 챔버몸체(10)의 내부 하측에 설치되어 피에칭체인 웨이퍼를 고정하는 역할을 한다. 이 웨이퍼 고정수단(20)은 웨이퍼를 클램핑하는 수단과 챔버내에서의 웨이퍼의 높낮이를 조절하기 위한 수단들을 구비하나 도면에서는 구체적인 도시를 생략하였다.The wafer fixing means 20 is installed in the lower side of the chamber body 10 and serves to fix the wafer as the etching target body. The wafer holding means 20 is provided with means for clamping the wafer and means for adjusting the height of the wafer in the chamber, but not shown in the drawings.
상기 가스분사수단(50)은 챔버몸체(10)의 내부 상측에 설치되어, 에칭가스를 샤워식으로 웨이퍼에 분사한다. 이러한 가스분사수단(50)은 도 4에 도시된 바와 같이, 원판형 몸체(51)의 일측면에 다수의 가스분사공(52)이 일정한 간격을 두고 형성된 구조로 되어 있다. 따라서, 에칭가스는 외부의 가스공급수단으로부터 소정의 관로를 통하여 원판형 몸체(51)의 내부 공간으로 유입된 후, 다수의 가스분사공(52)을 통하여 웨이퍼로 샤워식으로 분사된다. 즉, 웨이퍼의 전체면에 걸쳐 가스가 분사될 수 있다. 따라서, 종래와 같이, 웨이퍼의 가장자리에 집중적으로 가스가 분사되는 현상이 일어나지 않으므로 웨이퍼에서의 가스분포가 보다 균일하게 이루어질 수 있다.The gas injection means 50 is installed above the inside of the chamber body 10 and sprays etching gas onto the wafer in a shower manner. As shown in FIG. 4, the gas injection means 50 has a structure in which a plurality of gas injection holes 52 are formed at regular intervals on one side of the disc-shaped body 51. Therefore, the etching gas is introduced into the internal space of the disc-shaped body 51 through a predetermined pipe from an external gas supply means, and then is injected into the wafer through a plurality of gas injection holes 52. That is, gas may be injected over the entire surface of the wafer. Therefore, as in the related art, since the gas is not injected at the edge of the wafer intensively, the gas distribution on the wafer can be made more uniform.
한편, 상기한 가스분사수단(50)의 가스분사공(52)들은 원판평 몸체(51)의 일측면에 전체적으로 형성될 수도 있으나, 도면에서와 같이, 원판형 몸체(51)의 일부분, 즉, +자 형태로 배열될 수 있다. 이러한 가스분사공(52)의 형성이 가능한 이유는 후술하는 모터에 의해 가스분사수단(50)이 가스분사와 동시에 회전하기 때문이다. 보다 바람직하게는 상기한 가스분사공(52)의 배열은 +자 형태의 배열에 더하여 이 배열, 즉 가로방향배열과 세로방향배열 중 어느 한 방향배열의 양측에는 보다 많은 수의 가스분사공(52)이 형성된다.On the other hand, the gas injection holes 52 of the gas injection means 50 may be formed entirely on one side of the disk flat body 51, as shown in the figure, that is, a part of the disk-shaped body 51, Can be arranged in + character form. The reason why the gas injection hole 52 can be formed is because the gas injection means 50 rotates simultaneously with the gas injection by a motor described later. More preferably, the above-described arrangement of the gas injection holes 52 is in addition to the arrangement of the + shape, that is, the larger number of the gas injection holes 52 on both sides of the arrangement, that is, the horizontal arrangement and the longitudinal arrangement. ) Is formed.
상기 모터(60)는 앞에서도 설명한 바와 같이, 가스분사수단(50)을 회전시키기 위한 것으로, 챔버몸체(10)의 상측에 설치되며, 이 모터(60)의 축(61)에 가스분사수단(50)의 원판형 몸체(51)가 결합된다. 여기서, 가스관로는 모터(60)의 축(61)을 통하여 형성되며, 이 가스관로가 원판형 몸체(51)의 내부 공간과 연결되게 된다.As described above, the motor 60 is for rotating the gas injection means 50, and is installed above the chamber body 10, and is provided on the shaft 61 of the motor 60. 50, the disk-shaped body 51 is coupled. Here, the gas pipeline is formed through the shaft 61 of the motor 60, the gas pipeline is connected to the internal space of the disc-shaped body (51).
이와 같이 된 본 고안에 의한 웨이퍼 에칭챔버는, 챔버몸체(10) 내부의 웨이퍼고정수단(20)에 웨이퍼가 투입되어 고정되고, 상부의 가스분사수단(50)으로부터 에칭가스가 웨이퍼로 분사되면서 에칭이 이루어진다. 이 때, 에칭가스가 가스분사수단(50)의 원판형 몸체(51)에 형성된 다수의 가스분사공(52)을 통하여 웨이퍼의 전체면에 걸쳐 분사되므로, 웨이퍼에서의 가스 분포가 균일하게 되며, 더욱이 가스분사수단(50)이 모터(60)에 의해 가스분사와 동시에 회전하므로, 보다 균일한 가스분포를 형성할 수 있다.In the wafer etching chamber according to the present invention, the wafer is inserted into and fixed to the wafer fixing means 20 inside the chamber body 10, and the etching gas is injected from the upper gas injection means 50 to the wafer to be etched. This is done. At this time, since the etching gas is injected over the entire surface of the wafer through the plurality of gas injection holes 52 formed in the disk-shaped body 51 of the gas injection means 50, the gas distribution on the wafer becomes uniform, Further, since the gas injection means 50 rotates at the same time as the gas injection by the motor 60, a more uniform gas distribution can be formed.
상기와 본 고안에 의한 에칭챔버의 작용에서 가스분사수단(50)의 가스분사공(52)의 +자 배열은, 가스분사수단(50)이 회전하기 때문에, 원판형 몸체(51)의 전체면에 가스분사공(52)이 형성된 것과 같은 효과를 제공하며, 가스분사공 배열의 어느 한 배열의 양측에 그 원주방향으로 연장된 가스분사공배열은 웨이퍼의 가장자리 부분으로 보다 많은양의 가스가 분사되도록 함으로써 웨이퍼의 가장자리를 통하여 배기계(40)로 쉽게 배기되는 가스를 상쇄시킬 수 있게 하여 준다. 결과적으로 에칭 정도를 한층 높일 수 있게 되는 것이다.The + -shaped arrangement of the gas ejection holes 52 of the gas ejection means 50 in the action of the etching chamber according to the above and the present invention is because the gas ejection means 50 rotates, so that the whole surface of the disc-shaped body 51 Gas injection holes 52 are provided in the gas injection hole 52, and the gas injection hole arrays extending in the circumferential direction on either side of the array of gas injection holes are injected into the edge of the wafer. By doing so, it is possible to offset the gas easily exhausted to the exhaust system 40 through the edge of the wafer. As a result, the degree of etching can be further increased.
이상에서 설명한 바와 같은 본 고안에 의하면, 가스분사수단의 원판형몸체의 일측면 전체에 형성된 다수의 가스분사공을 통하여 에칭가스가 웨이퍼의 전체면에 걸쳐 고르게 분사되기 때문에, 웨이퍼에서의 가스 분포를 균일하게 유지시킬 수 있다. 이에 더하여 가스분사수단이 회전하면서 가스를 분사하기 때문에, 웨이퍼의 가스 분포를 더욱 균일하게 유지시킬 수 있으며, 따라서, 에칭 정밀도를 한층 높일 수 있어, 제품의 수율 향상을 도모할 수 있다.According to the present invention as described above, since the etching gas is evenly sprayed over the entire surface of the wafer through a plurality of gas injection holes formed on the whole of one side of the disk-shaped body of the gas injection means, the gas distribution in the wafer It can be kept uniform. In addition, since the gas injection means rotates to inject gas, the gas distribution of the wafer can be maintained more uniformly, and thus the etching accuracy can be further improved, and the yield of the product can be improved.
이상, 본 고안을 본 고안의 원리를 예시하기 위한 바람직한 일 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 고안은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. 오히려, 첨부된 실용신안등록청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 고안에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 고안의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.As described above, the present invention has been described and illustrated with reference to a preferred embodiment for illustrating the principle of the present invention, but the present invention is not limited to the configuration and operation as shown and described. Rather, those skilled in the art will appreciate that many modifications and variations of the present invention are possible without departing from the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, all such suitable changes, modifications, and equivalents should be considered to be within the scope of the present invention.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020010022720U KR200252071Y1 (en) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | Etching chamber for wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020010022720U KR200252071Y1 (en) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | Etching chamber for wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR200252071Y1 true KR200252071Y1 (en) | 2001-11-23 |
Family
ID=73105990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2020010022720U KR200252071Y1 (en) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | Etching chamber for wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200252071Y1 (en) |
-
2001
- 2001-07-26 KR KR2020010022720U patent/KR200252071Y1/en not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102329196B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same | |
| KR200252071Y1 (en) | Etching chamber for wafer | |
| KR100725613B1 (en) | Baffle and plasma etching device having same | |
| KR20170136280A (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20140045806A (en) | Substrate support apparatus and substrate process apparatus | |
| KR102628919B1 (en) | Substrate processing apparatus and method using the same | |
| KR101943375B1 (en) | Apparatus for dispensing gas and treating substrate | |
| KR101253332B1 (en) | Gas distribution plate for uniform gas injection | |
| KR100941960B1 (en) | Shower head of chemical vapor deposition apparatus | |
| KR200236764Y1 (en) | High frequency shaft window | |
| KR200183543Y1 (en) | Etching device for semiconductor wafer | |
| KR100303156B1 (en) | Dry etching apparatus having double gas plates | |
| KR101502857B1 (en) | Member for supporting substrate, apparatus for treating substrate with the member and method for treating substrate | |
| KR200244930Y1 (en) | Low baffles for semiconductor wafer oxide etching equipment | |
| KR20190061880A (en) | Vacuum chuck and substrate processing apparatus having the same | |
| KR20070031724A (en) | Showerhead | |
| KR20020004623A (en) | Etcing equipment for plasma of semiconductor | |
| KR20030035370A (en) | Gas injector for chemical vapor deposition apparatus | |
| KR20050023785A (en) | Apparatus for semiconductor wafer | |
| KR200151989Y1 (en) | Chamber for manufacturing semiconductor device | |
| KR0117114Y1 (en) | Vertical lp-cvd apparatus | |
| KR19980067038U (en) | Upper electrode for electrode assembly of semiconductor dry etching equipment | |
| KR100613354B1 (en) | Rapid thermal process apparatus for supplying process gas uniformly | |
| KR20210068803A (en) | Showerhead assembly and substrate processing apparatus having the same | |
| KR101455737B1 (en) | apparatus for treating substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20091016 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |