KR20030035370A - Gas injector for chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A gas injector of a chemical vapor deposition(CVD) apparatus is provided to improve a gap-fill capacity and deposition uniformity by installing a gas injector having the same length as a conventional gas injector wherein the diameter of the process gas spray part of the gas injector is smaller than that of the process gas inflow part of the gas injector. CONSTITUTION: A process chamber is prepared. A spray unit(150) sprays process gas on the upper portion of a wafer(140) placed on an electrostatic chuck(130), installed in the inner wall of the process chamber. The spray unit is composed of the first gas injector in which the diameter of the spray part is smaller than that of the inflow part to increase the pressure of the process gas.

Description

화학기상증착 장치의 가스 인젝터{GAS INJECTOR FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}GAS INJECTOR FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 공정 가스를 분사 시켜주는 가스 인젝터에 관한 것이다.The present invention relates to a high density plasma chemical vapor deposition apparatus, and more particularly to a gas injector for injecting a process gas.

일반적으로, 반도체 소자의 고집적화에 따라서 트랜치 소자분리 공정 및 층간절연막(inter layer dielectric;ILD) 구조에서 점점 더 정교한 임계치수 및 높은 종횡비가 요구되고 있다. 이때, 반도체 소자의 제조공정에서 발생한 단차를 평탄화하기 위해 사용되는 물질은 BPSG막, 화학기상증착 방식에 의해 형성된 USG 및 고밀도 플라즈마 화학기상증착막 등이 있다. 상기 고밀도 플라즈마 화학기상증착막을 형성하기 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치는 증착과 식각 공정이 동시에 진행되면서 막을 형성한다.In general, with the higher integration of semiconductor devices, increasingly sophisticated threshold dimensions and high aspect ratios are required in trench isolation processes and inter layer dielectric (ILD) structures. In this case, materials used to planarize the steps generated in the manufacturing process of the semiconductor device include a BPSG film, USG formed by a chemical vapor deposition method, and a high density plasma chemical vapor deposition film. The high density plasma chemical vapor deposition apparatus for forming the high density plasma chemical vapor deposition film forms a film while the deposition and etching processes are performed at the same time.

현재 반도체 소자를 제조하는 과정에서 발생한 단차를 채우는(gap fill) 물질로 가장 선호되고 있는 막질은 고밀도 플라즈마 화학기상증착(CVD)막이다. 상기 갭필(gap fill) 능력을 향상시키는 방법에는 바이어스 파워(bias power) 조절과 공급되는 공정 가스들의 비율 조절 및 증착 속도(deposition rate) 조절등이 있다. 이중에서, 상기 증착 속도(deposition rate) 조절이 갭필(gap fill) 능력을 향상시키는데 가장 중요한 영향을 미친다.Currently, the most preferred film quality as a gap fill material generated in the process of manufacturing a semiconductor device is a high density plasma chemical vapor deposition (CVD) film. Methods for improving the gap fill capability include adjusting the bias power, adjusting the ratio of process gases to be supplied, and adjusting the deposition rate. In particular, the deposition rate control has the most important influence on improving the gap fill capability.

도 1은 종래의 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 2는 종래의 분사 수단인 가스 인젝터를 보여주는 도면이다.1 is a view schematically showing a conventional high density plasma chemical vapor deposition apparatus, Figure 2 is a view showing a gas injector which is a conventional injection means.

도 1 및 도 2를 참조하면, 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치(10)는 공정 챔버, 정전척(40) 및 가스 인젝터(60)들로 구성된다.1 and 2, the high density plasma chemical vapor deposition apparatus 10 is composed of a process chamber, an electrostatic chuck 40, and a gas injector 60.

상기 공정 챔버는 어퍼(upper) 챔버(30)와 로어(lower) 챔버(20)로 이루어져 있다. 상기 어퍼 챔버(30)는 돔(dome) 형식으로 되어 있으며, LF(low frequence) 파워(power)가 인가된다. 그리고, 상기 로어 챔버(20)에는 웨이퍼(50)가 놓여지는 상기 정전척(ESC)(40)이 위치한다. 상기 정전척(40)에는 바이어스 파워(bias power)로써 사용되는 HF(high frequence) 파워(power)가 인가된다. 상기 가스 인젝터(60)는 상기 공정 챔버 내 측벽에 설치되며, 상기 정전척(40)의 둘레를 따라 등간격으로 설치된다. 상기 가스 인젝터(60)는 상기 정전척(40) 상에 놓여지는 웨이퍼(50)의 상부로 공정을 위한 가스를 분사한다. 상기 어퍼 챔버(30)에 가해진 LF(low frequence) 파워(power)는 가스 인젝터에 의해 분사된 가스들의 플라즈마를 발생하는데 사용되어 진다. 상기 플라즈마는 상기 정전척(40)에 가해진 HF(high frequence) 파워(power)에 의해 웨이퍼 상으로 증착이 된다.The process chamber consists of an upper chamber 30 and a lower chamber 20. The upper chamber 30 is of a dome type, and low frequence (LF) power is applied. In addition, the lower chamber 20 has the electrostatic chuck 40 on which the wafer 50 is placed. The high chuck (HF) power used as a bias power is applied to the electrostatic chuck 40. The gas injector 60 is installed on sidewalls of the process chamber and is installed at equal intervals along the circumference of the electrostatic chuck 40. The gas injector 60 injects gas for processing onto the wafer 50 placed on the electrostatic chuck 40. The low frequence (LF) power applied to the upper chamber 30 is used to generate a plasma of the gases injected by the gas injector. The plasma is deposited onto the wafer by the high frequence (HF) power applied to the electrostatic chuck 40.

상기 가스 인젝터(60)는 도 2에 도시된 바와 같이 공정 가스가 유입되는 부분과 분사되는 부분의 직경이 동일한 일자형으로 이루어져 있다.As shown in FIG. 2, the gas injector 60 has a straight line having a diameter equal to a portion into which a process gas is introduced and a portion to be injected.

한편, 종래의 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치는 갭필 능력을 향상시키기 위해 증착 속도를 낮출 수는 있으나, 상기 가스 인젝터에서 분사되는 압력이 약해져서 웨이퍼의 중앙부까지 분사 가스가 미치지 못한다. 이로 인해, 웨이퍼의 중앙부(center)와 엣지(edge)간의 증착 균일도가 나빠져 후속 공정에서 공정 불량을 유발하는 문제점이 있다. 그래서, 이러한 문제점을 보완하는 방법으로 상기 가스 인젝터의 길이를 길게하면 중앙부에서의 증착 균일도 향상을 보상할 수 있으나, 챔버 세정시 상대적으로 길어진 가스 인젝터의 내부를 세정하는데 어려움이 있고, 완벽하게 가스 인젝터의 내부를 세정할 수 없다.On the other hand, the conventional high-density plasma chemical vapor deposition apparatus can lower the deposition rate to improve the gap fill capability, but the pressure injected from the gas injector is weakened, the injection gas does not reach the center of the wafer. As a result, the deposition uniformity between the center and the edge of the wafer becomes poor, which leads to a process defect in a subsequent process. Therefore, the length of the gas injector can be compensated to improve the deposition uniformity at the central portion by a method of compensating the above problems, but it is difficult to clean the inside of the relatively long gas injector during the chamber cleaning, and the gas injector is perfectly You cannot clean the inside.

본 발명의 목적은 갭필 능력 향상과 증착 균일도를 높일 수 있는 가스 인젝터를 갖는 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a high density plasma chemical vapor deposition apparatus having a gas injector capable of improving gap fill capability and increasing deposition uniformity.

도 1은 종래의 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a view schematically showing a conventional high density plasma chemical vapor deposition apparatus.

도 2는 종래의 분사 수단인 가스 인젝터를 보여주는 도면이다.2 is a view showing a gas injector which is a conventional injection means.

도 3은 본 발명의 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.Figure 3 is a schematic view showing a high density plasma chemical vapor deposition apparatus of the present invention.

도 4는 본 발명의 분사 수단인 가스 인젝터를 보여주는 도면이다.4 is a view showing a gas injector which is the injection means of the present invention.

도 5는 도 3의 a-a라인을 따라 절단한 그리고 가스 인젝터가 배열된 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view for illustrating a modified example cut along the line a-a of FIG. 3 and in which a gas injector is arranged.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10,100 : 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치10,100: high density plasma chemical vapor deposition apparatus

20,110 : 로어(lower) 챔버20,110: lower chamber

30,120 : 어퍼(upper) 챔버30,120: upper chamber

40,130 : 정전척40,130: electrostatic chuck

50,140 : 웨이퍼50,140: Wafer

60: 가스 인젝터(gas injector)60: gas injector

150 : 분사 수단150 injection means

152 : 제 1가스 인젝터152: first gas injector

154 : 제 2가스 인젝터154: second gas injector

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치는 공정챔버와 상기 공정챔버 내에 위치되고, 웨이퍼가 놓여지는 정전척 및 상기 공정 챔버의 내 측벽에 설치되고, 상기 정전척 상에 놓여진 웨이퍼의 상부로 공정 가스를 분사하기 위한 분사 수단으로 구성된다. 또한, 상기 분사 수단은 배출되는 공정 가스의 압력을 높이기 위하여 분사부의 직경이 유입부의 직경보다 작게 이루어진 제 1가스 인젝터로 이루어진다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the high-density plasma chemical vapor deposition apparatus is located in the process chamber and the process chamber, the electrostatic chuck on which the wafer is placed and the inner sidewall of the process chamber, the electrostatic And injection means for injecting a process gas onto the wafer placed on the chuck. In addition, the injection means comprises a first gas injector whose diameter of the injection portion is smaller than the diameter of the inlet portion in order to increase the pressure of the process gas discharged.

이와 같은 본 발명에서, 상기 제 1가스 인젝터는 상기 정전척의 둘레를 따라 등간격으로 복수 개가 설치된다.In the present invention as described above, a plurality of the first gas injector is installed at equal intervals along the circumference of the electrostatic chuck.

이와 같은 본 발명에서, 상기 분사 수단은 공정 가스의 유입부와 분사부가 동일한 직경으로 이루어진 제 2가스 인젝터를 더 포함하며, 상기 분사 수단은 상기정전척의 둘레를 따라 등간격으로 복수 개가 설치되되, 상기 제 1가스 인젝터들과 상기 제 2가스 인젝터들이 번갈아 설치된다.In the present invention, the injection means further comprises a second gas injector made of the same diameter and the inlet and the injection portion of the process gas, the plurality of injection means are provided at equal intervals along the circumference of the electrostatic chuck, The first gas injectors and the second gas injectors are alternately installed.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 3 내지 도 5에 의거하여 상세히 설명한다. 또한, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 5. In addition, the same reference numerals are denoted with respect to the components that perform the same function in the drawings.

도 3은 본 발명의 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.Figure 3 is a schematic view showing a high density plasma chemical vapor deposition apparatus of the present invention.

도 3을 참조하면, 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치(100)는 공정 챔버, 정전척(130) 및 분사 수단(150)으로 구성된다.Referring to FIG. 3, the high density plasma chemical vapor deposition apparatus 100 includes a process chamber, an electrostatic chuck 130, and an injection means 150.

상기 공정 챔버 내에는 공정을 위한 웨이퍼가 놓여지는 상기 정전척(130)이 위치한다. 상기 공정 챔버는 어퍼(upper) 챔버(120)와 로어(lower) 챔버(110)로 이루어진다. 상기 어퍼 챔버(120)는 돔(dome) 형식으로 되어 있으며, LF(low frequence) 파워(power)가 인가되고, 상기 정전척(130)에는 바이어스 파워(bias power)로써 사용되는 HF(high frequence) 파워(power)가 인가된다. 상기 분사 수단(150)은 상기 공정 챔버 내 측벽에 설치된다. 그리고 상기 분사 수단(150)은 도 4a에 도시된 바와 같이 공정 가스가 분사되는 부분의 직경이 공정 가스가 유입되는 부분의 직경보다 작게 이루어진 제 1가스 인젝터(152)이며, 도 5a에 도시된 바와 같이 상기 정전척(130)의 둘레를 따라 등간격으로 설치된다.The electrostatic chuck 130 in which the wafer for processing is placed is located in the process chamber. The process chamber consists of an upper chamber 120 and a lower chamber 110. The upper chamber 120 has a dome type, a low frequence (LF) power is applied, and the electrostatic chuck 130 has a high frequence (HF) used as a bias power. Power is applied. The injection means 150 is installed on the side wall of the process chamber. The injection means 150 is a first gas injector 152 having a diameter of a portion into which the process gas is injected is smaller than a diameter of a portion into which the process gas is introduced, as shown in FIG. 4A. Likewise installed along the circumference of the electrostatic chuck 130 at equal intervals.

또한, 상기 분사 수단(150)은 도 4b에 도시된 바와 같이 공정 가스가 분사되는 부분의 직경과 공정 가스가 유입되는 부분의 직경이 동일한 일자형으로 이루어진 제 2가스 인젝터(154)를 더 구비한다. 그리고, 상기 분사 수단(150)은 상기 정전척(130)의 둘레를 따라 등간격으로 설치되되, 도 5b에 도시된 바와 같이 상기 제 1가스 인젝터(152)와 상기 제 2가스 인젝터(154)들의 혼합된 형태로 이루어진다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 제 1가스 인젝터(152)와 상기 제 2가스 인젝터(154)가 번갈아 설치되는 것이 바람직하다.In addition, the injection means 150 further includes a second gas injector 154 having a straight shape having a diameter equal to a diameter of a portion into which the process gas is injected and a portion into which the process gas is introduced, as shown in FIG. 4B. And, the injection means 150 is installed at equal intervals along the circumference of the electrostatic chuck 130, as shown in Figure 5b of the first gas injector 152 and the second gas injector 154 It is in mixed form. According to a preferred embodiment of the present invention, it is preferable that the first gas injector 152 and the second gas injector 154 are alternately installed.

상기 분사 수단(150)은 상기 정전척(130) 상에 놓여지는 웨이퍼(140)의 상부로 공정을 위한 가스를 분사한다. 상기 어퍼 챔버(120)에 가해진 LF(low frequence) 파워(power)는 상기 분사 수단(150)인 가스 인젝터에 의해 분사된 가스들의 플라즈마를 발생하는데 사용된다. 상기 플라즈마는 상기 정전척(130)에 가해진 HF(high frequence) 파워(power)에 의해 웨이퍼(140) 상으로 증착이 된다.The injection means 150 injects gas for processing onto the wafer 140 placed on the electrostatic chuck 130. The low frequence (LF) power applied to the upper chamber 120 is used to generate a plasma of the gases injected by the gas injector, which is the injection means 150. The plasma is deposited onto the wafer 140 by the high frequence (HF) power applied to the electrostatic chuck 130.

상기한 본 발명의 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치의 분사 수단인 제 1가스 인젝터에 의하여 분사되는 공정 가스의 압력을 높일 수 있다. 따라서, 갭필(gap fill) 능력을 향상시키기 위하여 증착 속도를 낮추었을 경우 공정 가스의 분사 압력이 낮아지는 문제점을 해결할 수 있다. 따라서, 가스 인젝터의 길이를 늘이지 않고도 웨이퍼의 중앙부까지 공정 가스가 미칠 수 있도록 할 수 있다. 또한, 상기 제 1가스 인젝터와 상기 제 2가스 인젝터를 적절하게 혼합하여 설치함으로써, 보다 더 효율적으로 증착 균일도를 향상시킬 수 있다.The pressure of the process gas injected by the first gas injector which is the injection means of the high density plasma chemical vapor deposition apparatus of the present invention can be increased. Accordingly, when the deposition rate is lowered to improve the gap fill capability, the injection pressure of the process gas may be lowered. Therefore, it is possible to extend the process gas to the center of the wafer without increasing the length of the gas injector. In addition, by appropriately mixing the first gas injector and the second gas injector, the deposition uniformity can be improved more efficiently.

본 발명의 범위 및 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 상기 본 발명의 장치에 대한 변형 및 변화가 가능하다는 것은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다.It will be apparent to those skilled in the art that modifications and variations of the apparatus of the present invention are possible without departing from the scope and spirit of the invention.

이와 같은 본 발명에 의하면, 종래의 가스 인젝터와 동일한 길이를 갖고, 공정 가스가 분사되는 부분의 직경이 공정 가스가 유입되는 부분보다 적게 된 가스 인젝터를 구비함으로써, 분사되는 공정 가스의 압력을 높여 웨이퍼의 중앙부까지 공정 가스의 영향이 미치도록 할 수 있다. 이로 인해, 증착 속도 조절에 의한 갭필 능력과 증착 균일도를 향상할 수 있다.According to the present invention as described above, a gas injector having the same length as a conventional gas injector and having a diameter smaller than a portion into which the process gas is injected increases the pressure of the injected process gas, thereby increasing the pressure of the wafer. The influence of the process gas can be reached up to the center of the. For this reason, the gap fill capability and deposition uniformity by adjusting a deposition rate can be improved.

Claims (5)

공정 챔버;Process chambers; 상기 공정 챔버 내에 위치되고, 웨이퍼가 놓여지는 정전척; 및An electrostatic chuck positioned in the process chamber and in which a wafer is placed; And 상기 공정 챔버의 내 측벽에 설치되고, 상기 정전척 상에 놓여진 웨이퍼의 상부로 공정 가스를 분사하기 위한 분사 수단을 구비하되;An injection means installed on an inner sidewall of the process chamber and for injecting a process gas into an upper portion of a wafer placed on the electrostatic chuck; 상기 분사 수단은 배출되는 공정 가스의 압력을 높이기 위하여 분사부의 직경이 유입부의 직경보다 작게 이루어진 제 1가스 인젝터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장치.The injection means is a chemical vapor deposition apparatus comprising a first gas injector made of a diameter smaller than the diameter of the inlet portion in order to increase the pressure of the process gas discharged. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1가스 인젝터는 상기 정전척의 둘레를 따라 등간격으로 복수 개가 설치되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장치.Chemical vapor deposition apparatus, characterized in that a plurality of the first gas injector is installed at equal intervals along the circumference of the electrostatic chuck. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사 수단은 공정 가스의 유입부와 분사부가 동일한 직경으로 이루어진 제 2가스 인젝터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장치.The injection means is a chemical vapor deposition apparatus further comprises a second gas injector of the inlet and the injection portion of the process gas having the same diameter. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 분사 수단은 상기 정전척의 둘레를 따라 등간격으로 복수 개가 설치되되, 상기 제 1가스 인젝터들과 상기 제 2가스 인젝터들이 혼합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장치.The injection means is a plurality of chemical vapor deposition apparatus is installed along the circumference of the electrostatic chuck at equal intervals, the first gas injectors and the second gas injectors are mixed. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 1가스 인젝터들과 상기 제 2가스 인젝터들의 혼합은 상기 제 1가스 인젝터와 상기 제 2가스 인젝터가 번갈아 설치되어 지는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장치.Mixing of the first gas injector and the second gas injector is characterized in that the first gas injector and the second gas injector are alternately installed.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100589046B1 (en) * 2004-09-23 2006-06-12 삼성전자주식회사 Method for forming a thin film
KR100859785B1 (en) * 2007-07-13 2008-09-24 세메스 주식회사 Apparatus for manufacturing a substrates using plasma
KR100930096B1 (en) * 2006-10-24 2009-12-07 삼성전자주식회사 Thin film deposition apparatus and thin film deposition method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100589046B1 (en) * 2004-09-23 2006-06-12 삼성전자주식회사 Method for forming a thin film
KR100930096B1 (en) * 2006-10-24 2009-12-07 삼성전자주식회사 Thin film deposition apparatus and thin film deposition method
KR100859785B1 (en) * 2007-07-13 2008-09-24 세메스 주식회사 Apparatus for manufacturing a substrates using plasma

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