KR200226298Y1 - Heat sink structure of non-insulated chip package which be hotted - Google Patents
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Abstract
본 고안은 발열되는 비절연 소자의 2중 방열구조에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 많은 전력을 사용하는 비절연 소자의 방열구조를 2중으로 하여 방열성을 향상한 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a double heat dissipation structure of a non-insulating element that generates heat, and more particularly, to a heat dissipation structure of a non-insulation element that uses a lot of power to improve heat dissipation.
이에 본 고안의 발열되는 비절연 소자의 2중 방열구조는 발열되는 비절연 소자의 하면에 밀착고정되는 주 방열체의 방열효율을 높이기 위해 주 방열체의 하면에 보조 방열체를 순차적으로 밀착고정하는 것을 특징으로 한다.Accordingly, the double heat dissipation structure of the non-insulating element, which generates heat, according to the present invention, in order to increase the heat dissipation efficiency of the main radiator that is tightly fixed to the lower surface of the non-insulating element that generates heat, It is characterized by.
이에 따라 동작중 발열되는 전력용 반도체의 방열성을 향상하여 비절연 소자의 파괴를 방지할 수 있으며, 안정된 동작을 확보할 수 있는 효과가 있다.Accordingly, it is possible to prevent the destruction of the non-insulating element by improving the heat dissipation of the power semiconductor that generates heat during operation, it is possible to ensure a stable operation.
Description
본 고안은 발열되는 비절연 소자의 2중 방열구조에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 많은 전력을 사용하는 비절연 소자의 방열구조를 2중으로 하여 방열성을 향상한 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a double heat dissipation structure of a non-insulating element that generates heat, and more particularly, to a heat dissipation structure of a non-insulation element that uses a lot of power to improve heat dissipation.
이에 본 고안의 발열되는 비절연 소자의 2중 방열구조는 발열되는 비절연 소자의 하면에 밀착고정되는 주 방열체의 방열효율을 높이기 위해 주 방열체의 하면에 보조 방열체를 순차적으로 밀착고정하는 것을 특징으로 한다.Accordingly, the double heat dissipation structure of the non-insulating element, which generates heat, according to the present invention, in order to increase the heat dissipation efficiency of the main heat dissipating element which is tightly fixed to the lower surface of the non-insulating element, which is heated, It is characterized by.
당업자에게 잘 알려진 바와 같이, 전력 트랜지스터 또는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등과 같이 많은 전력을 사용하는 비절연 소자는 동작시 소자 내부에서 많은 열이 발생하게 되므로 방열이 이루어지지 않은 경우, 비절연 소자의 오동작 및 중대한 결함 가능성이 있으며 비절연 소자의 내구성 저하에 따른 제품의 수명저하가 발생되는 문제점이 상존하였다.As is well known to those skilled in the art, a non-isolated device that uses a lot of power, such as a power transistor or an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), generates a lot of heat inside the device during operation. There is a possibility of malfunction and serious defects and there is a problem that the life of the product is reduced due to the durability of the non-insulated device.
상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 도출된 종래기술로는, 첨부된 도면 도 1 에 도시된 바와 같다. 도시된 바와 같이, 종래에는 인쇄회로기판(PCB:100)에 접합된 전력용 반도체(110)의 하면에 통전을 방지하는 절연판(120)을 밀착고정하고, 상기 절연판의 하면에 방열체(130)를 밀착고정하는 구조가 안출되었다.As a related art derived to solve the problems as described above, it is as shown in Figure 1 attached. As shown in the related art, in the related art, the insulating plate 120 which prevents the electricity supply is closely attached to the lower surface of the power semiconductor 110 bonded to the printed circuit board (PCB) 100, and the heat radiator 130 is disposed on the lower surface of the insulating plate. A structure to secure the close contact was devised.
이와 같은 방열구조에 의하면, 전력용 반도체(110)에서 발생한 열이 열 전도성이 나쁜 절연판(120)에 전달된다.According to the heat dissipation structure, heat generated in the power semiconductor 110 is transferred to the insulating plate 120 having poor thermal conductivity.
이처럼 절연판의 열 전도성에 한계가 있으므로 보다 넓은 표면적을 가지고, 높은 열 전도성을 가지는 방열체(130)를 추가로 밀착하여 방열을 하게 된다.Since there is a limit in the thermal conductivity of the insulating plate as described above to have a wider surface area, the heat radiator 130 having a high thermal conductivity is in close contact with the heat radiation.
그러나 상기와 같은 방열구조는 열전도성이 방열체(130)보다 상대적으로 낮은 절연판(120)을 거쳐서 방열체(130)로 전달되므로 방열이 효과적으로 빠른 시간에 이루어지지 못하는 문제점이 상존하고 있었다.However, the heat dissipation structure as described above has a problem that the heat dissipation is not effectively achieved at a fast time because the heat conductivity is transferred to the heat dissipator 130 through the insulation plate 120 having a relatively lower thermal conductivity than the heat dissipator 130.
본 고안은 상기한 바와 같이 동작되는 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 본 고안의 주 목적은 방열 속도를 향상시켜 전력용 반도체의 안정적인 동작과 소자를 보호하는 방열 구조를 제공하려는데 있다.The present invention was devised to solve the problems of the prior art operating as described above, the main object of the present invention is to provide a heat dissipation structure to improve the stable heat dissipation speed and to protect the device and the operation of the power semiconductor.
도 1 은 종래 기술에 의한 방열 구조도이고,1 is a heat radiation structure diagram according to the prior art,
도 2 는 본 고안에 의한 방열 구조도이다.2 is a heat radiation structure diagram according to the present invention.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100:인쇄회로기판(PCB) 110:전력용 반도체100: printed circuit board (PCB) 110: power semiconductor
120:절연판 130:방열체120: insulation plate 130: heat radiator
200:주 방열체 210:절연판200: main heat sink 210: insulating plate
220:보조 방열체220: auxiliary heat sink
상기한 목적을 달성하기 위해 본 고안을 첨부 도면에 의거하여 좀 더 상세히 설명하면 더욱 명백해질 것이다.DETAILED DESCRIPTION In order to achieve the above object, the present invention will be more clearly described with reference to the accompanying drawings.
하기에서 본 고안을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 고안의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 고안에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, terms to be described below are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to intention or custom of a user or an operator. Therefore, the definition should be made based on the contents throughout the specification.
본 고안의 발열되는 비절연 소자의 2중 방열구조는 첨부된 도면 도 2 의 방열구조도에 도시된 바와 같이, 인쇄회로기판(100)에 접합되어 사용되는 발열량이 높은 전력용 반도체(110)의 방열구조에 있어, 발열되는 비절연 소자(110)의 하면에 밀착 고정되는 주 방열체(200)와 보조 방열체(200)의 하면에 밀착 고정되는 절연판(210)과 절연판(210)의 하면에 밀착 고정되는 보조 방열체(220)가 순차적으로 밀착 고정되는 것을 특징으로 한다.The double heat dissipation structure of the non-insulated element, which is generated in accordance with the present invention, is shown in the heat dissipation structure of FIG. 2. The heat dissipation of the power semiconductor 110 having a high heat generation amount used to be bonded to the printed circuit board 100 is used. In the structure, the lower surface of the insulating plate 210 and the insulating plate 210 that is tightly fixed to the lower surface of the main radiator 200 and the auxiliary radiator 200 that is tightly fixed to the lower surface of the non-insulating element 110 that generates heat. It is characterized in that the auxiliary radiator 220 is fixed in close contact with each other in sequence.
또한 이때의 주 방열체(200)의 측면에는 표면적을 넓히기 위해 구멍을 형성할 수도 있다.In addition, a hole may be formed in the side surface of the main heat sink 200 at this time to increase the surface area.
상기와 같이 구성된 본 고안의 실시예를 첨부된 도면을 참고로 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, an embodiment of the present invention configured as described above is as follows.
전력형 반도체(110)는 인쇄회로기판(100)에 납땜의 방법을 사용하여 접합된다. 이와 같이 접합된 전력용 반도체(110)의 하면에 주 방열체(200)를 밀착고정한다. 이때의 주 방열체는 전력용 반도체의 하면에 절연판(210)을 거치지 않고 직접 밀착고정되는 것이 바람직하다.The power semiconductor 110 is bonded to the printed circuit board 100 using the soldering method. The main radiator 200 is fixed to the lower surface of the power semiconductor 110 bonded in this manner. At this time, it is preferable that the main radiator is directly fixed to the lower surface of the power semiconductor without passing through the insulating plate 210.
이처럼 주 방열체가 직접 전력용 반도체의 하면에 밀착고정되므로 열전도율이 좋은 주 방열체를 통하여 빠르게 전력용 반도체에서 발생한 열이 주 방열체를 통하여 방출되게 된다.As such, since the main heat sink is directly fixed to the lower surface of the power semiconductor, heat generated in the power semiconductor is quickly released through the main heat sink through the main heat sink having good thermal conductivity.
또한 이때의 주 방열체(200)의 측면에는 구멍이 형성되어 표면적을 크게할 수도 있다.In addition, a hole may be formed in the side surface of the main heat sink 200 at this time to increase the surface area.
이와 같이 접합된 주 방열체(200)의 하면에 절연판(210)이 밀착고정되고, 상기 절연판(210)의 하면에 보조 방열체(220)가 밀착고정된다. 이때의 보조 방열체(220)에는 표면에 주름을 형성하여 표면적을 확장시키는 것이 바람직하다.The insulating plate 210 is tightly fixed to the lower surface of the main radiator 200 bonded in this manner, and the auxiliary radiator 220 is tightly fixed to the lower surface of the insulating plate 210. At this time, it is preferable to form a wrinkle on the surface of the auxiliary radiator 220 to expand the surface area.
다만 열전달 속도는 접촉 면적에 비례하므로 주 방열체(200), 절연판(210), 그리고 보조 방열체(220)의 상호 접촉부위는 평면으로 형성되는 것이 바람직하다.However, since the heat transfer speed is proportional to the contact area, the mutually contacting portions of the main radiator 200, the insulation plate 210, and the auxiliary radiator 220 may be formed in a plane.
이와 같은 방열 구조에 의하면 전력용 반도체에서 발생한 열이 주 방열체로 빠르게 전달되어 열방출이 이루어지게 되며, 절연판을 통해 연결된 보조 방열체를 통하여 주 방열체의 열이 전달되게 되어 대용량의 열에너지를 빠르게 방출하게 된다.According to the heat dissipation structure, heat generated from the power semiconductor is quickly transferred to the main heat dissipation to generate heat, and heat of the main heat dissipation is transferred through the auxiliary heat dissipation connected through the insulating plate, thereby rapidly discharging a large amount of thermal energy. Done.
본 고안은 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있으며 상기 고안의 상세한 설명에서는 그에 따른 특별한 실시예에 대해서만 기술하였다. 하지만 본 고안은 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 고안의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The present invention may be variously modified and may take various forms and the detailed description of the present invention has been described only with respect to specific embodiments thereof. It is to be understood, however, that the present invention is not limited to the specific forms referred to in the description, but rather includes all modifications, equivalents, and substitutions within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Should be.
이와 같은 본 고안에 의하면 전력용 반도체에서 발생한 열이 빠르게 방열체로 전달되어 동작의 안정과 제품 수명을 연장할 수 있는 매우 유익한 고안임이 명백하다.According to the present invention as described above, it is obvious that the heat generated from the power semiconductor is quickly transferred to the heat sink, which is a very advantageous design that can prolong the stability of the operation and the product life.
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| KR2020000036226U KR200226298Y1 (en) | 2000-12-23 | 2000-12-23 | Heat sink structure of non-insulated chip package which be hotted |
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| KR2020000036226U KR200226298Y1 (en) | 2000-12-23 | 2000-12-23 | Heat sink structure of non-insulated chip package which be hotted |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020051468A (en) * | 2000-12-22 | 2002-06-29 | 밍 루 | Structure for a radiant heat of power device module |
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2000
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