KR200224863Y1 - 반도체 제조장비의 식각장치 - Google Patents

반도체 제조장비의 식각장치 Download PDF

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KR200224863Y1 KR2019960003773U KR19960003773U KR200224863Y1 KR 200224863 Y1 KR200224863 Y1 KR 200224863Y1 KR 2019960003773 U KR2019960003773 U KR 2019960003773U KR 19960003773 U KR19960003773 U KR 19960003773U KR 200224863 Y1 KR200224863 Y1 KR 200224863Y1
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Abstract

본 고안은 반응챔버 내에 형성되어, 웨이퍼가 안착되는 하부전극과, 하부전극과 일정간격으로 형성되어, 웨이퍼를 고정시키는 클램프가 설치된 상부전극과, 상부전극이 상하구동 가능하도록 구동력을 주는 모터와, 상부전극을 고정시키는 고정부와, 모터와 고정부의 동작을 제어하는 콘트롤러와, 일측에 가스공급탱크가 연결된 가스공급관과, 가스공급관에 설치되어, 가스의 압력을 조절하는 압력조절부와, 가스공급관에 설치되어, 가스공급관내의 가스의 공급과 차단을 조절하는 제 1에어밸브와, 일단은 제 1에어밸브에 연결되고, 또 다른 단은 에어탱크에 연결되는 제 1에어관과, 제 1에어관에 설치되어, 제 1에어밸브를 제어하는 제 1솔레노이드밸브와, 가스공급관에 설치되어, 가스공급관 내의 압력이 측정되는 게이지와, 일측에 펌프가 연결된 배기관과, 배기관에 설치되어, 배기관 내의 배기가스의 공급과 차단을 조절하는 제 2 에어밸브와, 일단은 제 2에어밸브에 연결되고, 또 다른 단은 에어탱크에 연결되는 제 2에어관과, 제 2에어관에 설치되어, 제 2에어밸브를 제어하는 제 2솔레노이드밸브와, 가스공급관과 에어관에 연결되어, 하부전극 하부에 형성된 진공관을 포함하여 이루어지는 반도체 제조장비의 식각장치에 있어서, 게이지의 출력값을 전기적인 신호로서 증폭하는 증폭부와, 증폭부의 출력신호가 인가되어, 고정부의 전원공급을 제어하는 제 1릴레이와, 하부전극의 위치를 감지하여 위치감지신호를 출력하는 위치감지센서와, 위치감지센서에서 출력되는 위치감지신호에 따라 제 1솔레노이드밸브의 동작을 제어하는 제 2릴레이로 이루어지는 반도체 제조장비의 식각장치에 관한 것이다.

Description

반도체 제조장비의 식각장치
제 1 도는 종래의 반도체 제조장비의 식각장치를 설명하기 위해 도시된 도면이고,
제 2 도는 본 고안의 반도체 제조장비의 식각장치를 설명하기 위해 도시된 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10,30. 반응챔버 11.31. 하부전극
12,32. 웨이퍼 12-1, 32-1 클램프
13,33. 모터 14,34, 고정부
15,35 가스공급관 16,36 제 1에어밸브
17, 37 제 1에어관 18,38 제 1솔레노이드밸브
19, 39 배기관 20,40 제 2에어밸브
21,41. 제 2에어관 22,42 제 2솔레노이드밸브
23,43 진공관 44, 제 1릴레이
45. 센서 46. 제 2릴레이
A,A' 웨이퍼
본 고안은 반도체 제조장비의 식각장치에 관한 것으로서, 특히 플라즈마(plazma)가 발생되어 웨이퍼를 식각하는 공정에서, 웨이퍼 뒷면에 공급되는 냉각가스가 높은 압력으로 공급될 시에 자동으로 상부전극을 고정하여 웨이퍼의 손상됨을 방지하기에 적당하도록 한 반도체 제조장비의 식각장치에 관한 것이다.
반도체 제조장비의 식각장치는 반응챔버(chamber)내에 형성되어,웨이퍼가 안착되는 하부전극과, 상기 하부전극과 일정간격으로 형성된 상부전극과의 사이에 전계를 형성함으로써 반응챔버 내로 공급되는 식각가스를 플라즈마 상태로 만들어 웨이퍼를 식각하는 장치이다.
제 1 도는 종래의 반도체 제조장비의 식각장치를 설명하기 위해 도시된 계통도로, 이하 첨부된 도면을 참고로 하여 종래의 반도체 제조장비의 식각장치를 설명하면 다음과 같다.
종래의 반도체 제조장비의 식각장치는 제 1도와 같이.
반응챔버(10) 내에 형성되어, 웨이퍼(A)가 안착되는 하부전극(11)과, 하부전극(11)과 일정간격으로 형성되어, 웨이퍼(A)를 고정시키는 클램프(clamp)(12-1)가 설치된 상부전극(12)과, 상부전극(12)이 상하구동 가능하도록 구동력을 주는 모터(13)와, 상부전극(12)을 고정시키는 고정부(14)와, 모터(13)와 고정부(14)의 동작을 제어하는 콘트롤러(controller)와, 일측에 가스공급탱크가 연결된 가스공급관(15)과, 가스공급관(15)에 설치되어, 가스의 압력을 조절하는 압력조절부와, 가스공급관(15)에 설치되어, 가스의 공급과 차단을 조절하는 제 1 에어밸브(air valve)(16)와, 일단은 제 1에어밸브(16)에 연결되고, 또 다른 단은 에어탱크에 연결되는 제 1에어관(17)과, 제 1에어관(17)에 설치되어, 제 1에어밸브(16)를 제어하는 제 1솔레노이드밸브(solenoid valve)(18)와 가스공급관(15)에 설치되어, 가스공급관(15)내의 압력값이 전기적인 신호로써 출력되는 게이지(gauge)와, 일측에 펌프(pump)가 연결된 배기관(19)과, 배기관(19)에 설치되어, 배기가스의 공급과 차단을 조절하는 제 2에어밸브(20)와, 일단은 제 2에어밸브(20)에 연결되고, 또 다른 단은 에어탱크에 연결되는 제 2에어관(21)과, 제 2에어관(21)에 설치되어, 제 2에어밸브(20)를 제어하는 제 2솔레노이드밸브(22)와, 가스공급관(15)과 배기관(19)에 연결되어, 하부전극(11) 하부에 형성된 진공관(23)으로 이루어진다.
이하, 종래의 반도체 제조장비의 식각장치 중 상부전극(12)과 이를 고정하는 고정부의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
우선, 웨이퍼(A)가 반응챔버(10)내로 이송되어 하부전극(11)에 안착되고, 콘트롤러의 동작으로 고정부(14)에 전원을 공급하여 고정부(14)를 해제하고 모터(13)에 전원을 공급하면 상부전극(12)은 서서히 웨이퍼방향으로 다운(down)된다.
이때, 콘트롤러에 의해 전원이 차단된 고정부(14)는 상부전극(12)이 움직이지 않도록 고정하며, 고정부에 전원이 공급되면 상부전극은 고정부에서 해제되며, 또한 상부전극(12)과 클램프(12-1) 사이에 스프링(spring)을 설치함으로써, 스프링의 탄성력을 이용하여 웨이퍼(A)의 손상을 막아준다.
그리고 상부전극(12)이 하부전극(11) 방향으로 일정간격으로 다운되면, 상부전극(12)에 설치된 클램프(12-1)로 웨이퍼(A)를 클램프하고, 제 1에어밸브(16)와 압력조절부의 동작으로 웨이퍼(A) 뒷면에 냉각가스가 공급되면서, 상부전극(12)과 하부전극(11)에 고주파를 걸어주어 반응챔버(10)의 측면에서 공급되는 식각가스를 플라즈마 상태로 만들어 웨이퍼(A)를 식각한다.
이때, 웨이퍼 식각공정시 웨이퍼 뒷면에 행하여지는 냉각용가스 공급은 우선, 제 1솔레노이드밸브(18)의 온(on)동작으로 에어가 에어탱크에서 제 1에어관(17) 내로 공급되고, 이러한 에어의 공급으로 인하여 제 1에어밸브(16)가 오픈(open)되어 가스공급관(15)내로 가스가 공급되며, 가스공급관(15)내로 흐르는 가스의 양은 제 1에어밸브(16)의 개폐정도에 따라 조절가능하다.
그리고 가스공급관(15)내로 공급되는 냉각가스는 게이지에서 그 압력값이 출력되고, 이러한 압력값은 가스공급관(15)에 설치된 압력조절부를 조절하여 일정압력으로 웨이퍼(A) 뒷면에 가스가 공급되도록 한다.
이러한 공정이 완료되면 제 1에어밸브(16)가 오프되어 가스공급관(15) 내로의 냉각가스의 공급이 차단되고, 제 2에어관(21)에 설치된 제 2솔레노이드밸브(22)의 제어로써 에어공급 탱크내의 에어가 제 2에어관(21)내로 공급됨에 따라 제 2에어밸브(20)가 오픈되어 펌프의 펌핑 동작으로 냉각가스가 배기관(19)으로 배기되며, 콘트롤러는 다시 고정부(14)와 모터(13)에 전원을 공급하여 상부전극(12)이 업(up)동작하도록 하고, 상부전극(12)의 업동작이 완료되면 다시 고정부(14)에 공급되는 전원을 차단하여 상부전극(12)이 고정되며 웨이퍼(A)는 반응챔버(10)밖으로 이송된다.
그리고 식각공정시에 상부전극과 하부전극 사이의 간격이 일정하게 유지되도록 하는 종래의 반도체 제조장치의 식각장치에서 상부전극은 모터와, 모터의 동작을 조절하는 콘트롤러와, 상부전극을 고정시키는 고정부를 통하여 조절가능며, 상부전극이 충분히 다운동작되어 클램핑되었을 때에만 웨이퍼 뒷면에 냉각가스가 공급되어야 하며, 웨이퍼 뒷면의 압력이 높은 상태에서는 상부전극이 동작해서는 안된다.
그러나 종래의 반도체 제조장비의 식각장치에서 식각공정은 수작업으로 실시되기때문에 작업자의 오동작이 우려된다.
즉, 웨이퍼가 안착된 상부전극과 일정간격으로 하부전극이 하강되지 않거나 또는 하강하는 도중에, 웨이퍼 뒷면에 냉각가스가 높은 압력으로 공급이 되어 웨이퍼가 손상되거나, 또는 작업자의 오동작으로 인하여 콘트롤러에 다른 명령이 전달되어 높은 압력으로 냉각가스가 공급시에 상부전극을 고정시키는 고정부가 오프(off)되는 등의 문제점이 발생된다.
따라서, 본 고안은 식각공정시 작업자의 오동작으로 인하여 발생되는 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 수작업으로 인한 오동작을 방지하고 또한, 웨이퍼 뒷면에 공급되는 냉각가스의 압력이 일정이상의 압력으로 높을 시에 자동으로 냉각가스의 공급이 차단되도록 하는 반도체 제조장비의 식각장치에 관한 것이다.
본 고안은 반응챔버 내에 형성되어, 웨이퍼가 안착되는 하부전극과, 하부전극과 일정간격으로 형성되어, 웨이퍼를 고정시키는 클램프가 설치된 상부전극과, 상부전극이 상하구동 가능하도록 구동력을 주는 모터와, 상부전극을 고정시키는 고정부와, 모터와 고정부의 동작을 제어하는 콘트롤러와, 일측에 가스공급탱크가 연결된 가스공급관과, 가스공급관에 설치되어, 가스의 압력을 조절한 압력조절부와, 가스공급관에 설치되어, 가스공급관내의 가스의 공급과 차단을 조절하는 제 1에어밸브와, 일단은 제 1에어밸브에 연결되고, 또다른 단은 에어탱크에 연결되는 제 1에어관과, 제 1에어관에 설치되어, 제 1에어밸브를 제어하는 제 1솔레노이드밸브와, 가스공급관에 설치되어, 가스공급관 내의 압력값이 전기적인 신호로써 출력되는 게이지와, 일측에 펌프가 연결된 배기관과, 배기관에 설치되어, 배기관 내의 배기가스의 공급과 차단을 조절하는 제 2 에어밸브와, 일단은 제 2에어밸브에 연결되고, 또 다른 단은 에어탱크에 연결 되는 제 2 에어관과, 제 2에어관에 설치되어, 제 2에어밸브를 제어하는 제 2솔레노이드밸브와, 가스공급관과 에어관에 연결되어, 하부전극 하부에 형성된 진공관을 포함하여 이루어지는 반도체 제조장비의 식각장치에 있어서, 게이지의 출력값을 전기적인 신호로서 증폭하는 증폭부와, 증폭부의 출력신호가 인가되어, 고정부의 전원 공급을 제어하는 제 1릴레이(relay)와, 하부전극의 위치를 감지하여 위치감지신호를 출력하는 위치감지센서(SENSOR)와, 위치감지센서에서 출력되는 위치감지신호에 따라 제 1솔레노이드밸브의 동작을 제어하는 제2릴레이를 부가함으로써, 냉각가스가 일정이상의 압력으로 공급될 시에 고정부가 상부전극을 고정하고, 또한 상부전극이 오동작으로 다운될시에 상부전극의 위치를 센서가 이를 감지하여 냉각가스의 공급이 차단하도록 한 반도체 제조장비의 식각장치에 관한 것이다.
제 2도는 본 고안의 반도체 제조장비의 식각장치를 설명하기 위해 도시된 도면으로 , 이하 첨부된 도면을 참고로 하여 본 고안의 반도체 제조장비의 식각장치를 설명하면 다음과 같다.
본 고안의 반도체 제조장비의 식각장치는 제 2 도와 같이, 반응챔버(30) 내에 형성되어, 웨이퍼(A')가 안착되는 하부전극(31)과, 하부전극(31)과 일정간격으로 형성되어, 웨이퍼(A')를 고정시키는 클램프(32-1)가 설치된 상부전극(32)과, 상부전극(32)이 상하구동 가능하도록 구동력을 주는 모터(33)와, 상부전극(32)을 고정시키는 고정부(34)와, 모터(33)와 고정부(34)의 동작을 제어하는 콘트롤러와, 일측에 가스공급탱크가 연결된 가스공급관(35)과, 가스공급관(35)에 설치되어, 가스의 압력을 조절하는 압력조절부와, 가스공급관(35)에 설치되어, 가스의 공급과 차단을 조절하는 제 1에어밸브(36)와, 일단은 제 1에어밸브(36)에 연결되고, 또 다른 단은 에어탱크에 연결되는 제 1에어관(37)과, 제 1에어관(37)에 설치되어, 제 1에어밸브(36)를 제어하는 제 1솔레노이드밸브(38)와, 가스공급관(35)에 설치되어, 가스공급관(35) 내의 압력값이 전기적인 신호로써 출력되는 게이지와, 일측에 펌프가 연결된 배기관(39)과, 배기관(39), 배기관(39)에 설치되어, 배기가스의 공급과 차단을 조절하는 제 2에어밸브(40)와, 일단은 제 2에어밸브(40)에 연결되고, 또 다른 단은 에어탱크에 연결되는 제 2에어관(41)과, 제 2에어관(41)이 설치되어, 제 2에어밸브(40)를 제어하는 제 2솔레노이드밸브(42)와, 가스공급관(35)과 배기관(39)에 연결되어, 하부전극(31) 하부에 형성된 진공관(43)과, 게이지의 출력값을 전기적인 신호로서 증폭하는 증폭부와, 증폭부의 출력신호가 인가되어, 고정부(34)의 전원 공급을 제어하는 제 1릴레이(44)와, 하부전극(31)의 위치를 감지하여 위치감지신호를 출력하는 위치감지센서(45)와, 위치감지센서(45)에서 출력되는 위치감지신호에 따라 제 1솔레노이드밸브(38)의 동작을 제어하는 제2릴레이(46)로 이루어진다.
본 고안의 반도체 제조장비의 식각장치에서는 상부전극(32)이 완전히 다운되지 않는 상태, 즉, 상부전극(32)이 다운동작이 진행되는 상태일 경우에 센서(45)가 상부전극(32)의 위치를 감지하여 전기적인 신호로써 제 2 릴레이(46)에 전달하고, 또한 제 2릴레이(46)는 제 1솔레노이드밸브(38)가 오프되도록 명령을 줌에 따라 제 1에어관(37)으로 공급되는 에어가 차단되어 제 1에어밸브(36)가 오프되며, 제 1에어밸브(36)가 오프됨에 따라, 가스공급관(35)으로 공급되는 냉각가스가 차단되며, 가스공급관(35) 내로 냉각가스가 공급되지 않아 에러(ERROR)가 발생한다.
또한, 냉각가스가 일정압력 이상으로 (1 토르 이상) 가스공급관(35)으로 공급될시, 가스공급관(35)에 설치되어 가스압력이 측정되는 게이지는 전기적인 신호를 출력하여 증폭부를 통해 증폭된 값이 제 1릴레이(44)에 전달되도록 하며, 제 1릴레이(44)는 콘트롤러에서 고정부(34)로 공급되는 전원을 차단하고, 고정부(34)는 상부전극(32)을 고정시킨다.
이때, 게이지에 측정되는 냉각가스 압력값이, 즉 , 웨이퍼 뒷면에 공급되는 냉각가스 압력값이 1토르(Torr)이상일 때에만 제 1릴레이(44)가 구동가능하도록 게이지의 출력값이 증폭되도록 증폭부를 셋팅(SETTING)한다.
따라서, 본 고안은 작업자가 수작업을 통하여 공정을 진행함으로써 발생되었던 종래의 문제점 즉, 웨이퍼가 안착된 상부전극와 일정간격으로 하부전극이 완전히 하강되지 않거나 또는 하강하는 도중에, 웨이퍼 뒷면에 냉각가스가 높은 압력으로 공급이 되거나, 또는 콘트롤러의 오동작으로 인하여 고정부에 신호를 주게 되어 공정진행 중에 상부전극을 고정시키는 고정부가 해체됨으로써 손상되는 등의 종래의 반도체 제조장비의 식각장치의 문제점을 해결하여, 이러한 종래의 반도체 제조장비의 식각장치에 위치 감지센서를 부가하여 상부전극의 위치를 감지하고, 위치감지센서에서 출력되는 위치감지신호에 따라 제 2릴레이가 제 1 솔레노이드밸브의 동작을 제어함으로써 웨이퍼 뒷면에 공급되는 냉각가스의 공급을 차단하고, 또한 게이지의 출력값을 증폭부에서 전기적인 신호로서 증폭하여 제 1릴레이에 전달하여 고정부의 전원 공급을 제어함으로써 고정부에서 상부전극을 자동으로 고정시켜 주는 반도체 제조장비의 식각장치이다.
본 고안의 반도체 제조장비의 식각장치는 상부전극과 하부전극간의 간극차이를 자동으로 조절가능함에 따라서 웨이퍼의 손상을 방지하고 균일한 식각을 얻을 수 있어 공정상의 생산성을 증대시키는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 반응챔버 내에 형성되어, 웨이퍼가 안착되는 하부전극과, 하부전극과 일정간격으로 형성되어, 웨이퍼를 고정시키는 클램프가 설치된 상부전극과, 상부전극이 상하구동 가능하도록 구동력을 주는 모터와, 상부전극을 고정시키는 고정부와, 모터와 고정부의 동작을 제어하는 콘트롤러와, 일측에 가스공급탱크가 연결된 가스공급관과, 가스공급관에 설치되어, 가스의 압력을 조절하는 압력조절부와, 가스공급관에 설치되어, 가스공급관내의 가스의 공급과 차단을 조절하는 제 1에어밸브와, 일단은 제 1에어밸브에 연결되고, 또 다른 단은 에어탱크에 연결되는 제 1에어관과, 제 1에어관에 설치되어, 제 1에어밸브를 제어하는 제 1솔레노이드밸브와, 가스공급관에 설치되어, 가스공급관 내의 압력값이 전기적인 신호로써 출력되는 게이지와, 일측에 펌프가 연결된 배기관과, 배기관에 설치되어, 배기관 내의 배기가스의 공급과 차단을 조절하는 제 2에어밸브와, 일단은 제 2에어밸브에 연결되고, 또 다른 단은 에어탱크에 연결되는 제 2에어관과, 제 2에어관에 설치되어, 제 2에어밸브를 제어하는 제 2솔레노이드밸브와, 가스공급관와 에어관에 연결되어, 하부전극 하부에 형성된 진공관을 포함하여 이루어지는 반도체 제조장비의 식각장치에 있어서, 상기 게이지의 출력값을 전기적인 신호로서 증폭하는 증폭부와, 상기 증폭부의 출력신호가 인가되어, 상기 고정부의 전원 공급을 제어하는 제 1릴레이와, 상기 하부전극의 위치를 감지하여 위치감지신호를 출력하는 위치감지셈서와, 상기 위치감지센서에서 출력되는 위치감지신호에 따라 상기 제 1솔레노이드밸브의 동작을 제어하는 제2릴레이를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 식각장치.
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