KR200223546Y1

KR200223546Y1 - Plasma processing device of a semiconductor panel

Info

Publication number: KR200223546Y1
Application number: KR2020000035233U
Authority: KR
Inventors: 신춘성; 임덕규
Original assignee: 신춘성; 임덕규
Priority date: 2000-12-15
Filing date: 2000-12-15
Publication date: 2001-05-15

Abstract

본 고안은 반도체의 플라즈마 세정장치에 관한 것이며, 상세하게는 플라즈마디스플레이 패널(Plasma Display Panel)과 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display) 등의 세정장치에 관한 것으로서, 환경오염을 유발시키지 않으면서 반도체를 세정할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a plasma cleaning apparatus for a semiconductor, and more particularly, to a cleaning apparatus such as a plasma display panel and a liquid crystal display, and cleans a semiconductor without causing environmental pollution. It is to be done.

본 고안은 반응가스인 산소와 공기가 입구(21)를 통해 선택적으로 공급되고 반도체의 판유리(1)가 안내홀(22)을 통해 공급되어 가공될 수 있게 일정 크기로 형성된 상압 플라즈마 발생 하우징(20)과, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20) 내부에 설치되고 원통상으로 꼬여지도록 형성된 제 1 전극(23)과, 상기 제 1 전극(23)을 중심부분에 위치시켜 수용함과 아울러 상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 내부에 설치되는 원통상의 절연체(24)와, 상기 절연체(24)를 수용함과 아울러 상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 내부에 설치되는 원통상의 제 2 전극(25)과, 상기 제 1, 2 전극(23,25)을 교류 전원(27)에 스위치(28) 등을 통해 전기적으로 연결시킴과 아울러 입력 전원을 고압으로 발생하는 고압 발생 트랜스(26)로 구성된 것이다.The present invention is an atmospheric pressure plasma generation housing 20 formed of a predetermined size so that the reaction gas oxygen and air is selectively supplied through the inlet 21 and the plate glass 1 of the semiconductor is supplied through the guide hole 22 to be processed. ), A first electrode 23 installed inside the atmospheric pressure plasma generating housing 20 and formed to be twisted in a cylindrical shape, and having the first electrode 23 positioned at a central portion to accommodate the atmospheric pressure plasma generating housing. A cylindrical insulator 24 provided in the interior of the 20, a cylindrical second electrode 25 for accommodating the insulator 24 and installed in the atmospheric pressure plasma generating housing 20, The first and second electrodes 23 and 25 are electrically connected to the alternating current power source 27 through a switch 28 or the like, and the high voltage generating transformer 26 generates the input power at high voltage.

Description

Semiconductor Plasma Cleaner {PLASMA PROCESSING DEVICE OF A SEMICONDUCTOR PANEL}

본 고안은 반도체의 플라즈마 세정장치에 관한 것이며, 상세하게는 플라즈마디스플레이 패널(Plasma Display Panel)과 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display) 등의 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma cleaning apparatus for a semiconductor, and more particularly, to a cleaning apparatus such as a plasma display panel and a liquid crystal display.

일반적으로 알려진 바와 같이 반도체의 플라즈마 디스플레이 패널과 액정 표시 장치 등은 가공처리인 세정처리를 할 때 습식으로 처리하는 방법과 진공중에서 가스를 방전하여 처리하는 방법 등이 있는 바, 상기 진공을 통한 처리장치는 설비비용이 고가이므로 그 사용 빈도가 적은 반면 상기 습식으로 처리하는 방법은 설비비용이 저가이므로 그 사용 빈도가 많다.As is generally known, a semiconductor plasma display panel, a liquid crystal display, and the like have a wet treatment method and a gas discharge treatment process in a vacuum during a cleaning process. Since the cost of equipment is high, its use frequency is low, while the wet treatment method has a high usage frequency because the cost of equipment is low.

종래의 습식 처리를 하는 세정장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 판유리(1)의 상면과 밀착되도록 설치된 디스크 브러시(Disk brush; 3)를 회전시켜 상기 판유리(1) 상의 오염을 제거하는 디스크 브러시조(2)와, 상기 디스크 브러시조(2)의 후방에 설치되고 상기 판유리(1)의 상면과 밀착되도록 설치된 롤 브러시(Roll brush; 5)를 회전시켜 상기 판유리(1) 상에 남아 있는 오염을 제거하는 롤 브러시조(4)와, 상기 롤 브러시조(4)를 지난 판유리(1)에 노즐(7)을 통해 초순수를 분사하여 상기 판유리(1)의 표면에 남아 있는 잔류 오염을 제거하는 제 1 샤워조(6)와, 상기 제 1 샤워조(6) 후방에 초음파를 이용하여 상기 제 1 샤워조(6)를 지난 판유리(1) 상에 남아 있는 미세 오염을 제거하는 초음파조(8)와, 상기 초음파조(8)를 지난 판유리(1)로 노즐(10)을 통해 초순수를 분사하여 상기 판유리(1) 상에 남아있는 부유물을 완전히 제거하는 동작을 수행하는 제 2 샤워조(9)와, 상기 제 2 샤워조(9)를 지난 판유리(1)로 에어나이프(12)를 통해 압축 공기를 분사하여 수분을 강제로 밀어내는 방식으로 상기 판유리(1)를 건조시키는 건조조(11)로 구성된 것이다.In the conventional wet cleaning apparatus, as shown in FIG. 1, a disk brush is installed to rotate the disk brush 3 to be in close contact with the upper surface of the plate glass 1 to remove contamination on the plate glass 1. Contamination remaining on the pane 1 by rotating the jaw 2 and a roll brush 5 installed behind the disc brush vessel 2 and in close contact with the upper surface of the pane 1. To remove the residual contamination remaining on the surface of the plate glass 1 by spraying ultra-pure water through the nozzle 7 to the roll brush tank (4) and the plate glass (1) passing through the roll brush tank (4) Ultrasonic bath 8 for removing fine contamination remaining on plate glass 1 passing through the first shower bath 6 using ultrasonic waves behind the first shower bath 6 and the first shower bath 6. ) And the ultra-pure water through the nozzle 10 to the plate glass 1 past the ultrasonic bath (8) Compressed air through the air knife 12 to the second shower tank 9 which performs the operation of completely removing the floating matter remaining on the plate glass 1, and the plate glass 1 which passed through the said 2nd shower tank 9 It is composed of a drying tank (11) for drying the plate glass (1) by spraying the forcibly pushed moisture.

상기 판유리(1)의 표면에 존재하는 오염의 제거 정도는 상기 디스크 브러시(3)와 롤 브러시(5)의 회전력, 상기 판유리(1)와 디스크 브러시(3)의 밀착력, 상기 판유리(1)와 롤 브러시(5)의 밀착력, 상기 판유리(1)의 이동속도 등에 의해서 결정되는 것이다.The degree of removal of contamination present on the surface of the plate glass 1 may include the rotational force of the disk brush 3 and the roll brush 5, the adhesion of the plate glass 1 and the disk brush 3, the plate glass 1 and It is determined by the adhesion of the roll brush 5 and the moving speed of the plate glass 1.

그리고, 상기 초음파조(8)는 초순수가 저장되고 상면이 개구된 용기(13)와, 상기 용기(13) 내에 설치된 초음파 발진기(14)를 구비하는 것이다. 상기와 같이 구성된 초음파조(8)에서는 상기 판유리(1)가 상기 용기(13)의 초순수 속에 잠겨있는 상태에서 상기 초음파 발진기(14)에 의해 음파의 응집 및 분산 작용이 일어나면, 이러한 음파의 응집 및 분산 작용에 의하여 상기 판유리(1) 상에 존재하는 미세 오염이 박리되어 세정되는 것이다.The ultrasonic bath 8 includes a container 13 in which ultrapure water is stored and an upper surface thereof is opened, and an ultrasonic oscillator 14 installed in the container 13. In the ultrasonic bath 8 configured as described above, when the plate glass 1 is immersed in the ultrapure water of the container 13, when the ultrasonic wave oscillator 14 aggregates and disperses the sound waves, By the dispersing action, fine contamination present on the plate glass 1 is peeled off and washed.

또한, 상기 판유리(1)는 롤러의 회전에 의해 동작되는 컨베이어(15)를 통해 로딩부(Loader)에서 언로딩부(Unloader)까지 정지하지 않고 이동되는 것이다.In addition, the plate glass 1 is moved without stopping from the loader to the unloader through the conveyor 15 operated by the rotation of the roller.

그러나 상기한 판유리는 표면 오염의 종류 및 정도가 다양한데 제 1 샤워조(6)와 제 2 샤워조(9)를 통해 초순수만을 분사하기 때문에 표면백화, 슬러지, 파편, 잔류 연마제 등의 다양한 표면 오염의 제거가 곤란할 뿐만 아니라 초순수의 오염으로 인한 환경오염을 유발시키는 문제점이 있었다.However, the above-mentioned glass panes vary in the kind and degree of surface contamination. Since only the ultrapure water is injected through the first shower tank 6 and the second shower bath 9, the surface glass has a variety of surface contamination such as whitening, sludge, debris, residual abrasives, and the like. Not only is difficult to remove, there was a problem causing environmental pollution due to contamination of ultrapure water.

본 고안은 상기한 문제점을 시정하여, 환경오염을 유발시키지 않으면서 반도체를 세정할 수 있도록 한 반도체의 플라즈마 세정장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The object of the present invention is to provide a plasma cleaning apparatus for a semiconductor that can correct the above problems and clean the semiconductor without causing environmental pollution.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 고안은 반응가스가 공급되고 반도체의 판유리가 공급될 수 있게 형성된 상압 플라즈마 발생 하우징과, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징 내부에 설치되는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극을 수용함과 아울러 상압 플라즈마 발생 하우징의 내부에 설치되는 절연체와, 상기 절연체를 수용함과 아울러 상압 플라즈마 발생 하우징의 내부에 설치되는 제 2 전극과, 상기 제 1, 2전극을 전기적으로 연결시킴과 아울러 고압을 발생하는 고압 발생 트랜스로 구성된 것이다.In order to achieve the above object, the present invention provides an atmospheric pressure plasma generating housing formed so that a reaction gas is supplied and a plate glass of a semiconductor, a first electrode installed inside the atmospheric pressure plasma generating housing, and the first electrode. And an electrical insulator provided inside the atmospheric pressure plasma generating housing and a second electrode provided in the atmospheric pressure plasma generating housing and accommodating the insulator, and electrically connecting the first and second electrodes. It consists of a high pressure generating transformer that generates high pressure.

도 1은 종래의 것의 세정 공정도,1 is a washing process diagram of a conventional one,

도 2는 본 고안의 실시예의 배치도,2 is a layout view of an embodiment of the present invention,

도 3은 본 고안의 실시예의 요부를 개략도이다.3 is a schematic diagram of main parts of an embodiment of the present invention.

＜도면의 주요부분에 사용된 부호의 설명＞<Description of the code used in the main part of the drawing>

1: 판유리 20: 상압 플라즈마 발생 하우징1: Plate glass 20: Atmospheric pressure plasma generating housing

22: 안내홀 23: 제 1 전극22: guide hole 23: first electrode

24: 절연체 25: 제 2 전극24: insulator 25: second electrode

26: 고압 발생 트랜스26: high pressure generating transformer

본 고안은 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 반응가스인 산소와 공기가 입구(21)를 통해 선택적으로 공급되고 반도체의 판유리(1)가 안내홀(22)을 통해 공급되어 가공될 수 있게 일정 크기로 형성된 상압 플라즈마 발생 하우징(20)과, 상기상압 플라즈마 발생 하우징(20) 내부에 설치되고 원통상으로 꼬여지도록 형성된 제 1 전극(23)과, 상기 제 1 전극(23)을 중심부분에 위치시켜 수용함과 아울러 상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 내부에 설치되는 원통상의 절연체(24)와, 상기 절연체(24)를 수용함과 아울러 상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 내부에 설치되는 원통상의 제 2 전극(25)과, 상기 제 1, 2 전극(23,25)을 교류 전원(27)에 스위치(28) 등을 통해 전기적으로 연결시킴과 아울러 입력 전원을 고압으로 발생하는 고압 발생 트랜스(26)로 구성된 것이다.2 and 3, the oxygen and air, which are reaction gases, may be selectively supplied through the inlet 21, and the plate glass 1 of the semiconductor may be supplied through the guide hole 22 to be processed. Atmospheric pressure plasma generating housing 20 formed to have a predetermined size, the first electrode 23 is formed inside the atmospheric pressure plasma generating housing 20 and is twisted in a cylindrical shape, and the first electrode 23 to the central portion The cylindrical insulator 24 and the cylindrical insulator 24 installed inside the atmospheric pressure plasma generating housing 20 and the accommodating body 24 are accommodated and installed inside the atmospheric pressure plasma generating housing 20. A high pressure that electrically connects the second cylindrical electrode 25 and the first and second electrodes 23 and 25 to the AC power source 27 through a switch 28 or the like, and generates the input power at high pressure. It consists of the generating transformer 26.

상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20)은 제 1, 2 전극(23,25) 및 절연체(24)를 수용함과 아울러 상압 플라즈마를 발생하는 것으로서, 상기 상압 플라즈마 발생하우징(20)의 입구(21)는 상측에 형성되어 산소 또는 공기를 상압 플라즈마 발생 하우징(20) 내측으로 압송하는 것이고, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 측부는 판유리(1)의 위치 이동을 지원할 수 있게 안내홀(22)이 형성되는 것이다.The atmospheric pressure plasma generation housing 20 accommodates the first and second electrodes 23 and 25 and the insulator 24 and generates atmospheric pressure plasma, and the inlet 21 of the atmospheric pressure plasma generation housing 20 is It is formed on the upper side to pressurize oxygen or air into the atmospheric pressure plasma generating housing 20, the side portion of the atmospheric pressure plasma generating housing 20, the guide hole 22 is formed to support the position movement of the plate glass (1) Will be.

상기 제 1 전극(23)과 제 2 전극(25) 사이에 설치되는 절연체(24)는 유리 또는 테프론을 사용하는 것이며, 상기 제 1, 2 전극(23,25) 및 절연체(24)의 하측으로 판유리(1)를 위치시켜 가공하는 것이다.The insulator 24 provided between the first electrode 23 and the second electrode 25 is made of glass or Teflon, and is disposed below the first and second electrodes 23 and 25 and the insulator 24. The plate glass 1 is positioned and processed.

상기 제 1, 2 전극(23,25) 및 절연체(24)를 통한 가공은 각각의 전극에 고압의 전원이 인가되면 스트리이머 및 아크 방전으로 인하여 상압 플라즈마가 발생되는 것이며, 상기 발생되는 상압 플라즈마를 통해서 판유리(1)의 세정이 이루어지는 것이다. 상기 상압 플라즈마를 이용한 세정이 이루어지게 되면서 초순수를 사용하지 않게 되는 것이고, 상기 초순수를 사용하지 않게 되면서 환경오염을 미연에 방지할 수 있는 것이다.In the processing through the first and second electrodes 23 and 25 and the insulator 24, when a high voltage power is applied to each electrode, an atmospheric pressure plasma is generated due to a streamer and an arc discharge. Through this, the plate glass 1 is cleaned. As the cleaning using the atmospheric pressure plasma is performed, the ultra pure water is not used, and the environmental pollution is prevented while the ultra pure water is not used.

그리고 상기 스위치(28)와 고압 발생 트랜스(26) 사이에 전압 제어겸 주파수전환기(29)를 배치하는 것이고, 상기 스위치(28) 후방에 도시하지 않은 퓨즈를 설치할 수 있는 것이다.The voltage control and frequency converter 29 is disposed between the switch 28 and the high voltage generating transformer 26, and a fuse (not shown) can be installed behind the switch 28.

이상과 같은 본 고안은 환경오염을 유발시키지 않으면서 반도체를 세정할 수 있도록 한 것으로서, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20) 입구(21)를 통해 산소 또는 공기를 강제적으로 공급함과 아울러 스위치(28)를 온시켜 교류 전원(27)이 전압 제어겸 주파수 전환기(29)로 인가되게 하고, 상기 전압 제어겸 주파수 전환기(29)로 인가된 교류 전원(27)은 전압과 주파수를 적정하게 변경한 후 고압 발생 트랜스(26)로 인가되며, 상기 고압 발생 트랜스(26)로 인가된 전원은 고압으로 승압되면서 제 1, 2 전극(23,25)으로 인가되는 것이다.The present invention as described above is to clean the semiconductor without causing environmental pollution, and forcibly supplying oxygen or air through the inlet 21 of the atmospheric pressure plasma generating housing 20, and switch 28 The AC power supply 27 is turned on to be applied to the voltage control and frequency converter 29, and the AC power supply 27 applied to the voltage control and frequency converter 29 generates a high voltage after appropriately changing the voltage and frequency. The power applied to the transformer 26, the power applied to the high-voltage generating transformer 26 is applied to the first and second electrodes 23 and 25 while being stepped up to a high pressure.

상기 제 1, 2 전극(23,25)으로 인가된 고압 전원은 상압 플라즈마를 발생하는 것이다. 상기 제 1, 2 전극(23,25)을 통해 발생되는 상압 플라즈마는 스트리이머 및 아크방전으로 인하여 다량으로 발생되는 것이다. 상기 형성되는 상압 플라즈마는 상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 안내홀(22)을 통해 인입된 판유리(1)로 투사(조사)되는 것이고, 상기 판유리(1)로 투사된 상압 플라즈마는 판유리(1)를 완전하게 가공(세정)처리하는 것이다.The high voltage power applied to the first and second electrodes 23 and 25 generates an atmospheric pressure plasma. The atmospheric pressure plasma generated through the first and second electrodes 23 and 25 is generated in a large amount due to the streamer and the arc discharge. The atmospheric pressure plasma formed is projected (irradiated) onto the plate glass 1 drawn through the guide hole 22 of the atmospheric pressure plasma generating housing 20, and the atmospheric pressure plasma projected onto the plate glass 1 is the plate glass 1. It is to process (clean) completely.

상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 안내홀(22)을 통해 인입되는 판유리(1)는 일정 시간이 경과후 상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 안내홀(22)을 통해 유출되는 것이며, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20)으로의 위치 이동은 도시하지 않은 픽업장치를 통해서 이루어지는 것이다.The plate glass 1 introduced through the guide hole 22 of the atmospheric pressure plasma generating housing 20 flows out through the guide hole 22 of the atmospheric pressure plasma generating housing 20 after a predetermined time has elapsed. Position movement to the housing 20 is made through a pickup device (not shown).

이상과 같이 본 고안은 상압 플라즈마 발생 하우징의 내측에 판상의 제 1, 2전극을 설치함과 아울러 상기 제 1, 2 전극 사이에 절연체를 설치하는 것으로서, 상기 제 1, 2 전극 및 절연체 하측에 판유리를 위치시킨 후 상압 플라즈마로 가공 처리함에 따라 세정 작업시에 경제성이 향상되는 것이고, 상기 가공 처리시에 초순수를 사용하지 않는 반면 상압 플라즈마를 이용함에 따라 환경오염의 발생이 미연에 방지되는 것이다.As described above, the present invention is to install plate-shaped first and second electrodes inside the atmospheric pressure plasma generating housing and to install an insulator between the first and second electrodes, and the plate glass below the first and second electrodes and the insulator. After the processing is performed by the atmospheric pressure plasma, the economical efficiency is improved during the cleaning operation, and the ultra-pure water is not used during the processing, whereas the use of the atmospheric pressure plasma prevents the occurrence of environmental pollution.

Claims

Atmospheric pressure plasma generating housing 20 formed to supply a reaction gas and to supply the glass plate 1 of the semiconductor, First electrode 23 installed inside the atmospheric pressure plasma generating housing 20, and the first electrode An insulator 24 provided inside the atmospheric pressure plasma generating housing 20 and accommodating the insulator 24 and a second installed inside the atmospheric pressure plasma generating housing 20. And a high pressure generating transformer (26) for electrically connecting the electrodes (25) and the first and second electrodes (23, 25) to generate a high pressure.