KR200211274Y1 - 반도체웨이퍼증착장비의잔류부산물포집장치 - Google Patents
반도체웨이퍼증착장비의잔류부산물포집장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR200211274Y1 KR200211274Y1 KR2019980004868U KR19980004868U KR200211274Y1 KR 200211274 Y1 KR200211274 Y1 KR 200211274Y1 KR 2019980004868 U KR2019980004868 U KR 2019980004868U KR 19980004868 U KR19980004868 U KR 19980004868U KR 200211274 Y1 KR200211274 Y1 KR 200211274Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- exhaust gas
- residual
- reaction
- filter
- products
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 고안은 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치에 관한 것으로서, 반응가스가 공급되는 가스공급관과 증착공정진행후 배기가스가 배출될 수 있도록 배기관을 구비한 반응로와; 상기 배기관과 상호 연통되도록 설치되는 트랩과, 상기 트랩의 내부에 상기 배기관을 통해 유입된 배기가스의 진행방향에 가로로 배치되는 판막과, 상기 배기가스의 흐름방향에 대해 상기 판막의 하류측에 배치되어 상기 배기가스중의 잔류부산물의 통과를 억제시키는 필터부를 반응필터와; 상기 배기가스의 유동방향에 대해 상기 반응필터의 하류측에 배치되어 상기 반응로내의 배기가스를 상기 배기관을 통해 외부로 배출시키는 부스터펌프 및 드라이펌프와; 상기 반응필터와 상기 부스터펌프 및 드라이펌프사이에 상호 연통가능하게 배치되어 상기 반응필터를 통과한 배기가스중의 잔류부산물의 통과를 억제시키는 포트를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 반응후 배출되는 배기가스중의 잔류부산물의 포집효율을 향상시켜 필터막힘을 방지함으로써, 압력을 안정적으로 제어하고 배기가스의 역류에 기인한 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있으며 사용수명을 연장시킬 수 있는 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치가 제공된다.
Description
본 고안은 반도체 웨이퍼 증착장비의 기상증착 후에 발생하는 잔류부산물(Powder)을 포집하기 위한 장치에 관한 것으로, 특히 반응후 배출되는 배기가스중의 잔류부산물의 포집효율을 향상시켜 필터막힘을 방지함으로써, 압력을 안정적으로 제어하고 배기가스의 역류에 기인한 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있으며 사용수명을 연장시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치에 관한 것이다.
도 1은 종래의 반도체 웨이퍼 증착장비에 적용된 잔류부산물 포집장치의 구성을 개략적으로 도시한 배관도이고, 도 2는 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 반응필터 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다. 이들 도면에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼 증착장비(Chemical Vapor Depositor;CVD)는, 증착공정이 수행되는 반응로(Process Tube)(1)와, 반응로(1)에 반응가스를 공급하는 가스공급관(2)과, 반응로(1)로부터 반응후의 배기가스가 배출되는 배기관(3)과, 배기가스중의 잔류부산물을 여과할 수 있도록 배기관(3)과 상호 연통되도록 설치되는 반응필터(4)와, 배기가스의 압력을 자동으로 조절하는 자동압력조절밸브(Automatic Pressure Control Valve;APC Valve)(5)와, 반응로(1)의 내부를 진공상태로 유지함과 아울러 반응후 배기가스를 배출시키는 보조 작동용 부스터펌프(Booster Pump) 및 주 작동용 드라이펌프(Dry Pump)(6) 등을 포함하여 구성되어 있다.
반응필터(4)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 스테인레스 스틸(Stainless Steel ;SUS) 재질로 된 원통형상의 메쉬(4a)가 사용되고, 상기 메쉬(4a)를 고정하기 위한 소정형상의 트랩(4b)이 구비되어 있다. 트랩(4b)의 사이에는 냉각수가 순환되어 배기가스를 급냉시킴으로써 배기잔류부산물(P)이 응축되어 메쉬(4a)에 쉽게 걸러질 수 있도록 되어 있다.
이러한 구성으로 이루어지는 종래 반도체 웨이퍼 증착장비의 동작을 설명하면 다음과 같다.
반응로(1)의 내부에 다수개의 웨이퍼가 수용되면, 반응로(1)의 내부 온도가 750。C 정도를 유지할 수 있도록 가열한다. 반응로(1)가 가열되면, 가스공급관(2)을 통하여 반응로(1)의 내부에 반응가스를 주입하고 반응가스의 분해 또는 결합하는 고온 기상반응에 의해 웨이퍼의 증착공정이 수행되도록 한다. 증착공정이 완료되면 부스터펌프 및 드라이펌프(6)의 펌핑작동에 의해 배기가스 및 잔류부산물(P)이 배기관(3)을 통해 배출된다. 이때, 반응필터(4)는 입자가 큰 이물질(잔류부산물)의 통과를 억제시키게 되며, 자동압력조절밸브(5)는 배기관(3)을 통해 유동하는 배기가스의 압력을 조절한다.
그런데, 이러한 종래의 반도체 웨이퍼 증착장치의 잔류부산물 포집장치에 있어서는, 증착공정을 반복적으로 수행하게 되면 잔류부산물(P)이 부스터펌프 및 드라이펌프(6) 내부의 회전체에 고착되고 점차 퇴적됨으로써, 부스터펌프 및 드라이펌프(6)의 펌핑능력을 저하시킬 뿐만 아니라, 배기관(3)을 통해 배출되는 배기가스 및 잔류부산물의 역류에 기인하여 반응로(1)의 내부에 수용된 웨이퍼의 오염이 발생되는 문제점이 있다.
또한, 잔류부산물(P)이 반응필터(4)의 메쉬(4a) 주변에 다량으로 응축되기 때문에 배기관(3)을 통한 배기가스의 흐름이 원활하지 못하게 될 뿐만 아니라, 필터 기능이 약화되는 문제점이 있다.
이에 따라, 상기 반응필터(4)가 자주 막히게 되어 메쉬(4a)의 교체시기 및 트랩(4b)의 세정 등과 같은 보수관리주기(Process Maintenance Period) 및 사용수명이 짧아지게 되는 원인이 되고 있다.
따라서, 본 고안의 목적은, 반응후 배출되는 배기가스중의 잔류부산물의 포집효율을 향상시켜 필터막힘을 방지함으로써, 압력을 안정적으로 제어하고 배기가스의 역류에 기인한 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있으며 사용수명을 연장시킬 수 있는 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 반도체 웨이퍼 증착장비에 적용된 잔류부산물 포집장치의 구성을 개략적으로 도시한 배관도,
도 2는 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 반응필터 구조를 개략적으로 도시한 단면도,
도 3은 본 고안의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치의 구성을 개략적으로 도시한 배관도,
도 4는 도 3의 반응필터의 구조를 개략적으로 도시한 단면도,
도 5는 도 3의 반응필터의 트랩 구조를 도시한 단면도,
도 6은 도 3의 포트의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
P ; 잔류부산물 1 ; 반응로
2 ; 가스공급관 3 ; 배기관
3a ; 내측관 5 ; 자동압력조절밸브
6 ; 부스터펌프 및 드라이펌프 40 ; 반응필터
41 ; 원판링 42 ; 판막
43 ; 트랩 50 ; 포트
51 ; 격판
상기 목적은, 본 고안에 따라, 반응가스가 공급되는 가스공급관과 증착공정진행후 배기가스가 배출될 수 있도록 배기관을 구비한 반응로와; 상기 배기관과 상호 연통되도록 설치되는 트랩과, 상기 트랩의 내부에 상기 배기관을 통해 유입된 배기가스의 진행방향에 가로로 배치되는 판막과, 상기 배기가스의 흐름방향에 대해 상기 판막의 하류측에 배치되어 상기 배기가스중의 잔류부산물의 통과를 억제시키는 필터부를 반응필터와; 상기 배기가스의 유동방향에 대해 상기 반응필터의 하류측에 배치되어 상기 반응로내의 배기가스를 상기 배기관을 통해 외부로 배출시키는 부스터펌프 및 드라이펌프와; 상기 반응필터와 상기 부스터펌프 및 드라이펌프사이에 상호 연통가능하게 배치되어 상기 반응필터를 통과한 배기가스중의 잔류부산물의 통과를 억제시키는 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치에 의해 달성된다.
여기서, 상기 필터부는 상기 판막의 길이방향을 따라 상호 소정 간격을 두고 적층되는 복수의 원판링을 포함하도록 구성하는 것이 바람직하다.
상기 포트의 외부에는 상기 포트를 냉각시킬 수 있도록 냉각수가 순환가능하도록 배치되어 있으며, 상기 포트의 내부에는 내부공간을 구획하는 적어도 하나의 격판과, 관상체로 형성되고 상기 포트의 내부로 유입된 배기가스의 유입경로의 연장선에 대해 소정 거리 이격된 영역에 적어도 일단이 상기 격판의 판면으로부터 상기 배기가스의 유입측을 향해 소정 돌출되어 상기 배기가스의 굴절된 유동경로를 형성하는 적어도 하나의 내측관이 설치되도록 구성하는 것이 효과적이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 고안의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치의 구성을 개략적으로 도시한 배관도이고, 도 4는 도 3의 반응필터의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 5는 도 3의 반응필터의 트랩 구조를 도시한 단면도이고, 도 6은 도 3의 포트의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다. 이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 고안의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치는, 내부에 반도체의 수용공간을 형성하며 반도체의 증착공정이 수행되는 반응로(1)와, 반응로(1)의 일측에 상호 연통가능하도록 설치되어 반응로(1)의 내부에 반응가스를 공급하는 가스공급관(2)과, 반응후의 배기가스의 배출을 위해 반응로(1)에 연통되도록 설치되는 배기관(3)과, 배기관(3)과 연통가능하게 설치되어 배기가스중의 잔류부산물(P)을 응축하여 포집하는 반응필터(40)와, 배기가스의 흐름방향에 대해 반응필터(40)의 하류측에 배치되어 배출되는 배기가스의 압력을 조절하는 자동압력조절밸브(5)와, 반응필터(40)의 하류측에 배치되어 반응필터(40)로부터 배출된 배기가스중의 잔류부산물(P)을 2차적으로 여과시켜주는 포트(50)와, 포트(50)의 하류측에 배치되는 보조 작동용 부스터펌프 및 주 작동용 드라이펌프(6)를 포함하여 구성되어 있다.
반응필터(40)는, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 배기관(3)과 상호 연통가능하게 설치되어 내부에 여과공간을 형성하는 트랩(43)과, 트랩(43)의 내부에 반응로(1)와 연결된 배기관(3)의 입구측에 배기가스의 흐름방향에 가로로 설치되는 판막(42)과, 트랩(43)의 내부에 배기가스의 흐름방향에 대해 판막(42)의 하류측에 배치되어 배기가스중의 잔류부산물(P)의 통과를 억제시키는 필터부로서 원판상의 메시부재로 된 복수의 원판링(42)를 가진다.
한편, 포트(50)는 도 6에 도시한 바와 같이, 자동압력조절밸브(5)와 부스터펌프 및 드라이펌프(6) 사이의 배기관(3) 상에 설치되며, 그 외부에는 냉각수가 순환되고, 그 내부에는 상기 배기관(3)을 상하로 분리해주는 격판(51)이 설치되어 있다. 격판(51)의 일측에는 관상체로 형성되어 양 단이 격판(51)의 각 판면으로부터 돌출된 내측관(3a)이 배기관(3)의 연장선에 대해 소정 이격된 영역에 배기관(3)과 거의 평행하게 배치되어 있다.
이러한 구성에 의하여, 반응로(1)의 내부에 수용된 웨이퍼의 증착공정이 완료되면 부스터펌프 및 드라이펌퍼(6)에 의해 반응후의 배기가스는 배기관(3)을 통해 반응로(1)의 외부로 배출된다. 배기관(3)을 따라 유동하는 배기가스는 반응필터(40)의 트랩(43)의 내부로 유입된다. 이 때, 트랩(43)의 내부에 배기가스의 유동방향에 가로로 배치된 판막(42)에 의해 배기가스의 유동방향은 굴절되고 배기가스중의 잔류부산물(P)중 일부는 판막(42)의 표면에 고착된다. 판막(42)에 의해 안내된 배기가스는 판막(42)의 일측에 적층된 원판링(41)을 통과하고 원판링(41)에 의해 잔류부산물(P)이 여과된 배기가스는 자동압력조절밸브(5)측으로 유동하게 된다. 자동압력조절밸브(5)를 경유한 배기가스는 포트(50)의 내부로 유입되고, 유입된 배기가스는 격판(51)과 내측관(3a)에 의해 형성된 굴절된 경로를 따라 유동하게 된다. 이 때, 배기가스중의 잔류부산물(P)은 격판(51) 및 포트(50)의 내면에 고착되고, 배기가스는 부스터펌프 및 드라이펌프(6)를 경유하여 배출된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 고안에 따르면, 반응필터(40)의 내부에 배기가스의 유동방향에 가로로 배치되는 판막(42)을 형성하고, 반응필터(40)의 하류측에 포트(50)를 설치하여 배기가스중의 잔류부산물(P)의 포집효율을 향상시킴으로써, 부스터 펌프 및 드라이 펌프(6)의 회전체에 잔류부산물(P)이 고착되는 것을 방지할 수 있어 펌핑능력을 향상시킬 수 있으며, 배기가스의 역류에 기인한 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있고, 반응로(1)의 내부압력을 안정적으로 제어할 수 있으며, 사용주기를 연장할 수 있는 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치가 제공된다.
Claims (3)
- 반응가스가 공급되는 가스공급관과 증착공정진행후 배기가스가 배출될 수 있도록 배기관을 구비한 반응로와; 상기 배기관과 상호 연통되도록 설치되는 트랩과, 상기 트랩의 내부에 상기 배기관을 통해 유입된 배기가스의 진행방향에 가로로 배치되는 판막과, 상기 배기가스의 흐름방향에 대해 상기 판막의 하류측에 배치되어 상기 배기가스중의 잔류부산물의 통과를 억제시키는 필터부를 반응필터와; 상기 배기가스의 유동방향에 대해 상기 반응필터의 하류측에 배치되어 상기 반응로내의 배기가스를 상기 배기관을 통해 외부로 배출시키는 부스터펌프 및 드라이펌프와; 상기 반응필터와 상기 부스터펌프 및 드라이펌프사이에 상호 연통가능하게 배치되어 상기 반응필터를 통과한 배기가스중의 잔류부산물의 통과를 억제시키는 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치.
- 제1항에 있어서,상기 필터부는 상기 판막의 길이방향을 따라 상호 소정 간격을 두고 적층되는 복수의 원판링을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치.
- 제1항에 있어서,상기 포트의 외부에는 상기 포트를 냉각시킬 수 있도록 냉각수가 순환가능하도록 배치되어 있으며, 상기 포트의 내부에는 내부공간을 구획하는 적어도 하나의 격판과, 관상체로 형성되고 상기 포트의 내부로 유입된 배기가스의 유입경로의 연장선에 대해 소정 거리 이격된 영역에 적어도 일단이 상기 격판의 판면으로부터 상기 배기가스의 유입측을 향해 소정 돌출되어 상기 배기가스의 굴절된 유동경로를 형성하는 적어도 하나의 내측관이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980004868U KR200211274Y1 (ko) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 반도체웨이퍼증착장비의잔류부산물포집장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980004868U KR200211274Y1 (ko) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 반도체웨이퍼증착장비의잔류부산물포집장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990038729U KR19990038729U (ko) | 1999-10-25 |
| KR200211274Y1 true KR200211274Y1 (ko) | 2001-03-02 |
Family
ID=69513878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019980004868U KR200211274Y1 (ko) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 반도체웨이퍼증착장비의잔류부산물포집장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200211274Y1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100711022B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2007-04-24 | 주식회사 제우스 | 냉각효율이 향상된 냉각트랩 |
| KR102259064B1 (ko) * | 2019-12-19 | 2021-05-31 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR102311930B1 (ko) * | 2021-04-28 | 2021-10-13 | 주식회사 미래보 | 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100750807B1 (ko) * | 2007-01-25 | 2007-08-22 | (주)엘오티베큠 | Ａｌ₂Ｏ₃ ＡＬＤ 공정 시스템의 배기 경로에서의공정부산물을 포집할 수 있는 트랩장치 |
| CN110453199B (zh) * | 2019-09-11 | 2024-04-23 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种原子层沉积设备用工艺残余气体的过滤装置 |
| KR102341256B1 (ko) * | 2021-09-15 | 2021-12-21 | 주식회사 엠아이 | 반도체 반응부산물 포집 트랩장치 |
-
1998
- 1998-03-31 KR KR2019980004868U patent/KR200211274Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100711022B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2007-04-24 | 주식회사 제우스 | 냉각효율이 향상된 냉각트랩 |
| KR102259064B1 (ko) * | 2019-12-19 | 2021-05-31 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR102311930B1 (ko) * | 2021-04-28 | 2021-10-13 | 주식회사 미래보 | 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990038729U (ko) | 1999-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111223790B (zh) | 半导体工艺的反应副产物收集装置 | |
| CN111760414B (zh) | 半导体工序的反应副产物捕集装置 | |
| KR20190078939A (ko) | 반도체 공정 부산물 포집장치 | |
| CN112337226B (zh) | 半导体工程的反应副产物收集装置 | |
| CN101133185A (zh) | 收集装置 | |
| KR200211274Y1 (ko) | 반도체웨이퍼증착장비의잔류부산물포집장치 | |
| US6354241B1 (en) | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing | |
| KR102498115B1 (ko) | 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템 | |
| CN108701583B (zh) | 用于排气冷却的设备 | |
| US7867312B2 (en) | Trap device | |
| EP1414545B1 (en) | Apparatus for and method of trapping products in exhaust gas | |
| KR20090102183A (ko) | 입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및부산물 포집장치 | |
| EP0642378B1 (en) | Apparatus with a dry multi-stage pump and a plasma scrubber for converting reactive gases | |
| KR101480237B1 (ko) | 입자 포집장치 | |
| KR102490651B1 (ko) | 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템 | |
| KR20220024833A (ko) | 진공 포어라인에서의 입자 수집을 위한 고효율 트랩 | |
| JP2006314864A (ja) | 排気トラップ装置 | |
| JP5217700B2 (ja) | 半導体製造装置および排気トラップ装置 | |
| KR100847656B1 (ko) | 파우더 트랩이 설치된 드라이 가스 스크러버 | |
| KR100311145B1 (ko) | 반도체 장비의 파우더 포집장치 | |
| JP2006005258A (ja) | 固体除去装置及びそれを利用した化合物半導体の製造方法 | |
| JP2007162108A (ja) | 真空処理装置及びトラップ装置 | |
| JPH07193008A (ja) | 半導体化学気相成長システム | |
| JP2002118065A (ja) | 半導体ガスの処理方法およびフィルタ装置 | |
| KR200169714Y1 (ko) | 저압화학기상증착장비의 여과장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111024 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |