KR200205166Y1 - 반도체의리드성형장치 - Google Patents

Abstract

본 고안에 의한 반도체의 리드성형장치는 디바이스의 하면과 접하는 베이스의 상면 네 모서리에 베이스누름편을 돌출 형성하고, 상기 디바이스의 상면을 눌러주는 스트리퍼 인서트의 하면 네 모서리에 스트리퍼인서트 누름편을 돌출 형성함으로써, 몰딩된 디바이스 냉각시 발생된 휨량에 따라 리드의 성형되는 길이를 다르게 형성하므로, 각 리드 최하단부의 높이 차이가 50 μ m 이하로 줄어들게 하여, 디바이스를 기판에 실장시 리드 최하단부의 평탄도 불량을 미연에 방지할 수 있도록 하였다.

Description

반도체의 리드성형장치

본 고안은 반도체용 디바이스의 리드 성형장치에 관한 것으로, 특히 제조 완료된 리드온칩(LOC;LEAD ON CHIP)이나 티에스오피(TSOP;THIN SMAILL OUTLINE PKG) 타입의 디바이스에서 각 리드의 하부면의 높이차이를 최소화하여 평탄도 불량에 의한 표면 실장시 접촉불량을 방지하도록 한 반도체의 리드성형장치에 관한 것이다.

일반적으로 몰딩 완료된 스트립(STRIP) 타입의 리드프레임은 트리밍(TRIMMING), 포밍(FORMING)공정을 거쳐 각각의 디바이스로 성형완료 되는데, 본 고안에서는 2단계에 걸쳐 포밍되는 리드의 최종 성형장치를 예로 설명한다.

종래에는 도 1 및 도 4에 도시한 바와 같이, 베이스(1)의 상면에 디바이스(2)의 리드(2a) 형상과 동일한 포밍펀치(5)가 좌,우로 형성되어 있고, 상기 베이스(1)의 상측에 상하 이동 가능하게 이동블럭(6)이 설치되어 있으며, 상기 이동블럭(6)에는 디바이스(2)를 눌러주기 위한 스트리퍼 인서트(STRIPPER INSERT)(3)가 고정되어 있다. 상기 스트리퍼 인서트(3)의 하부에는 디바이스(2)의 누름편(3a)이 각각 한쌍씩 형성되어 구성된다. 상기 베이스(1)의 하부에는 디바이스(2)의 리드(2a)를 절곡하기 위한 롤러(4)와 롤러를 고정하기 위한 롤러 홀더(4a)가 설치되어 있으며 디바이스(2)의 좌, 우로 구성되어 있다.

이와 같이 구성된 종래의 기술에 의한 반도체의 리드성형장치의 작용을 살펴보면, 별도의 이송수단에 의해서 베이스(1)의 상부로 트리밍 완료된 디바이스(2)가 이송되면 이동블럭(6)이 하강함에 따라 상기 이동 블록(6)에 고정된 스트리퍼 인서트(3)와 디바이스(2)의 리드(2a)를 성형하기 위한 포밍펀치(5)가 함께 하강되므로 상기 스트리퍼 인서트(3)에 형성된 누름편(3a)이 디바이스(2)의 상면을 밀착하게 되고, 포밍펀치(5)에 형성된 누름편은 리드(2a)의 상면에 밀착된다. 이러한 상태에서 이동블럭(6)이 좀더 하강하게 되면 베이스(1)의 하부 좌, 우에 위치한 롤러(4)와 롤러홀더(4a)가 바깥쪽으로 회전운동을 하면서 포밍펀치(5)의 성형된 형상과 동일하게 성형된다. 이때 베이스(1)의 상부 누름면(1a)은 디바이스(2)의 하면과 면접촉을 하게 된다.

그러나, 이러한 종래의 장치는 디바이스(2)의 몰딩부분이 냉각되면서 리드프레임(2a)의 상하 부분에 위치한 몰딩부분의 두께 차이로 인해 휨이 발생하게 되고, 리드 성형장치에 의해서 성형될 때 몰딩부분을 눌러 휘어진 부분이 펴진 상태에서 리드(2a)가 성형되기에, 스트리퍼인서트(3)가 상승하여 외력이 제거되면 상기 몰딩부분은 성형시 변형된 상태로 환원되므로 리드(2a)의 하부면이 평탄하지 못하게 되고, 그로인해 최상부 리드와 최하부 리드 사이에 간격(x)이 발생한다. 상기 간격(x)이 80 μ m 이하일 경우에는 문제가 되지 않지만, 그 이상일 경우에는 디바이스(2)를 기판에 실장시 접촉불량이 발생되는 문제점이 있다.

따라서, 본 고안의 목적은 몰딩된 디바이스 냉각시 발생된 휨량에 따라 리드의 성형되는 길이를 다르게 형성하므로, 각 리드 최하단부의 높이 차이가 50 μ m 이하로 줄어들게 하여, 디바이스를 기판에 실장시 리드 최하단부의 평탄도 불량을 미연에 방지할 수 있도록 한 반도체의 리드성형장치를 제공함에 있다.

도 1은 종래의 기술에 의한 반도체의 리드성형장치를 나타내는 정면도.

도 2는 종래의 기술에 의한 반도체의 리드성형장치를 나타내는 측면도.

도 3은 종래의 기술에 의한 베이스를 상부에서 나타내 보인 사시도.

도 4는 종래의 기술에 의한 스트리퍼인서트를 저면에서 나타내 보인 사시도.

도 5는 본 고안에 의한 반도체의 리드성형장치를 나타내는 정면도.

도 6은 본 고안에 의한 베이스를 상부에서 나타내 보인 사시도.

도 7은 본 고안에 의한 스트리퍼인서트를 저면에서 나타내 보인 사시도.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)

1 ; 베이스 1b ; 베이스 누름편

2 ; 디바이스 2a ; 리드

3 ; 스트리퍼인서트 3b ; 스트리퍼인서트 누름편

4 ; 롤러 4a ; 롤러홀더

5 ; 포밍펀치 6 ; 이동블럭

이러한, 본 고안의 목적은 몰딩 및 트리밍 완료된 디바이스를 안착시키는 베이스와, 상기 베이스의 상부에 설치하여 안착된 디바이스를 눌러주기 위해 중심부에 스트리퍼 인서트를 구비하고 양측에 포밍펀치를 구비한 이동블럭과, 상기 베이스의 양측에 설치하여 이동블럭의 하강에 따라 포밍펀치의 성형된 형상과 동일하게 리드를 성형하는 롤러를 포함하여 구성된 반도체의 리드성형장치에 있어서,

상기 디바이스의 하면과 접하는 베이스의 상면 네 모서리에 베이스누름편을 돌출 형성하여 디바이스 하면과 베이스의 접촉면적을 최소화하고, 상기 디바이스의 상면을 눌러주는 스트리퍼 인서트의 하면 네 모서리에 스트리퍼인서트 누름편을 돌출 형성하여 디바이스 상면과 스트리퍼인서트의 접촉면적을 최소화한 것을 특징으로 하는 반도체의 리드성형장치를 제공함으로써 달성된다.

이하, 본 고안에 의한 반도체의 리드성형장치를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라서 설명한다.

도 5는 본 고안에 의한 반도체의 리드성형장치를 나타내는 정면도이고, 도 6은 본 고안에 의한 베이스를 상부에서 나타내 보인 사시도이며, 도 7은 본 고안에 의한 스트리퍼인서트를 저면에서 나타내 보인 사시도를 각각 보인 것이다.

이에 도시한 바와 본 고안에 의한 반도체의 리드성형장치는 몰딩 및 트리밍 완료된 디바이스(2)를 안착시키는 베이스(1)와, 상기 베이스(1)의 상부에 설치하여 안착된 디바이스(2)를 눌러주기 위해 중심부에 스트리퍼 인서트(3)를 구비하고 양측에 포밍펀치(5)를 구비한 이동블럭(6)과, 상기 베이스(1)의 양측에 설치하여 이동블럭(6)의 하강에 따라 포밍펀치(5)의 성형된 형상과 동일하게 리드(2a)를 성형하는 롤러(4)를 포함하여 구성된 반도체의 리드성형장치에 있어서, 상기 디바이스(2)의 하면과 접하는 베이스(1)의 상면 네 모서리에 베이스누름편(1b)을 돌출 형성하여 디바이스(2)와 접촉하는 면적을 최대한 작게 하고, 상기 디바이스(2)의 상면을 눌러주는 스트리퍼 인서트(3)의 하면 네 모서리에 스트리퍼인서트 누름편(3b)을 돌출 형성하여 마찬가지로 디바이스(2)와 접촉하는 면적을 최대한 작게 한다. 상기 롤러(4)는 롤러홀더(4a)에 의해 지지된다. 상기 베이스누름편(1b)과 스트리퍼인서트누름편(3b)을 돌출 형성한 것 외에는 종래구성과 동일하며, 동일부분에 대하여는 동일부호를 부여하였다.

이와 같이 구성된 본 고안에 의한 반도체의 리드성형장치의 작용효과를 설명한다. 몰딩된 디바이스(2)가 냉각되면서 발생된 최대 휨량과 구애받지 않는 요철형태 누름편(3b)을 구비한 스트리퍼인서트(3)를 이동블럭(6)에 고정시킨 후 별도의 이송수단에 의해서 베이스(1) 상면의 요철형태의 누름편(1b)에 디바이스(2)가 이송되면, 상기 이동블럭(6)이 하강하게 되고, 상기 이동블럭(6)에 고정된 스트리퍼인서트(3)가 함께 하강하게 되어, 상기 스트리퍼인서트의 누름편(3b)은 디바이스(2)의 상면에 그리고, 베이스의 누름편(1b)은 디바이스(2)의 하면을 각각 밀착하여 누르게 된다. 이러한 상태에서 이동블럭(6)이 더욱더 하강하게 되면 디바이스(2)의 리드(2a)가 포밍펀치(5)에 형성된 형상에 맞게 성형됨은 물론 디바이스(2)에 발생된 휨량에 구애받지 않고 디바이스(2)의 일부분만을 접촉하기 때문에 디바이스(2)의 휨상태를 그래도 유지한채 리드(2a)를 성형하게 된다. 이와 같은 성형공정을 마치고 이동블럭(6)을 상승시켜 원위치로 복귀하게 되면, 종래와 달리 디바이스(2)의 휨상태를 그대로 유지한채 리드(2a)의 평탄도를 맞출 수 있게 된다. 결국은 성형되는 리드(2a)의 길이가 각각 다르게 성형됨을 알 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체의 리드성형장치는 디바이스의 하면과 접하는 베이스의 상면 네 모서리에 베이스누름편을 돌출 형성하고, 상기 디바이스의 상면을 눌러주는 스트리퍼 인서트의 하면 네 모서리에 스트리퍼인서트 누름편을 돌출 형성함으로써, 몰딩된 디바이스 냉각시 발생된 휨량에 따라 리드의 성형되는 길이를 다르게 형성하므로, 각 리드 최하단부의 높이 차이가 50 μ m 이하로 줄어들게 하여, 디바이스를 기판에 실장시 리드 최하단부의 평탄도 불량을 미연에 방지할 수 있도록 한 효과가 있다.

Claims (1)

1. 몰딩 및 트리밍 완료된 디바이스를 안착시키는 베이스와, 상기 베이스의 상부에 설치하여 안착된 디바이스를 눌러주기 위해 중심부에 스트리퍼 인서트를 구비하고 양측에 포밍펀치를 구비한 이동블럭과, 상기 베이스의 양측에 설치하여 이동블럭의 하강에 따라 포밍펀치의 성형된 형상과 동일하게 리드를 성형하는 롤러를 포함하여 구성된 반도체의 리드성형장치에 있어서,

   상기 디바이스의 하면과 접하는 베이스의 상면 네 모서리에 베이스누름편을 돌출 형성하여 디바이스 하면과 베이스의 접촉면을 최소화하고, 상기 디바이스의 상면을 눌러주는 스트리퍼 인서트의 하면 네 모서리에 스트리퍼인서트 누름편을 돌출 형성하여 디바이스 상면과 스트리퍼인서트의 접촉면을 최소화한 것을 특징으로 하는 반도체의 리드성형장치.