KR20020093099A - 부가 가열기를 포함한 센서 칩, 센서 칩상의 오염을방지하기 위한 방법 및 센서 칩상의 부가 가열기의 용도 - Google Patents

부가 가열기를 포함한 센서 칩, 센서 칩상의 오염을방지하기 위한 방법 및 센서 칩상의 부가 가열기의 용도 Download PDF

Info

Publication number
KR20020093099A
KR20020093099A KR1020027014559A KR20027014559A KR20020093099A KR 20020093099 A KR20020093099 A KR 20020093099A KR 1020027014559 A KR1020027014559 A KR 1020027014559A KR 20027014559 A KR20027014559 A KR 20027014559A KR 20020093099 A KR20020093099 A KR 20020093099A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensor
additional heater
sensor chip
region
chip
Prior art date
Application number
KR1020027014559A
Other languages
English (en)
Inventor
한스 헤히트
우베 콘첼만
토르스텐 슐츠
Original Assignee
로베르트 보쉬 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로베르트 보쉬 게엠베하 filed Critical 로베르트 보쉬 게엠베하
Publication of KR20020093099A publication Critical patent/KR20020093099A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/6845—Micromachined devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
    • G01F1/69—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
    • G01F1/692—Thin-film arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/696—Circuits therefor, e.g. constant-current flow meters
    • G01F1/698—Feedback or rebalancing circuits, e.g. self heated constant temperature flowmeters
    • G01F1/699—Feedback or rebalancing circuits, e.g. self heated constant temperature flowmeters by control of a separate heating or cooling element

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)

Abstract

선행 기술에 따른 센서 칩에서 유동 매체의 불순물이 센서 영역의 영역에 침전되어 지속적으로 오염시키며, 이것은 박막의 측정 특성의 부정적인 영향을 야기한다.
본 발명에 따른 센서 칩(1)에서 부가 가열기(39)가 배치되고, 상기 부가 가열기는 상류측에 그리고 센서 영역으로부터 확실히 떨어진 곳에 배치된다. 이로 인해 유동 매체의 불순물은 부가 가열기(39)의 영역에 침전되고, 즉 더 이상 센서 영역(17)에 도달할 수 없다.

Description

부가 가열기를 포함한 센서 칩, 센서 칩상의 오염을 방지하기 위한 방법 및 센서 칩상의 부가 가열기의 용도 {Sensor chip with additional heating element, method for preventing a sensor chip from being soiled, and use of an additional heating element on a sensor chip}
DE 196 01 791 A1 에는 예컨대 프레임 엘리먼트, 리세스 및 박막으로 이루어진, 센서 영역을 포함한 센서 칩이 공지되어 있다. 항상 다시 센서 칩이 노출되는 예컨대 오일과 같은 오염물에 의해 센서 영역의 영역에서 센서 칩의 바람직하지 않은 측정 신호 영향이 발생한다. 센서 영역 또는 센서 영역 주위의 인접 영역에서 오일에 의한 오염은 센서 칩의 표면의 열전도 값을 변경시키고, 측정 신호에 영향을 미친다. 또한 센서 칩상에 침전된 오일은 유동 매체 내에 함유된 입자용 접착제로서 사용된다. 이렇게 흡수된 입자는 다시 바람직하지 않은 영향을 추가로 강화시킨다.
US-PS 5,705,745 는 온도- 및 가열 저항이 배치된 박막을 가진 센서 칩을 공지하고, 상기 박막은 열전도 엘리먼트로 둘러싸이고, 상기 열전도 엘리먼트는 U-형태를 가질 수 있다. 열전도 엘리먼트는 가열되지 않는다. 열전도 엘리먼트는 적어도 부분적으로 박막의 영역에 배치되기도 한다.
US-PS 4,888,988 은 박막을 가진 센서 칩을 공지하고, 박막을 중심으로 금속선이 배치되고, 상기 금속선은 박막의 영역에는 배치되지 않는다. 상기 선은 센서 칩상의 측정 장치의 공동 중성선이다. 상기 중성선의 횡단면은 심지어 선택적으로 상승되어, 온도 상승이 방지된다. 중성선의 상승된 온도는 상기 방법에 따른 측정에 매우 부정적인 영향을 미치게 된다.
DE 198 01 484 A1 은 박막을 가진 센서 칩을 공지하고, 상기 박막 주위에 전기선이 배치되고, 상기 전기선을 통해 전류가 흐른다. 상기 도전 스트립은 측정 방법 또는 측정 공정을 위해 사용되는 온도 감지기이다.
DE 2900210 A1 또는 US-PS 4,294,114 는 온도에 따른 저항을 지지체 상에 포함하는 센서 칩을 공지하고, 상기 지지체 상에 추가 저항이 제공되고, 상기 추가 저항은 온도에 따른 저항에 직접 인접한다.
DE 4219454 A1 또는 US-PS 5,404,753 은 센서 영역으로부터 이격되어 기준 온도 감지기를 포함하는 센서 칩을 공지한다.
DE 3135793 A1 또는 US-PS 4,468,963 은 센서 저항의 상류측 및/또는 하류측에 추가 저항을 가지는 센서 칩을 공지하고, 그러나 상기 센서 칩은 측정 신호에는 영향을 미치지 않는다.
본 발명은 청구항 제 1항 또는 제 2항 또는 제 3항의 유형에 따른, 센서 칩 또는 센서 칩상의 부가 가열기의 용도 또는 센서 칩상의 오염을 방지하기 위한 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예는 도면에 간단하게 도시되고, 하기의 설명부에서 더 자세히 설명된다.
도 1은 선행 기술에 따른 센서 칩이고,
도 2a는 본 발명에 따른 센서 칩의 제 1, 도 2b는 제 2 그리고 도 2c는 제 3의 실시예이고,
도 3a, 3b는 본 발명에 따라 형성된 센서 칩 및 제어 회로이고, 및
도 4는 본 발명에 따라 형성된 센서 칩의 센서 영역 및 부가 가열기의 온도프로파일이다.
청구항 제 1항 또는 제 2항 또는 제 3항에 따른 본 발명에 따른 센서 칩 또는 센서 칩상의 부가 가열기의 본 발명에 따른 용도 또는 센서 칩상의 오염을 방지하기 위한 본 발명에 따른 방법은, 간단한 방식으로 센서 칩의 센서 영역의 오염이 감소되거나 또는 방지되는 장점을 가진다.
종속항에서 구현된 조치에 의해 청구항 제 1항 또는 제 2항 또는 제 3항에서 언급된 센서 칩 또는 언급된 용도 또는 언급된 방법의 바람직한 개선예 및 개선 사항이 가능하다.
박막으로부터 1mm 이하로 떨어진 부가 가열기가 바람직함으로써, 거기서 의도적으로 형성된 침전물은 센서 영역으로부터 충분히 이격되고, 센서 영역의 측정 특성에는 영향을 끼칠 수 없다.
부가 가열기는 바람직하게 U-형을 가지고, 상기 U-형은 바람직한 방법으로 센서 영역을 둘러싼다.
도 1은 본 발명에 따라 도 2a 내지 도 2c에 대한 실시예에 상응하게 개선된, 선행 기술에 따른 센서 칩을 도시한다. 상기 센서 칩의 제조 방법 및 용도는 DE 196 01 791 A1 에 자세히 기술되어 있고, 상기 공개 문서의 명시된 부분이어야 한다. 센서 칩은 예컨대 실리콘으로 이루어진 프레임 엘리먼트(3)를 가진다. 프레임 엘리먼트(3)는 리세스(5)를 가진다. 프레임 엘리먼트 상에 예컨대 SiO2로 이루어진 유전체 층(21)이 제공된다. 상기 층(21)은 전체 프레임 엘리먼트(3)에 걸쳐 연장될 수 있지만, 또한 리세스(5)의 영역에만 걸쳐 연장될 수도 있다. 상기 영역은 박막 영역(7)을 형성하고, 상기 박막 영역은 측면 상의 리세스(5)를 부분적으로 또는 완전히 제한한다. 리세스(5)의 반대편에 있는 박막 영역(7)의 측면 상에 적어도 하나의, 예컨대 3 개의 금속 스트립(19)이 제공된다. 금속 스트립(19)은 예컨대 전기 가열기 및/또는 측정 저항을 형성하고, 박막 영역(7)과 함께 센서 영역(17)을 형성한다. 센서 영역(17)은 바람직하게 보호층(23)으로 덮인다. 또한 보호층(23)은 금속 스트립(19)에 걸쳐서만 연장될 수 있다. 이제 박막 영역(7)은 일부분은 측정 신호에 의해 발생된 유전체 층(21), 박막(33), 그리고 다른 일부분은 보호층(21)으로 형성된다. 상기 센서 칩은 유동 매체에 직접 접촉되는 표면(27)을 가진다.
도 2a는 본 발명에 따라 형성된 센스 칩(1)의 제 1 실시예의 평면도를 도시한다. 센서 칩(1)은 메인 흐름 방향(42)에 대해 횡으로 배치된 길이(1)를 가진 센서 영역(17)을 포함한다. 센서 영역(17) 상에 예컨대 금속 스트립(19)이 배치되고, 상기 금속 스트립은 예컨대 적어도 하나의 전기 가열 저항(35) 및 적어도 하나의 온도 감지기(37)를 형성한다. 온도 감지기(37)는 예컨대 전기 저항이기도 하다. 이러한 경우 하나의 가열 저항(35)과 2 개의 온도 감지기(37)가 사용된다. 금속 스트립(19)은 대부분 센서 영역(17)에 배치되고, 예컨대 온도 및 유량과 같은 적어도 하나의 파라미터, 유동 매체의 결정을 위한 측정 방법에 있어서 전제 조건이 된다. 따라서 센서 영역(17)은 조절- 및 제어 회로에 연결된다. 센서 영역(17)은 예컨대 상기 박막(33)으로 형성될 수 있다. 센서 칩(1)은 적어도 하나의 파라미터의 결정을 위해 유동 매체 내에 배치되고, 상기 유동 매체는 메인 흐름 방향(42)으로 센서 칩(1) 또는 표면(27)의 옆을 또는 위를 스쳐 흐른다. 상기 유동 매체는 센서 칩(1)의 오염을 야기할 수 있는 오염물을 함유할 수 있다. 이것은 예컨대 오일 또는 물 속에 용해된 염분이다.
상기 오염물이 센서 영역(17)의 영역에 침전되는 것을 방지하기 위해, 예컨대 센서 영역(17)의 상류측에 적어도 부분적으로 부가 가열기(39)가 배치되고, 상기 부가 가열기는 도시되지 않은 전류원에 연결되며, 그의 옴 저항을 통해 가열된다. 부가 가열기(39)는 센서 영역(17)으로부터 확실히 떨어져서, 예컨대 1 mm 이하로 떨어져 배치된다. 부가 가열기(39)의 온도를 제어하기 위해 조절 회로가 필요한 것은 아니다. 횡단면 구조에서 설계된 전류 세기로 충분하다. 부가 가열기(39)는 유동 매체의 파라미터의 결정을 위한 측정 방법을 위해 사용되지 않는다. 즉 상기 부가 가열기는 상기 측정 섹션의 구성 부품이 아니다. 부가 가열기(39)는 여기서 예컨대 직선 형태를 가지고, 상기 직선은 메인 흐름 방향(42)에 대해 횡으로 예컨대 수직으로 예컨대 센서 영역(17)의 길이(1)를 지나 연장된다. 부가 가열기(39)는 사행선형 형태를 가질 수 있다. 부가 가열기(39)에 의해, 부가 가열기(39)의 영역에서, 그러나 센서 영역(17)으로부터 확실히 떨어진 곳에서 센서 칩(1)의 오염이 발생함으로써, 센서 영역(17)의 측정 특성은 영향을 받지 않게 된다. 상기 오염은 센서 영역(17)으로부터 부가 가열기(39)의 주변 영역으로 옮겨진다. 부가 가열기(39)의 영역에서 세밀한 온도 전이가 일어남으로써, 온도 기울기 와류가 발생되도록 부가 가열기(39)의 온도가 설계되고, 상기 온도 기울기 와류는 액체 또는 오일을 유동 매체로부터 거의 필터링 시키고, 즉 유동 매체의 무거운 성분은 센서 영역(17)이 아닌, 부가 가열기(39)의 영역의 표면(27)에 침전된다.
도 2b는 본 발명에 따른 센서 칩(1)의 추가 실시예의 평면도이다. 도 2a와 달리 부가 가열기(39)는 U-형태를 가진다. 부가 가열기(39)의 U-형태는 다시 센서 영역(17)으로부터 확실히 떨어져서 상류측에서 센서 칩(1) 상에 배치되고, U-형태의 2 개의 아암은 메인 흐름 방향(42)에 대해 횡으로 연장한다.
도 2c는 본 발명에 따른 센서 칩(1)의 추가 실시예의 평면도이다. 부가 가열기(39)도 U-형태를 가지며, 상기 U-형태는 센서 영역(17)을 적어도 부분적으로 둘러싼다. 부가 가열기(39)는 예컨대 센서 영역(17)으로부터 확실하게 떨어진 하류측 및 상류측 및 박막(33)의 전면에서 연장한다.
부가 가열기(39)는 예컨대 적어도 센서 영역(17)의 상류측 또는 하류측에서센서 영역(17)보다 긴 길이를 가지도록 형성된다. 이로 인해 센서 영역(17)은 그의 전체 길이(1)에 걸쳐 오염으로부터 보호된다.
저항(35,37) 및/또는 부가 가열기(39)는 바람직하게 도전 스트립으로서 형성된다.
센서 칩(1)은 예컨대 작은 플레이트형으로 형성되고, 표면(27)을 가지는데, 상기 표면에 유동 매체가 스쳐 흐른다. 센서 영역(17)과 부가 가열기(39)는 이 경우 함께 표면(27) 상에 배치된다.
도 3a는 센서 영역(17) 및 제 1 제어 회로(54)를 포함한 본 발명에 따라 형성된 센서 칩(1)을 도시하고, 상기 제 1 제어 회로는 전기 라인(51), 예컨대 본딩 와이어를 통해 센서 영역(17)에 도전 접속된다. 제 1 제어 회로(54)는 제 1 에너지원(45), 예컨대 전류- 또는 전압원을 포함하거나 또는 적어도 하나의 가열 저항(35) 또는 적어도 하나의 온도 감지기(37)를 센서 영역(17)에서 전기적으로 가열시키는 상기 에너지원에 도전 접속된다. 부가 가열기(39)는 전기 라인(51)을 통해 예컨대 별도의, 제 2 에너지원(48)에 연결된다. 제 1 제어 회로(54)와 제 2 에너지원(48) 사이에는 도전 접속이 이루어지지 않는다. 즉 제 1 제어 회로(54)는 예컨대 모터 제어를 위한 측정 신호를 제공하고, 상기 측정 신호는 부가 가열기(39)의 작동과는 무관하다. 즉 부가 가열기(39)의 작동은 측정 신호에 영향을 미치지 않는다. 제 1 에너지원(45)은 예컨대 분압기를 통해 부가 가열기(39)도 가열할 수 있지만, 부가 가열기(39)의 제 1 에너지원(45)의 제어 신호는 광범위하게 측정 방법에 대해 무관하며 또는 센서 영역(17)의 신호도 그러하다.
센서 칩(1)은 예컨대 내연 기관의 제어를 위한 측정 신호를 제공한다. 부가 가열기(39)는 예컨대 내연 기관이 작동되지 않을 경우에만 가열된다. 내연 기관의 차단 이후에야 비로소, 예컨대 크랭크 하우징으로부터 배기되는, 오일과 같은 오염물을 함유한 역류에 의한 센서 칩(1)의 오염이 가장 빈번하게 이루어진다. 이 경우 예컨대 스위치(60)가 폐쇄됨으로써 제 1 제어 회로(54)는 예컨대 부가 가열기(39)의 가열 작동을 위한 신호를 제공할 수 있고, 이로 인해 제 2 에너지원(48)이 부가 가열기(39)를 가열한다.
부가 가열기(39)의 가열을 위한 상기 제어 신호는, 내연 기관이 작동하지 않을 경우 제 2 제어 회로(57)로부터 제공될 수 있다. 제 2 제어 회로(57)는 예컨대 모터 제어기(도 3b)이다.
도 4는 부가 가열기(39)와 센서 영역(17)의 온도 프로파일을 도시한다. 도 4는 X/Y-다이어그램을 도시하고, X-축상에 길이가 메인 흐름 방향으로, 그리고 Y-축 상에 센서 칩(1)의 표면의 온도가 도시된다. 부가 가열기(39)는 예컨대 센서 영역(17)의 상류측에 배치된다. 부가 가열기(39)와 센서 영역(17) 사이에는 0이 아닌 간격이 존재한다. 센서 영역(17) 내의 저항은 예컨대 최대 온도(TM)를 가진 사다리형 온도 곡선을 발생시킬 수 있다. 부가 가열기(39)는 온도(TM)보다 더 크거나 또는 동일한, 예컨대 포물선 형태의 온도 곡선을 포함한 최대 온도(TZ)를 가진다.
화살표(62)는 표면(27) 근처에 있는 매체의 유동 곡선을 도시한다. 부가 가열기(39)는 표면(27)에서 온도의 다소 심한 갑작스런 상승을 발생시킨다. 즉 0과는 다른 큰 온도 기울기를 발생시킨다. 표면(27) 근처에 있는 유입 입자는 부가 가열기(39)의 시작 영역의 앞 또는 옆에서 표면(27)의 저압에 의해 거의 흡입되어, 부가 가열기의 영역에서 상부로 향해 상승한다. 즉 표면(27)으로부터 떨어진다. 이러한 유동 곡선에 의해 부가 가열기(39)의 영역에서 온도 기울기 와류(65)가 발생된다. 이 때문에 오염- 또는 오일 입자가 부가 가열기(39)의 영역에서 센서 칩(1)의 표면에 접착되고, 이로 인해 유동 매체가 표면에 가까운 영역에서 정화되고, 센서 영역(17)은 더 이상 오염되지 않거나 또는 전혀 오염될 수 없다.

Claims (20)

  1. 적어도 하나의 측정 방법을 위한 센서 영역을 포함하는,
    유동 매체의 적어도 하나의 파라미터를 측정하기 위한 센서 칩에 있어서,
    센서 칩(1) 상에 적어도 하나의 부가 가열기(39)가 배치되고, 상기 부가 가열기는 센서 영역(17)에 대해 이격되어 배치되고, 및
    상기 센서 영역(17)은 부가 가열기(39)에 대해 독립적으로 작동되는 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  2. 부가 가열기(39)가 유동 매체의 적어도 하나의 파라미터를 결정하기 위한 센서 칩(1) 상에 배치되고, 상기 센서 칩(1)의 센서 영역(17)에 대해 이격되어 배치되는,
    부가 가열기(39)의 영역에서 유동 매체의 온도 기울기 와류(65)의 형성을 위한 적어도 하나의 부가 가열기(39)의 용도.
  3. 센서 영역(17)을 가지고, 유동 매체 내에 배치되어 있는, 센서 칩(1) 상의 오염을 방지하기 위한 방법에 있어서,
    적어도 하나의 부가 가열기(39)가 그의 옴 저항에 의해 전기적으로 가열됨으로써, 부가 가열기(39)의 영역에서 온도 기울기 와류가 형성되고, 상기 온도 기울기 와류는 센서 영역(17)의 영역으로부터 떨어진 곳에 있는 부가 가열기(39)의 영역에서 유동 매체의 오염물의 침전을 야기하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 센서 영역(17)이 제 1 제어 회로(54)에 도전 접속되고, 상기 제 1 제어 회로는 부가 가열기(39)의 작동에 대해 독립적인 측정 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1 제어 회로(54)는 제 1 에너지원(45)을 제어하고, 및
    상기 부가 가열기(39)는 별도의, 제 2 에너지원(48)에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  6. 제 1항, 제 4항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 부가 가열기(39)가 적어도 부분적으로 1mm 이하로 센서 영역(17)에 대해 이격되는 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  7. 제 1항 또는 제 4항 내지 제 6항 중 어느 한 항 또는 다수 항에 있어서,
    상기 부가 가열기(39)가 U-형을 가지는 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 U-형은 상기 센서 영역(17)을 적어도 부분적으로 둘러싸는 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 유동 매체는 메인 흐름 방향(42)을 가지고, 및
    상기 부가 가열기(39)는 적어도 부분적으로 메인 흐름 방향(42)으로 센서 영역(17) 앞에 배치되는 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 센서 영역(17)이 박막(33)을 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 센서 영역(17)에 적어도 하나의 가열 저항(35) 및 적어도 하나의 온도 감기지(37)가 배치되고, 이들(35,37)은 대부분 센서 영역(17) 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 유동 매체는 메인 흐름 방향(42)을 가지고, 및
    상기 부가 가열기(39)는 적어도 부분적으로 메인 흐름 방향(42)으로 상시 센서 영역(17)의 뒤에 배치되는 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 유동 매체는 메인 흐름 방향(42)을 가지고, 및
    상기 센서 영역(17)은 메인 흐름 방향(42)에 대해 횡으로 길이(1)를 가지고, 및
    상기 부가 가열기(39)는 상기 메인 흐름 방향(42)에 대해 횡으로 배치되어 길이(1)보다 더 긴 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 저항(35) 또는 온도 감지기(37)가 도체 스트립으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  15. 제 1항, 제 6항 또는 제 7항 중 어느 한 항 또는 다수 항에 있어서,
    상기 부가 가열기(39)가 도체 스트립으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 칩.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 센서 칩(1)이 적어도 하나의 표면(27)을 가지고, 상기 표면에 상기 유동 매체가 스쳐 흐르고, 및
    상기 센서 영역(17)과 부가 가열기(39)가 함께 표면(27) 상에 배치되는 것을특징으로 하는 센서 칩.
  17. 제 3항에 있어서,
    상기 센서 칩(1)이 내연 기관의 제어를 위한 측정 신호를 제공하고, 및
    상기 부가 가열기(39)는 내연 기관이 작동되지 않는 경우에만 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 부가 가열기(39)의 가열 작동을 위한 신호가 센서 칩(1)의 제 1 제어 회로(54)로부터 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 17항에 있어서,
    상기 부가 가열기(39)의 가열 작동을 위한 신호가 제 2 제어 회로(57)로부터 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 17항에 있어서,
    상기 제 2 제어 회로(57)가 모터 제어기인 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020027014559A 2001-03-13 2002-03-13 부가 가열기를 포함한 센서 칩, 센서 칩상의 오염을방지하기 위한 방법 및 센서 칩상의 부가 가열기의 용도 KR20020093099A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10111840.6 2001-03-13
DE10111840A DE10111840C2 (de) 2001-03-13 2001-03-13 Verfahren zur Vermeidung von Verschmutzungen auf einem Sensorchip und Verwendung eines Zusatzheizers auf einem Sensorchip
PCT/DE2002/000894 WO2002073140A2 (de) 2001-03-13 2002-03-13 Sensorchip mit zusatzheizer bzw. verfahren zur vermeidung von verschmutzungen auf einem sensorchip bzw. verwendung eines zusatzheizers auf einem sensorchip

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020093099A true KR20020093099A (ko) 2002-12-12

Family

ID=7677157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020027014559A KR20020093099A (ko) 2001-03-13 2002-03-13 부가 가열기를 포함한 센서 칩, 센서 칩상의 오염을방지하기 위한 방법 및 센서 칩상의 부가 가열기의 용도

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6845660B2 (ko)
EP (1) EP1370835A2 (ko)
JP (1) JP2004518982A (ko)
KR (1) KR20020093099A (ko)
CN (1) CN1278106C (ko)
DE (1) DE10111840C2 (ko)
WO (1) WO2002073140A2 (ko)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3966467B2 (ja) * 2002-12-27 2007-08-29 株式会社山武 熱式流量計および喫煙装置
US7668667B2 (en) * 2005-03-07 2010-02-23 Microstrain, Inc. Miniature stimulating and sensing system
DE102005016447A1 (de) * 2005-04-11 2006-10-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Betrieb von Heißfilmluftmassenmessern
DE102005016449A1 (de) * 2005-04-11 2006-10-12 Robert Bosch Gmbh Beheizter Heißfilmluftmassenmesser
DE102005028142A1 (de) * 2005-06-17 2007-01-18 Robert Bosch Gmbh Luftmassenmesser mit Zusatzheizelement zur Verringerung der Oberflächenkontamination
DE102005028140B4 (de) 2005-06-17 2018-10-11 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Reinigung des Messbereiches eines Heißfilmluftmassenmessers
DE102005028143A1 (de) * 2005-06-17 2006-12-28 Robert Bosch Gmbh Thermischer Luftmassenmesser mit geringer Kontaminationsempfindlichkeit
DE102005038598A1 (de) 2005-08-16 2007-02-22 Robert Bosch Gmbh Heißfilmluftmassenmesser mit Strömungsablösungselement
DE102005057575B4 (de) 2005-12-02 2022-10-20 Robert Bosch Gmbh Luftmassenmesser mit elektrischer Ölabscheidung und Verfahren zur Messung eines Luftmassenstroms einer Verbrennungskraftmaschine unter Verwendung eines solchen Luftmassenmessers
DE102005058832B4 (de) 2005-12-09 2021-03-18 Robert Bosch Gmbh Beheizter H2-Sensor
DE102005058830B4 (de) 2005-12-09 2021-03-04 Robert Bosch Gmbh Sensor mit Thermogradientenpumpe
JP4859107B2 (ja) * 2006-03-15 2012-01-25 株式会社山武 熱式流量計
DE102006045658B4 (de) 2006-09-27 2023-05-04 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Messung fluider Medien
DE102006045656A1 (de) 2006-09-27 2008-04-03 Robert Bosch Gmbh Strömungsdynamisch verbesserter Steckfühler
DE102006045657A1 (de) 2006-09-27 2008-04-03 Robert Bosch Gmbh Steckfühler mit optimiertem Strömungsauslass
EP2128572A1 (en) * 2007-02-28 2009-12-02 Yamatake Corporation Flow sensor
KR101114303B1 (ko) * 2007-02-28 2012-03-14 가부시키가이샤 야마다케 센서, 센서의 온도제어방법 및 이상회복방법
DE102007014761B4 (de) * 2007-03-28 2022-05-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Betreiben eines sammelnden Partikelsensors und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP4882920B2 (ja) * 2007-08-22 2012-02-22 株式会社デンソー 空気流量測定装置
DE102008020549A1 (de) * 2008-04-24 2009-10-29 Continental Teves Ag & Co. Ohg Sensoranordnung
DE102008052394B4 (de) * 2008-10-21 2014-07-31 Continental Automotive Gmbh Massenstromsensor und Kraftfahrzeug mit dem Massenstromsensor
DE102009056331B4 (de) * 2009-12-01 2014-10-16 Continental Automotive Gmbh Wasserstoffsensor sowie Erfassungsverfahren einer Wasserstoffkonzentration
DE102011089898A1 (de) * 2011-12-23 2013-06-27 Continental Automotive Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Luftmassensensors
DE112012005695B4 (de) 2012-01-18 2021-10-07 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Thermischer Durchflussmesser
DE102012102094A1 (de) * 2012-03-13 2013-09-19 Pierburg Gmbh Vorrichtung zur Bestimmung eines Gasmassenstroms sowie Verfahren zur Rekalibrierung einer derartigen Vorrichtung
DE102012219304A1 (de) * 2012-10-23 2014-04-24 Continental Automotive Gmbh Luftmassenmesser
DE102013215522A1 (de) 2013-08-07 2015-02-12 Robert Bosch Gmbh Sensorvorrichtung zur Bestimmung wenigstens eines Parameters eines durch einen Kanal strömenden fluiden Mediums
KR101619609B1 (ko) * 2014-09-05 2016-05-18 현대자동차주식회사 디젤 하이브리드 차량의 공기유량센서 칩 히팅 제어 장치
DE102014226079A1 (de) 2014-12-16 2016-06-16 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Diagnose einer Zusatzheizfunktion eines Luftmassensensors
CN105806433B (zh) * 2014-12-29 2019-04-30 深圳万讯自控股份有限公司 一种气体介质流量测量中探头除液除冰的方法及装置
DE102015206702A1 (de) 2015-04-15 2016-10-20 Robert Bosch Gmbh Sensor zur Bestimmung wenigstens eines Parameters eines durch einen Kanal strömenden fluiden Mediums
DE102017216656A1 (de) * 2017-09-20 2019-03-21 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Steuern eines Heizelements eines Sensorelements eines Luftmassensensors für ein Fahrzeug und Luftmassensensorsystem für ein Fahrzeug
EP3671139A1 (en) 2018-12-20 2020-06-24 Sensirion AG Detection of contaminations on a sensing surface of a thermal sensor
RU2701175C1 (ru) * 2019-03-21 2019-09-25 Виктор Иванович Чудин Способ и устройство очистки счётчика количества жидкости от асфальтосмолопарафиновых отложений
CN113532561A (zh) * 2020-04-16 2021-10-22 纬湃汽车电子(长春)有限公司 气体流量传感器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2900210A1 (de) 1979-01-04 1980-07-17 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur messung der masse eines stroemenden mediums
DE3135793A1 (de) 1981-09-10 1983-03-24 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren und vorrichtung zur messung der masse eines in einem stroemungsquerschnitt stroemenden pulsierenden mediums
DE3606853A1 (de) * 1986-03-03 1987-09-10 Vdo Schindling Messsonde
JPS63177023A (ja) * 1987-01-19 1988-07-21 Nippon Soken Inc 流量センサ
US4888988A (en) * 1987-12-23 1989-12-26 Siemens-Bendix Automotive Electronics L.P. Silicon based mass airflow sensor and its fabrication method
DE3915871C2 (de) * 1989-05-16 1995-06-08 Pierburg Gmbh Vorrichtung zur Ansaugluftmassenstrommessung
DE4219454C2 (de) 1992-06-13 1995-09-28 Bosch Gmbh Robert Massenflußsensor
DE19527861B4 (de) * 1995-07-29 2010-09-30 Robert Bosch Gmbh Massenflusssensor sowie Verfahren zur Herstellung
DE19601791A1 (de) * 1996-01-19 1997-07-24 Bosch Gmbh Robert Sensor mit einer Membran und Verfahren zur Herstellung eines Sensors mit einer Membran
AU3162297A (en) * 1996-06-26 1998-01-14 Simon Fraser University Accelerometer without proof mass
US6182509B1 (en) * 1996-06-26 2001-02-06 Simon Fraser University Accelerometer without proof mass
JP3366818B2 (ja) 1997-01-16 2003-01-14 株式会社日立製作所 熱式空気流量計
DE59701822D1 (de) * 1997-02-14 2000-07-06 Fraunhofer Ges Forschung Strömungssensorkomponente
GB9904429D0 (en) * 1999-02-26 1999-04-21 Delphi Tech Inc Mass flow with air temperature sensor

Also Published As

Publication number Publication date
US6845660B2 (en) 2005-01-25
EP1370835A2 (de) 2003-12-17
JP2004518982A (ja) 2004-06-24
CN1459020A (zh) 2003-11-26
DE10111840C2 (de) 2003-06-05
DE10111840A1 (de) 2002-10-02
WO2002073140A2 (de) 2002-09-19
US20030154807A1 (en) 2003-08-21
WO2002073140A3 (de) 2002-10-31
CN1278106C (zh) 2006-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20020093099A (ko) 부가 가열기를 포함한 센서 칩, 센서 칩상의 오염을방지하기 위한 방법 및 센서 칩상의 부가 가열기의 용도
KR960005639B1 (ko) 흐르는 매체의 유량 측정장치
US7137298B2 (en) Thermal air flowmeter
US10694585B2 (en) Planar heating element with a PTC resistive structure
KR960015067B1 (ko) 실리콘 베이스 질량 기류 센서 및 그 조립방법
US4912975A (en) Direct-heated flow measuring apparatus having improved response characteristics
US6988399B1 (en) Physical quantity detecting device having second lead conductors connected to the electrodes and extending to the circumference of the substrate
EP0536243A1 (en) Thin-film airflow sensor with additional heating element
EP0395721A1 (en) CONTROL AND DETECTION CIRCUITS FOR MASS AIR FLOW SENSORS.
JPH0926343A (ja) 流動媒体の質量測定装置
RU2305258C2 (ru) Кристалл с датчиком, имеющий поверхности с электрическим потенциалом, и способ предотвращения загрязнения кристалла с датчиком (варианты)
US7721599B2 (en) Reduced resistance thermal flow measurement device
US20080016958A1 (en) Thermal type flow rate measuring apparatus
US5375466A (en) Measuring element
KR930011169B1 (ko) 유동매체 질량 측정장치
JP2021136448A (ja) 自己制限的ヒータ
KR0171192B1 (ko) 공기량 측정 장치 및 그 제조 방법
GB2210170A (en) Heatable electrical resistance for flow meters
JPS62263417A (ja) 熱式流量センサ
US6153861A (en) Heating element for lambda sensors
KR20200058609A (ko) 특히 차량 내연 기관의 오일-물 열교환기
US6250150B1 (en) Sensor employing heating element with low density at the center and high density at the end thereof
JPH04232472A (ja) 流速計
JPH09304147A (ja) 熱式空気流量計用測定素子及びそれを含む熱式空気流量計
RU2171970C2 (ru) Устройство для измерения массового расхода потока текучей среды

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid