KR20020092726A - 포지티브 포토레지스트 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 감도 및 열적 안정성이 개선된 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공한다:
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서, R1∼ R10은 각각 동일하거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 알콕시기이고; ｎ은 1 내지 20의 정수이다)

Description

포지티브 포토레지스트 조성물{POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION}
본 발명은 포지티브 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 감도가 뛰어나며 동시에 열에 대한 안정성, 해상도 및 패턴형상이 우수한 감광성 수지 조성물을 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 열에 대한 안정성이 뛰어나며 양호한 패턴 형상을 얻을 수 있으며 고감도, 고해상도를 갖는다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 고집적도의 집적회로 제작용 포토레지스트로 사용할 수 있다.
집적회로 제작에 적용되는 감광제에 의해 형성된 패턴은 에칭이나 이온주입 등의 공정에서 마스킹제로 사용되는데, 이때의 가혹한 조건을 견디게 하기 위해 감광제의 패턴을 경화시켜 주어야 한다.
이때 흔히 사용되는 방법은 현상 공정 후에 하드베이크로 열처리하여 주는 방법이 있다.
상기 감광제를 높은 열로 가열하면 수지간에 가교결합이 발생하여 수지의 분자량이 커지고 내화학성, 내열성 등이 좋아진다.
그러나, 상기 방법에서의 문제는 너무 높은 온도에서 처리하거나 수지의 열적성질이 약하면 감광제에 의한 패턴이 미처 경화되기 전에 흘러버리게 되어 패턴형성에 악영향을 미치며, 또한 에칭이나 이온주입 등의 강한 공정조건에서 쉽게 분해되어 도포되어진 감광제 표면이 내부의 급증하는 증기에 의하여 발포되거나 탄화되어 진공 챔버내에 무수한 입자를 내보내 진공도를 저하하여 이온주입량의 크기제어 및 그 균일성을 상실하게 한다.
따라서 감도가 뛰어나며 동시에 열에 대한 안정성, 해상도, 현상성 및 패턴형상이 우수한 감광성 수지 조성물을 포함하는 새로운 감광제가 요구되어지고 있다.
본 발명은 상기 종래 기술에서의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명자들은 특정 감광성 수지 조성물을 사용하면 감도가 뛰어나며 동시에 열에 대한 안정성과 해상도, 현상성 및 패턴 형상이 우수한 포지티브 포토레지스트 조성물을 얻을 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은 감도가 뛰어나며 열에 대한 안정성과 해상도가 우수한 포토레지스트 조성물을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
도 1은 실시예 1 내지 4, 및 비교예 2에서 얻어진 패턴형상(A) 및 비교예 1에서 얻어진 패턴형상(B)을 도시한 것이다.
도 2는 실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 내지 2에서 얻어진 115 내지 135 ℃의 열적 안정성 평가항목에서 얻어진 패턴형상(a, b, c)을 도시한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
a) 알칼리 가용성 수지;
b) 감광성 화합물인 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및
c）하기 화학식 1로 표시되는 첨가제
를 포함하는 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공한다:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, R1∼ R10은 각각 동일하거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 알콕시기이고; ｎ은 1 내지 20의 정수이다.
바람직하게는 본 발명은
a) 알칼리 가용성 수지 100 중량부;
b) 감광성 화합물인 1,2-퀴논디아지드 화합물 2 내지 50 중량부; 및
c）상기 화학식 1로 표시되는 첨가제 5 내지 60 중량부
를 포함하는 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 기재의 포지티브 포토레지스트 조성물을 포함하는 포지티브 포토레지스트 코팅액 조성물을 제공한다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
a) 알칼리 가용성 수지
본 발명에서 사용되는 알칼리 가용성 수지로는 노볼락 수지가 바람직하며, 이는 페놀류와 알데히드류를 축합함으로써 얻어진다.
상기 알데히드와 축합반응을 하는 페놀류로는 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-키시레놀, 2,5-키시레놀, 3,4-키시레놀, 3,5-키시레놀, 2,3,5-트리메틸페놀-키시레놀 등을 사용하며, 이들을 단독 혹은 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
또한, 상기 페놀류와 축합시키는 알데히드류는 포름알데히드, 트리옥산, 파라포름알데히드, 벤즈알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 페닐아세트알데히드, α 또는 β- 페닐 프로필알데히드, o 또는 m 또는 p-히드록시벤즈알데히드 등을 사용할 수 있다. 상기 알데히드 사용량은 페놀류 1 mol에 대하여 0.7 ∼ 3 mol로 사용하는 것이 좋다.
상기 페놀류와 알데히드류와의 축합 반응에는 산성 촉매가 사용되며, 이러한산성 촉매로는 산, 초산, 황산, 옥살산, p-톨루엔술폰산 등을 사용할 수 있다. 상기 산성 촉매의 사용량은 페놀류 1 mol에 대하여 1 ×10-5∼ 5 ×10-1mol이 좋다.
본 발명에서 반응 용매로는 물이 사용되지만, 이에 한정되지 않으며, 반응 초기 불균일계가 되는 경우에는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 프로필렌 글리콜모노메틸에테르 등의 알콜류; 테트라히드로퓨란, 다이옥산 등의 환상 에테르류; 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵탄온 등의 케톤류를 사용하여도 좋다. 상기 반응용매는 반응 원료 100 중량부에 대해 20 ∼ 10,000 중량부의 양으로 사용하며, 축합반응시 반응 온도는 원료의 반응성에 의해서 조절할 수 있지만 바람직하게는 10 ∼ 200 ℃가 좋다. 축합 반응이 종료된 후에 잔류해 있는 반응원료와 산성촉매, 반응 용매 등을 제거하기 위해 130 ∼ 230 ℃까지 온도를 상승시킨 후, 감압하에 제거하여 노볼락 수지를 얻는다.
이렇게 얻어진 본 발명에 사용하는 노볼락 수지의 중량평균분자량은 2,000 ∼ 20,000인 것이 바람직하며, 특히 3,000 ∼ 15,000인 것이 좋다.
또한, 고분자량의 노볼락 수지를 얻기 위해서 에틸렌글리콜메틸아세테이트, 3-메톡시프로피온산메틸, 메틸이소부틸케톤, 2-헵탄온, 다이옥산, 메탄올, 초산에틸 등의 양용매에 페놀류와 알데히드류를 용해한 후 n-헥산, n-헵탄 등의 빈용매를 혼합하여 석출된 수지 용액 층을 분리하여 고분자량의 노볼락 수지를 얻어 사용하면 좋다.
ｂ) 1,2-퀴논디아지드 화합물
본 발명의 조성물에는 감광성 화합물로 1,2-퀴논디아지드 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 1,2-퀴논디아지드화합물로는 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 또는 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스터 등의 1,2-퀴논디아지드 화합물을 사용한다. 상기 퀴논디아지드화합물은 나프토퀴논디아지드술폰산할로겐 화합물과 페놀 화합물을 약염기하에 반응시켜 얻어진다. 여기서 페놀 화합물로는 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,3,4,4-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,2,4-펜타히드록시벤조페논, 트리스 4-히드록시 페닐 메탄, 1,3,5-트리스 4- 히드록시 a-디메틸벤질벤젠, 1,1-비스 4-히드록시페닐-1-4-1-4-히드록시페닐 1-메틸에틸 페닐 에탄, 2-(3,4-디히드록시페닐)-2-(4-히드록시페닐)프로판 등을 사용할 수 있다.
상기 1,2-퀴논디아지드 화합물의 사용량은 상기 a)의 알칼리 가용성 수지 고형분 100 중량부에 대하여 2 내지 50 중량부가 바람직하다.
ｃ）하기 화학식 1로 표시되는 첨가제
본 발명의 조성물에 있어서, 첨가제로 사용되는 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 폴리 하이드록시 스타이렌 유도체이다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, R1∼ R10은 각각 동일하거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 알콕시기이고; 및 ｎ은 1 내지 20의 정수이다.
본 발명에서 사용되는 상기 화학식 1로 표시되는 첨가제는 평균 분자량이 500 ∼ 10,000인 것이 바람직하며, 특히 1,500 ∼ 8,000인 것이 좋다.
본 발명의 조성물에 있어서, 상기 c)의 화학식 1로 표시되는 화합물의 R1∼ R10이 전부 메틸기인 것이 보다 바람직하다.
이러한 상기 화학식 1로 표시되는 첨가제의 사용량은 상기 a)의 알칼리 가용성 수지(바람직하게 노볼락 수지) 100 중량부에 대하여 5 내지 60 중량부로 사용하는 것이 바람직하며, 이때 지나치게 많은 양을 배합할 시에는 패턴형상에 나쁜 영향을 끼치게 된다.
또한, 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물에는 필요에 따라 증감제, 또는 계면활성제 등의 각종 배합제를 더욱 포함하여 배합할 수 있다.
상기 증감제로는 노볼락 수지의 알칼리 가용성을 촉진하기 위해 저분자량의 페놀 화합물을 첨가할 수 있다. 이런 페놀 화합물은 벤젠 환수가 3 ∼ 5의 페놀 화합물로 평균분자량은 300 ∼ 4,000인 것이 좋다. 바람직하게는 하기의 화학식 2 내지 5로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 사용할 수 있다.
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
상기 화학식 2 내지 5에서,
R1∼ R6은 각각 동일하거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 또는 알콕시기이며; a, b, c, x, y, z는 0, 1, 2 또는 3인 정수이다.
이러한 페놀 화합물의 사용량은 a)의 알칼리 가용성 수지 고형분 100 중량부에 대하여 2 내지 50 중량부가 바람직하며, 이때 지나치게 많은 양을 배합할 경우 기판과의 밀착성이 떨어진다.
또한, 본 발명의 조성물에는 도포성이나 현상성을 향상시키기 위해 계면 활성제를 첨가할 수 있으며, 이런 계면 활성제로서는 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, F171, F172, F173 (회사명 ; 대일본잉크사) FC430, FC431 (회사명 ; 쓰미또모트리엠사) KP341(회사명 ; 신월화학공업사) 등을 들 수 있다. 이들 계면 활성제의 사용량은 상기 알칼리 수지 고형분 100 중량부에 대하여 0.001 내지 2 중량부로 사용하는 것이 좋다.
한편, 본 발명은 상기 a) 알칼리 가용성 수지, b) 감광성 화합물인 1,2-퀴논디아지드 화합물, 및 c) 상기 화학식 1로 표시되는 첨가제를 포함하는 포지티브 포토레지스트 조성물; 및 용매를 포함하는 포지티브 포토레지스트 코팅액 조성물을 제공한다.
이러한 본 발명의 포토레지스트 코팅액 조성물에는 필요에 따라 각종 첨가제를 배합하여 제조할 수 있으며, 바람직하게는 전체 레지스트 코팅액 100 중량부에 대하여 고형분 농도가 20 ∼ 50 중량%가 되도록 제조한다. 이후, 이를 0.2 um 필터로 여과하여 사용한다.
본 발명에서 사용되는 용매로는 에틸렌글리콜모노메틸에틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에틸, 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 2-히드록시프로피온에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산에틸, 에톡시초산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시 2- 메칠프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시 2-메틸프로피온산에틸, 초산에틸, 초산부틸 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명에서는 상기 레지스트 코팅 용액을 실리콘 웨이퍼나 알루미늄 기판에 스핀 코터를 이용하여 도포하여 레지스트막을 형성한다. 이때 잔류 용제를 제거하기 위해 80 ∼ 110 ℃로 가열한다. 그 후 g/i-line 방사선을 조사하고 다시 90 ∼ 140 ℃정도로 가열 공정을 거친 후 현상액으로 현상하여 패턴을 형성한다.이런 가열 처리 공정을 수행하여 감도, 해상도 향상의 효과를 개선 할 수 있다.
상기 현상액으로는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 테트라메틸암모늄히드록시드 등의 알칼리성 화합물을 0.1 ∼ 10%의 농도로 용해시킨 알칼리 수용액을 사용한다. 또한, 이런 현상액에 메탄올, 에탄올 등과 같은 수용성 유기용매 및 계면활성제를 적정량 첨가할 수 있다. 그리고, 이러한 알칼리성 수용액으로 이루어지는 현상액으로 현상한 뒤에는 초순수로 세정한다.
이하 본 발명을 하기 실시예 및 비교예를 참조로 하여 설명한다. 그러나, 이들 예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1]
알칼리 가용성 수지(A1)의 합성
m-크레졸73.64 g
p-크레졸58.91 g
2,3,5-트리메틸 페놀37.09 g
37% 포름알데히드 수용액85.14 g
옥살산2.84 g
PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)30 g
상기 화합물들을 4구 플라스크에 넣고 교반하면서 온도를 100 ℃로 상승시켜 4시간 동안 축합시켰다. 반응 후 180 ℃까지 온도를 올려 감압하여 잔존하는 반응 원료 및 반응 용매를 제거하여 수지를 얻었다. 이렇게 제조된 수지를 수지 'a1'이라고 한다.
상기에서 얻은 수지 a1 100 g을 4구 플라스크에 넣은 후 톨루엔 900 g을 넣고 온도를 80 ℃까지 상승시켜 교반하여 수지를 충분히 녹인 후 상온으로 냉각하여 2층으로 분리하였다. 하층을 취득하여 에틸락테이트(EL) 300 g을 넣어 80 ℃까지 상승시켜 감압 증류하여 잔존하는 톨루엔을 제거하고 고형분(TS) 30 중량%의 알칼리 수지(A1)를 회수하였다.
[실시예 2]
알칼리 가용성 수지(A2)의 합성
m-크레졸58.91 g
p-크레졸73.64 g
2,3,5-트리메틸 페놀37.09 g
37% 포름알데히드 수용액85.14 g
옥살산2.84 g
PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)30 g
상기 화합물들을 4구 플라스크에 넣고 교반하면서 온도를 100 ℃로 상승시켜 4시간 동안 축합시켰다. 반응 후 180 ℃까지 온도를 올려 감압하여 잔존하는 반응 원료 및 반응 용매를 제거하여 수지를 얻었다. 이렇게 제조된 수지를 수지 'a2'라고 한다.
상기에서 얻은 수지 a2 100 g을 4구 플라스크에 넣은 후 톨루엔 900 g을 넣고 온도를 80 ℃까지 상승시켜 교반하여 수지를 충분히 녹인 후 상온으로 냉각하여2층으로 분리하였다. 하층을 취득하여 에틸락테이트(EL) 300 g을 넣어 80 ℃까지 상승시켜 감압 증류하여 잔존하는 톨루엔을 제거하고 고형분 30 중량%의 알칼리 수지(A2)를 회수하였다.
[실시예 3]
퀴논디아지드 화합물의 합성
하기 화학식 6의 화합물20 g:
[화학식 6]
1,2-나프토 퀴논디아지드 5-술폰산클로라이드32.10 g
다이옥산208.40 g
상기 화합물들을 3구 플라스크에 투입하고 상온에서 교반하여 용해시켰다. 충분히 용해시킨 후, 트리에틸아민을 다이옥산에 20% 희석한 용액 72.56 g을 30분간 천천히 떨어뜨린 후 3시간 동안 반응을 시켰다. 그 후 석출된 트리에틸아민염산염을 여과하여 제거하고 여과액을 약산 수용액에 천천히 떨어뜨려 반응 생성물을 석출시켰다. 석출된 반응생성물을 초순수로 충분히 세정한 후 여과하고 40 ℃ 오븐에서 건조하여 퀴논디아지드 화합물을 얻었다.
[실시예 4 내지 7, 비교예 1 내지 2]
상기 실시예 1 내지 2에서 제조된 알칼리 가용성 수지 A1과 A2, 상기 실시예 3에서 제조된 퀴논디아지드 화합물, 하기 화학식 1a로 표시되는 첨가제, 및 증감제를 하기 표 1에 나타낸 바와 같은 함량으로 용매(에틸락테이트)와 혼합하여 균일하게 녹인 후, 0.2 um 필터로 여과하여 고형분 농도가 30 중량%인 실시예 4 내지 7, 및 비교예 1 내지 2의 감광성 조성물 코팅 용액을 제조하였다. 이 용액을 실리콘 웨이퍼상에 스핀 코터를 이용하여 도포한 다음, 90 ℃ 핫플레이트(hot plate)상에서 60 초간 프리 베이크를 하여 1.7 um의 막을 형성시켰다.
이때, c)의 하기 화학식 1a로 표시되는 첨가제는 다음과 같다.
[화학식 1a]
상기 화학식 1a 에서, n은 5이다.
또한, 증감제로는 하기 화학식 5a의 화합물을 사용하였다.
[화학식 5a]
구 분 조성 성분 (중량부)
a) 알칼리 수지(고형분) b) 퀴논 디아지드 화합물 c) 첨가제 d) 증감제
A1 A2
실시예 1 100 - 40 40 19
실시예 2 - 100 40 40 14
실시예 3 100 - 40 60 -
실시예 4 - 100 40 60 -
비교예 1 100 - 40 - 19
비교예 2 - 100 40 - 14
상기에서 얻어진 막을 니콘사의 NSR-2205i11D(NA=0.57) 축소 투시형 노광기로 파장 365 nm로 노광을 한 후, 110 ℃ 핫플레이트(hot plate)상에서 60 초간 포스트 베이크를 하였다. 그 후 2.38 % 테트라메틸하이드록시암모늄 수용액으로 현상하였다. 현상 후 초순수로 세정 건조하여 패턴을 형성하였다. 이렇게 얻어진 패턴의 특성을 다음과 같이 평가하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다:
감도: 0.8 um L/S 패턴을 1대1에 해상할 때의 감도
해상도: 0.8 um L/S 패턴을 1대1에 해상할 때의 에너지를 조사하여 형성할 수 있는 최소 치수
패턴 형상: 주사현미경으로 0.8 um 패턴의 단면을 관찰
열적 안정성: 얻어진 0.8 um L/S 패턴을 핫플레이트(hot plate)상에서 각각 115 ℃, 120 ℃, 125 ℃, 130 ℃, 135 ℃의 온도에서 60 초간 하드 베이크한 후의 단면을 관찰하였고, 각 온도에서의 열적 안정성 평가항목에서 얻어진 패턴형상은 도 2에 도시된 바와 같은 패턴형상(a, b, c)에 의한 것이다.
구 분 감도(Eop:(msec)) 해상력(um) 패턴형상 열적안정성 (℃)
115 120 125 130 135
실시예 1 150 0.5 A ａ ａ ｂ ｂ ｂ
실시예 2 150 0.5 A ａ ａ ａ ｂ ｂ
실시예 3 165 0.5 A ａ ａ ａ ａ ｂ
실시예 4 165 0.5 A ａ ａ ａ ａ ｂ
비교예 1 345 0.6 B ａ ｂ ｃ ｃ ｃ
비교예 2 345 0.5 A ａ ｂ ｃ ｃ ｃ
상기 표 2에서 보면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 경우, 열적 안정성이 매우 뛰어나며, 양호한 패턴 형상과 고감도, 고해상도를 보였다. 이에 반해, 비교예 1 내지 2의 경우 감도, 해상력은 양호한 반면, 패턴 형상이 만족스럽지 못하였고 또한 열적 안정성이 매우 불량하였다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 감광성 수지조성물은 열적 안정성이 뛰어나며 감도, 해상도, 현상성 및 패턴 형상이 우수하여 고집적도의 집적회로 제작용 포토레지스트로 사용하기에 매우 적합하다.

Claims (11)

  1. a) 알칼리 가용성 수지;
    b) 감광성 화합물인 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및
    c）하기 화학식 1로 표시되는 첨가제
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물:
    [화학식 1]
    상기 화학식 1에서,
    R1∼ R10은 각각 동일하거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 알콕시기이고; ｎ은 1 내지 20의 정수이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 포지티브 포토레지스트 조성물이
    a) 알칼리 가용성 수지 100 중량부;
    b) 감광성 화합물인 1,2-퀴논디아지드 화합물 2 내지 50 중량부; 및
    c）상기 화학식 1로 표시되는 첨가제 5 내지 60 중량부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 a)의 알칼리 가용성 수지가 평균 분자량 2,000 내지 20,000의 노볼락 수지인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 b)의 1,2-퀴논디아지드 화합물이 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르 또는 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 c)의 화학식 1로 표시되는 화합물의 R1∼ R10이 전부 메틸기인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 포지티브 포토레지스트 조성물이 증감제 2 내지 50 중량부 또는 계면활성제 0.001 내지 2 중량부를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 증감제가 하기 화학식 2 내지 5로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 벤젠 환수가 3 내지 5의 페놀 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물:
    [화학식 2]
    [화학식 3]
    [화학식 4]
    [화학식 5]
    상기 화학식 2 내지 5에 있어서,
    R1∼ R6은 각각 동일하거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 알콕시기이고; a, b, c, x, y, z는 0, 1, 2 또는 3인 정수이다.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항의 어느 한 항의 포지티브 포토레지스트 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 코팅액 조성물.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 포토레지스트 코팅액 조성물이 용매를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅액 조성물.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 용매가 에틸렌글리콜모노메틸에틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에틸, 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 2-히드록시프로피온에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산에틸, 에톡시초산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시 2- 메칠프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시 2-메틸프로피온산에틸, 초산에틸 및 초산부틸로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 코팅액 조성물.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 포토레지스트 코팅액 조성물은 전체 코팅액 100 중량부에 대하여 고형분 농도가 20 ∼ 50 중량%인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 코팅액 조성물.
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