KR20020088276A - 다결정화 방법과 이를 이용한 박막트랜지스터 제조방법 및액정표시장치 제조방법 - Google Patents
다결정화 방법과 이를 이용한 박막트랜지스터 제조방법 및액정표시장치 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020088276A KR20020088276A KR1020010027623A KR20010027623A KR20020088276A KR 20020088276 A KR20020088276 A KR 20020088276A KR 1020010027623 A KR1020010027623 A KR 1020010027623A KR 20010027623 A KR20010027623 A KR 20010027623A KR 20020088276 A KR20020088276 A KR 20020088276A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- forming
- thin film
- amorphous silicon
- substrate
- Prior art date
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 84
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 139
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 37
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 27
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 35
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 16
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910005881 NiSi 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTYGNUPYSXKGJ-UHFFFAOYSA-N [Si+4].[Si+4].[Ni++] Chemical compound [Si+4].[Si+4].[Ni++] KMTYGNUPYSXKGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum (Al) Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
Claims (14)
- 절연기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘층 상에 100∼300℃의 온도 범위하에서 금속박막층을 형성하는 단계;상기 기판의 미반응 금속을 제거하는 단계;상기 금속박막층에 전계를 인가하는 동시에 열처리 공정을 수행하여 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정화 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 미반응 금속은 불산과 과산화수소의 혼합산을 이용하여 추출해 내는 것을 특징으로 하는 다결정화 방법.
- 제 1 항에 있어서, 금속박막층의 두께는 1.25∼100Å 정도인 것을 특징으로 하는 다결정화 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속박막층은 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 백금(Pt) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정화 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전계를 인가하는 전극은 몰리브덴(Mo), 그라파이트(Graphite) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정화 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘을 결정화하는 단계는,상기 금속박막층에 인가되는 전압이 30∼100V/cm, 인가하는 시간은 15분∼2시간, 열처리 온도는 300∼580℃의 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정화 방법.
- 제 1 기판과 제 2 기판을 준비하는 공정과,상기 제 1 기판 상에 버퍼층을 형성하는 공정과,상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 공정과,상기 비정질 실리콘층 상에 100∼300℃의 온도 범위하에서 금속박막층을 형성하는 공정과,상기 기판의 미반응 금속을 제거하는 공정과,상기 금속박막층에 전계를 인가함과 동시에 기판을 열처리하여 비정질 실리콘층을 결정화하는 공정과,상기 비정질 실리콘층을 결정화한 후, 섬 모양의 반도체층을 형성하는 공정과,상기 반도체층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과,상기 게이트 절연막 상의 소정부위에 게이트 전극 및 게이트 라인들을 형성하는 공정과,상기 반도체층에 이온을 도핑하여 소스/드레인 영역을 형성하는 공정과,상기 반도체층을 활성화시키는 공정과,상기 반도체층과 게이트 전극 상에 층간절연막을 형성한 후, 상기 소스/드레인 영역의 일부를 노출시키는 공정과,상기 노출된 반도체층과 연결되도록 소스/드레인 전극 및 데이터 라인들을 형성하는 공정과,상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 공정과,상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 공정은,상기 금속박막층에 인가되는 전압이 30∼100V/cm, 인가하는 시간이 15분∼2시간, 열처리 온도는 300∼580℃의 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 금속박막층의 두께는 1.25∼100Å의 범위로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 금속박막층은 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 백금(Pt) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 전극은 몰리브덴(Mo), 그라파이트(Graphite) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 미반응 금속은 불산과 과산화수소의 혼합산을 이용하여 추출해 내는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극은 AlNd, Mo의 이중층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 실리콘 질화막과 BCB의 이중절연막을 형성하는 공정과,상기 이중절연막을 일부 식각하여 드레인 전극을 노출시켜서 상기 화소전극과 전기적으로 연결하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0027623A KR100434314B1 (ko) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 다결정화 방법 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0027623A KR100434314B1 (ko) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 다결정화 방법 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020088276A true KR20020088276A (ko) | 2002-11-27 |
KR100434314B1 KR100434314B1 (ko) | 2004-06-05 |
Family
ID=27705651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0027623A KR100434314B1 (ko) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 다결정화 방법 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100434314B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102709184A (zh) * | 2011-05-13 | 2012-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960004469B1 (ko) * | 1990-09-14 | 1996-04-06 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
JP3295679B2 (ja) * | 1995-08-04 | 2002-06-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR19980058413A (ko) * | 1996-12-30 | 1998-10-07 | 김영환 | 반도체 디바이스 및 그 제조방법 |
KR100268879B1 (ko) * | 1997-05-20 | 2000-10-16 | 김영환 | 반도체소자및그의제조방법 |
KR100466397B1 (ko) * | 1998-10-28 | 2005-04-06 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
KR20010003444A (ko) * | 1999-06-23 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
2001
- 2001-05-21 KR KR10-2001-0027623A patent/KR100434314B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102709184A (zh) * | 2011-05-13 | 2012-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板 |
KR101498136B1 (ko) * | 2011-05-13 | 2015-03-03 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 폴리실리콘 활성층을 함유한 박막트랜지스터, 그 제조방법 및 어레이 기판 |
US9059214B2 (en) | 2011-05-13 | 2015-06-16 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Manufacturing method for thin film transistor with polysilicon active layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100434314B1 (ko) | 2004-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6835608B2 (en) | Method for crystallizing amorphous film and method for fabricating LCD by using the same | |
KR100191091B1 (ko) | 박막 반도체 장치와 그 제조방법 | |
US20030180990A1 (en) | Method of fabricating polysilicon thin film transistor | |
US6365444B2 (en) | Process for forming polycrystalline thin film transistor liquid crystal display | |
KR20020057382A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 및 장치 | |
US6695955B2 (en) | Method of forming polycrystalline silicon for liquid crystal display device | |
KR100525436B1 (ko) | 다결정화 방법과 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 | |
KR100965980B1 (ko) | 금속 유도 측면 결정화를 이용한 다결정 실리콘 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
KR100303711B1 (ko) | 다결정/비정질 실리콘 이중 활성층을 가지는 박막트랜지스터 및 | |
KR100425156B1 (ko) | 다결정화 방법과 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 | |
KR100504538B1 (ko) | 비정질 실리콘의 결정화 방법 및 이를 이용한액정표시장치의제조방법 | |
KR100434314B1 (ko) | 다결정화 방법 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 | |
KR100421907B1 (ko) | 다결정화 방법과 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 | |
KR100525434B1 (ko) | 다결정화 방법과 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 | |
KR100421906B1 (ko) | 다결정화 방법과 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 | |
KR100442289B1 (ko) | 다결정화 방법 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 | |
KR100525435B1 (ko) | 다결정화 방법과 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 | |
KR100452445B1 (ko) | 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법 | |
KR100489167B1 (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
KR100452443B1 (ko) | 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법 | |
KR101031702B1 (ko) | 금속유도결정화에 의한 액정표시소자 제조방법 | |
KR100934328B1 (ko) | 하부 게이트를 갖는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그제조방법 | |
KR20030057655A (ko) | 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법 | |
KR0166910B1 (ko) | 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 | |
KR100452446B1 (ko) | 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150429 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160428 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170413 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180416 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190417 Year of fee payment: 16 |