KR20020081811A - 압전 구동형 미소 거울 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20020081811A
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Abstract

광통신용 스위치에 사용되는 압전 구동형 미소 거울 및 그 제조방법에 관한 것으로, 중심영역에 캐비티(cavity)를 갖는 기판과, 기판 위에 형성되는 절연체와, 캐비티 영역에 위치하는 거울과, 거울 하부면에 형성되어 거울을 지지하는 지지체와, 절연체로부터 돌출되어 지지체의 양 측면에 대해 나란히 각각 2개씩 배열되고 지지체의 양 측면에 각각 연결되는 캔틸레버와, 각 캔틸레버 위에 형성되고 외부의 인가 전압에 따라 지지체를 구동시키는 압전 액츄에이터와, 상기 캔틸레버와 지지체를 연결하는 4개의 힌지로 구성함으로써, 잔류 응력에 의한 초기 변형이 없고 구동 각도가 크며 구동 방향이 자유롭다.

Description

압전 구동형 미소 거울 및 그 제조방법{piezoelectric type micro mirror and method for fabricating the same}
본 발명은 광통신용 스위치에 사용되는 압전 구동형 미소 거울 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 미세 가공(micromachining) 기술을 이용하여 광학 소자를 제작하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
이러한 소자 중에 대표적인 것으로는 미소 거울(mirror-mirror)을 들 수 있는데, 이것은 표시 소자로 이용될 수 있을 뿐만 아니라 광 스캐너(scanner), 그리고 광통신을 위한 크로스-커넥터 스위치(cross-connector switch)에도 적용될 수 있을 것으로 기대된다.
미소 거울을 움직이기 위한 구동력으로는 정전기력, 압전 구동력, 열 변형력 등이 주로 이용되어 왔으며, 정전기력을 이용한 소자가 가장 널리 연구되어 왔다.
그러나, 압전 구동력은 정전력에 비해서 동일한 구동전압에서 큰 구동력을 얻을 수 있으며, 특히 정전력과는 달리 전압에 따라 구동력이 선형적으로 변하는 특성이 있으므로 정확한 위치 제어가 필요한 미소 거울의 제작에 적합하다.
도 1은 압전력에 의하여 각도가 변화하는 전형적인 미소 거울을 보여 주는 도면으로서, 도 1에 도시된 바와 같이 미소 거울이 압전 캔틸레버 끝에 연결되어 있으며 압전력에 의하여 캔틸레버가 위로 휘게 되면 캔틸레버 끝의 각도에 비례하여 미소 거울의 각도가 변화하게 되는 구조로 되어 있다.
이러한 각도 변화용 미소 거울은 간단한 구조로 되어 있으나 몇 가지 문제점이 있었다.
첫째, 압전 박막이 잔류 응력을 갖게 되면 미소 거울은 초기 상태에서도 기판에 평행하지 않고 특정한 방향으로 휘게 된다.
즉, 압전 박막이 인장 응력을 가지면 캔틸레버의 끝이 위쪽 방향으로 휘게 되고, 압전 박막이 압축 응력을 가지면 캔틸레버의 끝이 아래쪽 방향으로 휘게 된다.
둘째, 압전 캔틸레버는 전압 인가에 의하여 캔틸레버의 끝이 위쪽 방향으로만 움직이게 되고 아래쪽 방향으로는 움직이게 할 수 없으므로 구동 방향에 한계가 있다.
PZT 등을 이용한 압전 박막은 도메인(domain)과 같은 방향으로 전압이 인가되면 두께 방향으로 늘어나고 길이 방향으로 수축하는 특성이 있으므로 전압 인가에 의하여 캔틸레버 끝은 위쪽 방향으로만 휘게 된다.
물론, PZT의 도메인 방향과 반대되는 방향으로 전압이 인가되면 길이 방향으로 늘어나게 할 수는 있지만 이 경우 재현성이 있는 구동 특성을 얻을 수 없고 높은 전압에서는 도메인의 방향이 다시 바뀌므로 높은 전압을 인가할 수 없다.
셋째, 압전 캔틸레버의 구동 특성은 압전 박막의 압전 특성과 캔틸레버의 두께 및 길이에 의존하기 때문에 캔틸레버가 충분히 길지 않으면 큰 구동 각도를 얻을 수 없다.
본 발명의 목적은 잔류 응력에 의한 초기 변형이 없고 구동 각도가 크며 구동 방향이 자유로운 압전 구동형 미소 거울 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 2축 자유도를 갖는 압전 구동형 미소 거울 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
도 1은 압전력에 의하여 각도가 변화하는 전형적인 미소 거울을 보여 주는 도면
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 압전 구동형 미소 거울을 보여주는 사시도 및 평면도
도 2c는 도 2b의 Ⅱ-Ⅱ선상에 따른 단면도
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 미소 거울의 구동 원리를 보여주는 도면
도 4a 내지 도 4f는 도 2a의 I-I 선상에 따른 본 발명의 압전 구동형 미소 거울의 제조 공정을 보여주는 공정단면도
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 미소 거울을 지지하는 2층 구조의 지지체를 제조하는 공정 단면도
도 6은 2축 구동이 가능한 미소 거울을 보여주는 도면
도 7은 본 발명에 따른 압전 구동형 미소 거울을 보여주는 광학 현미경 사진
도 8a 및 도 8b는 본 발명에 따른 압전 구동형 미소 거울의 구동 특성을 보여주는 그래프
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 실리콘 기판12 : 질화물층
13 : 하부전극층14 : 압전체층
15 : 상부전극층16; 미소 거울
17 : 산화물층18 : 불순물 영역
본 발명에 따른 압전 구동형 미소 거울은 중심영역에 캐비티(cavity)를 갖는 기판과, 기판 위에 형성되는 절연체와, 캐비티 영역에 위치하는 거울과, 거울 하부면에 형성되어 거울을 지지하는 지지체와, 절연체로부터 돌출되어 지지체의 양 측면에 대해 나란히 각각 2개씩 배열되고 지지체의 양 측면에 각각 연결되는 캔틸레버와, 각 캔틸레버 위에 형성되고 외부의 인가 전압에 따라 지지체를 구동시키는 압전 액츄에이터와, 상기 캔틸레버와 지지체를 연결하는 4개의 힌지로 구성된다.
여기서, 절연체, 지지체 및 캔틸레버는 Si3N4로 형성되고, 지지체와 캔틸레버는 힌지(hinge)에 의해 연결된다.
그리고, 지지체의 하부 면에는 고농도의 불순물이 도핑된 p형 실리콘층이 형성될 수도 있다.
본 발명은 중심영역에 제 1 캐비티(cavity)를 갖는 기판과, 기판 위에 형성되는 절연체와, 제 1 캐비티 영역에 위치하고 중심영역에 제 2 캐비티를 갖는 제 1 지지체와, 제 2 캐비티 영역에 위치하는 거울과, 거울 하부면에 형성되어 거울을 지지하는 제 2 지지체와, 절연체로부터 돌출되어 제 1 지지체의 양 측면에 대해 나란히 각각 2개씩 배열되고 제 1 지지체의 양 측면에 각각 연결되는 제 1 캔틸레버와, 제 1 지지체로부터 돌출되어 제 2 지지체의 양 측면에 대해 나란히 각각 2개씩 배열되고 제 2 지지체의 양 측면에 각각 연결되는 제 2 캔틸레버와, 제 1 캔틸레버 위에 형성되고 외부의 인가 전압에 따라 제 1 지지체를 구동시키는 제 1 압전 액츄에이터와, 제 2 캔틸레버 위에 형성되고 외부의 인가 전압에 따라 제 2 지지체를 구동시키는 제 2 압전 액츄에이터와, 상기 제 1 캔틸레버와 제 1 지지체를, 상기 제 2 캔틸레버와 제 2 지지체를 각각 연결하는 힌지로 구성될 수도 있다.
여기서, 제 1, 제 2 지지체의 하부 면에는 고농도의 불순물이 도핑된 p형 실리콘층이 형성될 수도 있다.
또한, 본 발명에 따른 압전 구동형 미소 거울의 제조방법은 기판을 준비하는 제 1 단계와, 기판의 상/하부 면 위에 각각 질화물층을 형성하는 제 2 단계와, 기판의 상부 면 위에 형성된 질화물층 위에 하부전극층, 압전체층, 상부전극층을 순차적으로 형성하는 제 3 단계와, 상부전극층 및 압전체층의 소정영역을 1차 식각하고 하부전극층의 소정영역을 2차 식각하는 제 4 단계와, 거울이 형성될 영역의 질화물층 위에 거울을 형성하는 제 5 단계와, 기판 하부의 소정영역에 있는 질화물층 및 기판을 식각하여 멤브레인을 형성하고 기판 상부의 소정영역에 있는 질화물층을식각하여 캔틸레버를 형성하는 제 6 단계로 이루어진다.
여기서, 상기 제 1 단계는 기판 전면에 산화물층을 형성하는 단계와, 산화물층의 소정영역을 식각하여 미러가 형성될 영역의 기판을 노출시키는 단계와, 노출된 기판에 고농도의 p형 불순물 이온을 주입하여 고농도의 불순물 영역을 형성하는 단계와, 남아있는 산화물층을 제거하는 단계로 이루어진다.
이와 같이 제작되는 본 발명의 미소 거울은 잔류 응력에 의한 초기 변형이 없고, 구동 각도가 크며, 구동 방향이 자유롭다.
또한, 본 발명은 한 축의 자유도 뿐만 아니라 두 축의 자유도를 갖도록 제작할 수 있으므로 구동 각도와 방향이 더욱 자유롭다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 종래의 압전 구동형 미소 거울이 잔류 응력에 의하여 초기 변형이 있고, 한 쪽 방향으로만 구동이 가능하며, 원하는 구동 각도를 얻을 수 없는 문제점을 해결한 새로운 구조의 압전 구동형 미소 거울과 그 제조 방법을 제시한다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 압전 구동형 미소 거울을 보여주는 사시도 및 평면도이고, 도 2c는 도 2b의 Ⅱ-Ⅱ선상에 따른 단면도이다.
본 발명에서는 종래의 발명이 힌지(hinge)가 없는 단순한 캔틸레버로 되어 있는 것과는 달리 4개의 압전 구동형 캔틸레버가 힌지를 통하여 미소 거울과 연결되어 있어, 힌지 사이의 거리를 조절함으로써 큰 구동 각도를 얻을 수 있는 장점이 있다.
즉, 중심영역에 캐비티(cavity)를 갖는 실리콘 기판 위에는 절연체인 Si3N4가 형성되고, 미소 거울은 지지체에 의해 지지되어 캐비티 영역에 위치하고 있다.
그리고, Si3N4로부터 돌출되어 지지체의 양 측면에 대해 나란히 각각 2개씩 배열되고, 지지체의 양 측면에 힌지에 의해 각각 제 1, 제 2 캔틸레버가 연결되어 있으며, 각 캔틸레버 위에는 압전 액츄에이터가 형성되어 있다.
여기서, 지지체 및 캔틸레버는 절연체인 Si3N4로 이루어지고, 지지체의 하부 면에는 고농도의 보론(boron) 불순물이 도핑된 p형 실리콘층이 형성될 수도 있다.
불순물이 도핑된 p형 실리콘층을 형성하는 이유에서는 후술하기로 한다.
그리고, 4개의 캔틸레버 중 각각 2개씩은 전기적으로 공통으로 연결되어 있고, 제 1 상부 전극은 제 1 압전 액츄에이터에 연결되어 있으며, 제 2 상부 전극은 제 2 압전 액츄에이터에 연결되어 있다.
본 발명의 이하 설명에서는 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 캔틸레버와 압전 액츄에이터를 통칭하여 압전 캔틸레버라고 명명하기로 한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 미소 거울의 구동 원리를 보여주는 도면으로서, 하부 전극은 접지로 사용하고, 제 1, 제 2 상부 전극에는 서로 다른 전압을 인가하여 미소 거울의 각도를 변화시킨다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이 미소 거울의 각도를 시계 방향과 반시계 방향으로 자유롭게 구동하기 위하여 제 1, 제 2 상부 전극에 일정한 옵셋 전압(예를 들면, 약 10V)을 인가하여 구동 초기에 미소 거울이 일정한 높이만큼 위로 움직이게 한다.
그리고, 도 3b에 도시된 바와 같이 미소 거울을 시계 방향으로 구동하기 위해서는 제 1 상부 전극에 10V보다 큰 전압(예를 들면, 약 15V)을 인가하고 제 2 상부 전극에는 10V보다 작은 전압(예를 들면, 약 5V)을 인가한다.
제 1 상부 전극에 15V가 인가되면, 제 1 캔틸레버는 10V가 인가되었을 때보다 윗 방향으로 움직이게 되고, 제 2 상부 전극에 5V가 인가되면, 제 2 캔틸레버는 10V가 인가되었을 때보다 아랫 방향으로 움직이게 된다.
이와 같은 방법으로 미소 거울을 시계 방향으로 움직일 수 있다.
이와는 반대로 반 시계 방향으로 움직이게 하기 위해서는 도 3c에 도시된 바와 같이, 제 1 상부 전극에 10V보다 낮은 전압을 인가하고 제 2 상부 전극에 10V보다 높은 전압을 인가한다.
본 발명에 따른 미소 거울의 특성은 종래의 압전 구동형 미소 거울이 캔틸레버 끝의 각도 변화에 의존하는 것과는 달리 캔틸레버 끝의 변위 특성과 힌지와의 거리에 의존한다.
도 3b에 도시된 바와 같이 제 1 캔틸레버 끝의 변위를 h1, 제 2 캔틸레버 끝의 변위를 h2라 하고, 제 1, 제 2 캔틸레버의 힌지 사이의 거리를 d라 하면, 본 발명의 미소 거울의 기울임 각도(tilting angle) θ는 다음과 같이 나타낼 수 있다.
θ= h2 - h1 / d
따라서, 미소 거울의 기울임 각도는 캔틸레버의 변위 특성의 개선뿐만 아니라 힌지 사이의 거리를 줄임으로써 개선할 수 있다.
그러나, 힌지 사이의 거리 감소에 따른 기울임 각도의 증가는 힌지의 큰 응력을 유발하게 하며, 이로 인하여 힌지가 파괴될 수도 있다.
그러므로, 힌지 특성 개선을 위한 적절한 재료 및 구조가 요구된다.
도 4a 내지 도 4f는 도 2a의 I-I 선상에 따른 본 발명의 압전 구동형 미소 거울의 제조 공정을 보여주는 공정단면도이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(11)의 상/하부 면 위에 각각 저압화학기상증착법(LPCVD)으로 약 2㎛ 두께의 저응력 질화물층(12)을 증착한다.
여기서, 질화물층(12)은 Si3N4로 형성하는데, 저응력 질화물층(12)은 후공정에서 기판(11) 식각 후 구조물로 사용할 재료이다.
이어, 도 4b에 도시된 바와 같이, 압전 커패시터를 형성하기 위하여 질화물층(12) 위에 하부전극층(13), 압전체층(14), 상부전극층(15)을 순차적으로 형성한다.
여기서, 하부전극층(13)은 스퍼터링 방법으로 증착되는데, Pt/Ti, Pt/Ta와 같은 금속전극, RuO2와 같은 산화물 전극, RuO2/Pt와 같은 복합전극 등을 사용한다.
Ti와 Ta는 질화물층(12)과 압전체층(14) 사이의 접착력을 좋게 하기 위하여 사용한다.
그리고, 압전체층(14)은 졸-겔(sol-gel)법으로 약 1㎛ 두께의 PZT 박막을 증착하여 형성하고, 상부전극층(15)은 스퍼터링법으로 Pt, RuO2등을 증착하여 형성한다.
그 다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이 첫 번째 마스크로 상부전극층(15)과 압전체층(14)을 순차적으로 식각하고, 도 4d에 도시된 바와 같이 두 번?? 마스크로 하부전극층(13)을 식각하여 압전 커패시터를 형성한다.
이어, 도 4e에 도시된 바와 같이 미소 거울이 형성될 영역의 질화물층(12) 위에 리프트-오프(lift-off) 방법으로 Al, Au 등으로 미소 거울(16)을 형성한다.
마지막으로, 도 4f에 도시된 바와 같이 질화물층(12)을 식각하여 캔틸레버와 미소 거울 형태의 형태를 만든 후, 기판(11) 하부의 소정영역에 있는 질화물층(12) 및 기판(11)을 식각하여 구조물을 형성한다.
여기서, 실리콘 기판(11) 식각시에는 이방성 식각 용액인 KOH, EDP, TMAH 등을 사용한다.
그러나, 압전 구동형 미소 거울의 경우, Al 박막의 잔류 응력에 의하여 휘어지게 되는 문제점이 있었다.
이러한, 미소 거울의 휨을 방지하기 위해서는 Al의 잔류 응력을 줄이던지 미소 거울 아래의 지지체를 두껍게 해야 한다.
그러나, 질화 실리콘을 지지체로 사용하는 경우, 질화 실리콘을 두껍게 형성하면 PZT 압전 캔틸레버의 변위가 작아지는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명에서는 미소 거울을 지지하는 지지체로 질화 실리콘 박막과두꺼운 p형 실리콘(보론으로 높게 도핑된 실리콘)의 2층 박막을 사용하고, 압전 캔틸레버 부위에는 질화 실리콘 박막만을 사용하여 큰 변위를 얻을 수 있도록 하였다.
도 7은 본 발명에 따른 압전 구동형 미소 거울을 보여주는 광학 현미경 사진이다.
도 7에 도시된 바와 같이 PZT 액튜에이터, 힌지, 미소 거울 부분이 모두 잘 형성되어 있음을 알 수 있다.
도 8a는 힌지 사이의 거리 d의 변화에 따른 미소 거울의 기울임 각도(tilting angle)를 나타낸 그래프이고, 도 8b는 힌지 길이에 따른 기울임 각도의 변화를 나타낸 그래프이다.
이때, Si3N4의 두께는 약 2㎛이고, PZT 박막의 두께는 약 1㎛이며, 힌지의 폭은 약 4㎛이고, PZT 캔틸레버는 약 170㎛이며, 거울의 길이는 약 300㎛이다.
기울임 각도 측정시, PZT 박막에 인가된 전압은 약 50V였다.
도 8a에 도시된 바와 같이 힌지 사이의 거리가 감소함에 따라 구동 각도가 증가하다가 감소하는 경향을 나타내었다.
힌지 사이의 거리가 감소하면 기울임 각도가 선형적으로 증가하여야 하나 힌지 사이의 거리가 가까워지면 힌지에 부과되는 응력도 증가하게 되어 기울임 각도가 서서히 증가하게 되며 힌지 길이가 약 100㎛가 되면 기울임 각도가 오히려 감소하게 된다.
그리고, 도 8b에 도시된 바와 같이 힌지의 길이가 증가함에 따라 구동 각도가 증가하였으며, 힌지의 길이가 약 50㎛ 이상이 되면 구동 각도가 거의 증가하지 않았다.
힌지의 길이에 따라 구동 각도가 증가하는 것은 힌지의 길이가 증가함에 따라 힌지에 부과된 응력이 감소하기 때문이다.
본 발명에서 개발된 압전 구동형 미소 거울은 최고 6.4°의 높은 구동 각도를 얻을 수 있었으며, 힌지의 구조와 PZT 커패시터를 최적화하면 더욱 높은 구동 각도를 얻을 수 있을 것이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 미소 거울을 지지하는 2층 구조의 지지체를 제조하는 공정 단면도로서, 도 5a에 도시된 바와 같이 기판(11) 전면에 산화물층(17)을 형성하고, 산화물층(17)의 소정영역을 식각하여 미러가 형성될 영역의 기판(11)을 노출시킨다.
그리고, 도 5b에 도시된 바와 같이 노출된 기판(11)에 고농도의 p형 불순물인 보론 이온을 도핑하여 약 10㎛의 접합 깊이(junction depth)를 갖는 고농도의 불순물 영역(18)을 형성하고, 남아있는 산화물층(17)을 제거하여 제작한다.
그 이후의 공정은 도 4a 내지 도 4f의 공정 순서대로 제작하면, 도 5c에 도시된 바와 같이 미소 거울이 제작된다.
단, 마지막으로 실리콘 기판(11)을 식각하여 구조물을 형성할 때, KOH는 불순물 영역(18)과의 식각 선택성이 우수하지 못하므로 EDP나 TMAH를 사용한다.
이와 같이 제작된 미소 거울은 한 축의 자유도만을 가진 것이다.
그러나, 미소 거울을 옵티컬 크로스-커넥터(optical cross-connector) 등에 사용하기 위해서는 두 축의 자유도를 가져야 한다.
그러므로, 본 발명은 도 6에 도시된 바와 같이 2축 자유도를 갖는 미소 거울을 제작할 수 있다.
즉, 중심영역에 제 1 캐비티(cavity)를 갖는 실리콘 기판 위에는 절연체인 Si3N4가 형성되고, 제 1 캐비티 영역에는 제 1 지지체가 형성되는데, 제 1 지지체의 중심영역에는 제 2 캐비티가 형성되어 있다.
그리고, 미소 거울은 제 2 지지체에 의해 지지되어 제 2 캐비티 영역에 위치하고 있다.
또한, 제 1 지지체로부터 돌출되어 제 2 지지체의 양 측면에 대해 나란히 각각 2개씩 배열되고, 제 2 지지체의 양 측면에 힌지에 의해 각각 제 1, 제 2 캔틸레버가 연결되어 있으며, 각 캔틸레버 위에는 압전 액츄에이터가 형성되어 있다.
그리고, 절연체로부터 돌출되어 제 1 지지체의 양 측면에 대해 나란히 각각 2개씩 배열되고, 제 1 지지체의 양 측면에 각각 제 3, 제 4 캔틸레버가 연결되어 있으며, 각 캔틸레버 위에는 압전 액츄에이터가 형성되어 있다.
여기서, 제 1, 제 2 압전 캔틸레버는 외부의 인가 전압에 따라 미소 거울을 X축 상에서 상, 하로 움직이게 되고, 제 3, 제 4 압전 캔틸레버는 미소 거울을 Y축 상에서 상, 하로 움직이게 된다.
이 때에는 미소 거울만이 움직이는 것이 아니라 압전 캔틸레버가 힌지로 연결되어 있는 구조물 전체가 움직이게 된다.
이와 같은 구조로 서로 독립적으로 두 축의 자유도를 갖는 압전 구동형 미소 거울을 제작할 수 있다.
이 경우에도 압전 캔틸레버에만 질화 실리콘 구조물을 형성하고, 제 1, 제 2 지지체의 하부 면에는 고농도의 불순물이 도핑된 p형 실리콘층을 형성함으로써, 두꺼운 p형 실리콘층과 질화 실리콘층으로 된 2층 구조물을 사용하여 미소 거울 및 구조물의 휨을 방지할 수 있다.
이와 같이, 제작되는 본 발명은 잔류 응력에 의한 초기 변형이 없고, 구동 각도가 크며, 구동 방향이 자유롭다.
또한, 본 발명은 한 축의 자유도 뿐만 아니라 두 축의 자유도를 갖도록 제작할 수 있으므로 구동 각도와 방향이 더욱 자유롭다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.

Claims (9)

  1. 중심영역에 캐비티(cavity)를 갖는 기판;
    상기 기판 위에 형성되는 절연체;
    상기 캐비티 영역에 위치하는 거울;
    상기 거울 하부면에 형성되어 상기 거울을 지지하는 지지체;
    상기 절연체로부터 돌출되어 상기 지지체의 양 측면에 대해 나란히 각각 2개씩 배열되고, 상기 지지체의 양 측면에 각각 연결되는 캔틸레버;
    상기 각 캔틸레버 위에 형성되고, 외부의 인가 전압에 따라 상기 지지체를 구동시키는 압전 액츄에이터; 그리고,
    상기 캔틸레버와 지지체를 연결하는 힌지를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 압전 구동형 미소 거울.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 절연체, 지지체, 캔틸레버 및 힌지는 Si3N4로 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 구동형 미소 거울.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 지지체의 하부 면에는 고농도의 불순물이 도핑된 p형 실리콘층이 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 구동형 미소 거울.
  4. 중심영역에 제 1 캐비티(cavity)를 갖는 기판;
    상기 기판 위에 형성되는 절연체;
    상기 제 1 캐비티 영역에 위치하고, 중심영역에 제 2 캐비티를 갖는 제 1 지지체;
    상기 제 2 캐비티 영역에 위치하는 거울;
    상기 거울 하부면에 형성되어 상기 거울을 지지하는 제 2 지지체;
    상기 절연체로부터 돌출되어 상기 제 1 지지체의 양 측면에 대해 나란히 각각 2개씩 배열되고, 상기 제 1 지지체의 양 측면에 각각 연결되는 제 1 캔틸레버;
    상기 제 1 지지체로부터 돌출되어 상기 제 2 지지체의 양 측면에 대해 나란히 각각 2개씩 배열되고, 상기 제 2 지지체의 양 측면에 각각 연결되는 제 2 캔틸레버;
    상기 제 1 캔틸레버 위에 형성되고, 외부의 인가 전압에 따라 상기 제 1 지지체를 구동시키는 제 1 압전 액츄에이터;
    상기 제 2 캔틸레버 위에 형성되고, 외부의 인가 전압에 따라 상기 제 2 지지체를 구동시키는 제 2 압전 액츄에이터; 그리고,
    상기 제 1 캔틸레버와 제 1 지지체를, 상기 제 2 캔틸레버와 제 2 지지체를 각각 연결하는 힌지를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 압전 구동형 미소 거울.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 힌지, 절연체, 제 1, 제 2 지지체 및 제 1, 제 2 캔틸레버는 Si3N4로 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 구동형 미소 거울.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 지지체의 하부 면에는 고농도의 불순물이 도핑된 p형 실리콘층이 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 구동형 미소 거울.
  7. 지지체에 의해 지지되는 거울과, 상기 지지체의 양 측면에 대해 나란히 각각 2개씩 배열되어 제 2 지지체의 양 측면에 각각 연결되는 캔틸레버와, 외부의 인가 전압에 따라 상기 지지체를 구동시키는 압전 액츄에이터를 갖는 미소 거울 제조방법에 있어서,
    기판을 준비하는 제 1 단계;
    상기 기판의 상/하부 면 위에 각각 질화물층을 형성하는 제 2 단계;
    상기 기판의 상부 면 위에 형성된 질화물층 위에 하부전극층, 압전체층, 상부전극층을 순차적으로 형성하는 제 3 단계;
    상기 상부전극층 및 압전체층의 소정영역을 1차 식각하고, 상기 하부전극층의 소정영역을 2차 식각하는 제 4 단계;
    상기 거울이 형성될 영역의 질화물층 위에 거울을 형성하는 제 5 단계; 그리고,
    상기 기판 하부의 소정영역에 있는 질화물층 및 기판을 식각하여 멤브레인을 형성하고, 상기 기판 상부의 소정영역에 있는 질화물층을 식각하여 상기 캔틸레버를 형성하는 제 6 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 압전 구동형 미소 거울 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 단계는
    기판 전면에 산화물층을 형성하는 단계;
    상기 산화물층의 소정영역을 식각하여 상기 미러가 형성될 영역의 기판을 노출시키는 단계;
    상기 노출된 기판에 고농도의 p형 불순물 이온을 주입하여 고농도의 불순물 영역을 형성하는 단계;
    상기 남아있는 산화물층을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 압전 구동형 미소 거울 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 p형 불순물 이온은 보론인 것을 특징으로 하는 압전 구동형 미소 거울 제조방법.
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