KR20020070963A - 능동 매트릭스 디스플레이 디바이스 - Google Patents

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카렐 에. 카위크
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코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

디스플레이 디바이스에서의 사용을 위한 새로운 스위치 회로가 제안되는데, 픽셀(8,25) 당 보완성(complementary) TFT 트랜지스터(11,12)의 직렬 스위치를 포함한다. 트랜지스터를 동시에 선택하는 것은 저 전력 애플리케이션을 제공한다. 다른 한편으로, 논리 회로 기능이 구현될 수 있다.

Description

능동 매트릭스 디스플레이 디바이스{ACTIVE MATRIX DISPLAY DEVICE}
많은 휴대용 디스플레이 디바이스에 있어서의 문제점은 전력 소모이다. 이 문제점은 디스플레이 디바이스가 {백라이트(backlight)를 위한 전력 소모를 막아주는} 반사 디스플레이 디바이스로 설계될 때에도 발생한다.
그러한 휴대용 애플리케이션에 있어서, 액정 디스플레이 셀을 위해 요구되는 구동 전압은 구동 IC에 의해 공급되는데, 상기 공급 전압은 대개 (용량성) 전압 곱셈(multiplication){전압 올리기(boosting)}에 의해 얻어진다. 종래의 AM-LCDs는 TFT 트랜지스터를 구동하기 위하여 대개 20 볼트 내지 25 볼트 정도의 전압을 필요로 하는 한편, 슈퍼트위스트 액정 효과와 같이 알려져 있는 전기-광학 효과에 대해서는 10 볼트 이하의 구동 전압으로 충분하다.
본 발명은 기판 위에, 선택 전극 및 데이터 전극의 매트릭스를 포함하고, 상기 선택 전극 및 데이터 전극의 교차 영역에 픽셀 및 적어도 하나의, 제 1 타입의 전계 효과 트랜지스터를 지닌 디스플레이 디바이스에 관한 것이다.
그러한 능동 매트릭스 디스플레이 디바이스의 예로는 랩탑 컴퓨터 및 오거나이저(organizers)에 사용되는 AM-LCDs 또는 TFT-LCDs가 있으나, 이것들은 GSM 전화에도 또한 점점 더 많이 사용되고 있다.
도 1은 픽셀의 매트릭스가 있는 디스플레이 디바이스를 개략적으로 도시한도면.
도 2는 본 발명을 구현하고 있는, 도 1의 디스플레이 디바이스의 세부를 도시한 도면.
도 3은 도 1의 디스플레이 디바이스에서 사용된 액정 셀에 대한 투과/전압 특성 곡선을 도시한 도면.
도 4는 광 방출 픽셀에 기초하여 디스플레이 디바이스에서 본 발명이 사용된 것을 도시한 도면.
도 5는 도 2의 변형을 도시한 도면.
상기 도면은 개략적이며 실제 비율대로 도시되지 않았다. 대응하는(corresponding) 요소는 대개 같은 참조 번호로 표시되어 있다.
본 발명의 목적은 전제부에서 설명한 타입의 디스플레이 디바이스를 제공하는 것으로, 저 전력 소모를 하기 때문에 단일 배터리 부하(load)로도 오랫동안 쓸 수가 있다.
이 때문에, 본 발명에 따른 디스플레이 디바이스는 상기 디스플레이 디바이스가 데이터 전극과 픽셀 사이에, 제 1 타입의 전계 효과 트랜지스터와 직렬로, 적어도 하나의, 제 2의, 반대되는 타입의, 제 2 전계 효과 트랜지스터를 포함하며, 상기 전계 효과 트랜지스터 중 하나의 게이트 전극은 선택 전극에 연결되는 것을 특징으로 한다.
데이터 전극에서의 전압이 대개 가변성일지라도, 본 출원에서 설명한 선택 전극은 때때로 고정된 전압(기준)이 공급되는 전극이라고도 이해된다.
본 발명은 특히 다결정 실리콘 혹은 심지어 단결정 실리콘을 사용할 때, 제 1 타입의 전계 효과 트랜지스터 및 제 2의, 다른 타입의 전계 효과 트랜지스터(예를 들면, p 타입 및 n 타입 트랜지스터) 양자 모두, 예를 들면, 유리나 합성 물질로 된 하나의 동일한 기판 위에 제작될 수 있다는 인식에 근거한다. 단 한 가지 타입의 전계 효과 트랜지스터가 쓰인 종래의 AM-LCDs와 비교해 볼 때, 그로 인하여 상당한 전력 소모 감소가 실현될 수 있다. 셀에 걸린 극성(polarity)이 매 프레임에서 바뀌는 액정 디스플레이 셀을 사용할 때 특히, 매우 낮은 전압으로도 충분하다. 본 발명은 또한, (O) LEDs나 폴리머 LEDs에 기초한 능동 매트릭스와 같은 디스플레이 디바이스의 다른 타입에 대해서 유리하게 사용될 수도 있다.
제 1 실시예에서, 제 1 타입의 제 1 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극은 선택 전극으로 연결된다.
본 발명에 따른 디스플레이 디바이스의 추가 실시예는, 제 2 타입의 제 2 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극이 여분의 선택 전극에 연결되는 것을 특징으로 한다. 이 같은 방식으로 얻은 여분의 선택 가능성은 서로 다른 방식으로 활용될 수 있다. 예컨대, 선택 펄스는 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극에 동시에 인가될 수 있으나, 디스플레이 디바이스는 제 1 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극에 선택 펄스를 공급하기 위한 그리고 선택 펄스를 제 2 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극에 조건부 공급하기 위한 구동 수단도 포함할 수 있다. 이러한 조건부 공급은 디스플레이 디바이스(의 일부)를 (일시적으로 또는 일시적이지 않게) 작동 못하게 할 가능성 또는 상기 디스플레이 디바이스를 더 낮은 주파수에서 사용하여 낭비가 훨씬 더 줄게 할 가능성을 제공한다.
본 발명에 따른 디스플레이 디바이스의 또 다른 실시예는 제 2 타입의 제 2 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극이 데이터 전극에 연결되는 것을 특징으로 한다. 이 같은 방법으로, 예를 들면, 정보의 존재에 따라, 제 2 전계 효과 트랜지스터가 턴 온 되거나 턴 온 되지 않는 것이 달성될 수 있다.
본 발명의 이러한 양상 및 이와 다른 양상은 이 후 설명되는 실시예로부터 분명해지고 실시예를 참조하여 설명되어질 것이다.
도 1은 본 발명을 적용할 수 있는 디스플레이 디바이스(1)의 전기적 등가를 나타낸 것이다. 상기 디스플레이 디바이스는 m개의 행의 선택 전극(5)과 n개의 열 의 데이터 전극(6)이 교차하는 영역에 픽셀(8)의 매트릭스를 포함한다. 행 전극은 행 구동기(36)를 통해 연속적으로 선택되는 동안, 열 전극에는 데이터 레지스터(35)를 통해 데이터가 공급된다. 이 때문에, 인입 데이터 신호(2)는 필요하다면, 프로세서(3)에서 먼저 처리된다. 구동 라인(7)을 통해 상호 동기화가 발생한다.
본 실시예에서, 픽셀(8)은 액정 디스플레이 디바이스의 부분을 형성한다. 종래의 능동 매트릭스 TFT 기술에 있어서, 픽셀과 연관된 TFT 트랜지스터는 게이트전극 상의 선택 펄스를 통해 활성화되는 반면, TFT 트랜지스터의 소스 전극과 연결된 데이터 전극 상에서의 전압은 드레인 전극에 연결된 화상 전극 상에서의 전압을 한정시킨다. 본 발명에 따라, 데이터 전극(6)(도 2)은 제 2의 다른 타입(이 실시예에서는 p 타입)의 제 2 전계 효과 트랜지스터(12)(TFT)와 직렬로 된 제 1 타입(이 실시예에서는 n 타입)의 전계 효과 트랜지스터(11)(TFT)를 통해 픽셀에 연결된다. TFT(11)의 드레인은 TFT(12)의 소스에 연결되는 반면, 제 1 타입의 제 1 전계 효과 트랜지스터(11)의 게이트 전극은 선택 전극(5)에 연결된다. 이 실시예에서, 제 2 전계 효과 트랜지스터(12)의 게이트 전극은 여분의 선택 전극(4)에 연결된다. p 타입뿐만 아니라 n 타입의 TFTs 제작에 적합한 기술에서는 폴리실리콘 트랜지스터("고온 폴리"나 "저온 폴리")를 사용하지만, 모노액정 실리콘이나 다른 반도체 물질 사용을 배제하지는 않는다. 트랜지스터(12)의 드레인은 픽셀(8)의 전극(19)에 연결되며, 종래의 방식으로 제공된 저장 커패시터(15)의 플레이트에도 연결된다. 저장 커패시터의 다른 플레이트는 여분의 전극(16)을 통해 전압 소스(17)로 연결된다. 트랜지스터(11,12) 및 전극(4,5,6,16)은 예를 들면, 유리나 합성 물질로 된 제 1 기판 상에 공급된다. 픽셀(8)의 카운터 전극(20)은 전극(18)을 통해 전압 소스(17')로 연결된다. 이 실시예에서, 전압 소스(17,17')의 전압에 대해 같은 값을 선택한다.
도 2의 실시예에서, 선택 전압(Vg)이 선택 동안 선택 전극(5)으로{즉, 제 1 타입의 제 1 전계 효과 트랜지스터(11)로} 공급되는 한편, 상기 선택 전극에서의전압은 비선택 동안에 0 볼트이다. 동시에, 0 볼트의 선택 전압이 선택 동안에 여분의 전극(4)으로{즉, 제 2 타입의 제 2 전계 효과 트랜지스터(12)의 게이트 전극으로} 공급되는 한편, 상기 여분의 선택 전극에서의 전압은 비선택 동안에 Vg이다. 결과적으로, 두 트랜지스터(11,12)는 선택 동안에 턴 온 된다[TFT 트랜지스터의 임계 전압은 대략 VTn= 1.0 V{n-채널 TFT(11) 및 VTp= -1.0 V{p-채널 TFT(12)}이라고 가정한다]. 비선택{"유지(hold) 상태"라고 칭해짐} 동안에, 상기 두 트랜지스터는 턴 오프 된다.
양(positive)의 픽셀 전압에 대해, 열 전극(6)에서의 데이터 전압(Vd)은 Vth≤Vd≤Vsat이며, 여기서 Vth및 Vsat은 각각 상기 액정의 임계 전압 및 포화 전압이다(도 3 참조). 액정 물질에 대해 관행의 값은 Vth= 1.5V 이다. 300:1의 콘트라스트에 대해, Vsat는 투과성 디스플레이 디바이스에서 대개 4.5V이다. 반사 디스플레이 디바이스에서, 특히 상기 휴대용(automotive) 애플리케이션과 전화에 있어서는, 훨씬 덜한 콘트라스트(예컨대, 10:1)로 충분하여, Vsat에 대해 약 3V의 전압을 선택할 수 있다. 카운터 전극(18){및 그로 인한 여분의 라인(4)}은 전압 VCE= 0 V를 갖는다. 선택 라인(5)이 전압(Vg)을 받고 여분의 전극이 동시에 전압 0 V를 받을 때, 두 트랜지스터(11,12)는 턴 온 될것이고, 포인트(21)는 전압 Vth≤VA≤Vsat로 충전되어, 픽셀 커패시티 Vp는 Vth≤Vp≤Vsat로 충전된다.
반대의(여기서는, 음의) 값을 갖는 픽셀 전압이 다음 프레임(또는, 구동 모드에 따라, 다음 행에)에 기록되어야 할 때, 카운터 전극은 반사 디스플레이 디바이스의 실시예에서 전압 VCE= Vsat+ Vth, 즉, 4.5V로 스위칭 된다. 그리고 나서, 포인트(21)에서의 전압은 Vsat+ 2Vth≤VA≤2Vsat+ Vth로 증가되는데, 이는 상기 언급한 값의 경우에 6.0 V ≤VA≤7.5 V에 해당한다.
값 Vg= 6V로, 만약 회로가 n-채널 TFT를 스위치로만 사용하였다면, 상기 회로는 블록킹으로 유지될 것이라는 점을 이제 적용하는 반면에, p-채널 TFT만이 스위치로서 사용되었다면, 도통이 시작될 것인데, 그 이유는 게이트가 6V에 있으며, 포인트(21)의 위치에서의 픽셀 접속은 7.5V의 전압을 받을 수 있어서, 트랜지스터(12)의 드레인이 소스로서의 기능을 할 수 있기 때문이다. n-타입의 TFT 및 p-타입의 TFT의 직렬 배열이 존재하므로, 전류 흐름은 존재할 수 없다. 관련 행이 음으로 기록될 때, 열 상의 데이터 전압(Vd')은 Vth ≤Vd' ≤Vsat의 범위 안에 있도록 다시 선택되어 총 전압 범위를 될 수 있으면 작게 유지시키며, 그리고 나서, 포인트(21)(VA)에서의 전압은 Vth ≤VA≤Vsat이 될 것이고 픽셀 전압(Vp)은 VA- VCE이 되는데, 여기서, VCE= Vsat+ Vth이므로, -Vsat≤Vp≤-Vth이 된다.
전압이 다음 프레임(또는 다음 행)에서 다시 양으로(positively) 기록된다면, 카운터 전극(20){또한 여분의 라인(16)에서도}에서의 전압은 다시 0 V로 스위칭된다. 그리고 나서, 포인트(21)에서의 전압은 -Vsat ≤VA≤-Vth가 될 것이다. 만약 n 채널 TFT(12)만이 사용된다면, 도통이 시작될 것이나, n-타입의 트랜지스터 및 p-타입의 트랜지스터의 직렬 배열 또한 이제 도통이 일어나는 것을 막는다. 따라서, 게이트 전압(Vg)의 전압 범위는 Vsat+ 2Vth, 즉 관련 실시예에서 약 6V로 한정될 수도 있다.
도 1, 2의 회로 내의 전력 소모는 정보가 오랫동안 변치 않을 때 더 감소할 수 있다. 이 점에서, 데이터가 매 프레임 이후에(또는 매 행 이후에) 반드시 역전(inverted)되어야 할 필요가 없음을 주목할 수 있다. DC 구동 모드는 매우 가능성이 있다. 그 경우, 구동 회로(3)에서 또는 레지스터(5)의 입력 또는 출력에 있는 여분의 회로로 열 전극(6) 중 하나에서의 데이터 Vd가 복수의 연속적인 선택 동안 바뀌지 않으리라는 것을 확인할 수 있다. 이어서, 여분의 회로가 사용되어 여분의 전극(4)이 (Vg내지 0 V의) 더 작은 주파수에서 스위칭을 일으킬 수 있다. 그리고 나서, 화상 정보는 더 낮은 주파수에서 리프레시(refreshed)되는데, 이것으로 낭비가 덜 된다. 저장 커패시터(15)가 더 높은 커패시턴스를 가졌으므로 정보는 더 오랫동안 유지된다.
도 4의 실시예에서, 전자발광에 기초한 디스플레이 디바이스에 있는 두 개의 보완성 TFT 트랜지스터의 직렬 배열은 커패시터(15)에 (화상 정보의 값에 해당하는)전하를 인가하는 데 사용된다. 커패시터(15)는 저장 소자의 기능을 하며, 트랜지스터(26)와 함께 전류원을 형성하는데, 이는 포인트(21)에서의 인가(impressed) 전압에 따라, 선택 동안에 트랜지스터(26)를 통과하는, 따라서, 픽셀{(O)LED 또는 (P)LED}(25)을 통과하는 전류 흐름을 한정한다. 이 때문에, 예를 들면, 개략적으로 도시된 스위치(28)는 선택 동안에 닫혀서, 전압 소스(27)는 라인(29,30) 사이의 전류 소스(15,26) 및 LED(25)의 직렬 배열에 요구되는 전압을 제공하게 되므로, LED(25)는 원하는 강도로 발광한다. 커패시터(15)에 인가된 전압은 열 전극(6)에서의 데이터 전압에 의해 한정된다. 그러나, 전압 공급은 선택 전극(5)을 통한 선택에 의해서만 한정되는 것이 아니고, 여분의 전극(24) 또한 게이트(14)를 통해 트랜지스터(12)를 선택하여야 한다. 이것은 도 1, 2의 실시예와 유사하게, 역 펄스를 제공함으로써 실현될 수 있다. 전극(24)에서의 선택 펄스는 조건부의 방법으로 공급될 수도 있어서, 더 낮은 주파수에서 정보가 공급될 수 있다. 상기 두 개의 트랜지스터(11,12)가 직렬로 배열되므로, 그로 인해 논리 회로가 구동될 수 있다(두 개의 트랜지스터는 AND 기능을 갖는다). 트랜지스터 중 하나{본 실시예에서는 트랜지스터(12)}(또는 두 트랜지스터)에 여분의 게이트 접속(24')을 제공함으로써, 논리 회로 구동 가능성은 훨씬 더 높아진다. 하나 이상의 트랜지스터를 트랜지스터(11,12)와 평행하게 배열함으로써, OR 기능 역시 실현될 수 있다.
본 발명에 따라 완전히 다른 디스플레이 디바이스가 도 5에 도시되어 있다. 세 개의 n-타입 트랜지스터(11',11'',11''')의 소스가 전극(6)에 연결되어 있다. 트랜지스터(11',11'',11''')의 드레인은 연관된 커패시터(31',31'',31''')에 연결되어 있는데, 상기 커패시터는 4:2:1의 비율로 되어 있다. 전극(36',36'',36''')은예를 들면, 디지털 레지스터의 출력에 연결되어 있는데, 그 출력은 선택 동안에 (예를 들면, AND 게이트를 통해) 게이트 전극(13',13,'',13''')에 공급된다. 레지스터에서의 디지털 값에 따라, 트랜지스터(11',11'',11''')는 턴 온 또는 턴 오프 되는데, 이들 디지털 값에 따라, 포인트(35)에서의 커패시터(31',31'',31''') 어셈블리는 0 볼트와 주어진 최대값 사이에 6개의 중간 값을 갖고서 8개의 값을 가정할 수 있는 전압을 받는다(D/A 변환). 커패시터(31',31'',31''')에서 미리 전하를 제거하기 위하여, 상기 커패시터는 분로되어(shunted) 트랜지스터(33',33'',33''')와 어스(earth)되는데, 상기 트랜지스터(33)의 게이트는 라인(34',34'',34''')을 통해 제어된다. 게이트 전극(36',36'',36''')의 역 신호는 라인(34',34'',34''')에 공급된다. 이러한 방전은 모든 트랜지스터를 선택함으로써 그리고 라인(6)에 0 V의 전압을 제공함으로써 게이트(13',13'',13''')를 통해 선택에 앞서, 디지털 정보와 함께 발생할 수도 있다.
이 같은 디바이스의 추가 장점은 전극(6)에서의 전압이 액정(또는 LEDs)의 특성에 따라{스케일링(scalable) 가능한 D/A 변환}, 조정될 수 있다는 점이다. 이어서, 트랜지스터(12)를 선택함으로써, 전압이 포인트(35)로 전달되고, 그로 인해 픽셀에 걸린 전압(및 투과 또는 반사)을 한정한다.
물론, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지는 않는다. 설명한 바와 같이, 예를 들면, 다결정(polycrystalline) 트랜지스터 대신에 단결정(monocrystalline) 트랜지스터가 사용될 수 있다. 만약 필요하다면, 바이폴라 트랜지스터를 사용하는 것도 가능하다.
본 발명의 보호 범위는 설명한 실시예에 한정되지는 않는다. 본 발명은 각각의 그리고 모든 신규한 특징적인 주안점 및 특징적인 주안점 각각의 그리고 모든 조합에 귀속된다. 청구 범위에 있는 참조 번호는 청구 범위의 보호 범위를 한정하지 않는다. 동사 "포함하는" 및 그 활용형의 사용은 청구 범위에서 기술한 것 이외의 요소의 존재를 배제하지 않는다. 요소에 선행하는 단수적 표현은 그러한 요소가 복수 존재함을 배제하지 않는다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 기판 위에, 선택 전극 및 데이터 전극의 매트릭스를 포함하고, 상기 선택 전극 및 데이터 전극의 교차 영역에 픽셀 및 적어도 하나의, 제 1 타입의 전계 효과 트랜지스터를 지닌 디스플레이 디바이스에 이용된다.

Claims (19)

  1. 기판 위에, 선택 전극(5)과 데이터 전극(6)의 매트릭스를 포함하며, 상기 선택 전극과 데이터 전극의 교차 영역에 픽셀 및 적어도 하나의, 제 1 타입의 전계 효과 트랜지스터(11)를 지닌 디스플레이 디바이스(1)로서,
    상기 디스플레이 디바이스는 상기 데이터 전극과 상기 픽셀 사이에, 상기 제 1 타입의 전계 효과 트랜지스터(11)와 직렬로, 적어도 하나의, 제 2의, 다른 타입의 제 2 전계 효과 트랜지스터(12)를 포함하며, 상기 전계 효과 트랜지스터 중 하나의 게이트 전극은 선택 전극(들)(5)에 연결되는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 타입의 제 1 전계 효과 트랜지스터(11)의 게이트 전극(13)은 상기 선택 전극(5)에 연결되는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 타입의 제 2 전계 효과 트랜지스터(12)의 게이트 전극(14)은 여분의 선택 전극(4)에 연결되는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 타입의 제 2 전계 효과 트랜지스터(12)의 게이트 전극(14)은 데이터 전극(6,24)에 연결되는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 디스플레이 디바이스는 상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극에 선택 펄스를 공급하기 위한 구동 수단(3,7,35,36)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 선택 펄스는 상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극에 동시에 공급되는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 디스플레이 디바이스는 상기 제 1 전계 효과 트랜지스터(11)의 게이트 전극에 선택 펄스를 공급하기 위한 그리고 상기 제 2 전계 효과 트랜지스터(12)의 게이트 전극에 선택 펄스를 조건부로 공급(conditioned supply)하기 위한 구동 수단(3,7,35,36)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 전계 효과 트랜지스터를 위한 선택 펄스는 상기 제 2 전계 효과 트랜지스터를 위한 선택 펄스와는 지속 시간에 있어 달리하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 구동 수단은 상기 전계 효과 트랜지스터 중 적어도 하나의 선택 펄스를 일시적으로 억누르기(suppressing) 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 선택 펄스는 상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극에 서로 다른 주파수로 공급되는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  11. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 타입의 제 2 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극은 데이터 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 디스플레이 디바이스는 커패시터(15)를 포함하며, 상기 커패시터의 전극은 상기 픽셀의 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 픽셀은 두 개의 화상 전극 사이에 적어도 하나의, 액정 물질로 된 층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 디스플레이 디바이스는 상기 픽셀의 전극(19)과 전력 공급 전압(17)의 단자에 연결된 전극(16) 사이에 커패시터(15)를 포함하는 것을특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 디스플레이 디바이스는 커패시터(31)를 포함하며, 상기 커패시터의 전극은 상기 제 1 타입의 전계 효과 트랜지스터와 상기 제 2 타입의 전계 효과 트랜지스터의 공통 포인트에 연결되는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 디스플레이 디바이스는 상기 선택 전극과 상기 제 1 타입의 각 전계 효과 트랜지스터와 연관된 복수의 커패시턴스 사이에 복수의, 상기 제 1 타입의 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 선택 전극은 바이어스 전압에 연결되는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 바이어스 전압은 가변성(variable)인 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
  19. 제 1 항에 있어서, 상기 픽셀은 조정 트랜지스터(26)와 직렬인, 적어도 하나의 발광 소자(25)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 디바이스.
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