KR20020070805A - 다층막의 성막방법과, 진공성막장치 및 진공성막장치의제어장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 다층막의 성막방법과, 진공성막장치 및 진공성막장치의 제어장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 다층막 성막방법은, 전자총을 이용하여 막의 원료를 가열함으로써 2층 이상으로 이루어진 다층막의 성형을, 진공챔버 내에 배치된 기판을 향하여 막의 원료를 증발시키는 주가열공정 R2 및 R4와, 막의 원료를 예비 가열하는 예비가열공정 R1 및 R3을 통하여 행한다. 그리고, 복수 개의 전자총 중 어느 것으로 하나의 막을 형성하기 위한 주가열공정 R2를 실행하는 동안에, 다른 전자총에 의하여 다른 막을 형성하기 위한 예비가열공정 R3을 실행한다. 본 발명에 의하면, 다층막을 성형하는 데 있어서, 비교적 단시간으로 전체 층의 성형을 완료할 수 있으므로, 소위 택타임(Tact Time)을 단축할 수 있다.

Description

다층막의 성막방법과, 진공성막장치 및 진공성막장치의 제어장치 {Method and Apparatus for forming multi-layer membrane under vacuum, and Controller thereof}

본 발명은 다층막의 성막방법(成膜方法)과, 진공성막장치 및 진공성막장치의 제어장치에 관한 것이다.

일반적으로, 진공성막장치에는 진공챔버 내에 막이 형성되는 기판이 구비되어 있으며, 막의 원료(재료)를 증발시키기 위한 증발원이 기판에 대향하도록 배치되어 있다. 그리고, 증발원에 의하여 증발된 막의 원료가 최종적으로 상기 기판 상에 막으로 석출됨으로써 성막(成膜)이 이루어진다.

상기 막의 원료를 증발시키기 위한 증발원으로서, 전자총을 구비하여 이 전자총으로부터 전자빔을 막의 원료에 조사하여 가열함으로써, 기판을 향하여 막의 원료를 증발시키는 것이 있다.

그리고, 전자총을 이용하여 막의 원료를 가열하는데 있어서, 막의 원료를 기판을 향하여 증발시키는 주 가열공정(프로세스)이 실행됨과 함께, 이 주 가열공정에 앞서 막의 원료를 예비적으로 가열하는 예비 가열공정이 실행되는 경우가 있다. 즉, 주 가열공정에 앞서 막의 원료를 미리 가열해둠으로써 뒤의 주 가열공정에서 막의 원료를 보다 빠르고 원활하게 증발시킬 수 있기 때문이다.

또한, 전자총을 이용하여 막의 원료를 증발시키는 공정을 개재하여 막을 성형하는데 있어서, 2 이상의 층으로 이루어진 다층막을 형성하는 경우도 있다. 이 다층막은 여러 가지 광학 특성이 요구되는 광학막으로 이용된다. 또, 다층막은 광통신용 광학필터로 이용되기도 하며, 특히 근래에는 IT(정보통신기술) 분야의 용도로서 수요가 급증하고 있다.

그런데, 다층막을 여러 용도에 응용하는데 있어서, 막의 층수가 중요한 조건이 된다. 예를 들어, 다층막을 광통신에서의 파장다중전송시스템의 광학필터로 이용하는 경우에는, 투과시키는 광의 파장대역이 다층막의 층수에 의하여 결정되기도 한다.

여기서, 상기 다층막을 형성하는 데 있어서, 전자총에 의해 막의 원료를 가열하는 공정으로서, 하나의 층에 대하여 예비 가열공정 및 주 가열공정을 완료한 후에, 그 다음으로 형성되어야 할 다른 하나의 층에 대한 예비 가열공정 및 주 가열공정을 실행하는 것처럼, 예비 가열공정 및 주 가열공정을 각 층마다 반복하는 것도 가능하다.

그러나, 하나의 층에 대한 예비 가열공정 및 주 가열공정을 완료한 후에 다른 층에 대한 예비 가열공정 및 주 가열공정을 실행하게 되면, 예비 가열공정에 소요되는 시간과 주 가열공정에 소요되는 시간을 각 층 마다 합계한 시간에 의하여, 막의 성형이 완료되는데 소요되는 시간이 결정되게 된다. 따라서, 다층막을 구성하는 층수가 증가할수록 막의 성형을 완료하는데 소요되는 시간이 현저하게 증가하게 되므로, 소위 택타임(Tact Time)의 증가를 초래하게 된다.

본 발명은 전자총을 이용하여 막의 원료에 대한 예비 가열공정 및 주 가열공정을 실행하면서, 막의 성형 완료에 소요되는 시간의 증가를 방지할 수 있는 다층막의 성막방법과, 진공성막장치 및 진공성막장치의 제어장치를 제공함을 목적으로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 진공성막장치의 개략도.

도 2는 도 1에서의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도로서, 진공성막장치의 측단면도.

도 3은 도 1에서의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도.

도 4는 예비가열공정 및 주가열공정을 실행하기 위한 조건을 나타낸 그래프.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

1 : 진공챔버2 : 기판홀더

5 : 기판7 : 도가니

8 : 전자총9 : 막의 원료물질

10 : 증발원10' : 증발원

12 : 제어장치15 : 차폐판

20 : 진공성막장치

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 다층막 성막방법은, 진공인 챔버 내에서, 복수의 전자총에 의해 복수의 막 재료를 증발시킴으로써 기판 상에 복수의 막을 순차로 적층되도록 형성하는 다층막의 성막방법으로서, 상기 복수의 막 각각을 형성하는 막 형성공정은, 상기 각 막에 대응하는 막의 재료를 상기 전자총에 의해 증발시키는 주 가열공정과, 이 주 가열공정에 앞서 상기 각 막에 대응하는 막의 재료를 예비 가열하는 예비 가열공정을 포함하며, 서로 전후관계에 있는 2 이상의 상기 막 형성공정에 있어서, 먼저 실행되는 막 형성공정의 주 가열공정이 종료되기 전에, 뒤에 실행되는 막 형성공정의 예비 가열공정이 시작되는 것이다.

이러한 구성에 의하면, 다층막을 형성하는데 있어서, 어느 막을 형성하기 위한 주 가열공정의 실행을 완료하기 전에, 다음에 형성될 막을 형성하기 위한 예비 가열공정이 시작된다. 따라서, 예비 가열공정 및 주 가열공정을 형성되어야 할 층수만큼 반복하여 실행함으로써 다층막을 얻는 경우에, 모든 층의 형성에 필요한 시간을 단축할 수 있다.

또한, 상기 복수의 막은 100 이상으로 형성하여도 좋다. 본 발명의 막 성막방법에 의하면, 다층막을 100층 이상으로 형성하는 경우에도, 단시간에 막의 성형을 끝낼 수 있다.

또한, 상기 복수의 막이 광통신용 광학필터이어도 좋다. 광통신용 광학필터는 다층막에 의해 형성되지만, 본 발명에 의하면 이러한 광학필터용 다층막을 형성하는 경우에도, 단시간에 막의 성형을 완료할 수 있다.

한편, 본 발명에 따른 진공성막장치의 제어장치는, 진공인 챔버 내에서, 전자총에 의해 복수의 막 재료를 증발시킴으로써 기판 상에 복수의 막을 순차로 적층되도록 형성하는 진공성막장치의 제어장치로서, 상기 복수의 막 각각을 형성하는 막 형성공정이, 각 막에 대응하는 막의 재료를 상기 전자총에 의해 증발시키는 주 가열공정과, 이 주 가열공정에 앞서 상기 각 막에 대응하는 막의 재료를 예비 가열하는 예비 가열공정을 포함하며, 서로 전후관계에 있는 2 이상의 상기 막 형성공정에 있어서, 먼저 실행되는 막 형성공정의 주 가열공정이 종료되기 전에, 뒤에 실행되는 막 형성공정의 예비 가열공정이 시작되도록 상기 진공성막장치를 제어하는 것이다.

이러한 구성에 의하면, 다층막을 형성할 때, 모든 층의 형성에 필요한 시간을 단축할 수 있는 진공성막장치의 제어장치를 제공할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 진공성막장치는, 진공인 챔버 내에서, 전자총에 의해 복수의 막 재료를 증발시킴으로써 기판 상에 복수의 막을 순차로 적층되도록 형성하는 진공성막장치로서, 상기 복수의 막 각각을 형성하는 막 형성공정이, 각 막에 대응하는 막의 재료를 상기 전자총에 의해 증발시키는 주 가열공정과, 이 주 가열공정에 앞서 상기 각 막에 대응하는 막의 재료를 예비 가열하는 예비 가열공정을 포함하며, 서로 전후관계에 있는 2 이상의 상기 막 형성공정에 있어서, 먼저 실행되는 막 형성공정의 주 가열공정이 종료되기 전에, 뒤에 실행되는 막 형성공정의 예비 가열공정이 시작된다.

이러한 구성에 의하면, 다층막을 형성할 때, 모든 층의 형성에 필요한 시간을 단축할 수 있는 진공성막장치를 제공할 수 있다.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다.

도 1은 본 발명에 적용되는 다층막의 성막방법을 실시할 수 있는 진공성막장치(20)의 정면도로서, 성막장치(20)의 개략적인 구성을 모식적으로 나타내고 있다. 또한, 도 2는 측면단면도이고, 도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ선에서 바라본 도면이다.

이러한 성막장치(20)는, 진공증착장치로 이루어져 있으며, 소위 진공증착에 의하여 기판(5)에 막을 성형할 수 있도록 구성되어 있다. 진공챔버(1)는 내부의 공기를 진공펌프에 의하여 배기 시킴으로써 소정의 진공 분위기를 만들 수 있게 되어 있다. 진공챔버(1) 내의 상부에는 막이 형성되는 기판(5)을 지지하기 위한 기판 홀더(2)가 설치되어 있다.

진공챔버(1) 내의 하부에는 막의 원료물질을 진공챔버(1) 내의 공간으로 증발시키기 위한 증발원(10, 10')이 배치되어 있다. 증발원(10, 10')은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 도가니(Crucible)(7)와 전자총(8)을 구비하고 있다.

전자총(8)은 막의 원료(9)가 공급되는 도가니(7) 내를 향하여 전자빔을 조사하게 되어 있다. 그리고, 도가니(7) 내의 막의 원료(9)는, 전자총(8)에 의해 전자빔이 조사됨으로써 가열된다.

증발원(10, 10') 각각에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 도가니(7)들이 설치되어 있다. 그리고, 기판(5)에 성형되는 막의 순서에 따라서 대응하는 도가니(7)가 전자빔의 조사위치로 순차적으로 위치 결정되도록 되어 있다. 이기판(5)에 막을 성형하는 순서에 따른 대응 도가니(7)의 위치 결정은 후술할 제어장치(12)에 의하여 제어된다.

또한, 막의 원료(9)에 대한 가열 강도를 결정하는 전자빔의 강도는 전자총(8)에 공급되는 빔 전류의 강도에 의하여 결정된다. 그리고, 전자총(8)에는 후술할 예비 가열공정의 실행에 필요한 소정 강도의 빔 전류와, 주 가열공정의 실행에 필요한 소정 강도의 빔 전류가 공급되게 된다. 또한, 전자총(8)에 의해 전자빔을 조사하는 동작의 개시 및 정지와, 전자총(8)에 대한 빔 전류의 강도는, 후술할 제어장치(12)에 의하여 제어된다.

또한, 진공챔버(1) 내의 하부에는, 막의 원료(9)가 증발하여도 기판(5)에 증착되지 않도록 하기 위하여, 한 쌍의 차폐판(15)이 증발원(10, 10') 위쪽을 각각 덮도록 설치되어 있다. 이 차폐판(15)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 지지축(16)을 중심으로 공전되도록 구동된다. 차폐판(15)의 구동은 별도로 도시하지 않은 모터 등의 구동기구에 의하여 이루어진다.

차폐판(15)은 도가니(7)의 위쪽을 덮는 폐쇄위치(A)와, 도가니(7)의 위쪽으로부터 벗어난 개방위치(B) 사이를 왕복하도록 구동된다. 차폐판(15)이 폐쇄위치(A)에 위치하는 경우에는, 막의 원료(9)가 가열되어 증발하여도 도가니(7)의 위쪽이 차폐판(15)에 의하여 차단되어 있기 때문에 막의 원료(9)가 기판(5)에 증착되지 않는다. 한편, 차폐판(15)이 개방위치(B)에 위치하는 경우에는, 막의 원료(9)가 가열되어 증발하면 도가니(7) 위쪽이 개방되어 있으므로 기판(5)에 증착될 수 있게 된다.

그리고, 차폐판(15)은, 후술할 예비 가열공정에서는 폐쇄위치(A)에 위치하고, 주 가열공정에서는 개방위치(B)에 위치하게 된다. 차폐판(15)을 폐쇄위치(A) 또는 개방위치(B)로 구동시키는 동작은 후술할 제어장치(12)에 의하여 제어된다.

이상에서 설명한 증발원(10, 10')에서는, 전자총(8)에 의해 전자빔을 막의 원료(9)에 조사함에 있어서, 증발원(10, 10')의 각각이 독립적으로 제어되도록 할 수 있다. 또한, 차폐판(15)도 증발원(10, 10')에 대응하여 각각 독립적으로 제어할 수 있다. 따라서, 증발원(10, 10')에 의하여 예비 가열공정 및 주 가열공정을 실행하는데 있어서, 증발원(10, 10')의 각각에 의하여 독립적으로 실행할 수 있게 된다.

제어장치(12)는, 이 제어장치(12)를 제외한 성막장치(20)에 포함되는 각 기구의 동작을 제어하기 위한 제어신호를 출력하고, 이들 기구로부터 출력되는 신호가 입력되도록 구성되어 있으며, 성막장치(20)에 의하여 실행되는 막의 성형을 위한 공정을 제어한다. 또한, 제어장치(12)와 상기 각 기구 사이에서의 신호 입출력은, 일반적으로 디지털 제어에서 주지된 것과 같은, 별도로 도시되지 않은 인터페이스 기구나 A/D 변환기구 등을 통하여 이루어진다.

제어장치(12)는 프로그래머블 컨트롤러(Programmable Controller)를 구비하며, 이 프로그래머블 컨트롤러에 주어지는 프로그램에 막의 성형 순서를 자유롭게 기술할 수 있다. 이에 의하여, 제어장치(12)는 성막장치(20)에 의해 실행되는 막의 성형 조건을 미리 자유롭게 설정할 수 있으며, 소망하는 성막공정을 실행시킬 수 있다. 프로그래머블 컨트롤러의 예로서 시퀀서(Sequencer)를 들 수 있다. 시퀀서를사용하면, 실행하고자 하는 공정의 내용을 프로그램에 기술하는 것이 용이하며, 소망하는 성막공정을 설정하는 것도 용이하다.

그리고, 제어장치(12)의 프로그래머블 컨트롤러에 주어지는 프로그램의 내용에는, 증발원(10, 10')을 동작시키기 위한 조건과, 증발원(10, 10') 각각에 대응하는 차폐판(15)을 동작시키는 조건이 있다.

증발원(10, 10')을 동작시키기 위한 조건으로는, 전자총(8)에 공급되는 빔 전류에 관한 조건이 있으며, 빔 전류의 강도, 빔 전류의 공급이나 정지의 타이밍, 빔 전류의 시간에 대한 변화 등에 관한 조건이 있다. 또한, 차폐판(15)을 동작시키는 조건으로는 차폐판(15)을 폐쇄위치(A) 또는 개방위치(B) 중 어디로 할 것인가의 조건이 있다.

다음으로, 도 4를 참조하여, 증발원(10, 10')을 동작시키는 조건 및 차폐판(15)을 동작시키는 조건에 대하여 설명한다. 도 4에서, 횡축은 시간에 대응하는 것이며, 종축은 전자총(8)에 공급되는 빔 전류의 강도 및 차폐판(15)이 구동되어 폐쇄위치(A) 또는 개방위치(B)에 위치되도록 하기 위한 온/오프(ON/OFF) 신호에 대응하는 것이다.

도 4에서, EB1은 하나의 증발원(10)에 구비된 전자총(8)에 공급되는 빔 전류를 표시하며, EB2는 다른 하나의 증발원(10')에 구비된 전자총(8)에 공급되는 빔 전류를 표시한다. 또한, S1은 하나의 증발원(10)에 대응하는 차폐판(15)에 대한 온/오프 신호를 표시하며, S2는 다른 하나의 증발원(10')에 대응하는 차폐판(15)에 대한 온/오프 신호를 표시한다.

도 4에 도시된 바와 같이, 증발원(10)을 동작시키는 조건에 있어서, 영역 R1로 나타낸 범위는 막의 원료(9)를 기판(5)에 증착시키지 않고 가열을 행하는 예비 가열공정을 실행하는 조건에 대응하는 것이며, 영역 R2로 나타낸 범위는 막의 원료(9)를 가열하여 기판(5)에 증착시키기 위한 주 가열공정을 실행하는 조건에 대응한다.

또한, 다른 증발원(10')을 동작시키는 조건에 있어서, 영역 R3으로 나타낸 범위는 막의 원료(9)를 가열하지만 기판(5)에는 증착시키지 않고 예비 가열하는 예비 가열공정을 실행하는 조건에 대응하는 것이며, 영역 R4로 나타낸 범위는 막의 원료(9)를 가열하여 기판(5)에 증착시키는 주 가열공정을 실행하는 조건에 대응하는 것이다.

도 4에 도시된 EB1, EB2는, 영역 R1, R3으로 표시된 범위에서는, 막의 원료(9)의 예비가열에 요구되는 강도의 전류가 된다. 또한, EB1, EB2는, 영역 R2, R4로 표시된 범위에서는, 막의 원료(9)를 증발시켜 기판(5)에 증착시키는 데 요구되는 강도의 전류가 된다.

또한, 도 4에 도시된 S1, S2는, 영역 R1, R3으로 표시된 범위에서는 차폐판(15)을 폐쇄위치(A)로 하는 오프(OFF) 신호가 되며, 영역 R2, R4로 표시된 범위에서는 차폐판(15)을 개방위치(B)로 하는 온(ON) 신호가 된다.

도 4에 도시된 조건에 따라 증발원(10, 10')들을 동작시키면, 증발원(10')에 의한 예비 가열공정은, 다른 증발원(10)에 의한 주 가열공이 개시된 후로부터 Td 시간 경과 후이면서, 다른 증발원(10)에 의한 주 가열공정이 완료되기 전에 개시된다. 즉, 증발원(10)에 의한 주 가열공정을 실행하여 기판(5)에 하나의 층을 형성하는 동안에, 다음으로 성막(成膜)되어야 할 다른 하나의 층을 형성하기 위하여 다른 증발원(10')에 의한 예비 가열공정의 실행을 개시한다. 이러한 방식으로 2층 이상으로 이루어진 다층막을 성형하면, 하나의 층을 형성하기 위한 주가열공정을 완료한 후에 다른 하나의 층을 형성하기 위한 예비가열공정을 개시하는 경우에 비하여, 다층막의 전부의 성형을 최종적으로 완료하는 시간을 단축시킬 수 있다.

또한, 도 4에 도시된 조건에 따라 막을 성형하는데 있어서, 한 층 마다의 막 두께가 대략 300nm 정도가 되는 경우에는, 영역 R1, R3으로 표시된 범위에 대응하는 예비 가열공정을 실행하는 시간은 대략 10분 정도가 되며, 영역 R2, R4로 표시된 범위에 대응하는 주 가열공정을 실행하는 시간은 대략 1시간 정도가 된다.

또한, 예비 가열공정을 실행하는 시간이 대략 10분 정도이며, 주 가열공정을 실행하는 시간이 대략 1시간 정도가 되는 경우에는, 다음으로 성막되어야 할 층을 형성하기 위한 예비 가열공정을 개시하기까지의 시간 Td는, 대략 30분을 상한으로 하는 범위에서 선택된다.

이상에서 설명한 성막장치(20)에 의하여 막을 성형하면, 막의 원료나 성형할 때의 막 두께를 적절하게 선택할 수 있어, 각종의 용도에 맞는 다층막을 얻을 수 있다. 그리고, 이러한 다층막으로서, 광통신용 광학필터로 이용되는 것을 얻을 수 있다.

이러한 광통신용 광학필터는, 파장다중전송(DWDM) 시스템에서의 광합파기(光合波器)나 광분파기(光分波器)에 이용된다. 광합파기는 다수의 다른 파장의 광선을광파이버로 전송하기 위한 것이며, 광분파기는 광파이버로 전송되어 오는 광선을 파장이 다른 각각의 광선으로 분파시켜 전송하기 위한 것이다. 이 광학필터가 커버할 수 있는 광의 파장 범위(파장대역), 즉 광통신에서의 채널수는, 광학필터를 구성하는 다층막의 층수에 따라 결정된다. 그리고, 광통신용 광학필터는, 일반적으로 100층 이상 200층 이하 정도의 층수로 형성된다.

이상의 성막장치(20)에 의해 본 발명을 실시하여 광학필터용 다층막을 형성하면, 이상에서 설명한 바와 같이, 하나의 층에 대한 주 가열공정을 실행하는 동안, 다음으로 형성될 층에 대한 예비 가열공정도 함께 실행할 수 있으므로, 다층막 전체의 성형 완료에 요구되는 시간을 단축할 수 있다.

한편, 이상의 설명에서는, 도가니 내의 막의 원료를 가열하는데 있어서, 전자총 하나가 조립된 하나의 증발원을 단위로 하여 가열하는 것을 예로 들었으나, 전자총에 의한 가열을 반드시 증발원을 단위로 하여 행할 필요는 없다. 즉, 막의 원료가 수용되는 도가니가 복수 개 존재하고 전자총도 복수 개 존재하여, 하나의 도가니에 수용된 막의 원료에 대응하는 하나의 전자총에 의하여 주 가열공정을 실행하는 사이에, 다른 도가니에 수용된 막의 원료에 대응하는 다른 전자총에 의하여 예비 가열공정을 실행하는 것도 가능하다.

또한, 이상의 설명에서는, 성막장치(20)를 진공증착장치에 의해 구성하는 것을 예로 들었으나, 성막의 방식은 이러한 진공증착에 한정되지 않는다. 즉, 진공챔버 내에 지지되는 기판에 최종적으로 막을 성형하는 데 있어서, 도가니에 수용된 막의 원료를 전자총으로 가열하여 증발시키는 공정을 개재하는 것이라면, 성막의방식은 문제되지 않는다.

상기 하나의 도가니에 수용된 막의 원료에 대응하는 하나의 전자총에 의해 주 가열공정을 실행하는 동안에, 하나의 도가니 이외의 다른 도가니에 수용된 막의 원료에 대응하는 전자총 이외의 다른 전자총에 의해 예비 가열공정을 실행할 수 있는 것이라면, 성막의 방식으로서, 예를 들어 이온 도금(Ion-plating)을 이용해서도 본 발명을 실시할 수 있다.

이온 도금에 의해 막을 성형하는 경우에는, 주 가열공정에 의해 증발된 막의 원료를 진공챔버 내에 형성된 전계에 의해 더 이온화시키는 등의 공정을 통하여 막을 성형하는 것이 가능하다. 그리고, 이온 도금에 의해 막을 성형하는 경우에도, 한 층을 형성하기 위한 상기 주가열공정과 다른 층을 형성하기 위한 예비 가열공정을 함께 실행함으로써, 다층막 전체의 성형에 필요한 시간을 단축할 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 다층막을 성형하는 데 있어서, 비교적 단시간으로 전체 층의 성형을 완료할 수 있으므로, 소위 택타임(Tact Time)을 단축할 수 있다.

Claims (5)

1. 진공인 챔버 내에서, 복수의 전자총에 의해 복수의 막 재료를 증발시킴으로써 기판 상에 복수의 막을 순차로 적층되도록 형성하는 다층막의 성막방법으로서,

   상기 복수의 막 각각을 형성하는 막 형성공정은, 상기 각 막에 대응하는 막의 재료를 상기 전자총에 의해 증발시키는 주 가열공정과, 이 주 가열공정에 앞서 상기 각 막에 대응하는 막의 재료를 예비 가열하는 예비 가열공정을 포함하며,

   서로 전후관계에 있는 2 이상의 상기 막 형성공정에 있어서, 먼저 실행되는 막 형성공정의 주 가열공정이 종료되기 전에, 뒤에 실행되는 막 형성공정의 예비 가열공정이 시작되는 것을 특징으로 하는 다층막의 성막방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 막은 100 이상인 것을 특징으로 하는 다층막의 성막방법.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 막은 광통신용 광학필터인 것을 특징으로 하는 다층막의 성막방법.
4. 진공인 챔버 내에서, 전자총에 의해 복수의 막 재료를 증발시킴으로써 기판 상에 복수의 막을 순차로 적층되도록 형성하는 진공성막장치의 제어장치로서,

   상기 복수의 막 각각을 형성하는 막 형성공정이, 각 막에 대응하는 막의 재료를 상기 전자총에 의해 증발시키는 주 가열공정과, 이 주 가열공정에 앞서 상기 각 막에 대응하는 막의 재료를 예비 가열하는 예비 가열공정을 포함하며,

   서로 전후관계에 있는 2 이상의 상기 막 형성공정에 있어서, 먼저 실행되는 막 형성공정의 주 가열공정이 종료되기 전에, 뒤에 실행되는 막 형성공정의 예비 가열공정이 시작되도록 상기 진공성막장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 진공성막장치의 제어장치.
5. 진공인 챔버 내에서, 전자총에 의해 복수의 막 재료를 증발시킴으로써 기판 상에 복수의 막을 순차로 적층되도록 형성하는 진공성막장치로서,

   상기 복수의 막 각각을 형성하는 막 형성공정이, 각 막에 대응하는 막의 재료를 상기 전자총에 의해 증발시키는 주 가열공정과, 이 주 가열공정에 앞서 상기 각 막에 대응하는 막의 재료를 예비 가열하는 예비 가열공정을 포함하며,

   서로 전후관계에 있는 2 이상의 상기 막 형성공정에 있어서, 먼저 실행되는 막 형성공정의 주 가열공정이 종료되기 전에, 뒤에 실행되는 막 형성공정의 예비 가열공정이 시작되는 것을 특징으로 하는 진공성막장치.