KR20020057282A - 전하 역류를 억제할 수 있는 이미지 센서 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플로팅 확산영역에서 포토다이오드 영역으로 전하가 역류하는 것을 억제할 수 있는 이미지 센서에 관한 것으로, 플로팅 확산영역으로부터 이격된 상기 반도체 기판에 형성되어 공급전원전압을 인가받는 n+ 불순물 영역, 플로팅 확산영역과 상기 n+ 불순물 영역 사이의 상기 반도체 기판 상에 형성된 리셋 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 리셋 트랜지스터와 인접한 상기 플로팅 확산영역 표면 일부를 덮으며 상기 플로팅 확산영역 보다 농도가 낮은 n- 불순물 영역, 및 상기 n+ 불순물 영역을 덮으며 그 보다 농도가 낮은 제2 도전형의 n- 불순물 영역을 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
Description
본 발명은 이미지 센서 제조 분야에 관한 것으로, 특히 플로팅 확산영역에서 포토다이오드 영역으로 전하가 역류하는 것을 억제할 수 있는 이미지 센서에 관한 것이다.
이미지 센서(image sensor)는 1차원 또는 2차원 이상의 광학 정보를 전기신호로 변환하는 장치이다. 이미지 센서의 종류는 크게 나누어 촬상관과 고체 촬상 소자로 분류된다. 촬상관은 텔레비전을 중심으로 하여 화상처리기술을 구사한 계측, 제어, 인식 등에서 널리 상용되며 응용 기술이 발전되었다. 시판되는 고체 이미지 센서는 MOS(metal-oxide-semiconductor)형과 CCD(charge coupled device)형의 2종류가 있다.
CMOS 이미지 센서는 CMOS 제조 기술을 이용하여 광학적 이미지를 전기적신호로 변환시키는 소자로서, 화소수 만큼 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하고 있다. CMOS 이미지 센서는, 종래 이미지센서로 널리 사용되고 있는 CCD 이미지센서에 비하여 구동 방식이 간편하고 다양한 스캐닝 방식의 구현이 가능하며, 신호처리 회로를 단일칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능할 뿐만 아니라, 호환성의 CMOS 기술을 사용하므로 제조 단가를 낮출 수 있고, 전력 소모 또한 크게 낮다는 장점을 지니고 있다.
도 1은 4개의 트랜지스터와 2개의 캐패시턴스 구조로 이루어지는 CMOS 이미지센서의 단위화소를 보이는 회로도로서, 광감지 수단인 포토다이오드(PD)와 4개의 NMOS트랜지스터로 구성되는 CMOS 이미지센서의 단위화소를 보이고 있다. 4개의 NMOS트랜지스터 중 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)는 포토다이오드(PD)에서 생성된 광전하를 플로팅 확산영역(FD)으로 전송하는 신호를 전달하고, 리셋 트랜지스터(Rx)는 플로팅 확산영역(FD)을 공급전압(VDD) 레벨로 리셋시키는 신호를 전달하고, 드라이브 트랜지스터(Dx)는 소스팔로워(Source Follower)로서 역할하며, 셀렉트 트랜지스터(Sx)는 화소 데이터 인에이블(pixel data enable) 신호를 인가받아 화소 데이터 신호를 출력으로 전송하는 역할을 한다.
이와 같이 구성된 이미지센서 단위화소에 대한 동작은 다음과 같이 이루어진다. 처음에는 리셋 트랜지스터(Rx), 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 및 셀렉트 트랜지스터(Sx)를 온(on)시켜 단위화소를 리셋시킨다. 이때 포토다이오드(PD)는 공핍되기 시작하여 전하축적(carrier charging)이 발생하고, 플로팅 확산영역은 공급전압( VDD)까지 전하축전된다. 그리고 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 오프시키고 셀렉트 트랜지스터(Sx)를 온시킨 다음 리셋트랜지스터(Rx)를 오프시킨다. 이와 같은 동작 상태에서 단위화소 출력단(SO)으로부터 출력전압 V1을 읽어 버퍼에 저장시키고 난 후, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 온시켜 빛의 세기에 따라 변화된 캐패시턴스 Cp의 캐리어들을 캐패시턴스 Cf로 이동시킨 다음, 다시 출력단(Out)에서 출력전압 V2를 읽어들여 V1 - V2에 대한 아날로그 데이터를 디지털 데이터로 변경시키므로 단위화소에 대한 한 동작주기가 완료된다.
도 2a 종래 이미지 센서의 포토다이오드, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극, 플로팅 확산영역 및 리셋 트랜지스터의 게이트 전극 배치를 보이는 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 A-A'선을 따른 단면도로서, p형 반도체 기판(10)에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx), 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx) 일단의 반도체 기판(10) 내에 형성된 포토다이오드(PD), 트랜스퍼 트랜지스터 게이트 전극(Tx) 타단의 반도체 기판(10) 내에 형성된 플로팅 확산영역(FD), 상기 플로팅 확산영역(FD)을 그 소오스로 하고 그 드레인(SD)에 공급전원전압(Vdd)을 인가받는 리셋 트랜지스터의 게이트 전극(Rx) 배치와 함께 상기 포토다이오드(PD) 영역 형성을 위한 N- 불순물 이온주입 마스크(M-) 및 플로팅 확산영역(FD)을 포함한 소오스 드레인(SD) N+ 불순물 이온주입 마스크(M+)를 보이고 있다.
전술한 바와 같이 이루어지는 종래 이미지 센서는 리셋 트랜지스터(Rx) 및트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 통하여 전달되는 전원공급전압(Vdd)이 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx)과 플로팅 확산영역(FD) 간의 기생 캐패시턴스(C1), 리셋 트랜지스터의 게이트 전극(Rx)과 플로팅 확산영역(FD) 간의 기생 캐패시턴스(C2) 그리고 리셋 트랜지스터의 게이트 전극(Rx)과 소스 드레인(SD) 간의 기생 캐패시턴스(C3) 등과 같은 본체 효과로 인하여 트랜스퍼 트랜지스터에 전달되는 전압의 크기가 상대적으로 감소하여 전송 효율(transfer efficiency)을 감소시키는 문제점이 있다.
또한, 전술한 바와 같이 이루어지는 종래 이미지 센서는 도 3a에 보이는 바와 같이 포토다이오드 내에 형성된 전하(30)가 트랜스퍼 트랜지스터가 온됨에 따라 도 3b에 보이는 바와 같이 플로팅 확산영역(FD)으로 전송되는데, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx)이 오프되면서 도 3c에 보이는 바와 같이 플로팅 확산영역(FD)에서 포토다이오드 영역(PD)으로 역류하여, 이미지 잔상을 형성하는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 플로팅 확산영역에서 포토다이오드 영역으로 전하가 역류하는 것을 억제할 수 있는 이미지 센서를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위화소 구조를 개략적으로 보이는 회로도,
도 2a는 종래 이미지 센서의 포토다이오드, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극, 플로팅 확산영역 및 리셋 트랜지스터의 게이트 전극 배치를 보이는 평면도,
도 2b는 도 2a의 A-A'선을 따른 단면도,
도 3a 내지 도 3c는 종래 이미지 센서에서 전하이동을 보이는 개념도,
도 4a는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서의 포토다이오드, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극, 플로팅 확산영역 및 리셋 트랜지스터의 게이트 전극 배치를 보이는 평면도,
도 4b는 도 4a의 B-B'선을 따른 단면도,
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서에서 전하이동을 보이는 개념도,
도 6a는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서의 포토다이오드, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극, 플로팅 확산영역 및 리셋 트랜지스터의 게이트 전극 배치를 보이는 평면도,
도 6b는 도 6a의 C-C'선을 따른 단면도,
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서에서 전하이동을 보이는 개념도.
*도면의 주요부분에 대한 도면 부호의 설명*
PD: 포토다이오드 FD: 플로팅 확산영역
Tx: 트랜스퍼 트랜지스터 Rx: 리셋 트랜지스터
M+: N+ 이온주입 마스크 M-: N- 이온주입 마스크
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 제1 도전형의 반도체 기판에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극; 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극 일단의 상기 반도체 기판 내에 형성된 제2 도전형의 제1 불순물 영역을 포함하는 포토다이오드; 상기 트랜스퍼 트랜지스터 게이트 전극 타단의 상기 반도체 기판 내에 형성되며 상기 제1 불순물 영역 보다 농도가 높은 제2 도전형의 플로팅 확산영역; 상기 플로팅 확산영역으로부터 이격된 상기 반도체 기판에 형성되어 공급전원전압을 인가받으며 상기 제1 불순물 영역 보다 농도가 높은 제2 도전형의 제2 불순물 영역; 상기 플로팅 확산영역과 상기 제2 불순물 영역 사이의 상기 반도체 기판 상에 형성된 리셋 트랜지스터의 게이트 전극; 상기 리셋 트랜지스터와 인접한 상기 플로팅 확산영역 표면 일부를 덮으며 상기 플로팅 확산영역 보다 농도가 낮은 제2 도전형의 제3 불순물 영역; 및 상기 제2 불순물 영역 표면을 덮으며 상기 제2 불순물 영역 보다 농도가 낮은 제2 도전형의 제4 불순물 영역을 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 제1 도전형의 반도체 기판에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극; 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극 일단의 상기 반도체 기판 내에 형성된 제2 도전형의 제1 불순물 영역을 포함하는 포토다이오드; 상기 트랜스퍼 트랜지스터 게이트 전극 타단의 상기 반도체 기판 내에 형성되며 상기 제1 불순물 영역 보다 농도가 높은 제2 도전형의 플로팅 확산영역; 상기 플로팅 확산영역으로부터 이격된 상기 반도체 기판에 형성되어 공급전원전압을 인가받으며 상기 제1 불순물 영역 보다 농도가 높은 제2 도전형의 제2 불순물 영역; 상기 플로팅 확산영역과 상기 제2 불순물 영역 사이의 상기 반도체 기판 상에 형성된 리셋 트랜지스터의 게이트 전극; 상기 플로팅 확산영역 표면 일부를 덮으며 상기 플로팅 확산영역 보다 농도가 낮은 제2 도전형의 제3 불순물 영역; 및 상기 제2 불순물 영역 표면을 덮으며 상기 제2 불순물 영역 보다 농도가 낮은 제2 도전형의 제4 불순물 영역을 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
본 발명은 리셋 트랜지스터 및 트랜스퍼 트랜지스터의 측면 기생 캐패시턴스를 줄임과 동시에 포토다이오드에서 플로팅 확산영역으로의 전하전송 효율을 증가시킬 수 있는 이미지 센서를 제공한다.
이하, 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 4a는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서의 포토다이오드, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극, 플로팅 확산영역 및 리셋 트랜지스터의 게이트 전극 배치를 보이는 평면도이고 도 4b는 도 4a의 B-B'선을 따른 단면도로서, p형 반도체 기판(40)에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx), 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx) 일단의 반도체 기판(40) 내에 형성된 포토다이오드(PD), 트랜스퍼 트랜지스터 게이트 전극(Tx) 타단의 반도체 기판(40) 내에 형성된 플로팅 확산영역(FD), 상기 플로팅 확산영역(FD)을 그 소오스로 하고 그 드레인(SD)에 공급전원전압(Vdd)을 인가받는 리셋 트랜지스터의 게이트 전극(Rx) 배치와 함께 상기 포토다이오드(PD) 영역 형성을 위한 N- 불순물 이온주입 마스크(M-), 플로팅 확산영역(FD)을 포함한 소오스 드레인(SD) N+ 불순물 이온주입 마스크(M+) 그리고 상기공급전원전압(Vdd)이 인가되는 리셋 트랜지스터의 드레인(SD)과 플로팅 확산영역 주변의 반도체 기판 내에 N- 불순물 이온주입 마스크(M-)를 도시하고 있다.
이러한 구조에 의해 플로팅 확산영역(FD)의 표면 중 리셋 트랜지스터(Rx)의 게이트 전극과 가까운 일부분 만이 일부가 N- 불순물 영역으로 덮여지고, 드레인(SD)은 그 전 표면이 N- 불순물 영역으로 덮여진다.
이와 같은 본 발명의 일실시예에 따라 이루어지는 이미지 센서는 리셋 트랜지스터(Rx)의 게이트 전극과 플로팅 확산영역(FD) 간의 기생 캐패시턴스(C2) 그리고 리셋 트랜지스터(Rx)의 게이트 전극과 드레인(SD) 간의 기생 캐패시턴스(C3)가 상대적으로 작아져 트랜스퍼 트랜지스터에 전달되는 전압이 상대적으로 높아지고, 전송효율(transfer efficient) 향상에 기여한다.
즉, 도 5a에 보이는 바와 같이 포토다이오드 내에 형성된 전하(50)가 트랜스퍼 트랜지스터가 온됨에 따라 도 5b에 보이는 바와 같이 스텝 포텔셜(step potential)을 따라 플로팅 확산영역(FD)으로 보다 쉽게 전송되고, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx)이 오프될 경우에도 도 5c에 보이는 바와 같이 플로팅 확산영역(FD)에서 포토다이오드 영역(PD)으로 역류하지 않게 되고, 그에 따라 이미지 잔상이 발생하지 않는다..
도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 포토다이오드, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극, 플로팅 확산영역 및 리셋 트랜지스터의 게이트 전극 배치를 보이는 평면도이고 도 6b는 도 6a의 C-C' 선을 따른 단면도로서, p형 반도체 기판(60)에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx), 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx) 일단의 반도체 기판(60) 내에 형성된 포토다이오드(PD), 트랜스퍼 트랜지스터 게이트 전극(Tx) 타단의 반도체 기판(60) 내에 형성된 플로팅 확산영역(FD), 상기 플로팅 확산영역(FD)을 그 소오스로 하고 그 드레인(SD)에 공급전원전압(Vdd)을 인가받는 리셋 트랜지스터의 게이트 전극(Rx) 배치와 함께 상기 플로팅 확산영역(FD)을 포함한 소오스 드레인(SD) N+ 불순물 이온주입 마스크(M+) 그리고 포토다이오드(PD) 영역 및 상기 공급전원전압(Vdd)이 인가되는 리셋 트랜지스터의 드레인(SD)과 플로팅 확산영역 주변의 반도체 기판 내에 N- 불순물 이온주입 마스크(M-)를 도시하고 있다.
이러한 구조에 의해 플로팅 확산영역(FD) 및 드레인(SD) 각각의 전 표면이 N- 불순물 영역으로 덮여진다.
이와 같은 본 발명의 일실시예에 따라 이루어지는 이미지 센서는 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx)과 플로팅 확산영역(FD) 간의 기생 캐패시턴스(C1),리셋 트랜지스터(Rx)의 게이트 전극과 플로팅 확산영역(FD) 간의 기생 캐패시턴스(C2) 그리고 리셋 트랜지스터(Rx)의 게이트 전극과 드레인(SD) 간의 기생 캐패시턴스(C3)가 상대적으로 작아져 트랜스퍼 트랜지스터에 전달되는 전압이 상대적으로 높아지고 전송효율 향상에 기여할 수 있다.
즉, 도 7a에 보이는 바와 같이 포토다이오드 내에 형성된 전하(70)가 트랜스퍼 트랜지스터가 온됨에 따라 도 7b에 보이는 바와 같이 스텝 포텔셜(step potential)을 따라 플로팅 확산영역(FD)으로 보다 쉽게 전송되고, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트 전극이 오프될 경우에도 도 7c에 보이는 바와 같이 플로팅 확산영역(FD)에서 포토다이오드 영역(PD)으로 역류하지 않게 되고, 그에 따라 이미지 잔상이 발생하지 않는다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극과 플로팅 확산영역 간의 기생 캐패시턴스,리셋 트랜지스터의 게이트 전극과 플로팅 확산영역 간의 기생 캐패시턴스 그리고 리셋 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 간의 기생 캐패시턴스가 상대적으로 작아져 트랜스퍼 트랜지스터에 전달되는 전압이 상대적으로 높아지고 전송효율 향상에 기여할 수 있다.
Claims (2)
- 이미지 센서에 있어서,제1 도전형의 반도체 기판에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극;상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극 일단의 상기 반도체 기판 내에 형성된 제2 도전형의 제1 불순물 영역을 포함하는 포토다이오드;상기 트랜스퍼 트랜지스터 게이트 전극 타단의 상기 반도체 기판 내에 형성되며 상기 제1 불순물 영역 보다 농도가 높은 제2 도전형의 플로팅 확산영역;상기 플로팅 확산영역으로부터 이격된 상기 반도체 기판에 형성되어 공급전원전압을 인가받으며 상기 제1 불순물 영역 보다 농도가 높은 제2 도전형의 제2 불순물 영역;상기 플로팅 확산영역과 상기 제2 불순물 영역 사이의 상기 반도체 기판 상에 형성된 리셋 트랜지스터의 게이트 전극;상기 리셋 트랜지스터와 인접한 상기 플로팅 확산영역 표면 일부를 덮으며 상기 플로팅 확산영역 보다 농도가 낮은 제2 도전형의 제3 불순물 영역; 및상기 제2 불순물 영역 표면을 덮으며 상기 제2 불순물 영역 보다 농도가 낮은 제2 도전형의 제4 불순물 영역을 포함하는 이미지 센서.
- 이미지 센서에 있어서,제1 도전형의 반도체 기판에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극;상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극 일단의 상기 반도체 기판 내에 형성된 제2 도전형의 제1 불순물 영역을 포함하는 포토다이오드;상기 트랜스퍼 트랜지스터 게이트 전극 타단의 상기 반도체 기판 내에 형성되며 상기 제1 불순물 영역 보다 농도가 높은 제2 도전형의 플로팅 확산영역;상기 플로팅 확산영역으로부터 이격된 상기 반도체 기판에 형성되어 공급전원전압을 인가받으며 상기 제1 불순물 영역 보다 농도가 높은 제2 도전형의 제2 불순물 영역;상기 플로팅 확산영역과 상기 제2 불순물 영역 사이의 상기 반도체 기판 상에 형성된 리셋 트랜지스터의 게이트 전극;상기 플로팅 확산영역 표면 일부를 덮으며 상기 플로팅 확산영역 보다 농도가 낮은 제2 도전형의 제3 불순물 영역; 및상기 제2 불순물 영역 표면을 덮으며 상기 제2 불순물 영역 보다 농도가 낮은 제2 도전형의 제4 불순물 영역을 포함하는 이미지 센서.
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100752182B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2007-08-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100760913B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-09-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
| KR100855282B1 (ko) * | 2002-05-18 | 2008-09-01 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 제조 방법 |
| US7521742B2 (en) | 2006-06-05 | 2009-04-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor |
| US7833819B2 (en) | 2008-07-23 | 2010-11-16 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for decreasing storage node parasitic charge in active pixel image sensors |
| CN103280450A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-09-04 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 像素单元及其制作方法、图像传感器及其制作方法 |
| CN112447776A (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 天津大学青岛海洋技术研究院 | 一种降低电荷回流的cmos图像传感器像素制作方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3398388B2 (ja) * | 1991-05-10 | 2003-04-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPH04373136A (ja) * | 1991-06-21 | 1992-12-25 | Nec Corp | 電荷結合装置 |
| KR970018640A (ko) * | 1995-09-29 | 1997-04-30 | 김광호 | 전하 검출(Charge Detection)구조를 갖는 전하 결합 디바이스(CCD) |
| JPH11261046A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
| JP3833027B2 (ja) * | 1998-11-02 | 2006-10-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び画像入力装置 |
-
2000
- 2000-12-30 KR KR10-2000-0087585A patent/KR100373342B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100855282B1 (ko) * | 2002-05-18 | 2008-09-01 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 제조 방법 |
| KR100752182B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2007-08-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100760913B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-09-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
| US7521742B2 (en) | 2006-06-05 | 2009-04-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor |
| US7833819B2 (en) | 2008-07-23 | 2010-11-16 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for decreasing storage node parasitic charge in active pixel image sensors |
| CN103280450A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-09-04 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 像素单元及其制作方法、图像传感器及其制作方法 |
| CN103280450B (zh) * | 2013-05-24 | 2017-02-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 像素单元及其制作方法、图像传感器及其制作方法 |
| CN112447776A (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 天津大学青岛海洋技术研究院 | 一种降低电荷回流的cmos图像传感器像素制作方法 |
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