KR20020053419A - 반도체패키지용 리드프레임 - Google Patents

Abstract

이 발명은 반도체패키지용 리드프레임에 관한 것으로, 리드프레임의 칩탑재판 등이 틸트되거나 쉬프트되지 않도록 하여 몰딩 불량을 억제할 수 있도록, 대략 사각 판상의 칩탑재판과, 상기 칩탑재판의 네모서리에서 외주연을 향해 연장된 다수의 타이바와, 상기 칩탑재판의 외주연에 대략 방사상으로 형성된 다수의 내부리드와, 상기 내부리드에 연결되어 외측으로 더 연장된 외부리드와, 상기 내부리드 및 외부리드의 경계 영역에 다수의 내,외부리드를 연결시켜주는 댐바로 이루어진 반도체패키지용 리드프레임에 있어서, 상기 칩탑재판은 각각의 변(邊) 중앙에서 그 외주연의 댐바까지 타이바가 더 연결된 것을 특징으로 함.

Description

반도체패키지용 리드프레임{Leadframe for semiconductor package}

본 발명은 반도체패키지용 리드프레임에 관한 것으로, 더욱 상세하게 설명하면 리드프레임의 칩탑재판 등이 틸트(Tilt)되거나 쉬프트(Shift)되지 않도록 하여 몰딩 불량을 억제할 수 있는 반도체패키지용 리드프레임에 관한 것이다.

통상 반도체패키지용 리드프레임은 구리(Cu), 철(Fe), 구리합금(Cu Alloy) 등의 연속된 금속 스트립(Strip)을 기계적 스탬핑(Stamping)이나 화학적 에칭(Etching) 방법에 의해 제조한 것으로, 그 역할은 반도체칩과 외부 회로를 연결시켜 주는 전선(Lead) 역할과 반도체패키지를 마더보드(Mother Board)에 고정시켜 주는 버팀대(Frame)의 역할을 동시에 수행하는 것을 말한다.

이러한 리드프레임(100')은 통상 도1a에 도시된 바와 같이, 중앙에 반도체칩(도시되지 않음)을 탑재하는 사각판 형상의 탑재판(2)이 형성되어 있고, 상기 칩탑재판(2)의 네모서리 부분에는 외주연쪽으로 연장된 타이바(4a,4b,4c,4d)가 형성되어 있다. 또한, 상기 칩탑재판(2)의 외주연에는 일정거리 이격되어서 대략 방사상으로 다수의 내부리드(8)가 형성되어 있고, 상기 각 내부리드(8)로부터는 외부리드(10)가 연장되어 있다. 더불어, 상기 내부리드(8)와 외부리드(10)의 경계 부분에는 몰딩 공정중 에폭시몰딩컴파운드(Epoxy Molding Compound)가 외부리드(10)까지 흘러 넘치지 않도록 함은 물론, 내부리드(8) 및 외부리드(10)를 지지할 수 있도록 댐바(12)가 연결되어 있다.

도면중 미설명 부호 16은 내부리드(8) 상호간의 쇼트(Short)나 휘어짐 등을 억제하기 위한 절연테이프이다.

한편, 이러한 리드프레임(100')은 반도체칩의 탑재나, 와이어 본딩(Wire Bonding) 또는 리드프레임(100')의 이송중 외력에 의해 상기 칩탑재판(2)의 위치가틸트되거나 또는 쉬프트되는 경우가 빈번히 발생한다. 즉, 도2에 도시된 바와 같이 칩탑재판(2)의 기준위치 b를 중심으로 그 상부의 a 위치로 틸트/쉬프트되거나 또는 그 하부의 c 위치로 틸트/쉬프트된다. 이러한 현상은 주로 상기 절연테이프(16) 내측의 타이바(4a~4d)로부터 시작된다.

상기와 같이 기준위치 b를 중심으로 그 상부의 a 위치로 칩탑재판(2)이 틸트/쉬프트된 경우에는 도3a에 도시된 바와 같이 몰딩 공정후 몰딩부(20)의 상부(Top)에 외부 보이드(External Void)가 주로 발생하고, 기준위치 b를 중심으로 그 하부의 c 위치로 칩탑재판(2)이 틸트/쉬프트된 경우에는 도3c에 도시된 바와 같이 몰딩 공정후 몰딩부(20)의 하부(Bottom)에 외부 보이드가 주로 발생하는 문제가 있다.

도면중 도3b는 칩탑재판(2)이 기준위치 b에 위치하여 몰딩 공정후 몰딩부(20)에 보이드가 발생하지 않은 것을 도시한 것이다.

따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 리드프레임의 칩탑재판 등이 틸트되거나 쉬프트되지 않도록 하여 몰딩 불량을 억제할 수 있도록 한 반도체패키지용 리드프레임을 제공하는데 있다.

도1은 종래의 리드프레임을 도시한 평면도이다.

도2는 종래의 리드프레임에서 절연테이프 내측의 내부리드, 타이바 및 칩탑재판의 틸트 또는 쉬프트(Tilt or Shift) 상태를 도시한 부분 단면도이다.

도3a 내지 도3c는 몰딩 불량 상태를 도시한 평면도 및 저면도이다.

도4a는 본 발명에 의한 반도체패키지용 리드프레임을 도시한 평면도이고, 도4b는 도4a의 A부분을 확대 도시한 부분 평면도이다.

- 도면중 주요 부호에 대한 설명 -

100; 본 발명에 의한 리드프레임

2; 칩탑재판4a,~4d,6a~6d; 타이바

8; 내부리드10; 외부리드

12; 댐바14; 넥다운부

16; 절연테이프20; 몰딩부

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 대략 사각 판상의 칩탑재판과, 상기 칩탑재판의 네모서리에서 외주연을 향해 연장된 다수의 타이바와, 상기 칩탑재판의 외주연에 대략 방사상으로 형성된 다수의 내부리드와, 상기 내부리드에 연결되어외측으로 더 연장된 외부리드와, 상기 내부리드 및 외부리드의 경계 영역에 다수의 내,외부리드를 연결시켜주는 댐바로 이루어진 반도체패키지용 리드프레임에 있어서, 상기 칩탑재판은 각각의 변(邊) 중앙에서 그 외주연의 댐바까지 타이바가 더 연결된 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 칩탑재판의 각 변에 연결된 타이바는 상기 댐바와 연결된 영역 근처에 폭이 작아지는 넥다운부(Neck Down Portion)가 더 형성됨이 바람직하다.

상기와 같이 하여 본 발명에 의한 반도체패키지용 리드프레임에 의하면, 칩탑재판을 네모서리에서 뿐만 아니라 각변의 중앙에서도 타이바가 지지해줌으로써, 상기 칩탑재판의 틸트/쉬프트 현상을 최대한 억제하게 되며, 결국 몰딩 공정후 몰딩부의 외부 보이드(External Void) 현상을 방지하게 된다.

또한, 상기 댐바에 연결된 타이바는 통상의 트림(Trim) 공정에서 제거되며, 상기 댐바에 연결된 타이바에는 넥다운부가 형성되어 있음으로써, 그 타이바의 트림후 돌출(Protrusion) 현상을 방지할 수 있게 된다.

이하 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도4a는 본 발명에 의한 반도체패키지용 리드프레임(100)을 도시한 평면도이고, 도4b는 도4a의 A부분을 확대 도시한 부분 평면도이다.

도시된 바와 같이 대략 사각 판상의 칩탑재판(2)이 구비되어 있고, 상기 칩탑재판(2)의 네모서리에서 외주연을 향하여는 다수의 타이바(4a~4d)가 연장되어 있다. 또한 상기 칩탑재판(2)의 외주연에는 대략 방사상으로 다수의 내부리드(8)가 형성되어 있고, 상기 각각의 내부리드(8)에는 외부리드(10)가 외측으로 더 연장되어 있다. 또한 상기 내부리드(8) 및 외부리드(10)의 경계 영역에는 다수의 내,외부 리드(8,10)를 상호 연결시켜주는 댐바(12)가 형성되어 있으며, 이러한 구조는 종래와 같다.

본 발명은 상기 사각판 형상의 칩탑재판(2)에 형성된 각각의 변(邊) 중앙에서 그 외주연의 댐바(12)까지 타이바(6a,6b,6c,6d)가 더 형성된 것을 특징으로 한다. 즉, 상기 칩탑재판(2)에 형성된 네개의 변(邊) 중앙에는 타이바(6a~6d)의 일단이 연결되어 있으며, 상기 타이바(6a~6d)의 타단은 댐바(12)에 연결되어 있다.

따라서, 상기 칩탑재판(2)은 모서리에서 4개의 타이바(4a~4d)가 지지하는 동시에, 각 변에 형성된 4개의 또다른 타이바(6a~6d)가 지지함으로써, 총 8개의 타이바(4a~4d, 6a~6d)가 상기 칩탑재판(2)을 지지하게 된다. 결국은, 종래에 비해 상기 칩탑재판(2)을 보다 안정적으로 지지하게 됨으로써, 종래와 같은 칩탑재판(2)의 틸트/쉬프트 현상을 억제할 수 있게 되며, 몰딩시 몰딩부의 외부 보이드를 억제하게 된다.

한편, 도4b에 도시된 바와 같이, 상기 칩탑재판(2)의 각 변에 연결된 타이바(6a~6d)는 상기 댐바(12)와 연결된 영역 근처에 폭이 작아지는 넥다운부(14)가 더 형성되어 있다. 상기 넥다운부(14)는 차후 댐바(12) 트림 공정에서 상기 타이바(6a~6d)의 돌출(Protrusion) 현상을 억제한다. 즉, 트림펀치(Trim Punch, 도시되지 않음)가 상기 댐바(12)를 컷팅(Cutting)할 때, 상기 트림펀치의컷팅력(Cutting Force)이 상기 넥다운부(14)에 집중됨으로써, 상기 타이바(6a~6d)를 용이하고 깨끗하게 컷팅하고, 결국 타이바(6a~6d)의 돌출 현상을 억제하게 된다.

이상에서와 같이 본 발명은 비록 상기의 실시예에 한하여 설명하였지만 여기에만 한정되지 않으며, 본 발명의 범주 및 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지로 변형된 실시예도 가능할 것이다.

따라서 본 발명에 의한 반도체패키지용 리드프레임에 의하면, 칩탑재판을 네모서리에서 뿐만 아니라 각변의 중앙에서도 타이바가 지지해줌으로써, 상기 칩탑재판의 틸트/쉬프트 현상을 최대한 억제하게 되며, 결국 몰딩 공정후 몰딩부의 외부 보이드 현상을 방지하게 된다.

또한, 상기 댐바에 연결된 타이바는 통상의 트림(Trim) 공정에서 제거되며, 상기 댐바에 연결된 타이바에는 넥다운부가 형성되어 있음으로써, 그 타이바의 트림후 돌출(Protrusion) 현상을 방지할 수 있게 된다.

Claims (2)

1. 대략 사각 판상의 칩탑재판과, 상기 칩탑재판의 네모서리에서 외주연을 향해 연장된 다수의 타이바와, 상기 칩탑재판의 외주연에 대략 방사상으로 형성된 다수의 내부리드와, 상기 내부리드에 연결되어 외측으로 더 연장된 외부리드와, 상기 내부리드 및 외부리드의 경계 영역에 다수의 내,외부리드를 연결시켜주는 댐바로 이루어진 반도체패키지용 리드프레임에 있어서,

   상기 칩탑재판은 각각의 변(邊) 중앙에서 그 외주연의 댐바까지 타이바가 더 연결된 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 리드프레임.
2. 제1항에 있어서, 상기 칩탑재판의 각 변에 연결된 타이바는 상기 댐바와 연결된 영역 근처에 폭이 작아지는 넥다운부(Neck Down Portion)가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 리드프레임.