KR20020037865A - 씨모스 이미지 센서용 패키지와 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
씨모스 이미지 센서용 패키지에 관한 것으로서, 관통공이 형성되고 일측면에 접착층이 형성된 베이스 부재와, 베이스 부재에 접착되고 양단부에 각각 본딩 패드와 볼 패드가 형성된 회로 패턴과, 회로 패턴이 형성된 베이스 부재의 일측면에 본딩 패드와 볼 패드가 노출되도록 형성된 절연층과, 베이스 부재에 고정되며 본딩 플립칩에 의해 단자들이 각각 본딩 패드와 접속되는 칩과, 절연층, 본딩 플립칩, 및 칩의 주변부사이에 충전된 엔캡슐런트와, 베이스 부재의 관통공을 밀폐하도록 베이스 부재의 타측면에 고정되는 커버 글라스;를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지와 그 제조 방법.
Description
본 발명은 씨모스 이미지 센서용 패키지에 관한 것으로서, 더 상세하게는 보다 얇고 소형화되며 화상 입력 감도가 개선된 씨모스 이미지 센서용 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서는 1차원 또는 2차원 이상의 광학 정보를 전기 신호로 변환하는 장치이다. 이미지 센서의 종류는 크게 나누어 촬상관과 고체 촬상소자로 분류된다. 고체 촬상 소자에는 씨모스 이미지 센서(CMOS image sensor)와 씨씨디 이미지 센서(CCD image sensor)의 두종류가 있다. 이러한 고체 촬상 소자는 카메라, 캠코더, 멀티 미디어 퍼스널 컴퓨터, 감시 카메라 등에 응용되고 있으며, 그 사용이 폭발적으로 증가하고 있다.
이러한 씨모스 이미지 센서는 씨모스 이미지 센서용 패키지에 렌즈를 부착하여 이루어진다.
이러한 씨모스 이미지 센서용 패키지는 기판의 소재로 고가의 세라믹을 이용한다. 세라믹 기판은 소재가 절연성이기 때문에 홀을 형성하고 그 홀내에 전도성 부재를 형성하더라도 쇼트 현상이 일어나는 경우가 없으며, 따라서 상기 세라믹 기판에 대해서는 절연물질을 도포하는 별도 공정을 실시하지 않아도 된다. 그러나 고가이며 가공상의 어려움과 함께 가공비가 많이 든다는 단점이 있다. 또한, 열 방출이 잘 되지 않고 취성이 커서 잘 깨진다는 단점이 있다. 이러한 문제점을 가지는 씨모스 이미지 센서용 패키지에 대한 대체품으로 투명 컴파운트(Compound)를 이용한 씨모스 이미지 센서용 패키지와, 플라스틱으로 몰딩된 리드 프레임을 이용한 씨모스 이미지 센서용 패키지가 개발되었으나 이들 모두 조립상의 문제와 흡습에 의한 선명도 문제로 아직 널리 이용되지는 않고 있다.
통상적인 씨모스 이미지 센서용 패키지가 미국 특허 제5,949,655호에 개시되어 있다.
이 씨모스 이미지 센서용 패키지는 제1면과 제2면사이에 관통공이 형성된 기판과, 상기 기판의 제1면에 위치한 칩과, 상기 기판의 제1면에 형성된 전도 금속층에 전기적으로 연결된 상기 칩의 다수개의 솔더 범프와, 접착 물질에 의해 상기 기판의 제2면에 고정된 투명 커버를 포함한다.
또한, 상기 투명 커버는 상기 투명 커버를 통해 빛이 감광셀에 전달되도록관통공 위에 설치된다.
이러한 씨모스 이미지 센서용 패키지는 가공상의 어려움 때문에 박막화와 소형화에 한계가 있고 비용 측면에도 불리하다는 문제점을 가지고 있다.
또한, 이러한 씨모스 이미지 센서용 패키지는 세라믹이 흡습성이 강하므로 화상 입력 감도가 저하되고 취성이 커서 잘 깨지며 열 방출성이 떨어진다는 문제점을 가지고 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 보다 얇고 소형화되며 화상 입력 감도가 개선된 씨모스 이미지 센서용 패키지를 제공하는데 목적이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서용 패키지의 단면도,
도 2는 도 1의 패키지가 관통공이 형성된 마더 보드에 직접 실장된 단면도,
도 3a 내지 도 3i는 도 1의 패키지의 제조 단계별로 도시한 단면도,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서용 패키지의 단면도,
도 5은 도 4의 패키지가 관통공이 형성된 마더 보드에 직접 실장된 단면도,
도 6a 내지 도 6i는 도 4의 패키지의 제조 단계별로 도시한 단면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
5...관통공 10...베이스 부재
20...회로 패턴 30...절연층
40...칩 50...본딩 플립칩
60...엔캡슐런트 70...커버 글라스
80...마더 보드
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서용 패키지는,
관통공이 형성되고 일측면에 접착층이 형성된 베이스 부재와; 상기 베이스 부재에 접착되고 양단부에 각각 본딩 패드와 볼 패드가 형성된 회로 패턴과; 상기 회로 패턴이 형성된 베이스 부재의 일측면에 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드가 노출되도록 형성된 절연층과; 상기 베이스 부재에 고정되며 본딩 플립칩에 의해 단자들이 각각 상기 본딩 패드와 접속되는 칩과; 상기 절연층, 상기 본딩 플립칩, 및 상기 칩의 주변부사이에 충전된 엔캡슐런트와; 상기 베이스 부재의 관통공을 밀폐하도록 상기 베이스 부재의 타측면에 고정되는 커버 글라스;를 포함하여 된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서용 패키지는,
관통공이 형성되고 양측면에 접착층이 형성된 베이스 부재와; 상기 베이스 부재를 관통하는 다수의 비아 홀이 형성되고, 상기 베이스 부재의 일측면에 본딩 패드가 형성되며 타측면에 볼 패드가 형성되어 상기 비아 홀을 통해서 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드를 연결하는 회로 패턴과; 상기 회로 패턴이 형성된 베이스 부재의 양측면에 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드가 노출되도록 형성된 절연층과; 상기 베이스 부재에 고정되며 본딩 플립칩에 의해 단자들이 각각 상기 본딩 패드와 접속되는 칩과; 상기 절연층, 상기 본딩 플립칩, 및 상기 칩의 주변부사이에 충전된 엔캡슐런트와; 상기 베이스 부재의 관통공을 밀폐하도록 상기 베이스 부재의 타측면에 고정되는 커버 글라스;를 포함하여 된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 베이스 부재가 금속판으로 되고 상기 회로 패턴은 구리, PI 테이프중의 하나로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서용 패키지의 제조 방법은,
베이스 부재에 관통공을 형성하고 일측면에 접착층을 형성하는 단계; 상기 접착층이 형성된 베이스 부재상에 양단부에 본딩 패드와 볼패드가 형성된 회로 패턴을 형성하는 단계; 상기 회로 패턴이 형성된 베이스 부재의 일측면에 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드가 노출되도록 절연층을 형성하는 단계; 상기 베이스 부재의 일측면에 칩의 단자들과 상기 본딩 패드를 플립칩 본딩하여 칩을 고정하는 단계; 상기 본딩 플립칩을 보호하기 위해 상기 절연층, 상기 본딩 플립칩, 및 상기 칩의 주변부사이에 엔캡슐런트를 충전하는 단계; 상기 베이스 부재의 관통공을 밀폐하도록 상기 베이스 부재의 타측면에 커버 글라스를 고정하는 단계;를 포함하여 된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서용 패키지의 제조 방법은,
베이스 부재에 관통공을 형성하고 양측면에 접착층을 형성하는 단계; 상기 접착층이 형성된 베이스 부재를 관통하는 다수의 비아 홀을 형성하는 단계; 일측면에 본딩 패드가 형성되고 타측면에 볼 패드가 형성되어 상기 비아 홀을 통해서 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드를 연결하는 회로 패턴을 형성하는 단계; 상기 회로 패턴이 형성된 베이스 부재의 양측면에 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드가 노출되도록 절연층을 형성하는 단계; 상기 베이스 부재의 일측면에 칩의 단자들과 상기 본딩 패드를 플립칩 본딩하여 칩을 고정하는 단계; 상기 본딩 플립칩을 보호하기 위해 상기 절연층, 상기 본딩 플립칩, 및 상기 칩의 주변부사이에 엔캡슐런트를 충전하는 단계; 상기 베이스 부재의 관통공을 밀폐하도록 상기 베이스 부재의 타측면에 커버 글라스를 고정하는 단계;를 포함하여 된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서용 패키지를 상세히 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서용 패키지(100)는 관통공(5)이 형성되고 일측면(10a)에 접착층(6)이 형성된 베이스 부재(10)와, 상기 베이스 부재(10)의 일측면에 형성된 회로 패턴(20)과, 상기 회로 패턴(20)이 형성된 베이스 부재(10)의 일측면에 형성된 절연층(30)과, 상기 베이스 부재(10)에 고정되는 칩(40)과, 상기 절연층(30), 본딩 플립칩(50) 및 상기 칩(40)의 주변부사이에 충전되는 엔캡슐런트(60)와, 상기 베이스 부재(10)의 관통공(5)을 밀폐하는 커버 글라스(70)를 포함한다.
상기 베이스 부재(10)는 금속을 사용하며, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 합금42(Alloy 42, Ni 42wt% 함유한 철 합금계를 말한다)등을 소재로 하는 금속 기판이 바람직하다. 금속은 값이 저렴할 뿐만 아니라, 가공이 용이하여 박판화가 가능하고 열적 신뢰성이 우수하다는 장점이 있다.
또한, 금속판의 양측면에 흑화 처리를 함으로써 금속판의 표면적을 넓혀 상기 접착층(6)이 금속판에 잘 접착되도록 하고 금속판위에 형성될 회로 패턴(20)과 절연시킨다. 그리고, 상기 베이스 부재(10)에 형성된 관통공(5)은 상기 베이스 부재(10)의 중앙부에 형성된다.
또한, 상기 관통공(5)을 따라서 베이스 부재(10)의 내부에 보강 프레임(7)을 설치하여 상기 베이스 부재(10)가 휘는 것을 방지하는 것이 바람직하다.
상기 회로 패턴(20)은 상기 베이스 부재(10)의 일측면(10a)에 라미네이션(lamination)된 구리 소재로 형성된다. 또한, 상기 회로 패턴(20)은 상기 베이스 부재(10)의 일측면(10a)에 PI 테이프를 접착시켜 형성할 수 있다. PI 테이프를 접착시킨 경우에는 구리 소재를 라미네이션 시킨 경우보다 상기 베이스 부재(10)에 더 잘 접착된다. 상기 구리소재의 일단부는 상기 관통공(5)의 주변부를 따라서 상기 베이스 부재(10)의 일측면에 다수개의 본딩 패드(21)를 형성한다. 상기 구리소재의 타단부는 상기 베이스 부재(10)의 주변부를 따라서 상기 본딩 패드(21)와 동일면상에 다수개의 볼 패드(22)를 형성한다. 상기 구리 소재의 중앙부(23)는 상기 본딩 패드(21)와 상기 볼 패드(22)를 연결하며 회로 패턴을 형성한다. 상기 본딩 패드(21)와 상기 볼 패드(22)에 내식성의 강화와 플립칩 본딩(Flip chip bonding)을 향상시키기 위하여 소정 두께의 도금층(23)을 형성하는 것이 바람직하다.
상기 회로 패턴(20)을 마더 보드(80)에 접속하기 위하여 상기 볼 패드(22)에 솔더 볼(24)을 부착할 수 있다. 도 2를 참조하면, 상기 마더 보드(80)에 관통공(80a)이 형성된 경우에는 상기 볼 패드(22)에 상기 절연층(30)의 두께와 동등하거나 그 이상이 되도록 상기 도금층(23)을 형성하여 씨모스 이미지 센서용 패키지를 상기 마더 보드(80)의 상면(80b)에 직접 실장한다. 이러한 경우에는 씨모스이미지 센서용 패키지의 박판화가 가능하다.
상기 절연층(30)은 상기 회로 패턴(20)이 형성된 베이스 부재(10)의 일측면(10a)에 형성된다. 상기 절연층(30)은 상기 본딩 패드(21)와 상기 볼 패드(22)가 노출되고, 상기 회로 패턴(20)을 보호하도록 형성된다. 상기 절연층(30)은 포토 솔더 리지스트(Photo solder resist)를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 칩(40)은 다수개의 단자(40a)가 일측면상의 주변부를 따라 형성된다. 상기 칩(40)은 상기 단자(40a)가 상기 베이스 부재(10)의 일측면(10a)에 형성된 본딩 패드(21)와 대응되도록 상기 베이스 부재(10)에 고정된다. 상기 단자(40a)와 상기 본딩 패드(21)의 사이에 본딩 플립칩(50)이 형성되어 칩(40) 내의 회로가 상기 회로 패턴(20)과 전기적으로 연결될 수 있게 한다. 와이어 본딩 대신에 플립칩 본딩을 함으로써 박판화가 가능하게 되었다. 상기 단자(40a)가 형성된 일측면상의 중앙부에는 빛을 감지하기 위한 포토 디텍터(Photo detector)(41)가 형성된다.
상기 엔캡슐런트(60)는 상기 절연층(30), 상기 본딩 플립칩(50), 및 상기 칩(40)의 주변부(40b)사이에 충전된다. 상기 베이스 부재(10)와 상기 칩(40)이 열에 의해 팽창할 경우에 열팽창계수의 차이에 기인하여 상기 베이스 부재(10)와 상기 칩(40)의 열팽창률이 상이하게 되고, 그러한 열팽창에서의 차이에 의해서 상기 칩(40)이 파손되는 것을 상기의 엔캡슐런트(60)가 완충시킬수 있다.
또한, 상기 칩(40)의 일측면상의 주변부에 댐(42)을 형성하여 상기 엔캡슐런트(60)가 상기 관통공(5)으로 유입되는 것을 방지하도록 하는 것이 바람직하다.
상기 커버 글라스(70)는 상기 베이스 부재(10)의 타측면(10b)에 부착된다. 상기 커버 글라스(70)는 상기 베이스 부재(10)에 형성된 관통공(5)을 밀폐하도록 부착된다. 상기 커버 글라스(70)는 빛이 상기 포토 디텍터(41)에 잘 감지되도록 투명해야 하며, 상기 관통공(5)에 습기가 차지 않도록 상기 베이스 부재(10)의 타측면(10b)에 밀착되어야 한다. 상기 밀폐된 관통공(5)에 불활성 기체가 충전되어 흡습이 방지되도록 하는 것이 바람직하다. 상기 불활성 기체는 Ne, Ar, Xe 등이 바람직하다. 또한, 상기 커버 글라스(70)의 적어도 한면상에 코팅처리를 하여 습기가 차지 않도록 하는 것이 바람직하다.
상기 씨모스 이미지 센서용 패키지(100)의 제조 방법을 설명하면 다음과 같이 크게 두 가지 공정으로 구분할 수 있다.
즉, 첫째, 상기 씨모스 이미지 센서용 패키지의 기판을 제작하는 단계와, 둘째, 이러한 기판상에 칩과 커버 글라스를 부착시켜 씨모스 이미지 센서용 패키지를 완성하는 단계이다.
이를 제조 단계별로 설명하자면 다음과 같다.
우선, 상기 베이스 부재(10)의 중앙부에 관통공(5)을 형성한다. 그리고 베이스 부재(10)의 양측면(10a, 10b)에 흑화 처리를 한 후에 상기 베이스 부재(10)의 일측면(10a)에 접착층(6)을 형성한다(도 3a). 상기 접착층(6)이 형성된 베이스 부재(10)상에 구리막(8)을 압착한다(도 3b). 이어서, 상기 구리막(8) 상면에 포토레지스트(9)를 도포하고, 회로 패턴이 형성된 마스크(미도시)를 이용하여 노광 및 현상을 하게 된다(도 3c). 이어서 에칭 공정으로 양단부에 본딩 패드(21)와 볼패드(22)가 형성된 회로 패턴(20)을 형성하게 된다(도 3d). 다음으로, 상기 포토레지스트(9)를 제거하는 박리 공정을 수행하게 된다(도 3e). 이러한 회로 패턴 형성 공정(도 3b 내지 도 3e) 대신에 회로 패턴이 이미 형성되어 있는 PI 테이프를 이용할 수도 있다. 상기 회로 패턴(20)이 형성된 베이스 부재의 일측면(10a)에 상기 본딩 패드(21)와 상기 볼 패드(22)를 노출시키고 상기 회로 패턴(20)을 보호하도록 절연층(30)을 형성한다(도 3f). 상기 절연층(30)은 포토 솔더 리지스트를 상기 회로 패턴(20)위에 도포하고 상기 본딩 패드(21)와 상기 볼 패드(22)가 노출되도록 노광 및 현상을 하여 형성된다. 이어서, 상기 본딩 패드(21)에 본딩 플립칩(50)을 형성시킨후 상기 칩의 단자들(40a)과 상기 본딩 패드(21)를 플립칩 본딩하여 칩(40)을 고정한다(도 3g). 상기 본딩 플립칩(50)을 보호하기 위해 상기 절연층, 상기 본딩 플립칩, 및 상기 칩의 주변부(40b)사이에 엔캡슐런트(60)를 충전한다(도 3h). 상기 베이스 부재(10)의 관통공(5)을 밀폐하도록 상기 베이스 부재의 타측면(10b)에 커버 글라스(70)를 고정하여 포토 디텍터(41)를 보호한다(도 3i).
도 4을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서용 패키지(200)는 관통공(5)이 형성되고 양측면에 접착층(6)이 형성된 베이스 부재(10)와, 상기 베이스 부재(10)를 관통하는 다수의 비아 홀(25)이 형성되고 상기 베이스 부재의 양측면에 각각 본딩 패드(21)와 볼 패드(22)가 형성되어 상기 비아 홀(25)을 통해서 상기 본딩 패드(21)와 상기 볼 패드(22)가 연결되는 회로 패턴(20)과, 상기 회로 패턴(20)이 형성된 베이스 부재(10)의 양측면에 형성된 절연층(30)과, 상기 베이스 부재(10)에 고정되는 칩(40)과, 상기 절연층(30), 본딩 플립칩(50), 및 상기 칩(40)의 주변부(40b)사이의 공간을 채우도록 형성된 엔캡슐런트(60)와, 상기 베이스 부재(10)의 관통공(5)을 밀폐하는 커버 글라스(70)를 포함한다.
여기서, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리키는 것으로, 앞서 설명된 바와 실질적으로 동일하므로 자세한 설명을 생략한다.
상기 베이스 부재(10)는 베이스 부재를 관통하는 작은 홀이 다수개 형성되어 있고 상기 홀의 내벽에는 절연물질이 도포되어 있다. 상기 절연물질이 도포된 홀을 전도성 부재로 채움으로써 비아 홀(25)이 형성된다.
상기 회로 패턴(20)은 상기 베이스 부재의 일측면(10a)에는 본딩 패드(21)를 형성하고 상기 베이스 부재의 타측면(10b)에는 볼 패드(22)를 형성한다. 상기 비아 홀(25)을 통해서 상기 본딩 패드(21)와 상기 볼 패드(22)가 전기적으로 연결된다. 상기 본딩 패드(21)는 상기 관통공(5)의 주변부를 따라서 상기 베이스 부재(10)의 일측면에 다수개가 형성된다. 상기 본딩 패드(21)는 상기 칩(40) 내의 회로가 상기 회로 패턴(20)과 전기적으로 연결될 수 있게 한다. 상기 볼 패드(22)는 상기 베이스 부재(10)의 주변부를 따라서 상기 본딩 패드(21)와 다른 면상에 다수개가 형성된다. 상기 볼 패드(22)는 상기 회로 패턴(20)이 마더 보드(80)의 회로와 전기적으로 연결될 수 있게 한다.
상기 본딩 패드(21)와 상기 볼 패드(22)에 내식성의 강화와 플립칩 본딩을 향상시키기 위하여 소정 두께의 도금층(23)을 형성하는 것이 바람직하다.
상기 회로 패턴(20)을 마더 보드(80)에 접속하기 위하여 상기 볼 패드(22)에솔더 볼(24)을 부착할 수 있다. 도 5를 참조하면, 상기 마더 보드(80)에 관통공(80a)이 형성된 경우에는 상기 볼 패드(22)에 상기 절연층(30)의 두께와 동등하거나 그 이상이 되도록 상기 도금층(23)을 형성하여 씨모스 이미지 센서용 패키지(200)를 상기 마더 보드(80)의 하면(80c)에 직접 실장한다. 이러한 경우에는 씨모스 이미지 센서용 패키지의 박판화가 가능하다.
상기 절연층(30)은 상기 회로 패턴(20)이 형성된 베이스 부재(10)의 양측면에 형성된다. 상기 절연층(30)은 상기 본딩 패드(21)와 상기 볼 패드(22)가 노출되도록 형성된다. 상기 절연층(30)은 포토 솔더 리지스트(Photo solder resist)를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 씨모스 이미지 센서용 패키지(200)의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
우선, 상기 베이스 부재(10)의 중앙부에 관통공(5)을 형성한다. 이어서 상기 베이스 부재를 관통하는 다수의 작은 홀을 형성한다. 그리고 베이스 부재(10)의 양측면(10a, 10b)에 흑화 처리를 한 후에 상기 베이스 부재(10)의 양측면에 접착층(6)을 형성한다. 상기 다수의 작은 홀의 내벽(10c)에 절연물질을 도포하고 상기 작은 홀을 전도성 부재로 채움으로써 비아 홀(25)을 형성한다(도 6a). 상기 접착층이 형성된 베이스 부재의 양측면상에 구리막(8)을 압착한다(도 6b). 이어서, 상기 구리막 상면에 포토레지스트(9)를 도포하고, 회로 패턴이 형성된 마스크(미도시)를 이용하여 노광 및 현상을 하게 된다(도 6c). 이어서 에칭 공정으로 양측면에 각각 본딩 패드(21)와 볼 패드(22)가 형성된 회로 패턴을 형성하게 된다(도 6d).다음으로, 상기 포토레지스트(9)를 제거하는 박리 공정을 수행하게 된다(도 6e). 이러한 회로 패턴 형성 공정(도 6b 내지 도 6e) 대신에 회로 패턴이 이미 형성되어 있는 PI 테이프를 이용할 수도 있다. 상기 회로 패턴이 형성된 베이스 부재의 양측면에 각각 상기 본딩 패드(21)와 상기 볼 패드(22)가 노출되고 상기 회로 패턴을 보호하도록 절연층(30)을 형성한다(도 6f). 상기 절연층(30)은 포토 솔더 리지스트를 상기 회로 패턴(20)위에 도포하고 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드가 노출되도록 노광 및 현상을 하여 형성된다. 이어서, 상기 본딩 패드(21)에 본딩 플립칩(50)을 형성시킨후 상기 칩의 단자들(40a)과 상기 본딩 패드(21)를 플립칩 본딩하여 칩(40)을 고정한다(도 6g). 상기 본딩 플립칩을 보호하기 위해 상기 절연층, 상기 본딩 플립칩, 및 상기 칩의 주변부(40b)사이에 엔캡슐런트(60)를 충전한다(도 6h). 상기 베이스 부재(10)의 관통공을 밀폐하도록 상기 베이스 부재의 타측면(10b)에 커버 글라스(70)를 고정하여 포토 디텍터(41)를 보호한다(도 6i).
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서용 패키지는 베이스 부재로 금속판을 사용함으로써 박판화와 소형화가 가능하고 흡습성이 적어진다는 이점이 있다. 또한, 열방출성이 커진다는 이점이 있다.
또한, 불활성 기체가 커버 글라스에 의해 밀폐된 공간에 충전됨으로써 화상 입력 감도가 개선된다는 이점이 있다.
또한, 볼 패드에 두껍게 형성된 도금층에 의해 마더 보드에 직접 실장함으로써 박판화가 가능하다는 이점이 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
Claims (14)
- 관통공이 형성되고 일측면에 접착층이 형성된 베이스 부재와;상기 베이스 부재에 접착되고 양단부에 각각 본딩 패드와 볼 패드가 형성된 회로 패턴과;상기 회로 패턴이 형성된 베이스 부재의 일측면에 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드가 노출되도록 형성된 절연층과;상기 베이스 부재에 고정되며 본딩 플립칩에 의해 단자들이 각각 상기 본딩 패드와 접속되는 칩과;상기 절연층, 상기 본딩 플립칩, 및 상기 칩의 주변부사이에 충전된 엔캡슐런트와;상기 베이스 부재의 관통공을 밀폐하도록 상기 베이스 부재의 타측면에 고정되는 커버 글라스;를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지.
- 관통공이 형성되고 양측면에 접착층이 형성된 베이스 부재와;상기 베이스 부재를 관통하는 다수의 비아 홀이 형성되고, 상기 베이스 부재의 일측면에 본딩 패드가 형성되며 타측면에 볼 패드가 형성되어 상기 비아 홀을 통해서 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드를 연결하는 회로 패턴과;상기 회로 패턴이 형성된 베이스 부재의 양측면에 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드가 노출되도록 형성된 절연층과;상기 베이스 부재에 고정되며 본딩 플립칩에 의해 단자들이 각각 상기 본딩 패드와 접속되는 칩과;상기 절연층, 상기 본딩 플립칩, 및 상기 칩의 주변부사이에 충전된 엔캡슐런트와;상기 베이스 부재의 관통공을 밀폐하도록 상기 베이스 부재의 타측면에 고정되는 커버 글라스;를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 베이스 부재가 금속판으로 된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지.
- 제3항에 있어서,상기 금속판의 양측면에 흑화 처리를 한 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 회로 패턴은 구리, PI 테이프중의 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지.
- 제1항에 또는 제2항에 있어서,상기 칩의 상면에 형성되어 상기 엔캡슐런트가 상기 관통공으로 유입되는 것을 방지하는 댐을 형성한 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 볼 패드에 도금층이 형성되어 마더 보드의 단자와 접속된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,불활성 기체가 상기 밀폐된 관통공에 충전된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지.
- 베이스 부재에 관통공을 형성하고 일측면에 접착층을 형성하는 단계;상기 접착층이 형성된 베이스 부재상에 양단부에 본딩 패드와 볼패드가 형성된 회로 패턴을 형성하는 단계;상기 회로 패턴이 형성된 베이스 부재의 일측면에 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드가 노출되도록 절연층을 형성하는 단계;상기 베이스 부재의 일측면에 칩의 단자들과 상기 본딩 패드를 플립칩 본딩하여 칩을 고정하는 단계;상기 본딩 플립칩을 보호하기 위해 상기 절연층, 상기 본딩 플립칩, 및 상기 칩의 주변부사이에 엔캡슐런트를 충전하는 단계;상기 베이스 부재의 관통공을 밀폐하도록 상기 베이스 부재의 타측면에 커버 글라스를 고정하는 단계;를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지의 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 회로 패턴을 형성하는 단계는 상기 접착층이 형성된 베이스 부재에 PI 테이프를 압착하는 단계로 된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지의 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 회로 패턴을 형성하는 단계는 상기 접착층이 형성된 베이스 부재에 구리막을 압착하는 단계;상기 베이스 부재에 압착된 구리막에 포토레지스트를 도포하고 , 노광, 현상 및 에칭하여 회로 패턴을 형성하고, 상기 회로 패턴의 양단부에 각각 본딩 패드와볼패드를 형성하는 단계;를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지의 제조 방법.
- 베이스 부재에 관통공을 형성하고 양측면에 접착층을 형성하는 단계;상기 접착층이 형성된 베이스 부재를 관통하는 다수의 비아 홀을 형성하는 단계;일측면에 본딩 패드가 형성되고 타측면에 볼 패드가 형성되어 상기 비아 홀을 통해서 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드를 연결하는 회로 패턴을 형성하는 단계;상기 회로 패턴이 형성된 베이스 부재의 양측면에 상기 본딩 패드와 상기 볼 패드가 노출되도록 절연층을 형성하는 단계;상기 베이스 부재의 일측면에 칩의 단자들과 상기 본딩 패드를 플립칩 본딩하여 칩을 고정하는 단계;상기 본딩 플립칩을 보호하기 위해 상기 절연층, 상기 본딩 플립칩, 및 상기 칩의 주변부사이에 엔캡슐런트를 충전하는 단계;상기 베이스 부재의 관통공을 밀폐하도록 상기 베이스 부재의 타측면에 커버 글라스를 고정하는 단계;를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 회로패턴을 형성하는 단계는 상기 접착층이 형성된 베이스 부재에 PI테이프를 압착하는 단계로 된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 회로 패턴을 형성하는 단계는 상기 접착층이 형성된 베이스 부재에 구리막을 압착하는 단계;상기 베이스 부재에 압착된 구리막에 포토레지스트를 도포하고, 노광, 현상 및 에칭하여 회로 패턴을 형성하고, 상기 베이스 부재의 양측면에 각각 본딩 패드와 볼패드를 형성하는 단계;를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서용 패키지의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000067792A KR100354114B1 (ko) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | 씨모스 이미지 센서용 패키지와 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000067792A KR100354114B1 (ko) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | 씨모스 이미지 센서용 패키지와 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020037865A true KR20020037865A (ko) | 2002-05-23 |
| KR100354114B1 KR100354114B1 (ko) | 2002-10-05 |
Family
ID=19699152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000067792A KR100354114B1 (ko) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | 씨모스 이미지 센서용 패키지와 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100354114B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100769722B1 (ko) * | 2006-10-10 | 2007-10-24 | 삼성전기주식회사 | 이미지센서의 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 및 그제조방법 |
| CN110661936A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 线路板组件、感光组件、摄像模组及感光组件制作方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09199701A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-07-31 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
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| US8053868B2 (en) | 2006-10-10 | 2011-11-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Wafer level chip scale package of image sensor and manufacturing method thereof |
| CN110661936A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 线路板组件、感光组件、摄像模组及感光组件制作方法 |
| CN110661936B (zh) * | 2018-06-29 | 2024-04-16 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 线路板组件、感光组件、摄像模组及感光组件制作方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100354114B1 (ko) | 2002-10-05 |
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