KR20020028382A - 유기전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 합성수지 재질의 기판에 형성된 유기전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 합성수지 기판 상에 유기전계발광 디바이스를 형성하여 디스플레이가 가능토록 함으로써 유기전계발광 디바이스의 깨짐을 방지함은 물론 유기전계발광 디바이스의 중량 및 부피를 획기적으로 감소시키는 다양한 효과를 갖는다.

Description

유기전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법{Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof}

본 발명은 유기전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 합성수지 재질의 기판에 형성된 유기전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

최근 들어, 방대한 정보를 단위 시간 내 처리하는 고성능 정보처리장치의 개발과 함께 정보처리장치에서 처리된 전기적 신호를 사용자가 인식할 수 있도록 정보처리장치-사용자의 인터페이스 역할을 수행하는 디스플레이 장치의 개발 또한 꾸준히 진행되고 있다.

이와 같은 디스플레이 장치는 그 종류에 따라서 CRT 방식 디스플레이 장치(Cathode Ray Tube type display device), 액정 표시장치(Liquid Crystal Display device), 유기전계발광 디바이스(Organic electroluminescence device) 등으로 구분된다.

특히, 유기전계발광 디바이스의 경우, 수동 소자인 액정을 사용함으로써 "백라이트 어셈블리"라 불리는 광공급장치를 필요함은 물론 고도로 정밀한 구동 및 복잡한 제작 방법을 갖는 액정표시장치에 비해 빠른 응답속도 특성, 고휘도 특성, 간단한 구조 특성, 낮은 생산 코스트 특성, 낮은 중량 및 작은 부피를 갖는 특성 등을 고루 갖춤으로써 차세대 디스플레이 디바이스로 주목받고 있다.

이와 같은 다양한 장점을 갖는 유기전계발광 디바이스를 구현하기 위한 가장 간단한 구조는 투명 기판에 형성된 제 1 전극, 제 1 전극의 상면에 형성된 유기전계발광 박막층, 유기전계발광 박막층의 상면에 형성된 또 하나의 제 2 전극으로 구성된다.

이때, 제 1 전극으로부터 제 2 전극으로 순방향 전류를 인가할 경우, 유기전계발광 박막층에서는 전자와 정공의 결합 등과 같은 일련의 과정을 거치면서 소정 파장을 갖는 광이 발생하게 되고, 유기전계발광 박막층에서 생성된 광은 제 1 전극, 투명 기판을 통하여 외부로 방출된 후 사용자의 눈으로 입사된다.

이와 같은 발광 메카니즘을 구현하기 위해서 제 1 전극은 광투과가 가능한 전극을 사용해야만 하는 바, 일례로 제 1 전극은 금속보다는 전기적 저항이 높지만 도전성이며 금속보다 월등히 높은 투명도를 갖는 인듐 틴 옥사이드(Indum Tin Oxide)라 불리는 물질이 사용된다.

그러나, 이와 같은 인듐 틴 옥사이드 물질은 고온 분위기에서 형성됨으로, 인듐 틴 옥사이드 물질을 전극으로 사용하기 위해서는 인듐 틴 옥사이드의 형성 온도에서도 형상 변경 및 분자 구조 변형이 발생하지 않는 투명 기판을 사용해야 하는 바, 이와 같은 이유로 투명 기판은 인듐 틴 옥사이드 형성 온도에서도 변형이 발생하지 않는 유리 기판이 사용된다.

그러나, 유리 기판은 비정질로 유리 기판에 형성된 에지 크랙이 외부 조그만 충격에 의해서 액티브 영역으로 전파되는 중대한 결함은 물론 취성이 매우 약하여 파손이 빈번하게 발생하며, 유기전계발광 디바이스의 중량 및 부피 증가의 주요 원인으로 작용하여 휴대용 디스플레이 장치로써 치명적인 문제점을 갖는다.

따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 유기전계발광 디바이스의 구성요소인 투명 전극의 형성 온도에 관계없이, 투명한 합성수지 기판 상에 유기전계발광 디바이스가 형성되어 정상적으로 작동될 수 있도록 함에 있다.

본 발명의 다른 목적들은 상세하게 후술될 본 발명의 상세한 설명에 의하여 보다 명확해질 것이다.

도 1은 본 발명에 의한 매개 기판에 식각홈을 형성하기 위하여 포토레지스트를 식각홈의 형상대로 패터닝한 것을 도시한 사시도.

도 2는 본 발명에 의하여 포토레지스트가 패터닝된 매개 기판을 에천트에 담그어 식각하는 것을 도시한 개념도.

도 3은 도 2의 A 원내 확대도로, 식각홈이 에칭되는 것을 도시한 원내 확대도.

도 4는 완성된 매개 기판의 외관 사시도.

도 5 또는 도 6은 매개 기판에 희생 박막층을 형성하는 과정을 도시한 공정도.

도 7은 희생 박막층이 형성된 매개 기판에 애노드 전극을 형성하는 과정을 도시한 공정도.

도 8 또는 도 13은 애노드 전극에 각각 레드 유기전계발광층, 그린 유기전계발광층, 블루 유기전계발광층을 형성하는 공정을 도시한 공정도.

도 14는 합성수지 기판에 형성된 제 1 도전성 패턴, 제 2 도전성 패턴, 서포트 박막층 및 도전성 접착제의 관계를 도시한 사시도.

도 15는 매개 기판과 합성수지 기판을 얼라인먼트한 것을 도시한 개념도.

도 16은 매개 기판에 형성된 희생박막층을 식각하는 설비 및 식각 과정을 도시한 개념도.

도 17은 매개 기판과 합성수지 기판이 분리된 것을 도시한 분해 단면도.

도 18은 합성수지 기판에 형성된 유기전계발광 디바이스의 외관 사시도.

도 19는 도 18의 G-G 단면도.

이와 같은 본 발명의 목적을 구현하기 위한 유기전계발광 디바이스 및 유기전계발광 디바이스를 제조하는 방법은 2 개의 기판 즉, 매개 기판에는 희생 박막층, 투명한 캐소드 전극, 유기전계발광층을 순서대로 형성하고, 나머지 하나의 기판 즉, 합성수지 기판에는 금속 물질로 이루어진 애노드 전극 및 도전성 접착층을 형성한 상태에서 매개 기판 및 합성수지 기판을 얼라인먼트 하여 2 개의 기판 사이에 희생 박막층-캐소드 전극-유기전계발광층-도전성 접착층-애노드 전극의 구조를형성한 후, 희생 박막층을 식각물질에 의하여 제거하여 매개 기판이 합성수지기판으로부터 분리되도록 하여 합성수지 기판에 애노드 전극-도전성 접착층-유기전계발광층-캐소드 전극이 형성되도록 한다.

이하, 본 발명에 의한 유기전계발광 디바이스 및 유기전계발광 디바이스를 제조하는 방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

첨부된 도 1 내지 도 17에는 본 발명에 의한 유기전계발광 디바이스의 제작 공정이 도시되어 있고, 도 18에는 완성된 본 발명에 의한 유기전계발광 디바이스가 도시되어 있다.

도 18을 참조하여 본 발명에 의한 유기전계발광 디바이스의 구성을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도면부호 100은 투명한 합성수지 기판으로, 합성수지 기판(100)의 상면에는 제 1 도전성 패턴(200) 및 제 2 도전성 패턴(300)이 각각 다른 영역에 소정 형상으로 패터닝되어 형성된다.

구체적으로, 제 1 도전성 패턴(200) 및 제 2 도전성 패턴(300)은 금속 물질, 예를 들면, 알루미늄 박막으로 구성되며, 공증착 방식 또는 스퍼터링 방식으로 형성할 수 있다.

이때, 도면부호 A로 도시된 영역은 액티브 영역(active area)이고, 도면부호 B로 도시된 영역은 애노드 리드 영역(Anode lead area)이고, 도면부호 C로 도시된 영역은 캐소드 리드 영역(Cathode lead area)이다.

보다 구체적으로, 제 1 도전성 패턴(200)은 복수개가 스트라이프 형상으로도 18에 정의된 좌표계 중 X 축 방향을 따라서 합성수지 기판(100)의 액티브 영역 A로부터 애노드 리드 영역 B에 이르기까지 형성된다.

이때, 제 1 도전성 패턴(200)중 액티브 영역 A에 위치하는 제 1 도전성 패턴(200)의 일부를 애노드 전극(210)이라 정의하기로 하며, 애노드 리드 영역 B에 위치한 제 1 도전성 패턴(200)의 나머지 부분을 애노드 리드(220)라 정의하기로 한다.

즉, 제 1 도전성 패턴(200)은 애노드 전극(210) 및 애노드 리드(220)로 구성된다.

한편, 액티브 영역 A를 기준으로 애노드 리드(220)가 뻗은 방향으로부터 직각을 이루는 곳에 형성된 캐소드 리드 영역 C에는 제 2 도전성 패턴(300)인 캐소드 리드가 형성된다.

이때, 캐소드 리드(300)의 양단부 중 액티브 영역 A와 대향하는 단부는 애노드 전극(210)과 대향하는 방향을 갖는다. 즉, 캐소드 리드(300)는 도 18의 좌표계 중 Y 축 방향으로 갖는다. 이와 같은 형태를 갖는 캐소드 리드(300)는 스트라이프 형태를 갖으며 애노드 리드(220)와 동일한 개수로 형성된다.

이때, 각각의 애노드 전극(210)에는 해상도에 대응하여, 예를 들면, 기 설정된 해상도가 설명의 편의상 일실시예로 도 18에 도시된 바와 같이 5 ×5 라 하였을 때, 각 애노드 전극(210)의 상면에는 5 ×5 매트릭스 형태가 되도록 도전성 접착층(400)이 형성되고, 도전성 접착층(400)의 상면에는 도전성 접착층(400)과 동일한 면적을 갖는 유기전계발광층(500)이 형성된다.

이때, 5 ×5 매트릭스 형태로 배열된 유기전계발광층(500)중 같은 행(columm)에 속한 유기전계발광층(500)은 투명한 인듐 틴 옥사이드 박막층(600)에 의하여 공통적으로 연결된다. 이하, 투명한 인듐 틴 옥사이드 박막층(600)을 캐소드 전극이라 칭하기로 하며, 도면부호 600을 사용하기로 한다.

이후, 캐소드 전극(600)의 단부 중 앞서 설명한 캐소드 전극(600)과 인접한 캐소드 리드(300)는 도전성 연결 부재(650)에 의하여 연결된다.

이때, 도전성 연결 부재(650)는 다른 부분과 쇼트되지 않고 캐소드 리드(300)에만 전기적으로 연결되도록 주의해야 한다.

이와 같은 본 발명에 의한 유기전계발광 디바이스(800)의 경우, 베이스 기판이 광투과가 가능한 합성수지 기판이기 때문에 외부의 충격에 의하여 쉽게 깨지지 않음은 물론 유기전계발광 디바이스의 두께를 매우 얇게 형성할 수 있음은 물론 중량 또한 매우 가볍게 구현할 수 있다.

이하, 이와 같은 다양한 장점을 갖는 합성수지 기판을 베이스 기판으로 하는 유기전계발광 디바이스를 구현하는 방법을 첨부된 도 1 내지 도 18을 참조하여 설명하기로 한다.

앞서 도 18에서 설명한 유기전계발광 디바이스를 구현하기 위해서는 고온,예를 들면, 인듐 틴 옥사이드가 형성되는 온도 이상의 온도에서 변형이 발생하지 않는 재질로 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이 매개 기판(intermediation substrate)을 형성한다. 이어서, 매개 기판에 도 5 내지 도 13에 도시된 바와 같이 희생 박막층(release layer) - 인듐 틴 옥사이드 박막층 - 유기전계발광층을 형성한 후, 도 14에 도시된 바와 같이 합성수지 기판에 애노드 전극, 애노드 리드, 캐소드 리드를 형성하고, 지정된 위치에 도전성 접착제를 드롭한다.

이후, 도 15에 도시된 바와 같이 매개 기판과 합성수지 기판을 얼라인먼트하여 유기전계발광층과 애노드 전극이 도전성 접착제를 매개로 접착되도록 한다.

이후, 도 16 또는 도 17에 도시된 바와 같이 희생 박막층을 소정 에칭 가스에 의하여 제거하여 매개 기판과 합성수지 기판을 분리시킨 후, 도 18 또는 도 19에 도시된 바와 같이 캐소드 전극과 캐소드 리드를 전기적으로 연결함으로써 유기전계발광 디바이스가 제조된다.

이하, 앞서 설명한 내용을 보다 구체적으로 설명하기로 한다.

먼저, 매개 기판을 형성하는 공정을 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 4를 참조하면, 매개 기판(900)은 지정된 크기를 갖으며, 인듐 틴 옥사이드의 형성 온도에서도 변형이 발생하지 않는 어떠한 기판이라도 무방한 바, 본 발명에서는 매개 기판(900)으로 유리 기판을 사용하기로 한다.

매개 기판(900)을 형성하는 공정을 첨부된 도 1을 참조하면 다음과 같다.

소정 면적을 갖는 유리 기판(901)의 일측면에는 전면적에 걸쳐 포토레지스트가 스핀 코팅(spin coating) 등의 방법에 의하여 도포되고, 도포된 포토레지스트의 일부분은 노광, 현상, 베이크 등의 공정을 거침으로써 도 1의 형상 즉, 스트라이프 형태로 개구(910)가 형성된다.

이때, 유리 기판(901)에 남아 있는 임의의 포토레지스트(902)와 인접한 포토레지스트(903)의 사이 간격은 도 18에 도시된 캐소드 전극(600)의 폭 W와 동일하다.

이후, 도 2에 도시된 바와 같이 유리 기판(901)은 유리 기판(901)을 식각하는 소정 면적을 갖는 용기(906)에 수납된 소정 에천트(905)에 담그어져 식각이 진행되는 바, 이때, 유리 기판(901) 중 에천트(905)에 의하여 식각되는 부분의 프로파일이 도 3에 도시되어 있다.

보다 구체적으로, 에천트(905)에 의하여 식각되는 부분의 프로파일은 도 3에 도시된 바와 같이 마치 더브테일(dovetail) 형상으로 오버 에칭된다. 이때 오버 에칭된 부분을 식각홈(901a)이라 정의하기로 한다.

즉, 유리 기판(901)에 형성된 식각홈(901a)은 유리 기판(901)의 표면으로부터 유리 기판(901)의 밑으로 내려 갈수록 식각 면적이 넓어지는 형태를 갖도록 하여 결국 도 4의 형태를 갖게 되는 것이다. 이때, 식각홈(901)의 상부면을 특별히 식각 개구(901b)라 정의하기로 한다.

이후, 유리 기판(901)에 잔존하는 포토레지스트 박막을 애싱(ashing) 공정 등에 의하여 완전히 제거함으로써 도 4에 도시된 바와 같이 매개 기판(900)이 제작된다.

이후, 첨부된 도 5에 도시된 바와 같이 매개 기판(900)은 뒤집어진 상태에서 도 6에 도시된 바와 같이 아몰퍼스 실리콘 박막층(이하, a-si 반도체층이라 칭한다;910)이 화학적 기상 증착 또는 공증착 등의 방법에 의하여 매개 기판(900)의 식각홈(901a) 밑면은 물론 식각홈(901a) 이외의 부분에 걸쳐 소정 두께로 형성된다.

보다 구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이 a-si 반도체 층(910)은 매개 기판(900)중 식각되지 않은 부분에서는 그대로 증착 되지만 더브테일 형상으로 식각된 식각홈(901a) 부분에서는 식각홈(901a)의 바닥면에 증착될 수밖에 없는 바, 식각홈(901a)의 밑면에 형성된 a-si 반도체층(910)은 식각 개구(901b)의 면적과 동일하며 식각홈(901a)의 길이와 동일한 긴 스트라이프 형태로 형성된다.

이하, a-si 반도체층(910)을 희생 박막층(release film layer)라 정의하기로 하며, a-si 반도체층의 도면부호 910을 부여하기로 한다.

이후, 도 7에 도시된 바와 같이 희생 박막층(910)이 형성된 매개 기판(900)중 식각 개구(901b)와 대향하는 쪽으로부터 다시 인듐 틴 옥사이드(Indume Tin Oxide;이하, 캐소드 전극이라 칭한다;600)가 공증착 또는 화학적 기상 증착 방법 등에 의하여 형성된다.

이로써, 매개 기판(900)의 식각홈(901a) 내부, 구체적으로 희생 박막층(910)의 상면에는 다시 캐소드 전극(600)이 희생 박막층(910)과 동일한 형태로 형성된다.

한편, 캐소드 전극(600)의 상면에는 기 설정된 유기전계발광 디바이스의 해상도에 따라서, 도 18에 도시된 유기전계발광층(500)이 형성될 위치가 결정된다. 본 발명에서는 일실시예로 5 ×5 매트릭스 형태를 갖는 유기전계발광층(500)을 일실시예로 설명하기로 한다.

이들 유기전계발광층(500)은 풀-컬러를 구현하기 위해서 도 9에 도시된 레드 유기전계발광층(510), 도 11에 도시된 그린 유기전계발광층(520), 도 13에 도시된블루 유기전계발광층(530)이 소정 규칙을 갖으면서 캐소드 전극(600)의 상면에 형성된다. 본 발명에서는 레드 유기전계발광층(510)-그린 유기전계발광층(520)-블루 유기전계발광층(530)의 순서대로 유기전계발광층(500)을 형성하기로 한다.

보다 구체적으로 도 8 또는 도 9에는 레드 유기전계발광층(510)을 형성하는 공정이 도시되어 있다. 도 8의 도면부호 501는 레드 유기전계발광층 형성용 쉐도우 마스크로, 쉐도우 마스크(501)에는 레드 유기전계발광층(510)이 형성될 부분에만 레드 유기전계발광층(510)의 형성 면적대로 개구(502)가 형성된다.

이후, 도 9에 도시된 바와 같이 쉐도우 마스크(501)의 개구(502)를 통하여 개구(502)의 투영면에 해당하는 캐소드 전극(600)에는 레드 유기전계발광층(510)이 형성된다.

레드 유기전계발광층(510)이 모두 형성되면, 도 10에 형성된 그린 유기전계발광층(520)이 형성될 부분에만 개구(522)가 형성된 그린 유기전계발광층 형성용 쉐도우 마스크(521)가 매개 기판(900)에 얼라인먼트된 후, 쉐도우 마스크(521)의 개구(522)를 통하여 개구(522)의 투영면에 해당하는 캐소드 전극(600)에 그린 유기전계발광층(520)이 형성된다.

이때, 일실시예로 그린 유기전계발광층(520)은 전 공정에서 형성된 레드 그린 유기전계발광층(510)의 옆에 나란히 형성된다.

이후, 레드 유기전계발광층(510) 및 그린 유기전계발광층(520)이 모두 형성되면, 도 12에 형성된 블루 유기전계발광층(530)이 형성될 부분에만 개구(532)가 형성된 블루 유기전계발광층 형성용 쉐도우 마스크(532)가 매개 기판(900)에 얼라인먼트된 후, 도 13에 형성된 바와 같이 쉐도우 마스크(531)의 개구(532)를 통하여 개구(532)의 투영면에 해당하는 캐소드 전극(600)에는 블루 유기전계발광층(530)이 형성된다.

이때, 일실시예로 블루 유기전계발광층(530)은 전 공정에서 형성된 그린 유기전계발광층(520)의 옆에 나란히 형성되는 바, 블루 유기전계발광층(530)이 형성됨에 따라 캐소드 전극(600)의 지정된 위치에는 레드, 그린, 블루 유기전계발광층(510,520,530)이 모두 형성된다.

이하, 도 14를 참조하여 합성수지 기판(100)에 애노드 전극(210), 애노드 리드(220), 캐소드 리드(300)를 형성하는 방법을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 소정 두께를 갖는 합성수지 기판(100)의 일측면에는 일실시예로 알루미늄이 공증착 등의 방법에 의하여 소정 두께로 증착되어 알루미늄 박막층이 형성된다.

이후, 합성수지 기판(100)에 형성된 알루미늄 박막층에는 패턴 마스크가 얼라인먼트된 후, 알루미늄 박막층의 일부가 패터닝된다.

보다 구체적으로 합성수지 기판(100)에 패터닝된 알루미늄 박막층은 도 13에 도시된 바 있듯이 매트릭스 형태로 배열된 레드, 그린, 블루 유기전계발광층(510,520,530) 중 각 열(row)에 속한 유기전계발광층이 모두 안착될 수 있도록 스트라이프 형태로 길게 패터닝되어 애노드 전극(210)이 형성된다.

이때, 애노드 전극(210) 중 일부는 길게 연장되어 애노드 리드(220)를 형성하는 바, 애노드 전극(210) 및 애노드 리드(220)를 제 1 도전성 패턴(200)이라 정의하기로 한다.

한편, 애노드 전극(210)과 직교하며, 도 13에 도시된 각각의 캐소드 전극(600)의 연장선상에 해당하는 합성수지 기판(100)에는 알루미늄 박막이 패터닝되어 캐소드 리드(300)가 형성되는 바, 캐소드 리드를 제 2 도전성 패턴이라 정의하기로 한다.

이후, 애노드 전극(210)과 애노드 전극(210)의 사이 중 애노드 전극(210)에 형성될 임의의 유기전계발광층과 임의의 유기전계발광층과 인접한 유기전계발광층의 사이에 해당하는 합성수지 기판(100)에는 조립될 캐소드 전극(600)을 받쳐주는 역할을 하는 서포트 박막층(120)이 형성될 수 있다.

이와 같이 형성된 애노드 전극(210) 중 유기전계발광층이 형성될 각각의 위치에는 도전성 접착물질(400)이 도전성 접착물질 노즐(미도시)을 통하여 일정량이 정밀하게 드롭(drop)된다.

이후, 도 15에 도시된 바와 같이 합성수지 기판(100)의 애노드 전극(210)과 매개 기판(900)의 캐소드 전극(600)이 상호 직각 방향을 갖도록 얼라인먼트된 상태에서 합성수지 기판(100)의 애노드 전극(210)중 도전성 접착물질이 드롭된 위치에는 각각 유기전계발광층(510,520,530)이 정확하게 일치되도록 한 상태에서 매개 기판(900)의 유기전계발광층(510,520,530)과 합성수지 기판(100)의 도전성 접착물질(400)은 접착되어 경화된다.

이후, 도전성 접착물질(400)이 유기전계발광층(510,520,530)과 애노드 전극(210)을 완전히 경화시킨 상태에서 캐소드 전극(600) 및유기전계발광층(510,520,530)을 매개 기판(900)으로부터 분리시켜야 하는 바, 이를 첨부된 도 16 또는 17을 참조하여 설명하면 다음과 같다.

첨부된 도 16을 참조하면, 매개 기판(900)에 형성된 캐소드 전극(600), 유기전계발광층(510,520,530)을 합성수지 기판(100)으로 전사하기 위해서는 얼라인먼트된 매개 기판(900)과 합성수지 기판(100)은 반응 챔버(940)에 로딩되고, 반응 챔버(940)에는 희생 박막층(910)을 식각하는 반응가스가 반응가스 공급장치(950)으로부터 반응 챔버(940)으로 투입된다.

본 발명에서 사용되는 반응가스는 희생 박막층(910)이 a-si 반도체층인 것을 감안하여, a-si 반도체층만을 선택적으로 식각하는 XeF₂가스가 일실시예로 사용되는 바, 반응가스는 이외에도 a-si 반도체층 만을 선택적으로 식각하는 어떠한 가스를 사용하여도 무방하다.

이후, 소정 시간이 경과되면, 반응가스에 의하여 희생 박막층(910)이 모두 식각되고, 결국 도 17에 도시된 바와 같이 합성수지 기판(100)의 애노드 전극(210)의 상면중 도전성 접착물질(400)의 상면에는 유기전계발광층(510,520,530) 및 캐소드 전극(600)이 깨끗하게 떨어져 나오게 된다.

도 18에는 이와 같이 매개 기판(900)으로부터 분리된 합성수지 기판(100)에 형성된 유기전계발광 디바이스(800)의 전체적인 구성이 사시도로 도시되어 있는 바, 캐소드 전극(600)과 캐소드 전극 리드(300)는 별도의 도전성 박막(650)에 의하여 상호 연결되는 공정이 진행된다.

도 19는 본 발명에 의한 G-G 단면도이다.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 합성수지 기판 상에 유기전계발광 디바이스를 형성하여 디스플레이가 가능토록 함으로써 유기전계발광 디바이스의 깨짐을 방지함은 물론 유기전계발광 디바이스의 중량 및 부피를 획기적으로 감소시키는 다양한 효과를 갖는다.

본 발명에서는 바람직한 일실시예로 매개 기판에 식각홈을 형성하고 식각홈 내부에 희생 박막층, 캐소드 전극, 유기전계발광층을 형성하였지만, 이와 같은 방법 이외에도 평평한 매개 기판에 패턴 마스크를 사용하여 앞서 언급한 것과 마찬가지 방법으로 희생 박막층, 캐소드 전극, 유기전계발광층을 형성하여도 앞서 설명한 일실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있을 것이다.

Claims (10)

1. 소정 면적을 갖는 합성수지 기판과;

   상기 합성수지 기판의 일측면에 형성된 금속 재질의 제 1 전극과;

   상기 제 1 전극의 상면에 형성된 도전성 접착수단과;

   상기 도전성 접착 수단의 상면에 형성된 유기전계발광 수단과;

   상기 유기전계발광층의 상면에 형성된 투명한 제 2 전극을 포함하는 유기전계발광 디바이스.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 플레이트 형상을 갖으며, 수평 해상도에 대응하는 개수가 상기 합성수지 기판에 제 1 방향을 갖도록 상호 평행하도록 형성되며,

   상기 도전성 접착수단은 상기 제 1 전극에 수직 해상도에 대응하는 개수가 상기 합성수지 기판에 상호 소정 간격을 갖도록 형성되며,

   상기 도전성 접착수단의 상면에는 레드, 그린, 블루의 광을 방출하는 레드 유기전계발광층, 그린 유기전계발광층, 블루 유기전계발광층이 소정 패턴으로 형성된 유기전계발광수단이 형성되며,

   상기 제 2 전극은 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향을 갖으며, 유기전계발광수단 중 2 방향에 속한 유기전계발광수단에 공통적으로 연결되는 유기전계발광 디바이스.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 합성수지 기판 중 상기 제 1 전극에 형성된 임의의 유기전계발광수단 및 인접한 유기전계발광수단의 사이에 해당하는 곳에는 상기 제 2 전극을 지지하는 서포트 블록이 더 형성된 유기전계발광 디바이스.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 합성수지 기판에는 상기 제 2 전극과 전기적으로 접속되도록 마련된 제 2 전극 리드가 더 형성되고, 상기 제 2 전극과 상기 제 2 전극 리드는 도전성 연결 부재에 의하여 전기적으로 연결되는 유기전계발광 디바이스.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 알루미늄 재질이고, 상기 제 2 전극은 인듐 틴 옥사이드 재질인 유기전계발광 디바이스.
6. 합성수지 기판의 상면에 유기전계발광 디바이스를 제조하는 방법에 있어서,

   상기 합성수지 기판의 상면에 소정 형상을 갖는 금속 재질의 제 1 전극을 형성한 후 상기 제 1 전극의 상면에 도전성 접착수단을 도포하는 제 1 공정, 매개 기판에 소정 형상을 갖는 희생 박막층을 형성한 후 상기 희생박막층의 상면에 투명한 제 2 전극을 형성하고 상기 제 2 전극의 상면에 유기전계발광층을 형성하는 제 2 공정을 포함하는 전처리 단계와;

   상기 합성수지 기판의 상면에 형성된 상기 도전성 접착수단과 상기 매개 기판에 형성된 유기전계발광층이 상호 대향하도록 얼라인먼트 하여 상기 도전성 접착수단과 상기 유기전계발광층이 상호 접착되도록 하는 어셈블리 단계와;

   상기 희생박막층을 식각하여 상기 매개 기판에 형성된 상기 제 2 전극 및 상기 유기전계발광층을 상기 매개 기판으로부터 분리하는 분리 단계를 포함하는 유기전계발광 디바이스의 제조 방법.
7. 제 6 항에 있어서, 매개 기판의 일측면에는 제 1 방향을 갖으며, 더브테일 형상을 갖는 복수개의 식각홈이 형성되고, 상기 식각홈의 내부에는 희생박막층, 제 2 전극, 상기 유기전계발광층이 순차적으로 형성되는 유기전계발광 디바이스의 제조 방법.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 식각홈은 입구 면적보다 상기 식각홈의 바닥면적이 더 크도록 형성된 유기전계발광 디바이스의 제조 방법.
9. 제 6 항에 있어서, 상기 희생박막층은 a-si 반도체층인 유기전계발광 디바이스의 제조 방법.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 희생박막층은 XeF₂가스에 의하여 식각되는 유기전계발광 디바이스의 제조 방법.